專利名稱：成膜裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及成膜裝置，尤其涉及CVD技術領域。
背景技術：
目前，氮化鎵(GaN)用于發(fā)光二極管等的電子元件的材料。為了制作氮化鎵的結(jié)晶，使用有機金屬氣相成長(MOCVD)法的成膜裝置。
圖8顯示了用于MOCVD法的現(xiàn)有的成膜裝置110的內(nèi)部構成圖。
成膜裝置110具有真空槽112、將基板140保持的基板保持臺141以及第一原料氣體所通過的第一配管132a和第二原料氣體所通過的第二配管132b。
真空排氣裝置113連接于真空槽112，真空槽112內(nèi)構成為能夠進行真空排氣。
第一配管132a和第二配管132b配置在真空槽112內(nèi)，設于一端的第一放出孔 122a和第二放出孔122b分別朝向基板保持臺141上的基板140。第一配管132a和第二配管132b的另一端分別氣密地貫通真空槽112的壁面而延伸至真空槽112的外側(cè)，并連接于將第一原料氣體放出的第一氣體供給部135a和將第二原料氣體放出的第二氣體供給部 135b。
在基板保持臺141，安裝有電熱器142，電源裝置144電連接于電熱器142。如果從電源裝置144施加直流電壓至電熱器142，則電熱器142發(fā)熱而加熱被保持在基板保持臺 141的表面的基板140。
在基板保持臺141的背面，以與該背面垂直的方式安裝旋轉(zhuǎn)軸146，旋轉(zhuǎn)裝置147 連接于旋轉(zhuǎn)軸146，該旋轉(zhuǎn)裝置147使旋轉(zhuǎn)軸146以旋轉(zhuǎn)軸146的中心軸線為中心而旋轉(zhuǎn)。 如果旋轉(zhuǎn)裝置147使旋轉(zhuǎn)軸146旋轉(zhuǎn)，則基板保持臺141和基板140 —起與基板140的表面平行地旋轉(zhuǎn)。
說明使用成膜裝置110而在基板140的表面形成GaN的薄膜的方法。
對真空槽112內(nèi)進行真空排氣，隨后繼續(xù)真空排氣。將基板140載置于基板保持臺141，使基板140與基板140的表面平行地旋轉(zhuǎn)。
如果加熱基板140并同時使作為第一原料氣體的氨(NH3)和作為第二原料氣體的三甲基鎵(TMGa、(CH3)3Ga)分別從第一放出孔122a和第二放出孔122b向著基板140的表面放出并混合，則(CH3) 3Ga+NH3 — GaN+3CH4的化學反應使得GaN成膜于基板140的表面。與GaN —起生成的CH4被真空排氣裝置 113真空排氣至真空槽112的外側(cè)。
如果第一原料氣體和第二原料氣體混合，則發(fā)生反應，因而為了使第一原料氣體和第二原料氣體在到達基板140為止不反應，必須使第一配管132a的第一放出孔122a和第二配管132b的第二放出孔122b接近離基板140的表面l(T40mm的距離，使第一原料氣體和第二原料氣體在基板140的表面的跟前混合。再者，為了在基板140的表面均質(zhì)地成膜，必須將第一放出孔122a和第二放出孔122b行列狀地交替配置在與基板140相對的平面上，以均一的比例將第一原料氣體和第二原料氣體放出至基板140的表面。
另外，成膜中，將基板140加熱至IIOO0C的高溫，可是如果第一配管132a和第二配管132b接近基板140，則第一配管132a和第二配管132b被加熱，原料氣體可能在第一配管132a和第二配管132b的內(nèi)部分解。因此，將第一配管132a和第二配管132b冷卻的冷卻裝置是必要的。
為了滿足以上的條件，成膜裝置的原料氣體放出部的構造必須選取例如具有層狀構造并由細管形成數(shù)萬個放出孔等的復雜的構造，存在著制作困難的問題。
專利文獻專利文獻I :日本特開平8-91989號公報。發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術的不妥而創(chuàng)作的，其目的是提供一種成膜裝置，該成膜裝置具有原料氣體放出部，該原料氣體放出部利用與現(xiàn)有相比制作更容易的構造，能夠?qū)⒍鄠€原料氣體冷卻并同時不混合地放出至基板上。
