本發(fā)明屬于金屬材料類或冶金的釬焊材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鈦基多層膜釬料及其制備方法。

背景技術(shù)：

鈦?zhàn)鳛橐环N戰(zhàn)略輕金屬，具有比強(qiáng)度高、耐腐蝕性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，常用于潛艇、飛機(jī)上，在航海、航空領(lǐng)域發(fā)揮巨大作用。鈦及鈦合金很少用軟釬料釬焊，一般主要用銀基、鋁基、鈀基、鈦基及鈦鋯基硬釬料進(jìn)行釬焊連接。

其中，與銀基釬料相比，鈦基釬料釬焊接頭強(qiáng)度更高，耐蝕性和耐熱性更好，在鹽霧環(huán)境、硝酸和硫酸中尤為優(yōu)良。但由于這類釬料中都含有與鈦具有強(qiáng)烈作用的cu、ni元素，釬焊時會快速擴(kuò)散到基體金屬中與鈦反應(yīng)造成對基體的溶蝕和形成脆性的擴(kuò)散層，因此不利于基體材料的釬焊。同時，鈦基釬料本身比較脆，加工性能差，通常以粉狀形式在釬焊領(lǐng)域應(yīng)用，故鈦基釬料箔材制備困難。如何加工制備鈦基箔帶釬料是困擾釬焊工作者的難題之一。

中國專利“一種鈦基釬料及其制備方法”（zl200810222168.1），公開了一種采用爆炸復(fù)合與溫軋、冷軋方法相結(jié)合，制備厚度0.05mm的ti-cu-zr、ti-cu-ni、ti-cu鈦基釬料，但該專利爆炸、溫軋、冷軋的工序繁多，容易出現(xiàn)組織不均、成分偏析、氧化夾雜等缺陷，同時在制備超薄鈦基釬料（3.5μm以下）時，具有一定的局限性，無法保證性能優(yōu)異的釬焊接頭及其使用可靠性。因此，本發(fā)明提供的鈦基多層膜釬料正是基于此背景進(jìn)行設(shè)計的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種具有熔化溫度低、潤濕性好、釬焊溫度低、可在超高真空條件下釬焊鈦及鈦合金、銅及銅合金、鎳及鎳合金、不同鋼基體的鈦基多層膜釬料及其制備方法。

本發(fā)明的目的是以下述方式實現(xiàn)的：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層基體釬料及覆蓋在基體釬料上下兩個表面的多層納米薄膜，基體釬料和納米薄膜之間以及相鄰的納米薄膜之間設(shè)置有阻擋層。

所述基體釬料為鈦銅釬料或鈦鎳釬料，其中鈦的重量份為50-92份，銅或鎳的重量份為10-65份，納米薄膜與基體釬料的組分以及組分的含量均相同。

所述阻擋層為硼烯。

所述基體釬料的厚度為15-32nm。

所述納米薄膜的厚度為9-16nm。

所述阻擋層的厚度為10-18nm。

所述鈦基多層膜釬料的厚度為0.395-3.432μm。

如上述的鈦基多層膜釬料的制備方法，具體步驟如下：

（1）先在基體釬料表面真空原位生成阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射與基體釬料成分相同的納米薄膜；

（2）再在步驟（1）得到的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與步驟（1）同厚度同成分的納米薄膜；

（3）重復(fù)步驟（2）10-50次，可得到鈦基多層膜釬料。

所述真空原位生成的具體步驟為：先將電弧離子鍍裝置抽真空至10^-4-10^-3pa，充入氬氣，基體釬料接電源正極，電壓為50-60v；將鉭絲通電，發(fā)射電子使氬氣分子離化為等離子體，產(chǎn)生等離子體電子束，進(jìn)入鍍膜室后，受基體釬料吸引而加速，轟擊基體釬料，使之加熱至350-370℃；再將基體釬料電源切斷與輔助陽極相接，基體釬料接-200v偏壓，放電在陰極與輔助陽極之間進(jìn)行，基體釬料吸引ar⁺，被ar⁺濺射凈化；然后將輔助陽極電源切斷，再加到坩堝上，此時電子束被聚焦磁場匯聚于坩堝上，轟擊加熱鍍料使之蒸發(fā)，并在基體釬料表面沉積為薄膜。

