一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，包括以下步驟：A、微量焊料預(yù)先點(diǎn)焊：剪取金基硬焊焊料薄帶與內(nèi)腔壓環(huán)單面點(diǎn)焊；B、將點(diǎn)焊好金基硬焊焊料薄帶的內(nèi)腔壓環(huán)在不受力的情況下放置在短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)上；C、微量焊料二次熔焊：利用高頻加熱設(shè)備局部高頻加熱使金基硬焊焊料薄帶熔化，金基硬焊焊料薄帶熔化后內(nèi)腔壓環(huán)與內(nèi)腔壁牢固連接。本發(fā)明采用金基硬焊焊料薄帶兩步法焊接來實(shí)現(xiàn)短毫米波段磁控管內(nèi)腔與衰減環(huán)的固定連接，連接牢固，不易使內(nèi)腔葉片及內(nèi)腔壁變形，特別在處于高溫工作環(huán)境時(shí)，由于選用金基系列焊料作為連接焊料，蒸發(fā)物少、不易產(chǎn)生對(duì)陰極的不良作用、固定可靠性高、高溫工作穩(wěn)定性好。
【專利說明】—種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于超高頻真空電子器件零部件組焊技術(shù)，具體涉及一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于長(zhǎng)波段同軸磁控管而言，由于內(nèi)腔尺寸大、內(nèi)腔壁厚度(0.8mm以上)足夠大，其硬度和機(jī)械強(qiáng)度足以保證衰減環(huán)與磁控管內(nèi)腔固定時(shí)不會(huì)發(fā)生內(nèi)腔壁變形。因此，兩者的連接采用無氧銅薄帶鉚接或點(diǎn)焊方式均無問題。但是，對(duì)于短毫米波段同軸磁控管來講，由于短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔尺寸很小(直徑小于5mm)，內(nèi)腔壁也很薄(0.11-0.16mm),很容易導(dǎo)致其本身機(jī)械強(qiáng)度變得很差。因此，在衰減環(huán)與磁控管內(nèi)腔固定時(shí)也就很容易造成內(nèi)腔壁變形，導(dǎo)致葉片與隙縫分度變差。這些問題的產(chǎn)生，不僅引起腔體模式分割變差，也會(huì)發(fā)生因陰陽極間距的不易控制而導(dǎo)致陰陽極打火的發(fā)生。在短毫米波段同軸磁控管衰減環(huán)與磁控管內(nèi)腔固定時(shí)，若采用點(diǎn)焊固定法時(shí)，由于點(diǎn)焊時(shí)電極頭需要與內(nèi)腔壁和輔助點(diǎn)焊材料接觸受力，內(nèi)腔壁變形問題是不可避免的。若采用直接熔焊固定法時(shí)，由于焊接位置與內(nèi)腔隙縫相距很近，焊料的量控制不好時(shí)，焊接時(shí)熔化的焊料很容易滲透進(jìn)入內(nèi)腔隙縫，導(dǎo)致隙縫長(zhǎng)度發(fā)生不可預(yù)知的變化而無法控制焊接質(zhì)量。
[0003]另外，對(duì)于短毫米波段同軸磁控管來講，由于本身工作時(shí)的電子效率低于4%(長(zhǎng)毫米波段同軸磁控管電子效率一般15-30%)，這也導(dǎo)致其工作時(shí)葉片和內(nèi)腔壁溫度比長(zhǎng)毫米波段高得多。長(zhǎng)毫米波段磁控管電子效率15-30%時(shí)，葉片和內(nèi)腔壁溫度低于120°C ;而短毫米波段磁控管即使在4%電子效率時(shí)葉片和內(nèi)腔壁溫度也在400°C，由于其它因素而效率更低時(shí)，葉片和內(nèi)腔壁溫度甚至?xí)_(dá)到1000°C，因此，焊接用的焊料采用銀基系列焊料時(shí)，銀的高溫蒸發(fā)不僅影響焊接處長(zhǎng)期使用的可靠性，而且對(duì)于陰極的穩(wěn)定工作，具有較強(qiáng)的危害性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，提供一種連接牢固、不易使內(nèi)腔葉片及內(nèi)腔壁變形、不易產(chǎn)生對(duì)陰極的不良作用、高溫工作穩(wěn)定性好的短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，包括以下步驟:
A、微量焊料預(yù)先點(diǎn)焊:剪取金基硬焊焊料薄帶與內(nèi)腔壓環(huán)單面點(diǎn)焊；
B、將點(diǎn)焊好金基硬焊焊料薄帶的內(nèi)腔壓環(huán)在不受力的情況下放置在短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)上；
C、微量焊料二次熔焊:利用高頻加熱設(shè)備局部高頻加熱使金基硬焊焊料薄帶熔化，金基硬焊焊料薄帶熔化后內(nèi)腔壓環(huán)與內(nèi)腔壁牢固連接。
[0006]優(yōu)選地，所述金基硬焊焊料薄帶為金銅或金鎳。[0007]優(yōu)選地，所述金基硬焊焊料薄帶厚為0.02-0.05mm,寬為0.2-0.5mm,長(zhǎng)為2_5mm。
[0008]優(yōu)選地，所述步驟A中金基硬焊焊料薄帶與內(nèi)腔壓環(huán)單面點(diǎn)焊。
[0009]優(yōu)選地，所述步驟A中金基硬焊焊料薄帶與內(nèi)腔壓環(huán)單面點(diǎn)焊時(shí)在內(nèi)腔壓環(huán)邊緣處沿圓周均勻點(diǎn)焊四點(diǎn)。
[0010]優(yōu)選地，所述步驟B中衰減環(huán)位于短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔壁臺(tái)階上。
[0011]優(yōu)選地，所述步驟C中高頻加熱設(shè)備為氫氣爐。
