專利名稱：鍍膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及膜層的形成方法，且特別是涉及在大尺寸的基板上進(jìn)行鍍膜的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emittine Diode ；0LED)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、不需外加背光源、分辨率高、像素獨(dú)立色彩表現(xiàn)佳、反應(yīng)時(shí)間較短等優(yōu)異的特性，目前已普遍運(yùn)用于平面顯示器的全彩化的制作工藝技術(shù)中。有機(jī)發(fā)光二極管顯示元件的制作方法是利用掩模(Shadow Mask)與像素對(duì)位技術(shù)將有機(jī)發(fā)光材料蒸鍍于玻璃基板上以形成一圖案化的有機(jī)發(fā)光層，其中掩模是由一金屬薄膜以及一與金屬薄膜的周邊區(qū)相連的框架構(gòu)成。
近年來，隨著玻璃基板的制作技術(shù)日益進(jìn)步，玻璃基板的尺寸日益增加，因此，需要使用尺寸較大的掩模。然而，掩模的尺寸增加會(huì)衍生出一些問題，例如框架尺寸增加會(huì)導(dǎo)致重量增加且容易變形，因此，在儲(chǔ)存、搬運(yùn)、與制作工藝中對(duì)人員的操作以及機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)會(huì)增加許多難度，以致于制作成本提高；金屬薄膜的尺寸受到供應(yīng)商的限制，故不易取得大尺寸的金屬薄膜；以及隨著金屬薄膜的尺寸增加，用以加工金屬薄膜的機(jī)具也需配合放大，以致于制作成本大幅提高。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種鍍膜的方法，包括提供一基板、以及一鍍膜源與基板相對(duì)，提供一陰影掩模單元于基板與鍍膜源之間且對(duì)應(yīng)于基板的一第一區(qū)域，其中陰影掩模單元具有一開口圖案；以陰影掩模單元為掩模，利用鍍膜源進(jìn)行一第一鍍膜制作工藝，以于開口圖案所暴露出的第一區(qū)域上形成一第一圖案化鍍膜；使陰影掩模單元與基板之間相對(duì)位移，以使位移后的陰影掩模單元對(duì)應(yīng)于基板的一第二區(qū)域，第二區(qū)域與第一區(qū)域部分重疊或是彼此分離；以及以陰影掩模單元為掩模，利用鍍膜源進(jìn)行一第二鍍膜制作工藝，以于開口圖案所暴露出的第二區(qū)域上形成一第二圖案化鍍膜。


圖IA至圖ID為本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖；圖2A至圖2D分別為圖IA至圖ID沿1_1’線段的剖視圖；圖3A為本發(fā)明另一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖；圖3B為圖3A沿1-1’線段的剖視圖；圖4為本發(fā)明又一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖；圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖；圖6A至圖6C為本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖；圖7A至圖7C分別為圖6A至圖6C沿1_1’線段的剖視圖；圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖。
主要元件符號(hào)說明110 基板；112 表面；120 鍍膜源；130 陰影掩模單元；132 開口圖案；132a 開口；134 金屬薄膜；
136 框架；142、144、144a、146、148 圖案化鍍膜；Al 第一區(qū)域；A2 第二區(qū)域；A3 第三區(qū)域；L1、L2 長(zhǎng)度；V1、V2、V3、V4、V5、V6 移動(dòng)方向；W1、W2 寬度。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的說明，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示。圖IA至圖ID繪示本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖。