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無電鍍金浴、無電鍍金方法及電子部件的制作方法

文檔序號:3393656閱讀:200來源:國知局

專利名稱::無電鍍金浴、無電鍍金方法及電子部件的制作方法
技術領域
:本發(fā)明涉及一種無電鍍金浴,^J^該鍍浴的無電鍍金方法,以疆過依據(jù)該方法無電鍍金的電子部件。
背景技術
:在金屬中,金絲出最小的離子化傾向,tM^J:穩(wěn)定和最耐腐蝕的金屬。jJ^卜,金的導電率板纖,并且因j)^皮廣泛應用在電子工業(yè)領域中。浸鍍金已經(jīng)被廣泛^^作為例如印刷^^i^的電路以及IC封裝的安裝部分或者端子部分的最終的表面處理。特別地,例如,下面的方法已知分別具有下述特征。(1)ENIG(ElectrolessNickelImmersionGold:無電4^鎳/浸<^)一種在g的無電鍍4l^上形成浸鍍金層的方法?!瞿軌蚍乐笴o的擴散,防止鎳的氧化,以;5L^t善電路或者端子的耐腐蝕性。.可用于焊料齡。.在ENIG處理^,通郷頗厚的金可用于引線*。.關于引線#^,在m昏實施熱處理由jtb^^^r層上擴亂為了i^這種情況,無電鍍^^皮實祐在鎳/浸金層上以增加^i厚度,從而來應對鎳的擴t(2)DIG(DirectImmersionGold:直接浸金)-種在銅上直>^形^^4^^^層的方法。■能夠防止銅的氧化,防止銅的擴散,以及改善電路和端子的耐腐蝕性。.可用于焊料^^引^^中。.mit合應用在沒有;^M月顯的熱負荷的十"W下(也^i在低的熱處理溫度,減少的回;繊環(huán)slt和類似的tW下),雖然長期的穩(wěn)定性<^#劣于鎳/金、鎳/4巴/金或勤以物。由于其過程簡單而威^^4氐。(3)ENEPIG(ElectrolessNickelElectrolessPalladiumImmersionGold:無電鍍鎳/無電鍍把/浸金)一種于M的無電鍍4^和浸鍍金層之間形^X電鍍把層的方法。能夠防止銅的擴散,防止鎳的氧^^擴散,以;sjt善電路和端子的耐腐蝕性。最適合于最近被M的無鉛焊料M(因為相比于錫-糊^熔焊料,無鉛焊料在焊料齡時需要;^口更大的熱負荷,并JL^/^fe時,4^#性-^1合于引線*.如果金的厚度不大,不會有鎳的擴^jt。適合于盡管鎳/金可適用,^"獲得更好的可靠性的場合。的,由于這樣,因氧化l二wj^f^用金腐蝕鎳而;k產(chǎn)生腐蝕斑。當焊料層中的錫和4^L隨后的焊料的回流中初Ci^接時,因氧化而導致的腐蝕斑充當了阻礙因素,隨之附帶的問;ll^^t性例如強度斷氐。為了解決這些問題,分別在曰本#^午公開第2004-137589號中公開了一種含有醛的ilL5jl[jM^口^;的無電鍍"^浴,在PCT專利公開第WO2004/111287號中公開了一種含有羥^S^的鍍金浴。這些技術具有抑制^J^金屬的腐蝕的目的。然而,由于這些無電鍍?nèi)?^"有作為iE^劑的^^ilLi^L成分,會涉及有下列的對于^^i^i^ii^^t成分的情y^斤固有的缺陷,(1);錄速率ff"f氐對于^^^F、,^t^iy^lL^L成分充當了穩(wěn)定劑,因此斷氐了金的沉積謎率。(2)錄速率不穩(wěn)定^t^S^lil^^it成^控制中具有很大的困難,因此導,于獲得穩(wěn)定的餘遽率。(3)增厚的狀態(tài)下外觀不良在^^含有il^i^L成分的無電鍍金浴進e^厚(0.1iam或更高)的地方,!^變成了略帶紅色的夕卜觀。i^l:由于^^了顆豐球的金。當使用存在氨基(-冊2)的伯胺^^物,例如PCT專利公開第W02004/111287號中所描述的三亞乙基四胺時,在鎳表面發(fā)生晶間腐蝕因此而降低了金的;tA度,隨之附帶的鐵泉是得到的4W的夕卜只政紅。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是^til些情況下做出的,其目的為提^^種無電鍍金浴,在該浴中,穩(wěn)定的和令人滿意的沉糸速率得以保證,并且當形威^f銀昏時不^iA外,見不良,和一種^JU該鍍浴的無電鍍金方法,以及利用該方法進行無電鍍金的電子部件。