用于解決問題的方案為了解決上述問題，本發(fā)明為一種成膜裝置，具有真空槽、配置于上述真空槽內(nèi)并設有多個放出孔的中空的放出容器、配置于上述放出容器的中空部分的多個管狀的導入部、將原料氣體供給至各上述導入部的氣體供給部以及將基板保持在與上述放出容器的上述放出孔相對的位置的基板保持部，各上述導入部的外周側(cè)面緊貼在上述放出容器的面向上述中空部分的壁面，在各上述導入部的上述緊貼的部分，設有使上述導入部的內(nèi)部空間和上述放出孔連通的貫通孔。
本發(fā)明為一種成膜裝置，其中，各上述導入部相互平行地朝向上述放出容器的上述壁面并等間隔地配置于上述放出容器的上述壁面。
本發(fā)明為一種成膜裝置，其中，上述氣體供給部具有將第一原料氣體放出的第一氣體供給部和將第二原料氣體放出的第二氣體供給部，上述導入部之中的至少一個上述導入部連接于上述第一氣體供給部，另外的上述導入部連接于上述第二氣體供給部。
本發(fā)明為一種成膜裝置，其中，連接于上述第一氣體供給部的上述導入部和連接于上述第二氣體供給部的上述導入部交替并列地配置在上述放出容器的上述壁面。
本發(fā)明為一種成膜裝置，具有多個副配管和多個連接管，該多個副配管配置在上述放出容器的上述中空部分并在外周側(cè)面設有多個副貫通孔，上述外周側(cè)面的上述副貫通孔的外周部分與上述放出容器的上述壁面離開，該多個連接管的一端連接于上述副貫通孔且另一端連接于上述放出孔而使上述副貫通孔和上述放出孔連通，上述氣體供給部具有將第一原料氣體放出的第一氣體供給部和將第二原料氣體放出的第二氣體供給部，上述配管連接于上述第一氣體供給部，上述副配管連接于上述第二氣體供給部。
本發(fā)明為一種成膜裝置，構成為在上述放出容器的容器壁，設有導入口和排出口， 被管理溫度的冷媒從上述導入口被導入上述放出容器的上述中空部分，從上述排出口排出上述冷媒。
發(fā)明效果如果使冷媒進入放出容器的中空部分而使導入部浸于冷媒中，則能夠提高流動于導入部的內(nèi)側(cè)的原料氣體的冷卻效果而防止熱分解。
與對放出原料氣體的數(shù)萬根細管進行釬焊加工的現(xiàn)有的制作方法相比，能夠以簡便的方法制作原料氣體放出部。


圖I是本發(fā)明的成膜裝置的內(nèi)部構成圖。
圖2是本發(fā)明的成膜裝置的A-A線切斷剖面圖。
圖3(a廣3(d)是用于說明原料氣體放出部的制作方法的模式圖。
圖4(a廣4(f)是用于說明配管和底板的固定方法的模式圖。
圖5是原料氣體放出部的第二示例的內(nèi)部構成圖。
圖6是原料氣體放出部的第二示例的B-B線切斷剖面圖。
圖7(a)、7(b)是用于說明具有副配管的原料氣體放出部的模式圖。
圖8是現(xiàn)有的成膜裝置的內(nèi)部構成圖。
具體實施方式
說明本發(fā)明的成膜裝置的構造。圖I顯示了成膜裝置10的內(nèi)部構成圖，圖2顯示了同一圖的A-A線切斷剖面圖。
成膜裝置10具有真空槽12、將基板40保持的基板保持臺(基板保持部)41以及從放出口 22放出原料氣體的原料氣體放出部20。
在真空槽12的槽壁，設有排氣口 12a，真空排氣裝置13連接于排氣口 12a。真空排氣裝置13構成為能夠?qū)φ婵詹?2內(nèi)進行真空排氣。
基板保持臺41配置于真空槽12內(nèi)，并構成為能夠在與放出口 22相對的表面保持基板40。
在基板保持臺41，安裝有電熱器42，電源裝置44電連接于電熱器42。如果從電源裝置44施加直流電壓至電熱器42，則電熱器42發(fā)熱而加熱被保持在基板保持臺41的基板 40。
旋轉(zhuǎn)軸46的一端相對于基板保持臺41的背面垂直地安裝于該背面。旋轉(zhuǎn)軸46 的另一端氣密地貫通真空槽12的槽壁而延伸至真空槽12的外側(cè)并連接于旋轉(zhuǎn)裝置47。旋轉(zhuǎn)裝置47在此具有馬達并構成為能夠以旋轉(zhuǎn)軸46的中心軸線為中心而將旋轉(zhuǎn)軸46旋轉(zhuǎn)。
