專(zhuān)利名稱(chēng)：：噁二唑衍生物、發(fā)光元件、顯示裝置、照明裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種噁二唑衍生物、包含該噁二唑衍生物的發(fā)光元件、具有該發(fā)光元件的顯示裝置、照明裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，對(duì)利用電致發(fā)光(Electroluminescence)的發(fā)光元件的研究開(kāi)發(fā)日益火熱。這種發(fā)光元件的基本結(jié)構(gòu)為在一對(duì)電極之間夾有包含發(fā)光物質(zhì)的層。通過(guò)對(duì)這種元件施加電壓，可以得到來(lái)自發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光。由于這種發(fā)光元件為自發(fā)光型，所以與液晶顯示器相比具有圖像的可見(jiàn)性高且不必使用背光源等優(yōu)點(diǎn)，可以認(rèn)為這種發(fā)光元件適合用作平面顯示元件。此外，這種發(fā)光元件的另一主要優(yōu)點(diǎn)是可以制造得薄且輕。另外，其響應(yīng)速度非常快。另外，因?yàn)檫@種發(fā)光元件可以形成為膜狀，所以通過(guò)形成大面積的元件能夠容易地得到面狀的發(fā)光。由于以白熾燈和LED為代表的點(diǎn)光源或以熒光燈為代表的線(xiàn)光源很難得到該特點(diǎn)，所以上述發(fā)光元件作為能夠應(yīng)用于照明等的面光源的利用價(jià)值也很高。利用電致發(fā)光的發(fā)光元件可以根據(jù)發(fā)光物質(zhì)是有機(jī)化合物還是無(wú)機(jī)化合物來(lái)進(jìn)行大致分類(lèi)。在將有機(jī)化合物用作發(fā)光物質(zhì)的情況下，通過(guò)對(duì)發(fā)光元件施加電壓，電子及空穴分別從一對(duì)電極注入到包含發(fā)光有機(jī)化合物的層，電流流過(guò)。并且，通過(guò)這些載流子(電子和空穴)的重新結(jié)合，發(fā)光有機(jī)化合物形成激發(fā)態(tài)，當(dāng)從該激發(fā)態(tài)恢復(fù)到基態(tài)時(shí)發(fā)光。由于上述機(jī)理，這種發(fā)光元件被稱(chēng)為電流激發(fā)型發(fā)光元件。另外，作為有機(jī)化合物所形成的激發(fā)態(tài)的種類(lèi)，可以舉出單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)，來(lái)自單重激發(fā)態(tài)(S*)的發(fā)光被稱(chēng)為熒光，來(lái)自三重激發(fā)態(tài)cn的發(fā)光被稱(chēng)為磷光。另外，可以認(rèn)為發(fā)光元件中的單重激發(fā)態(tài)(S*)及三重激發(fā)態(tài)CT)的統(tǒng)計(jì)學(xué)上的生成比率為S*f=13。將單重激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換成發(fā)光的化合物(以下稱(chēng)為熒光化合物)在室溫下僅能觀察到來(lái)自單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(熒光)而觀察不到來(lái)自三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光(磷光)。由此，依據(jù)S*T*=13，可以認(rèn)為使用熒光化合物的發(fā)光元件中的內(nèi)部量子效率(產(chǎn)生的光子相對(duì)于注入的載流子的比率)的理論極限是25%。另一方面，若使用將三重激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換為發(fā)光的化合物(以下稱(chēng)為磷光化合物)，則在理論上可使內(nèi)部量子效率達(dá)到75%至100%。也就是說(shuō)，可以得到熒光化合物的3倍至4倍的發(fā)光效率。基于上述理由，為了得到高效率的發(fā)光元件，近年來(lái)對(duì)于使用磷光化合物的發(fā)光元件的開(kāi)發(fā)日益火熱(例如，參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。當(dāng)使用上述磷光化合物形成發(fā)光元件的發(fā)光層時(shí)，為了抑制磷光化合物的濃度猝滅或起因于三重態(tài)_三重態(tài)湮滅的猝滅，多以使上述磷光化合物分散于由其他物質(zhì)構(gòu)成的基質(zhì)(matrix)中的方式來(lái)形成。此時(shí)，成為基質(zhì)的物質(zhì)被稱(chēng)為主體材料，而如磷光化合物等分散于基質(zhì)中的物質(zhì)被稱(chēng)為客體材料。當(dāng)將磷光化合物用作客體材料時(shí)，主體材料所要求的性質(zhì)是具有比該磷光化合物高的三重態(tài)激發(fā)能(基態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能量差)。已知在非專(zhuān)利文獻(xiàn)1中用作主體材料的CBP具有比顯示綠色至紅色的發(fā)光的磷光化合物高的三重態(tài)激發(fā)能，并且CBP作為針對(duì)磷光化合物的主體材料被廣泛地利用。