圖2A至圖2D分別繪示圖IA至圖ID沿1-1’線段的剖視圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DIA與圖2A，提供一基板110、以及一鍍膜源120與基板110相對(duì)，其中鍍膜源120例如為一蒸發(fā)源,其適于在基板上蒸鍍電激發(fā)光材料,例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)材料?；?10例如為一玻璃基板。在基板110與鍍膜源120之間提供一陰影掩模單元130，且陰影掩模單元130對(duì)應(yīng)于基板110的一第一區(qū)域Al。在一實(shí)施例中，陰影掩模單元130配置于第一區(qū)域Al上。詳細(xì)而言，陰影掩模單元130具有一開口圖案132暴露出部分第一區(qū)域Al。在一實(shí)施例中，開口圖案132具有多個(gè)開口 132a。在一實(shí)施例中，陰影掩模單元130的面積小于基板110的面積，也就是說，陰影掩模單元130的尺寸小于基板110的尺寸(例如長(zhǎng)度及/或?qū)挾?。在一實(shí)施例中，陰影掩模單元130包括一具有開口圖案132的金屬薄膜134以及一框架136，框架136與金屬薄膜134的周邊區(qū)接觸以支撐金屬薄膜134。接著，以陰影掩模單元130為掩模，利用鍍膜源120進(jìn)行一鍍膜制作工藝(例如蒸鍍制作工藝)，以于開口圖案132所暴露出的第一區(qū)域Al上形成一圖案化鍍膜142 (如圖IB與圖2B所示)。然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DIB與圖2B，使陰影掩模單元130與基板110之間相對(duì)位移，以使位移后的陰影掩模單元130對(duì)應(yīng)于基板110的一第二區(qū)域A2。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，使陰影掩模單元130與基板110之間相對(duì)位移為在基板110位置固定的情況下移動(dòng)陰影掩模單元130，以改變陰影掩模單元130與基板110的相對(duì)位置。在一實(shí)施例中，第二區(qū)域A2與第一區(qū)域Al彼此不重疊。在一實(shí)施例中，陰影掩模單元130位于基板110的一表面112上，且陰影掩模單元130的移動(dòng)方向(如圖2B所不的移動(dòng)方向VI)平行于表面112的任一方向。此外,在移動(dòng)陰影掩模單元130時(shí)，可一并移動(dòng)鍍膜源120，以使鍍膜源120對(duì)齊陰影掩模單元130。之后，以陰影掩模單元130為掩模，利用鍍膜源120進(jìn)行一鍍膜制作工藝，以于開 口圖案132所暴露出的第二區(qū)域A2上形成一圖案化鍍膜144 (如圖IC與圖2C所示)。在一實(shí)施例中，圖案化鍍膜142與圖案化鍍膜144彼此分離。接著，請(qǐng)參照?qǐng)DIC與圖2C，使陰影掩模單元130與基板110之間再次相對(duì)位移，以使再次位移后的陰影掩模單元130對(duì)應(yīng)于基板110的一第三區(qū)域A3。在一實(shí)施例中，第三區(qū)域A3與第一區(qū)域Al及第二區(qū)域A2彼此分離。在一實(shí)施例中，陰影掩模單元130的移動(dòng)方向(如圖2C所不的移動(dòng)方向V2)平行于表面112的任一方向。然后，以陰影掩模單元130為掩模，利用鍍膜源120進(jìn)行一鍍膜制作工藝，以于開口圖案132所暴露出的第三區(qū)域A3上形成一圖案化鍍膜146 (如圖ID與圖2D所示)。圖案化鍍膜142、144、146的材質(zhì)例如為電激發(fā)光材料，如有機(jī)發(fā)光二極管材料。之后，如圖ID與圖2D所示，可視情況而重復(fù)前述制作工藝步驟(包括依序使陰影掩模單元130與基板110之間相對(duì)位移以及進(jìn)行鍍膜制作工藝)一或多次，以再于基板110上形成一或多個(gè)圖案化鍍膜148。在一實(shí)施例中，當(dāng)陰影掩模單元130的長(zhǎng)度LI不小于基板110的長(zhǎng)度L2，且陰影掩模單元130的寬度Wl小于基板110的寬度W2時(shí)(如圖IA所示)，可使相對(duì)位移的移動(dòng)方向Vl與再次相對(duì)位移的移動(dòng)方向V2皆平行于基板110的寬度方向(如圖IC所示)。圖3A繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖。圖3B繪示圖3A沿1_1’線段的剖視圖。在另一實(shí)施例中，如圖3A與圖3B所示，第一區(qū)域Al與第二區(qū)域A2可部分重疊，且進(jìn)行鍍膜制作工藝之后所形成的圖案化鍍膜142與圖案化鍍膜144a可彼此部分重疊。