為了解決上述的各問題,我們已進行了^x研究,作為研究結果,發(fā)現(xiàn)了一種無電l^金浴,這種^^有水溶性金^^、*劑、充當ia^承劑的賊化合物,和一種具有由下面的通式(1)或(2)所表征的特殊構型的胺勤^物。R「NH-C晶-NH-R2(1)R3-(CH2—NH~C2H4-NH"CH2)n-R4(2)(在式(1)和(2)中,R2、R3和IUJ(^H)H、~CH3、-CH20H、"CAOH、-CH2N(CH3)2、—CH2NH(CH20H)、~CH2NH(C2H,0H)、-C2H4NH(CH20H)、~C2H4NH(C2H4OH)、~CH2N(CH20H)2、-CH2N(CAOH)2、"C孔N(CH20H)2或者-CAN(C2H40H)2并且可以相同或不同,且n是一個1到4的),這種浴能夠在抑制^^金M腐蝕的同時形成無電鍍金層,良好的無電4^^T層,從而完成了^^發(fā)明。更詳細地,本發(fā)明提供下面的無電鍍?nèi)?,無電鍍金方法和電子部件。[1]一種無電鍍金浴,含有7j^f生金^^吻、#劑、充當還原劑的4t^,和一種由下面的通式(l)或(2)所表征的胺^f^物。R,-NH"C2H4-NH-R2(1)r-(ch2-nih:2h4-nh~ch2)n-r4(2)(在式(1)和(2)中,R,、R2、R3和1UJC^""0H、~CH3、~CH20H、-C2H4OH、~CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH2OH)、"CH2NH(C2H4OH)、"C晶NH(CH20H)、-CANH(C晶OH)、"CH2N(CH2OH)2、-CH2N(C2H4OH)2、"C晶N(CH20H)2或者-C2H4N(C晶OH)2并且可以相同或不同,且n是一個1到4的飽幻。所iiit電鍍金浴,其中的W^^和胺^fc^之間的摩爾比;l^類^^:胺#^^=1:30至3:1。[3]所述無電鍍^r浴,其中的7jc溶性金^^物由金的氰^^鹽構成。[4]一種無電4^金方法,包Mi^斤i^電鍍?nèi)w的金屬表面,的步驟。所g電鍍金方法,其中基體的金屬表面是銅或者4l^^表面。[6]所g電鍍金方法,其中基體的金屬表面是絲者^^i表面。[7]所iiiL電鍍金方法,其中M者鎳^r是無電鍍^^或者無電鍍^^金層。所狄電鍍金方法,其中基體的金屬表面是4喊者4e^Ki表面。[9]所g電鍍金方法,其中M者^^r;IX電鍍4e^或者無電鍍^^金層。所i4it電鍍金方法,其中基體的金屬表面是在無電鍍4^或者無電鍍鎳^r層上形成的無電鍍4e^或者無電鍍4e^r層的表面?!?1]才MI所g電^^^方法ii^f亍無電4^^^處理的電子部件。本發(fā)明的有益^^、本發(fā)明,能夠^^急定的^^il率下進行無電鍍金而不會有微的絲^r屬的腐蝕。其沉積速率高,并且由于其中浸漬M原類型而能夠在單一浴的溶液中增厚鍍層。而且,即使增厚,4W^不會有顏色的退化而保持了金所固有的^^^"的顏色,具有良好的外》見。優(yōu)選的實施方式的描述StM"本發(fā)明作詳細皿述。本發(fā)明的無電鍍金;^"有7j^l"生^f^^、^^'j、充當ii^劑的S^f匕合物、和一種由下面的通式(l)或(2)所表征的胺^ft^物。R「NH-C孔-NH-R2(1)R3-(CH「NH~C2H4-NH~CH2)n-R4(2)(在式(1)和(2)中,&、R2、R3和IUJC^"0H、~CH3、-CH20H、~C2H4OH、"CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH2OH)、~CH2NH(C2H4OH)、-C2H4NH(CH20H)、"C晶NH(C晶OH)、~CM(CH2OH)2、-CH2N(C晶OH)2、~C2H4N(CH20H)2或者"CAN(CA0H)2且可以相同或不同,且n是一個1到4的對幻。和傳統(tǒng)的浸鍍金浴不同,本發(fā)明的無電鍍會浴是一種浸漬/ii^、類型的無電鍍金浴,其中,在同"-^浴中躍進e^漬^^ti^f^f、瓦虔。由于在鍍金浴中含有充當ii^劑的醛類4^^和一種具有由通式(1)或(2)所^的特歹輛型的胺類^^,4^發(fā)明的無電^^金^^i^tit^漬反應而^f吏^^^Pv^^J^r屬上,例如銅、4^類似物上,也允許采用已沉積的金作為催化劑利用還原劑使^缺。