如果旋轉(zhuǎn)裝置47使旋轉(zhuǎn)軸46旋轉(zhuǎn)，則基板保持臺41和被保持在基板保持臺41 的基板40 —起與基板保持臺41的背面平行地旋轉(zhuǎn)，即，與基板40的表面平行地旋轉(zhuǎn)，換言之，以相對于基板40的表面垂直的旋轉(zhuǎn)軸線為中心而旋轉(zhuǎn)。
說明原料氣體放出部20的第一示例的構造。
原料氣體放出部20具有設有多個放出孔22的中空的放出容器21和配置于放出容器21的中空部分25的管狀的多個導入部Sla1Ila3^lb1Illv
各導入部Sla1Ila3^lb1Ilb3的外周側(cè)面緊貼在放出容器21的面向中空部分25的壁面，在各導入部31a廣31a3、31b^31b3的緊貼于上述壁面的部分，設有使導入部 Sla1Ila3Jlb1Ilb3的內(nèi)部空間和放出孔22連通的貫通孔32Β^32Β3、321^321ν
原料氣體放出部20的各導入部Sla1Ila3^lb1Ilb3為在外周側(cè)面設有貫通孔 32a"32a3>32b1"32b3 的配管。
圖3(a廣3(d)是用于說明原料氣體放出部20的制作方法的模式圖。各配管(導入部)31a廣31a3、32b^32b3的構造相同，以符號31%的配管(導入部)代表并進行說明。
放出容器21具有平板形狀的底板21a。
參照圖3 (a)，將一端被封口的配管31%相互平行地等間隔地配置在底板21a的表面。在此，在底板21a的表面預先等間隔地形成相互平行的多條凹陷，并沿著各凹陷分別配置配管31&1，但是，本發(fā)明不限于此，也可以在平面狀的底板21a的表面不形成凹陷而配置配管31ai。
參照圖3(b)，在已熔化的焊料29流入底板21a的表面和配管31&1的外周側(cè)面之間后，使焊料29冷卻并凝固，利用所謂的釬焊加工，將底板21a的表面和配管31&1的外周側(cè)面固定。
參照圖3(c)，利用激光加工或機械加工而形成孔，該孔從底板21a的表面之中的因釬焊加工而與配管31&1的外周側(cè)面緊貼的部分的背面?zhèn)扰c底板21a的背面垂直地連續(xù)地貫通底板21a和配管31ai的壁面。
所形成的孔之中的形成于底板21a的部分為放出孔22，形成于配管31&1的部分為貫通孔32&1。如果焊料29的部分也看作配管31&1的一部分，則配管31&1的外周側(cè)面之中的貫通孔32&1的外周(周圍)部分緊貼在底板21a的表面。
說明各配管31a廣31a3、32b廣32b3的孔的位置關系，參照圖2，以多個放出孔22 在放出容器21的一個壁面上相互等間隔地離開并排列成行列狀的方式，沿著各配管 31ar31a3>31br31b3而等間隔地形成將放出容器21的壁面和配管31a廣Sla3^lb1Ilb3的側(cè)壁連續(xù)地貫通的孔。在此“排列成行列狀”是指配置于相互平行且等間隔的第一直線L1I4 和相互平行且等間隔的與第一直線L1I4交叉的第二直線M1Il5的各交點。
配管31&1和底板21a的固定方法不限于上述方法(第一方法)，如圖4 (a)所示， 也可以預先在配管31&1的外周側(cè)面等間隔地形成貫通孔32&1，預先在底板21a以與貫通孔 32a,的中心間隔相同的間隔形成放出孔22，以各貫通孔32&1和分別不同的放出孔22相對 (連通)的方式將配管31&1和底板21a對位，隨后，如圖4(b)所示，釬焊加工而固定配管 31a!的外周側(cè)面和底板21a的表面(第二方法)。
然而，在第二方法中，如果放出孔22的數(shù)目增大，則難以對位，另外，由于在釬焊加工時已熔化的焊料29可能露出至放出孔22的內(nèi)側(cè)而堵塞放出孔22，因而第一方法更簡便而優(yōu)選。