之后，可重復(fù)移動(dòng)陰影掩模單元并進(jìn)行鍍膜制作工藝直到完成預(yù)定形成在基板110上的所有圖案化鍍膜。圖4繪示本發(fā)明又一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖。在又一實(shí)施例中，如圖4所示，當(dāng)陰影掩模單元130的寬度Wl小于基板110的寬度W2，且陰影掩模單元130的長(zhǎng)度LI小于基板110的長(zhǎng)度L2時(shí)，陰影掩模單元130需沿著基板110的長(zhǎng)度方向與寬度方向進(jìn)行相對(duì)位移，以完成基板110上所有區(qū)域的鍍膜，因此，相對(duì)位移的移動(dòng)方向Vl可不平行于再次相對(duì)位移的移動(dòng)方向V2，舉例來說，相對(duì)位移的移動(dòng)方向Vl垂直于再次相對(duì)位移的移動(dòng)方向V2。值得注意的是，圖4的虛線圖案代表在進(jìn)行每一次鍍膜制作工藝時(shí)陰影掩模單元130的位置。圖5繪示本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖。此外，在一實(shí)施例中，如圖5所示，在進(jìn)行鍍膜制作工藝時(shí)，陰影掩模單元130與基板110可僅部分重疊，且陰影掩模單元130可朝向方向V3、V4移動(dòng)。值得注意的是，圖5的虛線圖案代表在進(jìn)行每一次鍍膜制作工藝時(shí)陰影掩模單元130的位置。由前述可知，本實(shí)施例的鍍膜方法是通過使陰影掩模單元130與基板110相對(duì)位移來達(dá)成全板鍍膜，因此，可使用尺寸較小的陰影掩模單元130(小于基板110的尺寸)來作為掩模，故可避免現(xiàn)有因掩模尺寸增加所衍生出的各種問題，進(jìn)而增加制作工藝的容易度并大幅降低制作成本。圖6A至圖6C繪示本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖。圖7A至圖7C分別繪示圖6A至圖6C沿1-1’線段的剖視圖。值得注意的是，本實(shí)施例所使用的元 件結(jié)構(gòu)、材質(zhì)等相似于前述圖IA至圖ID的實(shí)施例，因此，在此不再贅述相似元件的結(jié)構(gòu)與材質(zhì)。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6A與圖7A，提供一基板110、以及一鍍膜源120與基板110相對(duì)。在基板110與鍍膜源120之間提供一陰影掩模單元130，且陰影掩模單元130對(duì)應(yīng)于基板110的一第一區(qū)域Al。接著，以陰影掩模單元130為掩模，利用鍍膜源120進(jìn)行一鍍膜制作工藝，以于陰影掩模單元130的開口圖案132所暴露出的第一區(qū)域Al上形成一圖案化鍍膜142 (如圖6B與圖7B所示)。然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6B與圖7B，在陰影掩模單元130位置固定的情況下，移動(dòng)基板110，以使位移后的陰影掩模單元130對(duì)應(yīng)于基板110的一第二區(qū)域A2。此外，在一實(shí)施例中，陰影掩模單元130位于基板110的一表面112上，且基板110的移動(dòng)方向(如圖7B所不的移動(dòng)方向VI)平行于表面112的任一方向。之后，以陰影掩模單元130為掩模，利用鍍膜源120進(jìn)行一鍍膜制作工藝，以于開口圖案132所暴露出的第二區(qū)域A2上形成一圖案化鍍膜144 (如圖6C與圖7C所示)。之后，如圖6C與圖7C所示，可視情況而重復(fù)前述制作工藝步驟(包括依序移動(dòng)基板110以及進(jìn)行鍍膜制作工藝)一或多次，以再于基板110上形成一或多個(gè)圖案化鍍膜148。圖8繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的鍍膜制作工藝的上視圖。在一實(shí)施例中，如圖8所示，在陰影掩模單元130位置固定的情況下，可沿任意方向移動(dòng)基板110，例如沿方向V5、V6移動(dòng)，以于基板110上形成適合的圖案化鍍膜。值得注意的是，圖8中所繪示的虛線框?yàn)榛?10沿方向V5、V6位移后所在的位置。綜上所述，本發(fā)明的鍍膜方法是通過使陰影掩模單元與基板相對(duì)位移來達(dá)成全板鍍膜，故可使用尺寸較小的陰影掩模單元來作為掩模，因此，可避免現(xiàn)有因掩模尺寸增加所衍生出的各種問題，進(jìn)而增加制作工藝的容易度，并大幅降低制作成本。