專利名稱：等離子體處理裝置的聚焦環(huán)及具有聚焦環(huán)的等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理裝置的聚焦環(huán)及具有所述聚焦環(huán)的等離子體處理裝置。 更具體而言，本發(fā)明涉及等離子體處理裝置的聚焦環(huán)以及具有所述聚焦環(huán)的等離子體處理 裝置，所述聚焦環(huán)能夠通過在執(zhí)行刻蝕工藝或沉積工藝而在等離子態(tài)中處理晶片的等離子 體處理裝置中有效地裝載和卸載晶片或托盤來固定晶片或承載晶片的托盤。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造過程中，使用等離子體是為了在襯底上形成薄膜或以預(yù)期的圖案 處理襯底。利用等離子體來處理襯底的典型例子可以包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD)工藝和等離子體刻蝕工藝。等離子體將氣相化合物改變成具有高反應(yīng)性的自由基以增加其反應(yīng)能力。利用以 上原理的PECVD工藝是通過在等離子體環(huán)境下使氣態(tài)工藝氣反應(yīng)而在襯底上形成薄膜的 工藝。同時，等離子體中的離子碰撞襯底的表面而物理性地去除待被刻蝕的材料，或?qū)⒉牧?中的化合作用切斷，從而容許快速地產(chǎn)生利用自由基的刻蝕。使用以上操作的等離子體刻 蝕工藝通過使襯底區(qū)覆蓋光致抗蝕劑等并且用腐蝕氣選擇性地去除剩下的部分而在襯底 上形成半導(dǎo)體電路圖案。根據(jù)產(chǎn)生等離子體的方法，等離子體處理裝置可以分為電容耦合等離子體(CCP) 型和電感耦合等離子體(ICP)型。在CCP型等離子體處理裝置中，為了形成等離子體，在反 應(yīng)室的頂部設(shè)置上電極，在其上放置襯底或襯底托盤的卡盤底部設(shè)置下電極。相比之下，在 ICP型等離子體處理裝置中，在反應(yīng)室頂部或頂部周圍設(shè)置電感線圈，在卡盤底部設(shè)置下電 極。CCP型和ICP型等離子體處理裝置將射頻RF電源或直流DC電源提供至上電極和下電 極或電感線圈和下電極，從而在反應(yīng)室中產(chǎn)生等離子體。同時，在等離子體處理裝置中，為 了防止卡盤因等離子體而受損并且將產(chǎn)生的等離子體聚集在晶片上，在卡盤外圍安裝聚焦 環(huán)。此外，等離子處理裝置還包括反應(yīng)室以及將裝載了單個晶片或多個晶片的晶片托 盤輸送至反應(yīng)室的輸送室或真空裝載室(Loadlock Chamber)。包括多個反應(yīng)室的集群型等 離子體處理裝置包括真空裝載室和輸送室，以經(jīng)由輸送室而將經(jīng)真空裝載室真空處理的晶 片或晶片托盤輸送至反應(yīng)室。相比之下，在等離子體處理裝置具有單個反應(yīng)室的情況下，晶 片或晶片托盤直接從真空裝載室輸送至反應(yīng)室，而不使用輸送室。在輸送室或真空裝載室與反應(yīng)室之間裝載和卸載晶片或晶片托盤的過程中，輸送 臂進(jìn)入反應(yīng)室的內(nèi)部。此時，穿過卡盤并豎直地致動的升降銷支撐晶片或晶片托盤。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)置有升降銷的情況下，會產(chǎn)生下列問題。第一，在形成在卡盤中用于使升降銷穿過卡盤并移動的貫通孔附近，熱量是不平 穩(wěn)地傳遞的，從而不能形成晶片或晶片托盤的均勻溫度分布。第二，輸送臂上移至卡盤頂部，在此情況下，為了防止升降銷突伸于卡盤頂部并與輸送臂彼此碰撞，輸送臂應(yīng)該具有復(fù)雜的形狀。第三，在升降銷位于卡盤中央的情況下，當(dāng)升降銷并未精確地支撐晶片或晶片托 盤的中央時，晶片或晶片托盤可能從升降銷滑動并下移。相反，當(dāng)升降銷被設(shè)置于卡盤中央 的外圍時，輸送臂應(yīng)當(dāng)具有較小的寬度以與升降銷之間的間隙對應(yīng)。由此，晶片或晶片托盤 也可能下移。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種等離子體處理裝置的聚焦環(huán)以及一 種具有所述聚焦環(huán)的等離子體處理裝置，在裝載和卸載晶片或晶片托盤時不使用升降銷而 使聚焦環(huán)支撐晶片或晶片托盤。