專利名稱：鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鍍膜領(lǐng)域，特別涉及一種帶有離子源的鍍膜方法。
背景技術(shù)：
手機(jī)相機(jī)鏡頭因成本的考慮，大多使用塑料鏡片，而且由于光學(xué)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，將塑料鏡 片的片數(shù)減少，但同時(shí)可能也造成塑料鏡片曲率變大。為增加塑料鏡片的穿透率，通常在塑 料鏡片上鍍抗反射膜(Anti-reflection Coating, AR Coating)。
目前最常使用的鍍膜方法是蒸鍍，并加離子源(Ion Source)輔助蒸鍍以增加附著性。請(qǐng) 參閱圖l，其為目前鍍膜方法的離子源強(qiáng)度(離子源發(fā)射離子的能量)和氧氣通量(氣體源 提供的氧氣量)的關(guān)系曲線圖，在蒸鍍過程中提供一個(gè)均衡強(qiáng)度的離子源以及一均衡的氧氣 通量。氧氣用于蒸鍍過程中的氧化反應(yīng)，以生成所需的氧化物鍍膜材料，氣體成分可根據(jù)不 同的鍍膜材料而變化。離子源的離子轟擊(Ion Bombardment)效應(yīng)可增加膜層附著性與致密 性，但是，離子源的離子轟擊也會(huì)造成膜層內(nèi)應(yīng)力(Sress)過大問題。
應(yīng)力是指當(dāng)材料在外力作用下不能產(chǎn)生位移時(shí)，它的幾何形狀和尺寸將發(fā)生變化，這 種形變稱為應(yīng)變(Strain)。材料發(fā)生形變時(shí)內(nèi)部產(chǎn)生了大小相等但方向相反的反作用力抵抗 外力，定義單位面積上的這種反作用力為應(yīng)力。
當(dāng)塑料鏡片曲率較大時(shí)，若所鍍的膜層應(yīng)力較大，常常會(huì)有膜層破裂(Crack)或脫膜的 現(xiàn)象發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種可防止膜層破裂和脫膜的鍍膜方法。
一種鍍膜方法，在鍍膜過程中提供一個(gè)氣體源和一個(gè)離子源，氣體源用于鍍膜過程中的 化學(xué)反應(yīng)，離子源用于發(fā)射離子，以利用離子轟擊效應(yīng)輔助鍍膜，且至少在一次鍍膜材料切 換時(shí)的離子源強(qiáng)度小于鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度。
一種鍍膜方法，在鍍膜過程中提供一個(gè)氣體源和一個(gè)離子源，氣體源用于鍍膜過程中的 化學(xué)反應(yīng)，離子源用于發(fā)射離子，以利用離子轟擊效應(yīng)輔助鍍膜，且在開始鍍第一層膜時(shí)的 離子源強(qiáng)度小于后續(xù)鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度。
上述鍍膜方法中利用離子源與氧氣的配合，增加了膜層附著性與致密性，又利用了離子 源強(qiáng)度的變化，降低了膜層之間的應(yīng)力作用，有效的防止了膜層的破裂和脫膜，提高了膜品質(zhì)。


圖l為通常鍍膜方法的離子源強(qiáng)度和氧氣通量的關(guān)系曲線圖。
圖2為一較佳實(shí)施方式的鍍膜方法的離子源強(qiáng)度和氧氣通量的關(guān)系曲線圖。
具體實(shí)施例方式
本實(shí)施方式使用漸進(jìn)式的鍍膜方式，將離子源強(qiáng)度與氣體通量做一規(guī)律的上下波動(dòng)變化 ，除了可達(dá)到所需鍍層材料的折射率外，并同時(shí)降低膜層之間的應(yīng)力，以減少鍍膜在塑料鏡 片上膜層破裂和脫膜的現(xiàn)象發(fā)生。所述氣體成分可根據(jù)不同的鍍膜材料而變化，通常為氧氣
請(qǐng)參閱圖2，其為一較佳實(shí)施方式的鍍膜方法的離子源強(qiáng)度和氧氣通量的關(guān)系曲線圖。 可以看出，在蒸鍍鍍膜時(shí)使用離子源輔助蒸鍍，增加鍍膜時(shí)的鍍膜材料的附著性，且離子源 強(qiáng)度隨時(shí)間延續(xù)而變化。在膜層一開始鍍時(shí)，使用較小的離子源強(qiáng)度，配合較大的氧氣通量 ，并以漸進(jìn)式的方式將離子源強(qiáng)度慢慢增加，同時(shí)氧氣通量慢慢減小，如成反比例變化。然 后在某一預(yù)設(shè)的離子源強(qiáng)度和氧氣通量時(shí)維持第一時(shí)間段，接著再將離子源強(qiáng)度慢慢減小， 氧氣通量慢慢增大，在另一預(yù)設(shè)的離子源強(qiáng)度和氧氣通量時(shí)維持第二時(shí)間段，然后離子源強(qiáng) 度又開始慢慢增加，氧氣通量又開始慢慢減小，如此類推。
為了讓鍍膜效果更佳，上述鍍膜方法中的離子源強(qiáng)度和氧氣通量需配合膜層設(shè)計(jì)的厚度 做對(duì)應(yīng)的調(diào)整。重點(diǎn)在于