在第二方法的情況下，如圖4(c)所示，也可以預先在配管31&1的外周側(cè)面將貫通孔32&1形成為一個貫通孔32&1的外周包圍多個放出孔22的外側(cè)的大小，以多個放出孔22 位于一個貫通孔32&1的內(nèi)側(cè)(一個貫通孔32&1與多個放出孔22連通)的方式對位，隨后， 如圖4(d)所示，釬焊加工配管31ai的外周側(cè)面和底板21a的表面而使一個貫通孔32&1分別與多個放出孔22連通。
在該情況下，即使放出孔22的數(shù)目增大，也容易對位，另外，由于在遠離放出孔22 的外周的位置釬焊加工配管31&1的外周側(cè)面和底板21a的表面，因而焊料29露出至放出孔22的內(nèi)側(cè)的可能性降低。
另外，在第二方法的情況下，如圖4(e)所示，也可以將一個放出孔22的外周形成為包圍多個貫通孔32&1的外側(cè)的大小，以多個貫通孔32&1位于一個放出孔22的內(nèi)側(cè)(一個放出孔22與多個貫通孔32&1連通)的方式對位，隨后，如圖4(f)所示，釬焊加工配管31&1 的外周側(cè)面和底板21a的表面而使一個放出孔22與多個貫通孔32&1連通。
接著，參照圖3(d)，以覆蓋配管31&1的方式將膨出成凸狀的形狀(一端被蓋住的筒形狀)的蓋部21b配置在底板21a的表面上，將蓋部21b的緣緊貼并固定在底板21a的外周，并使作為配管31%的開口端的一端氣密地貫通蓋部21b的壁面而露出至蓋部21b的外側(cè)。
由底板21a和蓋部21b構成中空的放出容器21。
說明原料氣體放出部20的第二示例的構造。
圖5顯示了原料氣體放出部20的第二示例的內(nèi)部構成圖，圖6顯示了同一圖的 B-B線切斷剖面圖。對于原料氣體導入部20的第二示例的構造之中的與第一示例的構造相同的部分，標注了相同的符號而省略說明。原料氣體導入部20的第二示例具有符號 33a"33a3>33br33b3的導入部而取代符號31a廣Sla3^lb1Ilb3的導入部。
各導入部33a廣33a3、33b^33b3的外周側(cè)面緊貼在放出容器21的面向中空部分25的壁面，在各導入部33a廣33a3、33b^33b3的緊貼于上述壁面的部分，設有使導入部 33ai 33a3、33b廣33b3的內(nèi)部空間和放出孔22連通的貫通孔Sga1Iga3Jgb1IQlv
原料氣體放出部20的各導入部33a廣33a3、33b廣33b3為槽，槽的開口成為貫通孔 SQa1^SQa3 λ SQb1^SQb3O
說明原料氣體放出部20的制作方法，在此，以一端被封閉的槽(導入部)33ar33a3>33br33b3的開口(貫通孔)39a^39a3,39b^39b3與底板21a的表面相對的方向，使槽33a廣33a3、33b^33b3的緣緊貼在底板21a的表面，并利用釬焊加工而固定。接著， 利用激光加工或機械加工從底板21a的背面形成放出孔22，使槽33a廣33a3、33b^33b3的內(nèi)部空間和放出孔22連通。接著，以覆蓋槽33a廣33a3、33b^33bd^側(cè)面的方式配置蓋部21b， 將蓋部21b的緣緊貼并固定在底板21a的外周，使槽33a廣33a3、33b^33b3的開口端氣密地貫通蓋部21b的壁面而露出至蓋部21b的外側(cè)，形成中空的放出容器21。
在第一示例的構造中，如果擴大一個配管31a廣31a3、31b:31b3的半徑，則與鄰接的另外的配管接觸，因而不能將配管的內(nèi)徑面積擴大至規(guī)定值以上。另一方面，在第二示例的構造中，通過使槽33a廣33a3、33b^33b3的深度變大，從而具有能夠擴大槽的內(nèi)徑面積，能夠使通過槽的內(nèi)側(cè)的原料氣體的傳導性增加的優(yōu)點。
參照圖I、圖5，原料氣體放出部20的放出容器21，在真空槽12內(nèi)配置于設有放出孔22的壁面能夠與被保持在基板保持臺41的基板40的表面平行地相對的位置。