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種等離子體處理裝置包括處理室；卡盤，卡盤設(shè)置在處 理室中并豎直地致動；聚焦環(huán)，聚焦環(huán)安裝在卡盤的外周上；以及夾具，夾具用于將置于卡 盤上的晶片或晶片托盤固定至卡盤，其中，聚焦環(huán)由固定至聚焦環(huán)底座的第一聚焦環(huán)與固 定或置于卡盤的外周上的第二聚焦環(huán)的結(jié)合而形成，當(dāng)卡盤下移時，第二聚焦環(huán)比第一聚 焦環(huán)下移得更多。優(yōu)選地，聚焦環(huán)底座由與第一聚焦環(huán)接合的第一聚焦環(huán)底座單元和對應(yīng)于第二聚 焦環(huán)的位置的第二聚焦環(huán)底座單元構(gòu)成，第二聚焦環(huán)在第二聚焦環(huán)底座單元的內(nèi)部豎直地 移動。優(yōu)選地，在第一聚焦環(huán)和第二聚焦環(huán)中任何一個的側(cè)端部設(shè)置有凸翼，并且在第 一聚焦環(huán)和第二聚焦環(huán)中的另一個的側(cè)端部設(shè)置有對應(yīng)于凸翼的翼槽。同時，優(yōu)選的是夾具包括用于對晶片或晶片托盤的外周施加壓力的夾具板、支撐 夾具板的夾具主體、和與夾具主體接合或連接并置于處理室底部的夾具下環(huán)，當(dāng)卡盤下移 時聚焦環(huán)底座置于夾具下環(huán)的短邊上的預(yù)定位置處，并且不再下移。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體裝置的致動中，在第二聚焦環(huán)比第一聚焦環(huán)下移 得更多的狀態(tài)下，將晶片或晶片托盤裝載在第一聚焦環(huán)的上表面上，或從第一聚焦環(huán)的上 表面上卸載晶片或晶片托盤。為此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體處理裝置還包括進(jìn)入處 理室并豎直地致動的輸送臂，以便裝載或卸載晶片或晶片托盤。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種安裝在卡盤的外周上的聚焦環(huán)包括聚焦環(huán) 底座；第一聚焦環(huán)，第一聚焦環(huán)固定至聚焦環(huán)底座；以及第二聚焦環(huán)，第二聚焦環(huán)固定或置 于卡盤的外周上，其中，當(dāng)卡盤下移時，第二聚焦環(huán)比第一聚焦環(huán)下移得更多。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，一種等離子體處理裝置包括處理室；靜電卡盤，靜電 卡盤設(shè)置在處理室中并豎直地致動；以及聚焦環(huán)，聚焦環(huán)安裝在卡盤的外周上，其中，聚焦 環(huán)由固定至聚焦環(huán)底座的第一聚焦環(huán)與固定或置于卡盤的外周上的第二聚焦環(huán)的接合而 形成，當(dāng)卡盤下移時，第二聚焦環(huán)比第一聚焦環(huán)下移得更多。根據(jù)本發(fā)明，通過去除穿過卡盤而設(shè)置的升降銷，可以使卡盤頂部的溫度分布均 勻。此外，可以簡化由升降銷所限制的輸送臂的形狀。而且，根據(jù)本發(fā)明，通過使聚焦環(huán)穩(wěn)定地支撐晶片或晶片托盤，可以防止晶片或晶 片托盤因其滑落而受損。另外，根據(jù)本發(fā)明，可以不在卡盤中形成用于升降銷的移動路徑，并且可以除去用于致動升降銷的部件，從而節(jié)省等離子體處理裝置的制造成本。