專利名稱：：石英晶片專用拋光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本實(shí)用新型涉及一種石英晶片拋光裝置，更具體地說它是一種石英晶片專用拋光盤，它可用于石英晶片的雙面拋光。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有的石英晶片拋光裝置包括上拋光盤和下拋光盤，上拋光盤上有流沙孔，上拋光盤的下端面有拋光墊，上拋光盤通過上盤帶動(dòng)軸帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，上拋光盤和上盤帶動(dòng)軸之間通過定位塊固定在一起，下拋光盤的上端面有拋光墊，下拋光盤通過下盤帶動(dòng)軸帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，下拋光盤和下盤帶動(dòng)軸之間通過下拋光盤定位銷固定在一起，有外齒圈帶動(dòng)軸位于下拋光盤內(nèi)中間的通孔內(nèi)，有內(nèi)齒圈圍繞在下拋光盤外，內(nèi)齒圈和外齒圈均通過帶動(dòng)軸帶動(dòng)。在內(nèi)齒圈和外齒圈之間有游輪，游輪上有放置拋光晶片的孔位(如圖1所示)，電動(dòng)機(jī)通過變速箱提供四種不同的速度，通過各處自的帶動(dòng)軸傳遞，上拋光盤為逆時(shí)針?biāo)俣刃D(zhuǎn)，下拋光盤為順時(shí)針?biāo)俣刃D(zhuǎn)，內(nèi)齒圈和外齒圈為不同的順時(shí)針?biāo)俣?，?nèi)齒圈和外齒圈帶動(dòng)游輪運(yùn)動(dòng)，游輪則放置在需加工的拋光晶片上(如圖2所示)。這種結(jié)構(gòu)的拋光裝置，其拋光盤為平面結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致拋光中拋光液流動(dòng)差，不均勻，拋光出的拋光晶片頻率散差大，次品和廢品較多。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有石英晶片平面拋光盤的不足之處，而提供一種石英晶片專用拋光盤。本實(shí)用新型的目的是通過如下措施來達(dá)到的石英晶片專用拋光盤，其特征在于它包括上拋光盤和下拋光盤，所述上拋光盤和下拋光盤上均固定有拋光墊，所述的拋光墊上有縱橫交錯(cuò)的開槽。在上述技術(shù)方案中，所述拋光墊的背面通過背膠與上拋光盤或下拋光盤粘貼在一起。在上述技術(shù)方案中，所述拋光墊的厚度為0.6-0.8mm，槽寬為1.0-1.5mm，槽深為0.5mmο本實(shí)用新型石英晶片專用拋光盤具有如下優(yōu)點(diǎn)解決拋光液流動(dòng)差的問題，方法簡單，效果明顯，降低了生產(chǎn)成本，工作效率提高了50%。下表為原有拋光盤(未開槽)與本實(shí)用新型拋光盤(已開槽)加工后的石英晶片的效果比較圖。<table>tableseeoriginaldocumentpage3</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>通過表1可知采用已開槽的拋光盤大大提高了石英晶片的加工質(zhì)量和技術(shù)水平。圖1為石英晶片拋光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為游輪的布置結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型石英晶片專用拋光盤的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.上拋光盤，2.下拋光盤，3.拋光墊(聚氨酯發(fā)泡拋光墊)，4.流沙孔，5.定位塊，6.上盤帶動(dòng)軸，7.下盤帶動(dòng)軸，8.下拋光盤定位銷，9.外齒圈帶動(dòng)軸，10.變速箱，11.外齒圈，12.內(nèi)齒圈，13.游輪，14.孔位，15.開槽。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的實(shí)施情況，但它們并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限定，僅作舉例而已。同時(shí)通過說明本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚和容易理解。參閱附圖可知石英晶片專用拋光盤，它包括上拋光盤1和下拋光盤2，所述上拋光盤1和下拋光盤2上均固定有拋光墊3，所述的拋光墊3上有縱橫交錯(cuò)的開槽15。拋光墊3的背面通過背膠與上拋光盤1或下拋光盤2粘貼在一起。拋光墊3的厚度為0.6-0.8mm,槽寬為1.0-1.5mm，槽深為0.5_。使用時(shí)，電動(dòng)機(jī)通過變速箱10和傳動(dòng)軸(包括上盤帶動(dòng)軸6、下盤帶動(dòng)軸7、外齒圈帶動(dòng)軸9、內(nèi)齒圈帶動(dòng)軸)分別帶動(dòng)上拋光盤1、下拋光盤2、內(nèi)齒圈12和外齒圈22旋轉(zhuǎn)，其中的游輪13位于內(nèi)齒圈12和外齒圈22之間，并由內(nèi)齒圈12和外齒圈22帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，上拋光盤1和下拋光盤2旋轉(zhuǎn)時(shí)用于游輪13內(nèi)孔位14中的石英晶片進(jìn)行雙面拋光，向流沙孔4內(nèi)注入的拋光粉在拋光過程中通過開槽15均勻流出。權(quán)利要求石英晶片專用拋光盤，其特征在于它包括上拋光盤和下拋光盤，所述上拋光盤和下拋光盤上均固定有拋光墊，所述的拋光墊上有縱橫交錯(cuò)的開槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶片專用拋光盤，其特征在于所述拋光墊的背面通過背膠與上拋光盤或下拋光盤粘貼在一起。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石英晶片專用拋光盤，其特征在于拋光墊的厚度為`0.6-0.8mm。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石英晶片專用拋光盤，其特征在于拋光墊上開槽的槽寬為`1.0-1.5_，槽深為0.5_。專利摘要石英晶片專用拋光盤，它包括上拋光盤和下拋光盤，所述上拋光盤和下拋光盤上均固定有拋光墊，所述的拋光墊上有縱橫交錯(cuò)的開槽。它克服了拋光盤為平面結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致拋光中拋光液流動(dòng)差，不均勻，拋光出的拋光晶片頻率散差大，次品和廢品較多的缺點(diǎn)。本實(shí)用新型石英晶片專用拋光盤解決拋光液流動(dòng)差的問題，方法簡單，效果明顯，降低了生產(chǎn)成本，工作效率提高了50％。文檔編號(hào)B24B29/02GK201552490SQ20092008765公開日2010年8月18日申請(qǐng)日期2009年7月28日優(yōu)先權(quán)日2009年7月28日發(fā)明者盧美芝,吳剛,徐承紅,朱永昌,李麗萍,楊岸博申請(qǐng)人:武漢海創(chuàng)電子股份有限公司