專利名稱：一種led晶片正極焊墊及其制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于LED晶片焊墊技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED晶片正極焊墊及其制作工藝。
背景技術(shù)：
近年來(lái)LED晶片行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，特別是2008年的經(jīng)濟(jì)危機(jī)以來(lái)，LED行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)就尤為明顯。2009年后半年市場(chǎng)逐步恢復(fù)活力，各個(gè)國(guó)家大力發(fā)展LED照明業(yè)，使得出現(xiàn)眾多的LED晶片生產(chǎn)商，競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。為了增加競(jìng)爭(zhēng)力，各公司在成本的控制上也是別出心裁，主要從LED晶片的結(jié)構(gòu)上來(lái)降低成本。LED晶片包括由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)鍶(S i)這幾種元素中組成的中間發(fā)光層、下層的襯底、最下層的晶片負(fù)極和最上層的晶片正極焊墊。現(xiàn)有技術(shù)中，晶片正極焊墊是以純金作為導(dǎo)體，金在導(dǎo)熱導(dǎo)電性能上比較優(yōu)越， 但是金屬于貴金屬，使得LED晶片的成本明顯增加，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種LED晶片正極焊墊及其制作工藝，該種LED晶片正極焊墊成本低、制作工藝簡(jiǎn)單。本發(fā)明的目的之一是這樣實(shí)現(xiàn)的一種LED晶片正極焊墊，它包括四層鍍層，從下
往上依次為第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層、第四金層。優(yōu)選的，所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層、所述第四金層的厚度比為 2-3 30-40 2-3 :2_4。較為優(yōu)選的，所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層和所述第四金層的厚度比為 2. 25 35 2. 25 :3。更為優(yōu)選的，所述第一鈦層的厚度為2. 25 KA，所述第二鋁層的厚度為35 ΚΑ，所述第三鈦層的厚度為2.25 ΚΑ，所述第四金層的厚度為3 ΚΑ。本發(fā)明的目的之二是這樣實(shí)現(xiàn)的一種LED晶片正極焊墊的制作工藝，它包括以下工藝步驟
A、溫度為35-40°C、真空度為3.5X10—6- 4. 5X IO^6Torr的條件下，在磊晶片上面以 2. 0-2. 5 A/S的速度蒸鍍第一鈦層，冷卻；
B、溫度為35-40°C、真空度為3.5X10—6-4.5X10-6 Torr的條件下，在步驟A得到的第一鈦層上面以12-17A/S的速度蒸鍍第二鋁層，冷卻；
C、溫度為35-40°C、真空度為3.5X 10_6- 4. 5X 10_6 Torr的條件下，在步驟B得到的第二鋁層上面以2. 0-2. 5A/S的速度蒸鍍第三鈦層，冷卻；
D、溫度為35-40°C、真空度為3.5X10-6- 4. 5X10-6 Torr的條件下，在步驟C得到的第三鈦層上面以5-7A/S的速度蒸鍍第四金層，冷卻，完成LED晶片正極焊墊的制作。優(yōu)選的，一種LED晶片正極焊墊及其制作工藝，它包括以下工藝步驟
3A、溫度為35-40°C、真空度為4.0X10—6 Torr的條件下，在磊晶片上面以2. 2A/S的速度蒸鍍第一鈦層，冷卻；
B、溫度為35-40°C、真空度為4.0X10_6 Torr的條件下，在步驟A得到的第一鈦層上面以15A/S的速度蒸鍍第二鋁層，冷卻；
C、溫度為35-40°C、真空度為4.0X10_6 Torr的條件下，在步驟B得到的第二鋁層上面以2. 2A/S的速度蒸鍍第三鈦層，冷卻；