所述磁控濺射的具體步驟為：采用直流磁控濺射電源在阻擋層表面同時沉積金屬鈦和銅或金屬鈦和鎳制備成鍍鈦銅石墨烯或鍍鈦鎳石墨烯；純度為99.99%的鈦靶和銅鈀或鈦靶和鎳靶安裝前須用細(xì)砂紙進(jìn)行打磨，去除表面氧化物，而后用酒精清洗、烘干，直流磁控濺射沉積前進(jìn)行5分鐘預(yù)濺射，采用擋板將靶材與阻擋層隔開，去除靶材表面的氧化物及雜質(zhì)，確保后續(xù)表面沉積鈦銅或鈦鎳的純度；鈦靶和銅靶或鈦靶和鎳鈀同時濺射，具體濺射參數(shù)如下：電壓功率0.5-0.8kv，密度6-26w/cm²，真空度10^-3-10^-2pa時，通入純度99.99%的氬氣，真空室氣壓1.2-1.8pa，濺射功率120-160w，沉積時間為5min。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于主要解決了以下兩個關(guān)鍵技術(shù)問題：（1）采用真空原位生成、磁控濺射復(fù)合表面處理技術(shù)成功研制鈦基多層膜釬料，即鈦基箔帶釬料，解決傳統(tǒng)鈦基薄帶釬料的成形難題，該釬料具有熔化溫度低、潤濕性好、釬焊溫度低，可在超高真空條件下實現(xiàn)鈦合金、銅合金、鎳合金等的釬焊連接；（2）將二維納米材料硼烯引入鈦基釬料領(lǐng)域，通過硼烯阻擋層和納米尺度的釬料薄膜層改善基體釬料的釬焊性能，改善基體釬料的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和力學(xué)性能，為微納米釬料的加工制備提供了一種新方法。

具體實施方式

與以往研究相比，本發(fā)明的創(chuàng)造性在于：

1、采用真空原位生成、磁控濺射復(fù)合表面處理技術(shù)解決了鈦基箔帶釬料的成形難題，成功研制出厚度不小于0.75μm的鈦基多層膜釬料，即鈦基箔帶釬料，其中單層納米薄膜的厚度為9-16nm。

現(xiàn)有鈦基釬料中均含有與鈦具有強(qiáng)烈作用的cu、ni元素，釬焊時會快速擴(kuò)散到基體中與鈦反應(yīng)造成對基體的溶蝕和形成脆性擴(kuò)散層，非常不利于基體材料的釬焊。同時，鈦基釬料本身比較脆，加工性能差，使得鈦基釬料箔材制備困難。市場上的粉狀、膏狀、非晶鈦基釬料在釬焊中具有一定的局限性，目前國內(nèi)外尚無厚度不小于750nm的鈦基多層膜釬料的報道。

本發(fā)明的創(chuàng)造性工作在于：研究發(fā)現(xiàn)了與基體釬料同成分納米薄膜層對其釬焊性能的影響規(guī)律，當(dāng)納米薄膜作用時，真空原位生成一定厚度的硼烯阻擋層，鈦基多層膜釬料具有很好的釬焊性能。進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，鈦基多層膜釬料中，基體釬料厚度為15-32nm時，單層納米薄膜的厚度應(yīng)控制在9-16nm范圍內(nèi)最佳。低于9nm或高于16nm時均會對鈦基釬料的力學(xué)性能產(chǎn)生不利影響。因此，控制鈦基釬料中單層納米薄膜的厚度在9-16nm范圍內(nèi)，是本發(fā)明的關(guān)鍵點(diǎn)之一。

2、研究發(fā)現(xiàn)了鈦基多層膜釬料中，真空原位生成阻擋層時，其成分必須是硼烯，且厚度為10-18nm，鈦基多層膜釬料的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性及釬焊性能最佳。

本發(fā)明的另一創(chuàng)造性工作在于：研究發(fā)現(xiàn)了鈦基多層膜釬料中阻擋層必須是硼烯，且其厚度控制在10-18nm范圍內(nèi)時，才能使鈦基多層膜釬料在與基體釬料成分相同的納米薄膜層厚度為9-16nm時，具有良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性及釬焊性能。通過一系列大量的“篩選”、“優(yōu)化”試驗，最后確定了具有良好釬焊性能的基體鈦釬料/硼烯多層膜釬料。

本發(fā)明在系統(tǒng)、深入的試驗基礎(chǔ)上，通過成分優(yōu)化、確定的鈦基多層膜釬料的特征如下：一種鈦基多層膜釬料，包括一層基體釬料及覆蓋在基體釬料上下兩個表面的多層納米薄膜，基體釬料和納米薄膜之間以及相鄰的納米薄膜之間設(shè)置有阻擋層。