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置的配置圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中的卡盤、聚焦環(huán)和夾具的 展開立體圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中的聚焦環(huán)的分解立體圖；圖4是圖示在根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中卡盤下移的狀態(tài) 的圖；圖5是示意性地圖示在根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中將晶片 托盤置于卡盤上的過程的圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的聚焦環(huán)的分解立體圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第二個實(shí)施例的等離子體處理裝置的配置圖；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明第二個實(shí)施例的等離子體處理裝置中的卡盤和聚焦環(huán)的展開 立體圖。
具體實(shí)施例方式下文中將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。首先，應(yīng)注意的是，在所給定的 對應(yīng)每個附圖的元件的附圖標(biāo)記中，相似的附圖標(biāo)記標(biāo)識相似的元件，即使相似的元件出 現(xiàn)在不同的附圖中。而且，在描述本發(fā)明的過程中，將不詳細(xì)描述公知的功能和構(gòu)造，因?yàn)?其可能不會造成對本發(fā)明的理解不清晰。下文中將描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域的 技術(shù)人員將理解本發(fā)明的主旨和范圍并不局限于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，可以進(jìn)行各種修改 和變化。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置的配置圖，圖2是根據(jù)本發(fā) 明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中的卡盤、聚焦環(huán)和夾具的展開立體圖，圖3是根據(jù) 本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中的聚焦環(huán)的分解立體圖。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置包括處理室10、設(shè)置在 處理室10中的卡盤20、聚焦環(huán)30和夾具50。雖然在圖1的處理室10中為了利用ICP型 來產(chǎn)生等離子體而在處理室10的頂部設(shè)置電感線圈12，但是為了利用CCP型來產(chǎn)生等離子 體也可以在處理室10中設(shè)置上電極?？ūP20是豎直地致動的，具有大直徑的單個晶片或圖1所示的裝載多個晶片W的 晶片托盤40置于卡盤20的頂部。聚焦環(huán)30防止卡盤20因等離子體而受損，并且聚焦環(huán) 30設(shè)置于卡盤20的外周以便將等離子體聚焦到晶片W上。設(shè)置夾具50以固定晶片托盤40。如圖1所示，當(dāng)卡盤20移至頂部時，夾具板56 向晶片托盤40的外周施加壓力，從而將晶片托盤40固定至卡盤20的頂部。參照圖2，卡盤20包括位于其上表面的輪廓上的密封件22以及其內(nèi)部的冷卻氣 通道24。諸如氦氣He的氣體被提供至冷卻氣通道M以冷卻置于卡盤20頂部的晶片托盤 40?？梢允褂?形環(huán)或唇形密封件作為密封件22。當(dāng)將晶片托盤40置于卡盤20的頂部并 執(zhí)行等離子體處理工藝時，密封件22防止提供至冷卻氣通道M的冷卻氣泄露，從而有效地冷卻晶片托盤40。聚焦環(huán)30包括環(huán)形聚焦環(huán)底座32、固定至聚焦環(huán)底座32的一對彼此面對的第一 聚焦環(huán)34、和連接至第一聚焦環(huán)34的端部并且未固定至聚焦環(huán)底座32的一對彼此面對的 第二聚焦環(huán)36。第二聚焦環(huán)36固定至卡盤20的外周，并且當(dāng)卡盤20豎直移動時與卡盤 20 一起移動。參照圖3，聚焦環(huán)30的聚焦環(huán)底座32由第一聚焦環(huán)底座單元3 和第二聚焦環(huán)底 座單元32b構(gòu)成。