本發(fā)明的無電鍍金浴能夠?qū)4金屬的腐蝕抑制在最小程度,因jH^J-金屬的離子向鍍浴的'1皮減輕,并#長時間的^^過程中^^速率##^急定。例如,對于"fit的浸鍍,^J、化學計量,^^、的金的妙'艦的;U^金屬(例如銅或者銜的量是相等的。<^本發(fā)明的條,其中^^l例^Ht為;l^金屬,進^f亍直接的無電l^^t程,大部^^^F、的金由浸4^轉(zhuǎn)變?yōu)閕i^鍍,以致于相對于沉積金的洗脫的底基金屬的沉浙、是非常小的,JU皮抑制為傳統(tǒng)的"fit浸鍍的約1/8。這樣,^^金屬的腐^L抑制到最小禾嫂,能夠獲得均勻致密的^lr。由于含有還原劑,在一_5^^金后,金M續(xù)地沉積,因此能夠在一種鍍浴中使4^增厚,而無需為了增厚而實行另一單獨的鍍金工序。另外,金的^^P速率可以^^定,當制^"厚4^時,!^f^^r所固有的檸檬黃的顏色而不會變成略帶紅色的顏色。在^J-金屬是由把制造的地方,扭和^ir之間的電勢差4艮小,不像艦者銅的情況。為此,當^^I傳統(tǒng)的浸鍍金浴在4eJi實施鍍金時,無法獲得均勻的鍍層厚度,并且也無法獲^4^人滿意的厚度。與W目反,本發(fā)明的無電鍍會浴能夠活^le^面,并輛4e^為催化劑依靠還原劑使^^積。而且,通itijl用已^^的金作為催化劑,4r可以ii一^;冗積,以致于4eJi的^^層可^t厚。對于本發(fā)明的無電鍍?nèi)≈泻械?K溶fe^化物,可以^AJ^氰^^鹽例4。^^^、氰^Jr4f、氰^^、氰<^#及#(以物,和^^W^t^t、石克氰縫、石i^k、硝^l、甲^t^、四胺^^、氯^f⑩、溴化物、氫氧^^、氧^^及剿以物,其中^^^金的氰^^鹽。7j^性^f^^的基于金計算的^i:^^在0.0001至1摩爾/升的范圍內(nèi),更艦0.001至0.5摩爾/升。如果^t小于上i^范圍,會關系到^^P速率斷氐,而^i:超itJiib范圍可能會導Itt的經(jīng)濟性。本發(fā)明的無電鍍金浴中含有的^^劑可以是任何已知的在無電銜谷中^^的*劑,包括例如磷酸、硼酸、檸檬酸、葡糖酸、酒石酸、乳酸、蘋果酸、乙二胺、三乙醇胺、乙二胺四乙酸、氨三乙酸、二亞乙"胺五乙酸,幾乙基乙二胺四乙酸、三亞乙基四胺六乙酸、1,3-丙1四乙酸、1,3-2-羥基丙烷四乙酸、輕乙l^^J-二乙酸、二幾基甘氨酸、乙二醇fci胺四乙酸、二^^曱^i^^酸、^^it乙^i^i膦酸(hydroxyethylidenediphosphoricacid)、乙二胺四(亞曱基膦酸)(ethylenediaminetetra(methylenephosphoricacid)),或者它們的硇<金屬(例如鈉或鉀)鹽、a金屬鹽或銨鹽,或者類似物。*劑的濃度^在0.001至1摩爾/升的范圍內(nèi),更M在0.01至0.5摩爾/升。如^1小于上述范圍,由于J^的金屬的作用,^^P遽率可能會降低,而^L^iiJi^t圍,在某些情況下可能會導HJ:的經(jīng)濟性。本發(fā)明的無電鍍金浴中含有充當還原劑的WM^吻。該^tt^包括,例如,像曱醛、乙醛、丙醛、正丁醛、cc-曱基戊醛、P-甲基戊醛、Y-曱基戊醛或類似物的脂族#醛,像乙二醛、丁二醛或類似物的脂族雙醛,像巴豆醛或類似物的脂族不飽和醛,像苯曱醛、鄰硝基苯曱醛、間硝基苯曱醛、對硝M曱醛、鄰曱絲曱醛(o-tolaldehyde)、間曱g甲醛(m"tolaldehyde)、對曱基苯甲醛(p-tolaldehyde)、鄰羥g曱醛、間羥g曱搭、對^J^曱搭、苯乙醛或類似物的芳香醛,或者具有醛基("CHO)的糖類例如葡萄糖、半專源、甘絲、核糖、麥芽糖、專Ut或刻以物,其中艦曱醛。這些^^^的^l^i^0.0001至0.5摩爾/升的范圍內(nèi),更^fe0.001至0.3摩爾/升。如果狄小于上^b范圍,會關系到^^P漣率斷氐。超過上述范圍,浴可能會變得不穩(wěn)定。本發(fā)明的無電鍍金浴中含有一種由下面的通式(1)或(2)所表征的胺^tt^物。