參照圖2、圖6，第一外部配管38a廣38a3的一端氣密地連接于多個導入部(配管31a廣31a3、31b廣31b3或槽33a廣33a3、33b廣33b3)之中的至少一個導入部(在此為符號 Sla1Ila3的配管或符號SSa1ISa3的槽)的開口端,第二外部配管38br38b3的一端氣密地連接于另外的導入部(符號31b廣31b3的配管或符號33b:33b3的槽)的開口端。
第一外部配管38a廣38%和第二外部配管38br38bJ^另一端分別氣密地貫通真空槽12的壁面而延伸至真空槽12的外側(cè)，并連接于將第一原料氣體放出的第一氣體供給部 35a和將第二原料氣體放出的第二氣體供給部35b。在此，第二原料氣體為如果與第一原料氣體混合則發(fā)生反應的氣體。
在此，連接于第一氣體供給部35a的導入部(符號31a廣31a3的配管或符號 33a廣33a3的槽)和連接于第二氣體供給部35b的導入部(符號31b^31b3的配管或符號 33br33bs的槽)交替并列地配置于放出容器21的面向中空部分25的壁面，從相互不同的放出孔22放出的第一原料氣體和第二原料氣體以均一的比例混合。
第一不例的構造的原料氣體放出部20不限定于一根配管Sla1Ila3Jlb1i^lb3和一根外部配管SSa1ISa3^Sb1ISb3能夠分離的情況,本發(fā)明也包含一根配管Sla1Ila3' Slb1Ilb3和一根外部配管SSa1ISa3^Sb1ISb3由一根連續(xù)的管形成的情況。
參照圖I、圖5，在放出容器21的壁面，設有導入口 23a和排出口 23b。第一冷媒管 52a和第二冷媒管52b分別連接于導入口 23a和排出口 23b，第一冷媒管52a和第二冷媒管 52b氣密地貫通真空槽12的壁面并連接于配置在真空槽12的外側(cè)的冷媒循環(huán)裝置51。
冷媒循環(huán)裝置51從導入口 23a將被管理溫度的冷媒導入放出容器21的中空部分 25，使各導入部(配管Sla1Ila3^lb1Ilb3或槽33a廣33a3、33b廣33b3)的外周側(cè)面與冷媒接觸，將各導入部浸于冷媒中，隨后，從排出口 23b排出冷媒，即，使冷媒循環(huán)于放出容器21 的中空部分25。
如圖7(a)、(b)所示，本發(fā)明的原料氣體放出部20也可以具有配置在放出容器21 的中空部分25 的多個副配管36b廣36b3。在各配管36br36b3的外周側(cè)面，設有多個副貫通孔37b廣37b3，外周側(cè)面的副貫通孔37b廣37b3的外周部分與底板21a的表面離開。
說明原料氣體放出部20的制作方法，利用釬焊加工而將多個連接管34廣343的一端垂直地固定于底板21a的表面，利用釬焊加工而將副配管36b^36b3的外周側(cè)面固定于連接管34廣343的另一端，接著，利用激光加工或機械加工，從底板21a的背面?zhèn)韧ㄟ^連接管 34廣343的內(nèi)側(cè)而形成將底板21a和副配管36b^36b3的壁面貫通的孔(即，放出孔22和副貫通孔37b廣37b3)。副配管36b廣36b3的外周側(cè)面的副貫通孔37b^37b3的外周部分從放出容器21的壁面離開，副貫通孔37b廣37匕和放出孔22經(jīng)由連接管34廣343而連通。此外，利用與上述的說明同樣的方法來加工導入部(配管31a廣31a3或槽33a廣33a3)。
在利用冷媒循環(huán)裝置51使液體的冷媒循環(huán)于放出容器21的中空部分25的情況下，使冷媒的水面的高度維持在比副配管36b^36b3的高度和導入部(配管31a廣31a3或槽 33a廣33a3)的高度的這兩者更高的位置，將副配管36b廣36b3和導入部浸于冷媒中并同時使之循環(huán)。
與導入部(配管31a廣31a3或槽33a廣33a3)相比，副配管36br36b3的與冷媒接觸的接觸面積更大，且副配管36b^36b3從基板40離開而定位，因而容易冷卻。所以，在第二原料氣體比第一原料氣體更容易因熱而分解的情況下，如果使第一原料氣體流動于導入部并使第二原料氣體流動于副配管36b廣36b3，則能夠防止第二原料氣體的熱分解，因而優(yōu)選。 例如，在將有機金屬氣體和NH3氣體用作原料氣體的情況下，使NH3氣體流動于導入部并使有機金屬氣體流動于副配管36b^36b3即可。