[0012]本發(fā)明相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有以下以下有益效果:本發(fā)明采用金基硬焊焊料薄帶兩步法焊接來實(shí)現(xiàn)短毫米波段磁控管內(nèi)腔與衰減環(huán)的固定連接，連接牢固，不易使內(nèi)腔葉片及內(nèi)腔壁變形，特別對(duì)于處于高溫工作環(huán)境的內(nèi)腔，本發(fā)明由于選用金基系列焊料作為連接焊料，蒸發(fā)物少、不易產(chǎn)生對(duì)陰極的不良作用、固定可靠性高、高溫工作穩(wěn)定性好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明步驟A微量焊料預(yù)先點(diǎn)焊時(shí)的示意圖；
圖2為本發(fā)明步驟B的示意圖；
圖3為本發(fā)明步驟C微量焊料二次熔焊時(shí)的示意圖。
[0014]附圖標(biāo)記含義如下:1、金基硬焊焊料薄帶；2、內(nèi)腔壓環(huán)；3、衰減環(huán)；4、內(nèi)腔壁；5、內(nèi)腔葉片；6、內(nèi)腔隙縫；D、金基硬焊焊料薄帶與內(nèi)腔壓環(huán)點(diǎn)焊處；E、高頻加熱部位。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明:
如圖1-3所示，一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，包括以下步驟:A、微量焊料預(yù)先點(diǎn)焊:剪取金基硬焊焊料薄帶I與內(nèi)腔壓環(huán)2單面點(diǎn)焊；B、將點(diǎn)焊好金基硬焊焊料薄帶I的內(nèi)腔壓環(huán)2在不受力的情況下放置在短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)3上；C、微量焊料二次熔焊:利用高頻加熱設(shè)備局部高頻加熱使金基硬焊焊料薄帶I熔化，金基硬焊焊料薄帶I熔化后內(nèi)腔壓環(huán)2與內(nèi)腔壁4牢固連接。
[0016]金基硬焊焊料薄帶I為金銅或金鎳，在高溫工作環(huán)境下，蒸發(fā)物少、不易產(chǎn)生對(duì)陰極的不良作用，金基硬焊焊料薄帶I厚為0.02-0.05mm,寬為0.2-0.5mm,長(zhǎng)為2_5mm，在步驟A中金基硬焊焊料薄帶I與內(nèi)腔壓環(huán)2單面點(diǎn)焊且在內(nèi)腔壓環(huán)2邊緣處沿圓周均勻點(diǎn)焊四點(diǎn)，點(diǎn)焊后將金基硬焊焊料薄帶I根據(jù)需要剪短，在步驟B中衰減環(huán)3位于短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔壁4臺(tái)階上，在步驟C中高頻加熱設(shè)備為氫氣爐。
[0017]在步驟B中，薄而軟的金基硬焊焊料薄帶I根本不會(huì)使內(nèi)腔壁4受力，也就不會(huì)發(fā)生內(nèi)腔壁4和內(nèi)腔葉片5變形。在步驟C中，由于金基硬焊焊料薄帶I極薄且用量極少，在局部短時(shí)間高頻加熱使焊料熔化時(shí)，焊料根本不會(huì)滲透進(jìn)入內(nèi)腔隙縫6中，同時(shí)，由于事先在內(nèi)腔壓環(huán)2邊緣上均勻點(diǎn)焊了金基硬焊焊料薄帶I，金基硬焊焊料薄帶I熔化后可以保證內(nèi)腔壓環(huán)2與內(nèi)腔壁4牢固連接。
【權(quán)利要求】
1.一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，其特征在于:包括以下步驟: A、微量焊料預(yù)先點(diǎn)焊:剪取金基硬焊焊料薄帶(I)與內(nèi)腔壓環(huán)(2)單面點(diǎn)焊； B、將點(diǎn)焊好金基硬焊焊料薄帶(I)的內(nèi)腔壓環(huán)(2)在不受力的情況下放置在短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)(3)上； C、微量焊料二次熔焊:利用高頻加熱設(shè)備局部高頻加熱使金基硬焊焊料薄帶(I)熔化，金基硬焊焊料薄帶(I)熔化后內(nèi)腔壓環(huán)(2 )與內(nèi)腔壁(4 )牢固連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，其特征在于:所述金基硬焊焊料薄帶(I)為金銅或金鎳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，其特征在于:所述金基硬焊焊料薄帶(I)厚為0.02-0.05mm,寬為0.2-0.5mm,長(zhǎng)為2_5_。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，其特征在于:所述步驟A中金基硬焊焊料薄帶(I)與內(nèi)腔壓環(huán)(2)單面點(diǎn)焊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，其特征在于:所述步驟A中金基硬焊焊料薄帶(I)與內(nèi)腔壓環(huán)(2)單面點(diǎn)焊時(shí)在內(nèi)腔壓環(huán)(2)邊緣處沿圓周均勻點(diǎn)焊四點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，其特征在于:所述步驟B中衰減環(huán)(3)位于短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔壁(4)臺(tái)階上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種短毫米波段同軸磁控管內(nèi)腔衰減環(huán)的固定方法，其特征在于:所述步驟C中高頻加熱設(shè)備為氫氣爐。
【文檔編號(hào)】B23K31/02GK103949787SQ201410169539
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】穆建中, 牛文斗, 馬正軍, 王世健 申請(qǐng)人:甘肅虹光電子有限責(zé)任公司