第二聚焦環(huán)底座單元32b的內(nèi)徑大于第一聚焦環(huán)底座單元32a的內(nèi)徑。 更具體地，第二聚焦環(huán)底座單元32b的內(nèi)徑等于或大于第二聚焦環(huán)36的外徑，使得第二聚 焦環(huán)36在第二聚焦環(huán)底座單元32b的內(nèi)表面上豎直移動。同時，在第一聚焦環(huán)34的兩個端 部的內(nèi)側(cè)上形成有翼槽35，并且在第二聚焦環(huán)36的兩個端部的外側(cè)上突伸有凸翼37。因 此，優(yōu)選地當(dāng)?shù)谝痪劢弓h(huán)34和第二聚焦環(huán)36彼此接合時，凸翼37與翼槽35的內(nèi)部接合， 以防止等離子體侵蝕第一聚焦環(huán)34和第二聚焦環(huán)36的接合面，并且使偏壓RF的泄露最小 化。但是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以在第一聚焦環(huán)34中設(shè)置凸翼37，并且可以在第二聚焦 環(huán)36中設(shè)置翼槽35。參照圖2，夾具50包括筒形夾具底座52、圓盤形夾具板56、以及將夾具板56連接 至夾具底座52的一對彼此面對的夾具主體M。夾具板56向置于卡盤20頂部的晶片托盤 40的輪廓施加壓力以固定晶片托盤40，并防止冷卻氣經(jīng)設(shè)置在卡盤20中的密封件22泄 露。夾具主體M具有如圖2所示的前方開口或后方開口的結(jié)構(gòu)，而不是圓筒形的，從而保 證了裝載或卸載晶片托盤40的輸送臂60的移動路徑。同時，如圖1所示，在夾具底座52的下方設(shè)置有圓筒形的夾具下環(huán)58。包括夾具 下環(huán)58的夾具50在卡盤20下移時位于處理室10的底部。當(dāng)卡盤20在晶片托盤40置于 卡盤20頂部的時侯上移時，夾具板56與晶片托盤40的輪廓相接觸。在此狀態(tài)下，當(dāng)卡盤 20繼續(xù)上移時，如圖1所示，夾具下環(huán)58脫離處理室10的底部。因此，夾具50的全部重量 向晶片托盤40的輪廓施加壓力，從而實(shí)現(xiàn)夾具50的功能。然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，通 過在夾具下環(huán)58不脫離處理室10的底部或夾具下環(huán)58固定在處理室10的底部的限制之 內(nèi)調(diào)整卡盤20的上移程度，當(dāng)然也可以向晶片托盤40施加適當(dāng)?shù)呢?fù)荷量。此外，參照圖1，夾具下環(huán)58的內(nèi)徑小于聚焦環(huán)30的聚焦環(huán)底座32的外徑，使得 當(dāng)卡盤20下移時聚焦環(huán)底座32的底部置于夾具下環(huán)58的上部內(nèi)表面。通過此配置，聚焦 環(huán)30可以替代已知的升降銷的功能。下文將詳細(xì)描述利用本發(fā)明的單獨(dú)的聚焦環(huán)30來裝 載或卸載晶片托盤40的配置。圖4是圖示在根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中卡盤下移的狀態(tài) 的圖。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的聚焦環(huán)30被劃分為第一聚焦環(huán)34和第二聚焦環(huán)36。第 一聚焦環(huán)；34固定至聚焦環(huán)底座32，當(dāng)卡盤20下移時，聚焦環(huán)底座32置于夾具下環(huán)58的上 部內(nèi)側(cè)部位，使得第一聚焦環(huán)34不再繼續(xù)下移。相反，由于第二聚焦環(huán)36固定至卡盤20 的外周，因此當(dāng)卡盤20下移時，第二聚焦環(huán)36也跟著卡盤20 —起下移，使得第二聚焦環(huán)36 回到圖4所示的狀態(tài)。輸送臂60在將晶片托盤40輸送至卡盤20的頂部之后下移，以使晶片托盤40置 于第一聚焦環(huán)34的頂部。也就是說，在本發(fā)明中，為了將晶片托盤40置于卡盤20上，在不使用升降銷的情況下聚焦環(huán)30用來執(zhí)行升降銷的功能。