說明使用本發(fā)明的成膜裝置10而在基板40的表面形成GaN的薄膜的方法。
在此，在原料氣體放出部20，使用了具有配管Sla1Ila3Jlb1Ilb3的第一示例的構造，但是，即使在使用具有槽33a廣33a3、33b^33b3的第二示例的構造的原料氣體放出部 20和具有副配管36b^36b3的構造的原料氣體放出部20的情況下，使用方法也相同。
參照圖I、圖2，對真空槽12內(nèi)進行真空排氣。隨后，繼續(xù)真空排氣并維持真空槽 12內(nèi)的真空氛圍。
利用圖中未顯示的搬送機器人，將基板40搬入真空槽12內(nèi)，并將基板40載置于基板保持臺41上。
使基板保持臺41和基板40 —起與基板40的表面平彳丁地(即，以相對于基板40 的表面垂直的旋轉(zhuǎn)軸線為中心)旋轉(zhuǎn)，隨后，繼續(xù)基板40的旋轉(zhuǎn)。將被管理溫度的冷媒導入放出容器21的中空部分25,使各配管Sla1Ila3^lb1Ilb3浸于冷媒中并冷卻，隨后，使冷媒循環(huán)于中空部分25而繼續(xù)冷卻。
使電熱器42發(fā)熱，加熱基板40。
在第二氣體供給部35b，利用H2氣體或N2氣體而使液體的TMGa起泡，使作為第二原料氣體的TMGa氣體放出，并使作為第一原料氣體的NH3氣體從第一氣體供給部35a放出。 第一原料氣體通過符號31a廣31a3的配管，第二原料氣體通過符號31b廣31b3的配管，并從放出容器21的各自不同的放出孔22向著基板40的表面被放出。
所放出的第一原料氣體和第二原料氣體在基板40的表面上混合,在基板表面生成GaN的薄膜。與GaN —起生成的副生成物從排氣口 12a被真空排氣至真空槽12的外側(cè)。
多個放出孔22在放出容器21的壁面相互等間隔地離開并排列成行列狀，因而從各放出孔22放出的第一原料氣體和第二原料氣體在基板40上以均一的比例混合，在基板 40的表面，成膜均質(zhì)的薄膜。
冷媒循環(huán)于放出容器21的中空部分25，各配管31a廣Sla3Jlb1Hb3的外周側(cè)面與冷媒接觸而被冷卻。因此，各配管31a廣31a3、31b^31b3即使被基板40所產(chǎn)生的熱加熱，也不升溫，防止第一原料氣體和第二原料氣體在各配管31a廣31a3、31b^31b3的內(nèi)部熱分解。
在基板40的表面形成預先決定的膜厚的薄膜之后,停止來自第一氣體供給部35a 的第一原料氣體和來自第二氣體供給部35b的第二原料氣體的供給，終止GaN的薄膜的形成。
在將薄膜成膜之后，停止旋轉(zhuǎn)裝置47對基板40的旋轉(zhuǎn)，停止電熱器42對基板40 的加熱，由圖中未顯示的搬送機器人將基板40搬出至真空槽12的外側(cè)，交付至下一工序。
接著，由圖中未顯示的搬送機器人將另外的基板40搬入成膜裝置10的真空槽12 內(nèi)，以上述方法反復進行成膜。
在上述說明中，第二氣體供給部35b利用H2氣體或N2氣體使液體的TMGa起泡而將TMGa氣體作為第一原料氣體放出，但是，本發(fā)明也可以構成為使TMGa、三乙基鎵(TEGa)、 三甲基鋁(TMAl)、三甲基銦(TMIn)、硅烷(SiH4)以及二茂鎂(CP2Mg)在各自不同的反應容器內(nèi)起泡，并開閉各反應容器的閥，從而將一種有機金屬氣體或兩種以上的有機金屬氣體的混合氣體作為第二原料氣體而放出。
在該情況下，在將藍寶石、SiC、Si或GaN的基板40搬入真空槽12內(nèi)之后，能夠在同一真空槽12內(nèi)在基板40上依次層疊LT-GaN層、GaN層、Si摻雜η型GaN層、GaN/InGaN 多層膜層以及Mg摻雜P型AlGaN層，即，能夠制作發(fā)光二極管元件的層疊構造。