R「NH~C2H4-NH-R2(1)r-(gh-nih:2h4—Nin:Hm(2)(在式(1)和(2)中,Ri、R2、R3和IUJt^"0H、~CH3、~CH20H、~C2H4OH、-CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH20H)、~CH2NH(CAOH)、"CANH(CH20H)、"€ANH(C晶OH)、-CH2N(CH20H)2、-CH2N(C2H4OH)2、"CAN(CH20H)2或者-C2H4N(C2H40H)2且可以相同或不同,且n是一個1到4的0。在本發(fā)明的鍍浴中,當單獨使用時醛^H^物并不^iJii^劑作用,^^所,#^^共#^導致產(chǎn)生還原作用。這些胺類4^^的^1^^0.001至3摩爾/升的范圍內(nèi),更^jt0.01至1摩爾/升。如mi小于上述范圍,會關系到^^P速率斷氐。超iUii^范圍,浴可能會變得不穩(wěn)定。搭#^^和胺類^^之間的含量的摩爾比^^^^:胺#^^=1:30至3:1,^il^l:10至l:l。如絲的存在量大于上iiE圍,會關系到浴變得不穩(wěn)定。趁^f化物的濃^^iUi述范圍可能會導致差的經(jīng)濟性。在本發(fā)明的無電l^^r浴中,可以添加在已知的無電銜谷中所使用的穩(wěn)定劑。對于這種穩(wěn)定劑,可以提及例如2-SfU^^f^峻、2-^J^^^米哇、巰基乙酸、5tt丁二酸、石jMV她、硫甘醇、石、石iM戈蘋果酸等的石克^^,以及<錄并三唑、1,2,4-^J^峻等的氮4t^。穩(wěn)定劑的濃度優(yōu)^0.0000001至0.01摩爾/升的范圍內(nèi),更優(yōu)#0.000001至0.005摩爾/升。如^1小于上述范圍,會關系到浴變得不穩(wěn)定,而^^iiJi^范圍可能會導Itt的經(jīng)濟性。要注意的是,本發(fā)明的無電鍍金浴應該M具有較小含量的亞》繊鹽例如ilL5jlt^鈉、ilL5;i^it衍生物例如^^曱^t^和^^^,特別是在10mg/L或以下'如果^fr^l過10mg/L,會關系到金的^c^^率不負^M^急定。jH^卜,也會關系到已增厚的絲的夕卜觀中^jt的變成略帶紅色的缺陷。當然,不用說,無電鍍?nèi)≈凶詈貌缓厦鍹的這樣的亞石;it^鹽、亞石;iL^L衍生物和^^化綠本發(fā)明的無電l^^r浴的pH值to^5至10的范圍內(nèi)。如果pH值小于上述范圍,會關系到^^P速率斷氐;超iiJiH圍,浴可能會變得不穩(wěn)定。作為pH調(diào)節(jié)劑,在輛的4^中所^^的氬氧^#1、氫氧化鉀、氨、石繊、磷酸、硼酸或類似物可用于ji^L本發(fā)明的無電鍍金浴的溫度to在40°C至90°C的范圍內(nèi)。溫度低于上述范圍可能會l^f&^P遽率;超m范圍,浴可能會變得不穩(wěn)定。當^^i本發(fā)明的無電鍍^"浴,^H吏金屬表面樹無電鍍金;&^觸時,基體的該金屬表面可以5MUL電4^金。關于這一點,厚度為0.01-2iam的^^能夠在^^觸時間例如是5到60^!f時形成,該M層能夠在例如為0.002-0.03jum/min的J5L^F遽率下形成。對于基體的金屬表面(微的表面)的材質(zhì),可彬'J銅、#1^、鎳、*金、鈀、4e^r等。鎳*的例子包^#-#^金、鎳-^^等,4e^r的例子包括鈀-#§^。除了基體自身A^金屬制造的情況的表面以外,這種金屬表面可以包^在i^體表面形成的^^屬;t^的;ty^表面,該金屬覆層可以是通過電鍍形成的M或是通過無電鍍形成的覆層。關于這一點,在鎳、鎳^r、鈀和4e^r的情況下,經(jīng)常通過無電ltt形成那些覆層。而且,在基體上經(jīng)由鎳或鎳^r層形成的4eiUE^^層的表面適合于無電鍍金。本發(fā)明的無電鍍金浴可被用于形成M層,例如,通過ENIG(ElectrolessNickelImmersionGold),即一種在底基的無電鍍4^上形成^l^層的方法,DIG(DirectImmersionGold),即一種直接在銅上形成金鍍層的方法,和ENEPIG(ElectrolessNickel,ElectrolessPalladiumImmersionGold),即一種經(jīng)由無電鍍^^在M的無電鍍M上形成^^的方法中的任何一種。