D、溫度為35-40°C、真空度為4.OX 10_6 Torr的條件下，在步驟C得到的第三鈦層上面以6A/S的速度蒸鍍第四金層，冷卻，完成LED晶片正極焊墊的制作。其中，所述步驟A、步驟B、步驟C和步驟D中冷卻的時(shí)間為15-20min。其中，所述步驟A、步驟B、步驟C和步驟D中采用電子槍蒸鍍機(jī)進(jìn)行蒸鍍。本發(fā)明的有益效果為本發(fā)明采用第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層和第四金層的組合取代原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊，在焊墊相同厚度的情況下可以節(jié)省一半以上的黃金，大大降低了成本。根據(jù)實(shí)驗(yàn)情況可以看到LED晶片正極焊墊結(jié)構(gòu)的改變并沒有造成LED 晶片電性及外觀等的改變，完全符合標(biāo)準(zhǔn)要求，可完全應(yīng)用于生產(chǎn)中。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施范圍并不限于此。實(shí)施例1
一種LED晶片正極焊墊，它包括四層鍍層，從下往上依次為第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層、第四金層，所述LED晶片正極焊墊的制作工藝，它包括以下工藝步驟
A、溫度為35°C、真空度為3.5X IO-6Torr的條件下，在磊晶片上面以2. θΑ/S的速度蒸鍍第一鈦層，使得第一鈦層的厚度為2KA，冷卻15min ；
B、溫度為35°C、真空度為3.5X IO-6Torr的條件下，在步驟A得到的第一鈦層上面以 12A/S的速度蒸鍍第二鋁層，使得第二鋁層的厚度為37 KA，冷卻15min ；
C、溫度為35°C、真空度為3.5X IO-6Torr的條件下，在步驟B得到的第二鋁層上面以 2. 0A/S的速度蒸鍍第三鈦層，使得第三鈦層的厚度為2 KA，冷卻15min ；
D、溫度為35°C、真空度為3.5X IO-6Torr的條件下，在步驟C得到的第三鈦層上面以 5A/S的速度蒸鍍第四金層，使得第四金層的厚度為2 KA，冷卻15min，完成LED晶片正極焊墊的制作。實(shí)施例2
一種LED晶片正極焊墊，它包括四層鍍層，從下往上依次為第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層、第四金層，所述LED晶片正極焊墊及其制作工藝，它包括以下工藝步驟
A、溫度為35°C、真空度為4.OX 10_6 Torr的條件下，在磊晶片上面以2. 2A/S的速度蒸鍍第一鈦層，使得第一鈦層的厚度為2. 25 KA，冷卻15min ；
B、溫度為35°C、真空度為4.0X10_6 Torr的條件下，在步驟A得到的第一鈦層上面以 15A/S的速度蒸鍍第二鋁層，使得第二鋁層的厚度為35 KA，冷卻15min ；
C、溫度為35°C、真空度為4.0X10_6Torr的條件下，在步驟B得到的第二鋁層上面以 2. 2A/S的速度蒸鍍第三鈦層，使得第三鈦層的厚度為2. 25 KA，冷卻15min ；
D、溫度為35°C、真空度為4.0X10—6Torr的條件下，在步驟C得到的第三鈦層上面以6A/S的速度蒸鍍第四金層，使得第四金層的厚度為3 KA，冷卻15min，完成LED晶片正極焊墊的制作。實(shí)施例3
一種LED晶片正極焊墊，它包括四層鍍層，從下往上依次為第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層、第四金層，所述LED晶片正極焊墊的制作工藝，它包括以下工藝步驟
A、溫度為40°C、真空度為4.5 X IO-6Torr的條件下，在磊晶片上面以2. 5 A/S的速度蒸鍍第一鈦層，使得第一鈦層的厚度為3 KA，冷卻20min ；
B、溫度為40°C、真空度為4.5X ΙΟ"6 Torr的條件下，在步驟A得到的第一鈦層上面以 17A/S的速度蒸鍍第二鋁層，使得第二鋁層的厚度為33 KA，冷卻20min ；
C、溫度為40°C、真空度為4.5X ΙΟ"6 Torr的條件下，在步驟B得到的第二鋁層上面以 2. 5A/S的速度蒸鍍第三鈦層，使得第三鈦層的厚度為3 KA，冷卻20min ；
D、溫度為40°C、真空度為4.5X ΙΟ"6 Torr的條件下，在步驟C得到的第三鈦層上面以 7A/S的速度蒸鍍第四金層，使得第四金層的厚度為4 KA，冷卻20min，完成LED晶片正極焊墊的制作。外觀與性能測(cè)試。1、將實(shí)施例1-3完成的LED晶片正極焊墊制作的LED晶片和43KA純金正極焊墊制作的LED晶片高溫合金后進(jìn)行外觀比對(duì)，外觀基本上沒太大變化。2、將實(shí)施例1-3完成的LED晶片正極焊墊制作的LED晶片和43KA純金正極焊墊制作的LED晶片高溫合金后進(jìn)行相同條件的焊線測(cè)試，對(duì)比焊線拉力和推力，焊線使用直徑為Imil正常金線，每片LED晶片各取20EA進(jìn)行焊線測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如下數(shù)據(jù)
權(quán)利要求