但是，CBP雖然具有較高的三重態(tài)激發(fā)能，但缺乏接收空穴或電子的能力，因而存在驅(qū)動(dòng)電壓變高的問(wèn)題。因此，作為針對(duì)磷光化合物的主體材料，要求開(kāi)發(fā)出不僅具有較高的三重態(tài)激發(fā)能、而且易于接收空穴和電子、并且可以傳輸空穴和電子的物質(zhì)(即具有雙極性的物質(zhì))。另外，由于單重態(tài)激發(fā)能(基態(tài)和單重激發(fā)態(tài)之間的能量差)高于三重態(tài)激發(fā)能，所以具有較高的三重態(tài)激發(fā)能的物質(zhì)也具有較高的單重態(tài)激發(fā)能。因此，具有如上所述的較高的三重態(tài)激發(fā)能并具有雙極性的物質(zhì)作為將熒光化合物用作發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光元件中的主體材料也是有益的。非專(zhuān)利文獻(xiàn)1:Μ·Α·Baldo以及其他4名，AppliedPhysicsLetters,Vol.75,No.1，4-6(1999)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一在于提供一種激發(fā)能高的物質(zhì)，尤其是三重態(tài)激發(fā)能高的物質(zhì)。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一在于提供一種具有雙極性的物質(zhì)。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一在于提供一種新的發(fā)光物質(zhì)。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一在于提高發(fā)光元件的元件特性。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一在于提供一種減少了耗電量的顯示裝置或照明裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的課題之一在于提供一種減少了耗電量的電子設(shè)備。本發(fā)明的一個(gè)方式是一種以下述通式(Gl)表示的噁二唑衍生物。(G1)在式中，Ar表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R1表示碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在通式(Gl)中，在Ar、R1、R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種以下述通式(G2)表示的噁二唑衍生物。在式中，R1表示碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R11至R15表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R1、R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種以下述通式(G3)表示的噁二唑衍生物。在式中，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R21至R25表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種以下述通式(G4)表示的噁二唑衍生物。R2在式中，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有包含上述噁二唑衍生物的發(fā)光層。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有包含上述噁二唑衍生物以及發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有包含上述噁二唑衍生物的發(fā)光層以及包含磷光化合物的發(fā)光層。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種具有上述發(fā)光元件和控制該發(fā)光元件的發(fā)光的控制單元的顯示裝置。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，顯示裝置是指能夠通過(guò)分別獨(dú)立地控制多個(gè)發(fā)光區(qū)域的發(fā)光來(lái)顯示圖像、視頻等的媒體，并是指以該顯示裝置本身成為觀察對(duì)象(visualobject)為目的的裝置。另外，顯示裝置還包括安裝有諸如FPC(FlexiblePrintedCircuit；柔性印刷電路板)、TAB(TapeAutomatedBonding；帶式自運(yùn)焊接)膠帶或者TCP(TapeCarrierPackage；載帶封裝)之類(lèi)的連接器的模塊；將印刷線(xiàn)路板設(shè)置于TAB膠帶或TCP的端部而得的模塊；通過(guò)C0G(ChipOnGlass；玻璃上芯片)方式將IC(集成電路)直接安裝于發(fā)光元件而得的模塊。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種具有上述發(fā)光元件和控制該發(fā)光元件的發(fā)光的控制單元的照明裝置。