在^^可一種情況下,^fM本發(fā)明的無電鍍金浴,能^ft^上面M^的范圍內(nèi)的特^f度的^4W形^^錄面、錄面或錄面上。^、本發(fā)明的無電鍍^r浴和使用相同浴的無電鍍金方法,適合于例如印刷電路仗、IC封裝等的電子部件的接線電5^裝部分或者端子部分的鍍金。要注意的是,用本發(fā)明的鍍浴,在金屬表面(#^面)是由銅形成的情況下和當銅;I^J^時可以獲得阮良的鍍層,能夠得到良好的焊料#^#性例如抑制銅的氧4沐擴散。jH^卜,本發(fā)明的4^^可在4eJi^Pvt量優(yōu)良的^4W,在無鉛焊料^^或引線結合中應用最佳。實施例展示實施例和tb^例來更詳細地闡ii^發(fā)明,而不應解釋為樹艮于下面的實施例。實施例l-6,雄例1-8關于覆銅的印刷電路仗,使用具有表1至3中所示成分的鍍金浴,和實施表4至6中所示的處理,通過(l)直接無電鍍金處理,(2)鍍鎳/金處聊(3)鎳/把/金處理,繼之以4^jH^t理過的覆銅的印刷電^J^A^鍍會浴中鍍金,最g到的4r4t層的厚度、通:M:微4^見察而確定的凹坑的存^il不存在、以及夕Ni^展示于表l至3中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>胺類^^#-1:R「NH"C2H廠NH-R2[其中R,--C晶OH和R1="C2H4OH]胺類^^-2:R3-(CH2-NH-C2H4-NH"CH2)-R4[其中n=1,R3=~CH2NH(CH卿和R4-~CH2NH(CH卿〗胺類^^一3:R3-(CH「NH"C2H「NH"CH2)-R4[其中n=2,R3=~CH2N咖2和H-~CH2N(CH3)2〗(l)直接無電鍍金處理表4<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>在各步驟之間淑沐清洗。(2)鍍鎳/金處理表5<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>在各步驟之間進4沐清洗。(3)鎳/把/金處理表6<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>在各步驟之間進^7jC清洗。在tb^例1至3和7中,僅進行了單獨的浸漬反應,所以在直接無電4^金處理中和鎳/金處理中的M厚度不足,而在鎳/鈀/金處理中發(fā)5d^很少的沉積。在》b^例4、5中,沉積速率斷氐^f^有外觀變成略帶紅色。在tb^例8中,夕Mtt成略帶紅色。從以上的結果中可以看出,本發(fā)明的無電鍍金浴在以下幾方面^LW。(1)能夠形肚凹坑的^M。(2)由于既不含i^jf[^L成分也不含^^分,沉1^^率變得非常高,(3)如果l^增厚,顯示出^的金固有的檸檬黃色的夕卜觀。(4)在一種溶液中能夠?qū)崿F(xiàn)M層的增厚。權利要求1.一種無電鍍金浴,含有水溶性金化合物、絡合劑、醛類化合物、和一種由下面的通式(1)或(2)所表征的胺類化合物。R1-NH-C2H4-NH-R2(1)R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4(2)(在分子式(1)和(2)中,R1、R2、R3和R4代表-OH、-CH3、-CH2OH、-C2H4OH、-CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH2OH)、-CH2NH(C2H4OH)、-C2H4NH(CH2OH)、-C2H4NH(C2H4OH)、-CH2N(CH2OH)2、-CH2N(C2H4OH)2、-C2H4N(CH2OH)2或者-C2H4N(C2H4OH)2且可以相同或不同,且n是一個1到4的整數(shù))。2.才M^M'J要求1的無電鍍?nèi)。渲械腟4l^^和胺^^^之間的摩爾比是搭類^ft^:胺j^f^^-l:30至3:l。3.根據(jù)權利要求1的無電鍍?nèi)?,其中所述的水溶性金^^由M氰化物鹽構成。4.一種無電^^金方法,包^iti^M'j^求1中所M^的無電鍍^"^t^體的^r屬表面的步驟。5.