圖5是示意性地圖示在根據(jù)本發(fā)明第一個實(shí)施例的等離子體處理裝置中將晶片 托盤置于卡盤上的過程的圖。參照圖fe，聚焦環(huán)30在卡盤20下移時跟著卡盤20 —起下移，當(dāng)聚焦環(huán)底座32置 于夾具下環(huán)58的頂部時第一聚焦環(huán)34停止下移，而第二聚焦環(huán)36跟著卡盤20 —起下移。 在此狀態(tài)下，輸送臂60將晶片托盤40輸送至卡盤20的頂部。然后，參照圖恥，輸送臂60上移至卡盤20的頂部，隨后下移。由此，如圖5c所示， 晶片托盤40置于第一聚焦環(huán)34上，并且輸送臂60回收。在本發(fā)明中，由于第二聚焦環(huán)36 比第一聚焦環(huán)34下移得更多，因此輸送臂60將晶片托盤40置于聚焦環(huán)34頂部，并且隨后 在第一聚焦環(huán)；34之間回收。參照圖5d，在晶片托盤40置于第一聚焦環(huán)34上的狀態(tài)下，卡盤20上移，這樣，第 二聚焦環(huán)36也與晶片托盤40底部的外周相接觸。在此狀態(tài)下，當(dāng)卡盤20進(jìn)一步上移時， 晶片托盤40在如圖1所示的第一聚焦環(huán)34與卡盤20的外周相接觸的狀態(tài)下一起上移，使 得夾具板56與晶片托盤40的外周相接觸。同時，在卸載晶片托盤40時，在卡盤20下移至最低位置的狀態(tài)下，輸送臂60進(jìn)入 聚焦環(huán)34的端部之間并上移，并且抬起晶片托盤40并回收。在以上的描述中，已經(jīng)描述了聚焦環(huán)30包括固定至聚焦環(huán)底座32的一對彼此面 對的第一聚焦環(huán)34，以及跟著卡盤20 —起上移而同時固定至卡盤20的一對彼此面對的第 二聚焦環(huán)36。但是，在本發(fā)明的實(shí)施例中可以僅在輸送臂60進(jìn)入的部位設(shè)置第二聚焦環(huán) 36。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的聚焦環(huán)的分解立體圖。如圖6所示，聚焦環(huán)30包括一個固定至聚焦環(huán)底座32的第一聚焦環(huán)34和一個僅 沿輸送臂60的一個進(jìn)入方向設(shè)置的第二聚焦環(huán)36。但是，在此情況下，輸送臂60配置為在 由輸送臂60輸送的晶片托盤40位于卡盤20的頂部時不與第一聚焦環(huán)34碰撞。下面將描述根據(jù)本發(fā)明第二個實(shí)施例的等離子體處理裝置。圖7是根據(jù)本發(fā)明第二個實(shí)施例的等離子體處理裝置的配置圖。圖8是根據(jù)本發(fā) 明第二個實(shí)施例的等離子體處理裝置中的卡盤和聚焦環(huán)的展開立體圖。根據(jù)本發(fā)明第二個實(shí)施例的等離子體處理裝置包括靜電卡盤200，而不是卡盤 20，并且與第一實(shí)施例相比不包括夾具50。由于設(shè)置了靜電卡盤200，因此在無需靜電卡盤200上的夾具50的情況下，晶片托 盤40可以固定至或緊密地附接至靜電卡盤200。除此之外，在根據(jù)本發(fā)明第二個實(shí)施例的 等離子體處理裝置中，聚焦環(huán)30具有與第一個實(shí)施例中的配置相同的配置。同時，由于在靜電卡盤200下移時需要支撐聚焦環(huán)30的聚焦環(huán)底座32的構(gòu)件，因 此將圓筒形的聚焦環(huán)支撐件210固定至處理室10的內(nèi)底部。由此，當(dāng)靜電卡盤200下移時， 與第一聚焦環(huán)34固定在一起的聚焦環(huán)底座32在被支撐在聚焦環(huán)支撐件210的頂部時停止 下移，并且固定至靜電卡盤200的外周的第二聚焦環(huán)36跟著靜電卡盤200下移。以上示例性地說明了本發(fā)明的實(shí)質(zhì)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識到在不脫離本發(fā)明 的必要特征的情況下可以進(jìn)行各種修改、改變和替換。相應(yīng)地，使用本發(fā)明中所公開的實(shí)施 例和附圖并不是要限制本發(fā)明，而是要說明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)。