符號說明 10 :成膜裝置 12 :真空槽21:放出容器22:放出孔 25 :中空部分 23a :導入口 23b :排出口31a廣31a3、31b廣31b3 :導入部(配管) 32a1"32a3>32b1"32b3 :貫通孔 33a1"33a3>33b1"33b3 :導入部(槽) 35a :第一氣體供給部 35b :第二氣體供給部 36b廣36b3 :副配管 37b廣37b3 :副貫通孔 39&^39β3、391^39133 :貫通孔(開口) 41 :基板保持部(基板保持臺)
權利要求
1.一種成膜裝置，其特征在于，具有:真空槽；中空的放出容器，配置于所述真空槽內(nèi)并設有多個放出孔；多個管狀的導入部，配置于所述放出容器的中空部分；氣體供給部，將原料氣體供給至各所述導入部；以及基板保持部，將基板保持在與所述放出容器的所述放出孔相對的位置，各所述導入部的外周側(cè)面緊貼在所述放出容器的面向所述中空部分的壁面，在各所述導入部的所述緊貼的部分，設有使所述導入部的內(nèi)部空間和所述放出孔連通的貫通孔。
2.根據(jù)權利要求I所述的成膜裝置，其特征在于，各所述導入部相互平行地朝向所述放出容器的所述壁面并等間隔地配置在所述放出容器的所述壁面。
3.根據(jù)權利要求I或權利要求2中的任I項所述的成膜裝置，其特征在于，所述氣體供給部具有將第一原料氣體放出的第一氣體供給部和將第二原料氣體放出的第二氣體供給部，所述導入部之中的至少一個所述導入部連接于所述第一氣體供給部，另外的所述導入部連接于所述第二氣體供給部。
4.根據(jù)權利要求3所述的成膜裝置，其特征在于，連接于所述第一氣體供給部的所述導入部和連接于所述第二氣體供給部的所述導入部交替并列地配置在所述放出容器的所述壁面。
5.根據(jù)權利要求I或權利要求2中的任I項所述的成膜裝置，其特征在于，具有多個副配管，配置在所述放出容器的所述中空部分并在外周側(cè)面設有多個副貫通孔， 所述外周側(cè)面的所述副貫通孔的外周部分與所述放出容器的所述壁面離開；以及多個連接管，一端連接于所述副貫通孔且另一端連接于所述放出孔而使所述副貫通孔和所述放出孔連通，所述氣體供給部具有將第一原料氣體放出的第一氣體供給部和將第二原料氣體放出的第二氣體供給部，所述配管連接于所述第一氣體供給部，所述副配管連接于所述第二氣體供給部。
6.根據(jù)權利要求I或權利要求2中的任I項所述的成膜裝置，其特征在于，構成為在所述放出容器的容器壁設有導入口和排出口，被管理溫度的冷媒從所述導入口被導入所述放出容器的所述中空部分，從所述排出口排出所述冷媒。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜裝置，該成膜裝置具有原料氣體放出部，該原料氣體放出部利用與現(xiàn)有相比制作更容易的構造，將多個原料氣體冷卻并同時不混合地放出至基板上。原料氣體放出部(20)由中空的放出容器(21)和多個配管(31a1~31a3、31b1~31b3)構成，該中空的放出容器(21)在容器壁設有多個放出孔(22)，該多個配管(31a1~31a3、31b1~31b3)配置在放出容器(21)的中空部分并在外周側(cè)面設有貫通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)，外周側(cè)面的貫通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)的外周部分緊貼在上述容器壁的內(nèi)側(cè)表面，貫通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)與放出孔(22)連通。如果使冷媒循環(huán)于放出容器(21)的中空部分，則通過配管(31a1~31a3、31b1~31b3)的原料氣體被冷卻。
文檔編號C23C16/455GK102939406SQ20118002911
公開日2013年2月20日 申請日期2011年6月13日 優(yōu)先權日2010年6月14日
發(fā)明者鈴木康正, 木村賢治, 塚越和也, 池長宣昭 申請人:株式會社愛發(fā)科