(一) 、鍍膜材料切換時(shí)，使用較小的離子源強(qiáng)度和較大的氧氣通量，以減少膜層之間
產(chǎn)生的應(yīng)力。如鍍抗反射膜過程中的高折射率材料和低折射率材料切換時(shí)。S卩鍍膜過程中 ，至少在一次鍍膜材料切換時(shí)的離子源強(qiáng)度小于鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度，至少在一次 鍍膜材料切換時(shí)的氧氣通量大于鍍膜過程中最小的氧氣通量。
(二) 、在塑料鏡片上開始鍍第一層膜時(shí)，也使用較小的離子源強(qiáng)度和較大的氧氣通量 ，使膜層與塑料鏡片的接口應(yīng)力不會(huì)太大，也可增加鍍膜時(shí)的附著性。S卩在開始鍍第一層 膜時(shí)的離子源強(qiáng)度小于后續(xù)鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度，在開始鍍第一層膜時(shí)的氧氣通量 大于后續(xù)鍍膜過程中最小的氧氣通量?；蛘哒f，開始鍍第一層膜時(shí)屬于一次鍍膜材料的切換
上述鍍膜方法中利用離子源與氧氣的配合，增加了膜層附著性與致密性，又利用了離子 源強(qiáng)度與氧氣通量的波動(dòng)變化，降低了膜層之間的應(yīng)力作用，有效的防止了膜層的破裂和脫 膜，提高了膜品質(zhì)。本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施方式僅是用來說明本發(fā)明，而并非 用作為對(duì)本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍之內(nèi)，對(duì)以上實(shí)施例所作的適當(dāng)改變 和變化都落在本發(fā)明要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
權(quán)利要求1一種鍍膜方法，在鍍膜過程中提供一個(gè)氣體源和一個(gè)離子源，氣體源用于鍍膜過程中的化學(xué)反應(yīng)，離子源用于發(fā)射離子，以利用離子轟擊效應(yīng)輔助鍍膜，其特征在于至少在一次鍍膜材料切換時(shí)的離子源強(qiáng)度小于鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度。
2.如權(quán)利要求l所述的鍍膜方法，其特征在于至少在一次鍍膜材料 切換時(shí)的氧氣通量大于鍍膜過程中最小的氣體通量。
3.如權(quán)利要求l所述的鍍膜方法，其特征在于在開始鍍第一層膜時(shí) 的離子源強(qiáng)度小于后續(xù)鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度。
4.如權(quán)利要求l所述的鍍膜方法，其特征在于在開始鍍第一層膜時(shí) 的氣體通量大于后續(xù)鍍膜過程中最小的氣體通量。
5.如權(quán)利要求l所述的鍍膜方法，其特征在于所述離子源強(qiáng)度的變化為漸變。
6.如權(quán)利要求l所述的鍍膜方法，其特征在于所述氣體源用于提供氧氣。
7. 一種鍍膜方法，在鍍膜過程中提供一個(gè)氣體源和一個(gè)離子源，氣 體源用于鍍膜過程中的化學(xué)反應(yīng)，離子源用于發(fā)射離子，以利用離子轟擊效應(yīng)輔助鍍膜，其 特征在于在開始鍍第一層膜時(shí)的離子源強(qiáng)度小于后續(xù)鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度。
8.如權(quán)利要求7所述的鍍膜方法，其特征在于在開始鍍第一層膜時(shí) 的氣體通量大于后續(xù)鍍膜過程中最小的氣體通量。
9.如權(quán)利要求7所述的鍍膜方法，其特征在于至少在一次鍍膜材料 切換時(shí)的氣體通量大于鍍膜過程中最小的氣體通量。
10.如權(quán)利要求7所述的鍍膜方法，其特征在于所述氣體源用于提供氧氣。
全文摘要
一種鍍膜方法，在鍍膜過程中提供一個(gè)氣體源和一個(gè)離子源，氣體源用于鍍膜過程中的化學(xué)反應(yīng)，離子源用于發(fā)射離子，以利用離子轟擊效應(yīng)輔助鍍膜，且至少在一次鍍膜材料切換時(shí)的離子源強(qiáng)度小于鍍膜過程中最大的離子源強(qiáng)度。上述鍍膜方法中利用離子源與氧氣的配合，增加了膜層附著性與致密性，又利用了離子源強(qiáng)度的變化，降低了膜層之間的應(yīng)力作用，有效的防止了膜層的破裂和脫膜，提高了膜品質(zhì)。
文檔編號(hào)C23C14/32GK101469404SQ200710203468
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日
發(fā)明者簡(jiǎn)士哲 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司