本發(fā)明的范圍并非僅限制于實(shí)施例和附圖。本發(fā)明的保護(hù)范圍必須通過所附權(quán)利要求來分析，并且應(yīng)當(dāng)分析出的是在等 效范圍內(nèi)的所有實(shí)質(zhì)內(nèi)容都被包括在本發(fā)明的所附權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，包括 處理室；卡盤，所述卡盤設(shè)置在所述處理室中并豎直地致動； 聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)安裝在所述卡盤的外周上；以及 夾具，所述夾具用于將置于所述卡盤上的晶片或晶片托盤固定至所述卡盤， 其中，所述聚焦環(huán)是通過將固定至聚焦環(huán)底座的第一聚焦環(huán)與固定至或置于所述卡盤 的外周上的第二聚焦環(huán)接合而形成的，并且當(dāng)所述卡盤下移時所述第二聚焦環(huán)比所述第一 聚焦環(huán)下移得更多。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，所述聚焦環(huán)底座由與所述第一聚 焦環(huán)接合的第一聚焦環(huán)底座單元以及對應(yīng)于所述第二聚焦環(huán)的位置的第二聚焦環(huán)底座單 元構(gòu)成，并且所述第二聚焦環(huán)在所述第二聚焦環(huán)底座單元的內(nèi)部豎直地移動。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在所述第一聚焦環(huán)和所述第二聚 焦環(huán)中任何一個的側(cè)端部設(shè)置有凸翼，并且在所述第一聚焦環(huán)和所述第二聚焦環(huán)中另一個 的側(cè)端部設(shè)置有對應(yīng)于所述凸翼的翼槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，所述夾具包括用于對所述晶片或 晶片托盤的外周施加壓力的夾具板、支撐所述夾具板的夾具主體、以及與所述夾具主體接 合或連接并且置于所述處理室的底部的夾具下環(huán)，所述聚焦環(huán)底座置于所述夾具下環(huán)的短 邊上的預(yù)定位置處并且當(dāng)所述卡盤下移時不再下移。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，在所述第二聚焦環(huán)比所述第一聚 焦環(huán)下移得更多的狀態(tài)下，所述晶片或晶片托盤裝載在所述第一聚焦環(huán)的上表面上，或者 所述晶片或晶片托盤從所述第一聚焦環(huán)的上表面卸載。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，還包括輸送臂，所述輸送臂進(jìn)入所述處 理室，并且豎直地致動以便裝載或卸載所述晶片或晶片托盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，所述第一聚焦環(huán)由彼此面對的一 對構(gòu)成，并且一對彼此面對的第二聚焦環(huán)位于所述一對第一聚焦環(huán)的端部之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，部分開口的所述聚焦環(huán)的所述第 一聚焦環(huán)固定至所述聚焦環(huán)底座，并且所述第二聚焦環(huán)位于所述開口的部位。
9.一種安裝在卡盤的外周上的聚焦環(huán)，包括 聚焦環(huán)底座；第一聚焦環(huán)，所述第一聚焦環(huán)固定至所述聚焦環(huán)底座；以及第二聚焦環(huán)，所述第二聚焦環(huán)固定至或置于所述卡盤的外周上，其中，當(dāng)所述卡盤下移時，所述第二聚焦環(huán)比所述第一聚焦環(huán)下移得更多。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的聚焦環(huán)，其中，所述聚焦環(huán)底座由與所述第一聚焦環(huán)接合的 第一聚焦環(huán)底座單元以及對應(yīng)于所述第二聚焦環(huán)的位置的第二聚焦環(huán)底座單元構(gòu)成，并且 所述第二聚焦環(huán)在所述第二聚焦環(huán)底座單元的內(nèi)部豎直地移動。