基體釬料為鈦銅釬料或鈦鎳釬料，其中鈦的重量份為50-92份，銅或鎳的重量份為10-65份，納米薄膜與基體釬料的組分以及組分的含量均相同。

阻擋層為硼烯。

基體釬料的厚度為15-32nm。

納米薄膜的厚度為9-16nm。

阻擋層的厚度為10-18nm。

鈦基多層膜釬料的厚度為0.395-3.432μm。

如上述的鈦基多層膜釬料的制備方法，具體步驟如下：

（1）先在基體釬料表面真空原位生成阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射與基體釬料成分相同的納米薄膜；

（2）再在步驟（1）得到的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與步驟（1）同厚度同成分的納米薄膜；

（3）重復(fù)步驟（2）10-50次，可得到鈦基多層膜釬料。

所述真空原位生成的具體步驟為：先將電弧離子鍍裝置抽真空至10^-4-10^-3pa，充入氬氣，基體釬料接電源正極，電壓為50-60v；將鉭絲通電，發(fā)射電子使氬氣分子離化為等離子體，產(chǎn)生等離子體電子束，進(jìn)入鍍膜室后，受基體釬料吸引而加速，轟擊基體釬料，使之加熱至350-370℃；再將基體釬料電源切斷與輔助陽極相接，基體釬料接-200v偏壓，放電在陰極與輔助陽極之間進(jìn)行，基體釬料吸引ar⁺，被ar⁺濺射凈化；然后將輔助陽極電源切斷，再加到坩堝上，此時電子束被聚焦磁場匯聚于坩堝上，轟擊加熱鍍料使之蒸發(fā)，并在基體釬料表面沉積為薄膜。

所述磁控濺射的具體步驟為：采用直流磁控濺射電源在阻擋層表面同時沉積金屬鈦和銅或金屬鈦和鎳制備成鍍鈦銅石墨烯或鍍鈦鎳石墨烯；純度為99.99%的鈦靶和銅鈀或鈦靶和鎳靶安裝前須用細(xì)砂紙進(jìn)行打磨，去除表面氧化物，而后用酒精清洗、烘干，直流磁控濺射沉積前進(jìn)行5分鐘預(yù)濺射，采用擋板將靶材與阻擋層隔開，去除靶材表面的氧化物及雜質(zhì)，確保后續(xù)表面沉積鈦銅或鈦鎳的純度；鈦靶和銅靶或鈦靶和鎳鈀同時濺射，具體濺射參數(shù)如下：電壓功率0.5-0.8kv，密度6-26w/cm²，真空度10^-3-10^-2pa時，通入純度99.99%的氬氣，真空室氣壓1.2-1.8pa，濺射功率120-160w，沉積時間為5min。