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，照明裝置是指作為能夠持續(xù)發(fā)射一定亮度的光的光源起作用的裝置；以及諸如通過(guò)對(duì)光景、觀察對(duì)象及其周?chē)M(jìn)行照射來(lái)使人能看得清楚或者利用視覺(jué)信號(hào)傳遞信息等的以使用光對(duì)人類(lèi)生活作貢獻(xiàn)為目的的裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種在顯示部或照明部中具有上述發(fā)光元件的電子設(shè)備。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，電子設(shè)備是指利用電子學(xué)技術(shù)而制造的電器，并且上述顯示裝置及照明裝置也是電子設(shè)備之一。本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物具有噁二唑環(huán)。因此激發(fā)能高，尤其是三重態(tài)激發(fā)能高。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物包括具有電子傳輸性的噁二唑環(huán)和具有空穴傳輸性的咔唑環(huán)。因此具有雙極性。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物具有3.OeV至3.3eV左右的能隙。因此是發(fā)射藍(lán)色光的新的熒光化合物。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物的激發(fā)能高，尤其是三重態(tài)激發(fā)能高，并且具有雙極性。因此，當(dāng)將該噁二唑衍生物用作主體材料時(shí)，在低驅(qū)動(dòng)電壓下也可以將電子和空穴供給到發(fā)光物質(zhì)。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件使用如下噁二唑衍生物形成，該噁二唑衍生物的激發(fā)能高，尤其是三重態(tài)激發(fā)能高，并且具有雙極性。因此，可以提高該發(fā)光元件的電流效率。另外，作為該發(fā)光元件，可以舉出將該噁二唑衍生物用作磷光化合物的主體材料的發(fā)光元件；將該噁二唑衍生物用作發(fā)射藍(lán)色光的熒光化合物的主體材料的發(fā)光元件；或者將該噁二唑衍生物用作發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光元件；等。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的顯示裝置或照明裝置具備電流效率高的發(fā)光元件。因此，可以減少耗電量。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的電子設(shè)備在其顯示部或照明部中具有電流效率高的發(fā)光元件。因此，可以減少耗電量。圖1是示出在實(shí)施方式2中說(shuō)明的發(fā)光元件的圖。圖2是示出在實(shí)施方式3中說(shuō)明的發(fā)光元件的圖。圖3是示出在實(shí)施方式4中說(shuō)明的發(fā)光元件的圖。圖4是示出在實(shí)施方式5中說(shuō)明的無(wú)源矩陣型顯示裝置的圖。圖5是示出在實(shí)施方式5中說(shuō)明的無(wú)源矩陣型顯示裝置的圖。圖6是示出在實(shí)施方式5中說(shuō)明的有源矩陣型顯示裝置的圖。圖7是示出在實(shí)施方式6中說(shuō)明的照明裝置的圖。圖8是示出在實(shí)施方式7中說(shuō)明的電子設(shè)備的圖。圖9是結(jié)構(gòu)式(100)所示的PC011(簡(jiǎn)稱(chēng))的1H-WR圖。圖10是結(jié)構(gòu)式(100)所示的PC011(簡(jiǎn)稱(chēng))的㈧溶液樣品或⑶薄膜樣品的紫外可見(jiàn)吸收光譜及發(fā)射光譜。圖11是示出結(jié)構(gòu)式(100)所示的PC011(簡(jiǎn)稱(chēng))的㈧氧化反應(yīng)特性及⑶還原反應(yīng)特性的圖。圖12是通過(guò)計(jì)算求出的PCOll(簡(jiǎn)稱(chēng))的㈧最高已占分子軌道(HOMO)及(B)最低未占分子軌道的圖。圖13是結(jié)構(gòu)式(121)所示的PCOllII(簡(jiǎn)稱(chēng))的1H-NMR圖。圖14是結(jié)構(gòu)式(121)所示的PCOllII(簡(jiǎn)稱(chēng))的㈧溶液樣品或⑶薄膜樣品的紫外可見(jiàn)吸收光譜及發(fā)射光譜。圖15是示出結(jié)構(gòu)式(121)所示的PCOllII(簡(jiǎn)稱(chēng))的㈧氧化反應(yīng)特性及(B)還原反應(yīng)特性的圖。圖16是通過(guò)計(jì)算求出的PCOllII(簡(jiǎn)稱(chēng))的㈧最高已占分子軌道(HOMO)及(B)最低未占分子軌道的圖。圖17是示出在實(shí)施例3中說(shuō)明的發(fā)光元件的圖。圖18是示出在實(shí)施例3中說(shuō)明的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的電流密度-亮度特性的圖。圖19是示出在實(shí)施例3中說(shuō)明的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的電壓-亮度特性的圖。圖20是示出在實(shí)施例3中說(shuō)明的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的亮度-電流效率特性的圖。