1.一種LED晶片正極焊墊，其特征在于它包括四層鍍層，從下往上依次為第一鈦層、 第二鋁層、第三鈦層、第四金層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED晶片正極焊墊，其特征在于所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層、所述第四金層的厚度比為2-3 :30-40 2-3 :2_4。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種LED晶片正極焊墊，其特征在于所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層和所述第四金層的厚度比為2. 25 35 2. 25 :3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種LED晶片正極焊墊，其特征在于所述第一鈦層的厚度為2. 25 KA，所述第二鋁層的厚度為35 ΚΑ，所述第三鈦層的厚度為2.25 ΚΑ，所述第四金層的厚度為3 KA0
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的一種LED晶片正極焊墊的制作工藝，其特征在于它包括以下工藝步驟A、溫度為35-40°C、真空度為3.5X10—6- 4. 5X IO^6Torr的條件下，在磊晶片上面以 2. 0-2. 5 A/S的速度蒸鍍第一鈦層，冷卻；B、溫度為35-40°C、真空度為3.5X10—6-4.5X10-6 Torr的條件下，在步驟A得到的第一鈦層上面以12-17A/S的速度蒸鍍第二鋁層，冷卻；C、溫度為35-40°C、真空度為3.5X 10_6- 4. 5X 10_6 Torr的條件下，在步驟B得到的第二鋁層上面以2. 0-2. 5A/S的速度蒸鍍第三鈦層，冷卻；D、溫度為35-40°C、真空度為3.5X10-6- 4. 5X10-6 Torr的條件下，在步驟C得到的第三鈦層上面以5-7A/S的速度蒸鍍第四金層，冷卻，完成LED晶片正極焊墊的制作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種LED晶片正極焊墊的制作工藝，其特征在于它包括以下工藝步驟A、溫度為35-40°C、真空度為4.0X10—6 Torr的條件下，在磊晶片上面以2. 2A/S的速度蒸鍍第一鈦層，冷卻；B、溫度為35-40°C、真空度為4.0X10_6 Torr的條件下，在步驟A得到的第一鈦層上面以15A/S的速度蒸鍍第二鋁層，冷卻；C、溫度為35-40°C、真空度為4.0X10_6 Torr的條件下，在步驟B得到的第二鋁層上面以2. 2A/S的速度蒸鍍第三鈦層，冷卻；D、溫度為35-40°C、真空度為4.OX 10_6 Torr的條件下，在步驟C得到的第三鈦層上面以6A/S的速度蒸鍍第四金層，冷卻，完成LED晶片正極焊墊的制作。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種LED晶片正極焊墊的制作工藝，其特征在于所述步驟 A、步驟B、步驟C和步驟D中冷卻的時(shí)間為15-20min。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種LED晶片正極焊墊的制作工藝，其特征在于所述步驟 A、步驟B、步驟C和步驟D中采用電子槍蒸鍍機(jī)進(jìn)行蒸鍍。
全文摘要
本發(fā)明屬于LED晶片焊墊技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED晶片正極焊墊及其制作工藝，它包括四層鍍層，從下往上依次為第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層、第四金層。本發(fā)明采用第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層和第四金層的組合取代原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊，在焊墊相同厚度的情況下可以節(jié)省一半以上的黃金，大大降低了成本。根據(jù)實(shí)驗(yàn)情況可以看到LED晶片正極焊墊結(jié)構(gòu)的改變并沒有造成LED晶片電性及外觀等的改變，完全符合標(biāo)準(zhǔn)要求，可完全應(yīng)用于生產(chǎn)中。
文檔編號(hào)C23C14/14GK102208520SQ20111013867
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者吳伯仁 申請(qǐng)人:東莞洲磊電子有限公司