根據(jù)本發(fā)明的“一種鈦基多層膜釬料”的特征，敘述本發(fā)明的具體實施方式。

實施例1：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為15nm的ti50cu基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為9nm的多層ti50cu納米薄膜，一層基體釬料和納米薄膜之間及相鄰的納米薄膜之間為厚度為10nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為395nm。與ti50cu基體釬料相比（955℃），該多層膜釬料的熔化溫度為939℃，降低了16℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti50cu基體釬料表面真空原位生成（真空度10^-4pa，電壓50v，加熱至350℃）10nm厚的硼烯阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和銅靶材同時濺射，電壓功率0.5kv，密度6w/cm²，10^-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.2pa，濺射功率120w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為9nm的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)10次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例2：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為32nm的ti50cu基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為16nm的多層ti50cu納米薄膜，一層基體釬料和納米薄膜之間及相鄰的納米薄膜之間為厚度為18nm的硼烯層，經(jīng)過50次重復(fù)后，制備的鈦基多層膜釬料厚度為3.432μm。與ti50cu基體釬料相比（955℃），該多層膜釬料的熔化溫度為921℃，降低了34℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti50cu基體釬料表面真空原位生成（真空度2×10^-4pa，電壓52v，加熱至354℃）18nm厚的硼烯阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和銅靶材同時濺射，電壓功率0.55kv，密度10w/cm²，2×10^-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.3pa，濺射功率125w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為16nm的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)50次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例3：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為15nm的ti72ni基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為9nm的多層ti72ni納米薄膜，一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為12nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為435nm。與ti72ni基體釬料相比（965℃），該多層膜釬料的熔化溫度為933℃，降低了32℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti72ni基體釬料表面真空原位生成（真空度4×10^-4pa，電壓54v，加熱至357℃）12nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和鎳靶材同時濺射，電壓功率0.6kv，密度12w/cm²，4×10^-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.4pa，濺射功率130w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為9nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)10次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例4：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為18.5nm的ti72ni基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為12nm的多層ti72ni納米薄膜，所述一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為14nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為1058.5nm。與ti72ni基體釬料相比（965℃），該多層膜釬料的熔化溫度為914℃，降低了51℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti72ni基體釬料表面真空原位生成（真空度5×10^-4pa，電壓55v，加熱至360℃）14nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和鎳靶材同時濺射，電壓功率0.65kv，密度15w/cm²，5×10^-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.5pa，濺射功率135w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為12nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)20次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例5：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為30nm的ti75cu基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為12nm的多層ti75cu納米薄膜，所述一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為16nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為870nm。與ti75cu基體釬料相比（870℃），該多層膜釬料的熔化溫度為825℃，降低了45℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti75cu基體釬料表面真空原位生成（真空度6×10^-4pa，電壓56v，加熱至363℃）16nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和銅靶材同時濺射，電壓功率0.7kv，密度18w/cm²，6×10^-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.6pa，濺射功率140w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為12nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)15次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例6：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為18nm的ti75cu基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為13nm的多層ti75cu納米薄膜，所述一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為13nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為590nm。與ti75cu基體釬料相比（870℃），該多層膜釬料的熔化溫度為851℃，降低了19℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti75cu基體釬料表面真空原位生成（真空度8×10^-4pa，電壓58v，加熱至365℃）13nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和銅靶材同時濺射，電壓功率0.75kv，密度20w/cm²，8×10^-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.7pa，濺射功率150w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為13nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)11次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例7：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為20nm的ti92cu基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為10nm的多層ti92cu納米薄膜，所述一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為11nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為440nm。與ti92cu基體釬料相比（790℃），該多層膜釬料的熔化溫度為767℃，降低了23℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti92cu基體釬料表面真空原位生成（真空度9×10^-4pa，電壓59v，加熱至368℃）11nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和銅靶材同時濺射，電壓功率0.78kv，密度23w/cm²，9×10^-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.75pa，濺射功率155w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為10nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)10次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例8：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為25nm的ti92cu基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為10nm的多層ti92cu納米薄膜，所述一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為17nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為2.725μm。與ti92cu基體釬料相比（790℃），該多層膜釬料的熔化溫度為749.5℃，降低了40.5℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti92cu基體釬料表面真空原位生成（真空度10^-3pa，電壓60v，加熱至370℃）17nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和銅靶材同時濺射，電壓功率0.8kv，密度26w/cm²，10^-2pa氬氣壓力，真空室氣壓1.8pa，濺射功率160w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為10nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)50次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例9：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為28nm的ti88ni基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為15nm的多層ti72ni納米薄膜，所述一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為12nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為1648nm。與ti88ni基體釬料相比（942℃），該多層膜釬料的熔化溫度為895℃，降低了47℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti88ni基體釬料表面真空原位生成（真空度5×10^-4pa，電壓60v，加熱至365℃）12nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和鎳靶材同時濺射，電壓功率0.72kv，密度18w/cm²，6×10-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.6pa，濺射功率155w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為15nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)30次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

實施例10：

一種鈦基多層膜釬料，包括一層厚度為23nm的ti88ni基體釬料及覆蓋基體釬料厚度為13nm的多層ti72ni納米薄膜，所述一層基體釬料和納米薄膜之間及納米薄膜互相之間為厚度為15nm的硼烯層，制備的鈦基多層膜釬料厚度為2263nm。與ti88ni基體釬料相比（942℃），該多層膜釬料的熔化溫度為886℃，降低了56℃。

其具體實施方法如下：第一步，先在ti88ni基體釬料表面真空原位生成（真空度3×10^-4pa，電壓58v，加熱至370℃）15nm厚的阻擋層，然后在阻擋層表面磁控濺射（鈦靶材和鎳靶材同時濺射，電壓功率0.80kv，密度24w/cm²，8×10-3pa氬氣壓力，真空室氣壓1.7pa，濺射功率160w，沉積時間為5min）與基體釬料成分相同厚度為13nm厚的納米薄膜；第二步，再在第一步的納米薄膜表面真空原位生成阻擋層，蒸鍍完畢后再次在阻擋層表面磁控濺射與第一步同厚度同成分的納米薄膜；這樣經(jīng)40次真空原位生成、磁控濺射工藝后，可形成鈦基多層膜釬料。

以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明整體構(gòu)思前提下，還可以作出若干改變和改進(jìn)，這些也應(yīng)該視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。