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的聚焦環(huán)，其中，所述第一聚焦環(huán)由彼此面對的一對構(gòu)成，并 且一對彼此面對的第二聚焦環(huán)位于所述一對第一聚焦環(huán)的端部之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的聚焦環(huán)，其中，部分開口的所述聚焦環(huán)的所述第一聚焦環(huán)固 定至所述聚焦環(huán)底座，并且所述第二聚焦環(huán)位于所述開口的部位。
13.一種等離子體處理裝置，包括處理室；靜電卡盤，所述靜電卡盤設(shè)置在所述處理室中并且豎直地致動；以及聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)安裝在所述卡盤的外周上；其中，所述聚焦環(huán)是由固定至聚焦環(huán)底座的第一聚焦環(huán)與固定至或置于所述卡盤的外 周上的第二聚焦環(huán)的接合而形成的，并且當(dāng)所述卡盤下移時所述第二聚焦環(huán)比所述第一聚 焦環(huán)下移得更多。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其中，所述聚焦環(huán)底座由與所述第一 聚焦環(huán)接合的第一聚焦環(huán)底座單元以及對應(yīng)于所述第二聚焦環(huán)的位置的第二聚焦環(huán)底座 單元構(gòu)成，并且所述第二聚焦環(huán)在所述第二聚焦環(huán)底座單元的內(nèi)部豎直地移動。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其中，在所述第一聚焦環(huán)和所述第二 聚焦環(huán)中任何一個的側(cè)端部設(shè)置有凸翼，并且在所述第一聚焦環(huán)和所述第二聚焦環(huán)中另一 個的側(cè)端部設(shè)置有對應(yīng)于所述凸翼的翼槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置，其中，在所述第二聚焦環(huán)比所述第一 聚焦環(huán)下移得更多的狀態(tài)下，所述晶片或晶片托盤裝載在所述第一聚焦環(huán)的上表面上，或 者所述晶片或晶片托盤從所述第一聚焦環(huán)的上表面卸載。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體處理裝置，還包括輸送臂，所述輸送臂進(jìn)入所述 處理室，并且豎直地致動以便裝載或卸載所述晶片或晶片托盤。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子體處理裝置的聚焦環(huán)及具有聚焦環(huán)的等離子體處理裝置。更具體而言，本發(fā)明涉及等離子體處理裝置的聚焦環(huán)以及具有聚焦環(huán)的等離子體處理裝置，該聚焦環(huán)能夠通過在執(zhí)行刻蝕工藝或沉積工藝而在等離子態(tài)中處理晶片的等離子體處理裝置中有效地裝載和卸載晶片或托盤來固定晶片或承載晶片的托盤。本發(fā)明的等離子體處理裝置包括處理室；卡盤，其設(shè)置在處理室中并豎直地致動；聚焦環(huán)，其安裝在卡盤的外周上；以及夾具，其用于將置于卡盤上的晶片或晶片托盤固定至卡盤，其中，聚焦環(huán)由固定至聚焦環(huán)底座的第一聚焦環(huán)與固定至或置于卡盤的外周上的第二聚焦環(huán)的結(jié)合而形成，當(dāng)卡盤下移時第二聚焦環(huán)比第一聚焦環(huán)下移得更多。
文檔編號H01J37/32GK102117726SQ20101026643
公開日2011年7月6日 申請日期2010年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月30日
發(fā)明者樸根佑, 李誠宰, 羅潤柱 申請人:塔工程有限公司