雖然結(jié)合以上較佳實(shí)施例揭露本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜的方法，包括 提供一基板、以及一鍍膜源與該基板相對(duì)，提供一陰影掩模單元于該基板與該鍍膜源之間且對(duì)應(yīng)于該基板的一第一區(qū)域，其中該陰影掩模單元具有一開口圖案； 以該陰影掩模單元為掩模，利用該鍍膜源進(jìn)行一第一鍍膜制作工藝，以于該開口圖案所暴露出的該第一區(qū)域上形成一第一圖案化鍍膜； 使該陰影掩模單元與該基板之間相對(duì)位移，以使位移后的該陰影掩模單元對(duì)應(yīng)于該基板的一第二區(qū)域，該第二區(qū)域與該第一區(qū)域部分重疊或是彼此分離；以及 以該陰影掩模單元為掩模，利用該鍍膜源進(jìn)行一第二鍍膜制作工藝，以于該開口圖案所暴露出的該第二區(qū)域上形成一第二圖案化鍍膜。
2.如權(quán)利要求I所述的鍍膜的方法，其中使該陰影掩模單元與該基板之間相對(duì)位移的步驟包括 在該基板的位置固定時(shí)，移動(dòng)該陰影掩模單元。
3.如權(quán)利要求2所述的鍍膜的方法，其中使該陰影掩模單元與該基板之間相對(duì)位移的步驟還包括 移動(dòng)該鍍膜源，以對(duì)齊該陰影掩模單元。
4.如權(quán)利要求2所述的鍍膜的方法，其中該陰影掩模單元位于該基板的一表面上，且該陰影掩模單兀的移動(dòng)方向平行于該表面的任一方向。
5.如權(quán)利要求I所述的鍍膜的方法，其中使該陰影掩模單元與該基板之間相對(duì)位移的步驟包括 在該陰影掩模單元的位置固定時(shí)，移動(dòng)該基板。
6.如權(quán)利要求5所述的鍍膜的方法,其中該陰影掩模單兀位于該基板的一表面上,且該基板的移動(dòng)方向平行于該表面的任一方向。
7.如權(quán)利要求I所述的鍍膜的方法，其中該第一圖案化鍍膜與該第二圖案化鍍膜彼此分離或是彼此部分重疊。
8.如權(quán)利要求I所述的鍍膜的方法，還包括 使該陰影掩模單元與該基板之間再次相對(duì)位移，以使再次位移后的該陰影掩模單元對(duì)應(yīng)于該基板的一第三區(qū)域，該第三區(qū)域與該第一區(qū)域及該第二區(qū)域部分重疊或是彼此分離；以及 以該陰影掩模單元為掩模，利用該鍍膜源進(jìn)行一第三鍍膜制作工藝，以于該開口圖案所暴露出的該第三區(qū)域上形成一第三圖案化鍍膜。
9.如權(quán)利要求8所述的鍍膜的方法，其中該陰影掩模單元的寬度大于或等于該基板的寬度，且該相對(duì)位移的方向平行于該再次相對(duì)位移的方向。
10.如權(quán)利要求8所述的鍍膜的方法，其中該陰影掩模單元的寬度小于該基板的寬度，且該陰影掩模單元的長(zhǎng)度小于該基板的長(zhǎng)度，其中該相對(duì)位移的方向不平行于該再次相對(duì)位移的方向。
11.如權(quán)利要求10所述的鍍膜的方法，其中該相對(duì)位移的方向垂直于該再次相對(duì)位移的方向。
12.如權(quán)利要求I所述的鍍膜的方法，其中該第一鍍膜制作工藝與該第二鍍膜制作工藝為蒸鍍制作工藝。
13.如權(quán)利要求I所述的鍍膜的方法，其中該第一圖案化鍍膜與該第二圖案化鍍膜的材質(zhì)包括電激發(fā)光材料。
14.如權(quán)利要求I所述的鍍膜的方法，其中該陰影掩模單元的面積小于該基板的面積。
全文摘要
本發(fā)明公開一種鍍膜的方法，其包括提供一基板、以及一鍍膜源與基板相對(duì)，提供一陰影掩模單元于基板與鍍膜源之間且對(duì)應(yīng)于基板的一第一區(qū)域，其中陰影掩模單元具有一開口圖案，陰影掩模單元的面積小于基板的面積；以陰影掩模單元為掩模，利用鍍膜源進(jìn)行一第一鍍膜制作工藝，以于開口圖案所暴露出的第一區(qū)域上形成一第一圖案化鍍膜；使陰影掩模單元與基板之間相對(duì)位移，以使位移后的陰影掩模單元對(duì)應(yīng)于基板的一第二區(qū)域；以及以陰影掩模單元為掩模，利用鍍膜源進(jìn)行一第二鍍膜制作工藝，以于開口圖案所暴露出的第二區(qū)域上形成一第二圖案化鍍膜。
文檔編號(hào)C23C14/04GK102899608SQ20111021047
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2011年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月26日
發(fā)明者黃浩榕, 周皓煜, 康嘉濱, 林哲瑋 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司