才N^又利要求4的無電鍍金方法,其中所ii^體的金屬表面是銅或41^金的表面。6.才^t擬,j要求4的無電鍍金方法,其中所ii^體的金屬表面是4)Ml齡金的表面。7.才Mt^U'J^求6的無電鍍金方法,其中所述的4Ml4)^r是無電鍍^或無電4^l^r層。8.才N^U'J要求4的無電鍍^r法,其中所il^體的金屬表面是4eiU給輛表面。9.才|1#;^^要求8的無電鍍金方法,其中所述的4eiUe^r;UL電鍍4e^或無電鍍4e^r層。10.^t^3U'J^求4的無電鍍金方法,其中所ii^體的金屬表面是在無電鍍鎳層或無電鍍4^r層上形成的無電鍍4e^或無電鍍4e^r層的表面。11.一種^(^、;M'jJ^求4中所MX的無電鍍金方法進行無電鍍金處理的電子部件。全文摘要一種無電鍍金浴包含水溶性金化合物、絡合劑、醛類化合物、和一種由R<sub>1</sub>-NH-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>-NH-R<sub>2</sub>或R<sub>3</sub>-(CH<sub>2</sub>-NH-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>-NH-CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-R<sub>4</sub>所表征的胺類化合物(其中R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>代表-OH、-CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>OH、-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>OH、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>NH(CH<sub>2</sub>OH)、-CH<sub>2</sub>NH(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>OH)、-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>NH(CH<sub>2</sub>OH)、-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>NH(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>OH)、-CH<sub>2</sub>N(CH<sub>2</sub>OH)<sub>2</sub>、-CH<sub>2</sub>N(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>OH)<sub>2</sub>、-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>N(CH<sub>2</sub>OH)<sub>2</sub>或者-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>N(C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>OH)<sub>2</sub>,和n是一個1到4的整數(shù))。該無電鍍金浴能夠在穩(wěn)定的沉積速率下被實施,而不會腐蝕待鍍的底基金屬。由于高沉積速率和浸漬和還原的類型,在一種溶液鍍層的增厚是可能的,并且鍍層顏色沒有退化以提供良好的外觀,同時保持了金所固有的檸檬黃的顏色。文檔編號C23C18/42GK101319318SQ200710307629公開日2008年12月10日申請日期2007年12月6日優(yōu)先權日2006年12月6日發(fā)明者上玉利徹,木曾雅之,西條義司申請人:上村工業(yè)株式會社
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