圖21是示出在實(shí)施例3中說(shuō)明的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的發(fā)射光譜的圖。符號(hào)說(shuō)明101第一電極102EL層103第二電極111空穴注入層112空穴傳輸層113發(fā)光層114電子傳輸層115電子注入層201第一電極202EL層203第二電極211空穴注入層212空穴傳輸層213第一發(fā)光層214分離層215第二發(fā)光層216電子傳輸層217電子注入層301第一電極302第一EL層303第二EL層304第二電極305電荷產(chǎn)生層401基板402絕緣層403第一電極404間隔壁405開(kāi)口部406間隔壁407EL層408第二電極501基板503掃描線(xiàn)505區(qū)域506間隔壁508數(shù)據(jù)線(xiàn)509連接端子510輸入端子511aFPC511bFPC512輸入端子601元件基板602像素部603驅(qū)動(dòng)電路部(源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)604驅(qū)動(dòng)電路部(柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)605密封劑606密封基板607布線(xiàn)608FPC(柔性印刷電路板)609η溝道型TFT610ρ溝道型TFT611開(kāi)關(guān)用TFT612電流控制用TFT613陽(yáng)極614絕緣物615EL層616陰極617發(fā)光源極618空間700臺(tái)燈701照明部702燈罩703可調(diào)支架704支柱705臺(tái)706電源710手提燈711殼體712照明部713開(kāi)關(guān)721吸頂燈722照明裝置723臺(tái)燈800電視裝置801殼體802顯示部803照明部804支架805遙控操作機(jī)806操作鍵807顯示部810計(jì)算機(jī)811主體812殼體813顯示部814鍵盤(pán)815外接端口816定位裝置820便攜式游戲機(jī)821殼體822殼體823連結(jié)部824顯示部825顯示部826揚(yáng)聲器部827記錄介質(zhì)插入部828照明部829操作鍵830連接端子831傳感器840移動(dòng)電話(huà)機(jī)841殼體842顯示部843操作鍵844外接端口845揚(yáng)聲器846麥克風(fēng)1100基板1101第一電極1102EL層1103第二電極1111空穴注入層1112空穴傳輸層1113發(fā)光層1114電子傳輸層1115電子注入層具體實(shí)施例方式以下使用附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下的說(shuō)明，只要是本領(lǐng)域的技術(shù)人員就容易理解，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及其范圍的情況下，可以對(duì)其形態(tài)和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限于以下所示的實(shí)施方式的記載內(nèi)容。(實(shí)施方式1)在本實(shí)施方式中，示出本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物。接著，示出該噁二唑衍生物的合成方法。本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物是以通式(Gl)至(G4)表示的噁二唑衍生物。在式中，Ar表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R1表示碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在通式(Gl)中，在Ar、R1、R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在式中，R1表示碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R11至R15表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在通式(G2)中，在R1、R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在式中，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R21至R25表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在通式(G3)中，在R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。在式中，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在通式(G4)中，在R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，作為通式(Gl)至(G4)中的Ar、!1、!2的具體結(jié)構(gòu)，可以舉出結(jié)構(gòu)式(1-1)至結(jié)構(gòu)式(1-17)所示的取代基。另外，作為通式(Gl)至(G4)中的R1、!2的具體結(jié)構(gòu)，還可以舉出結(jié)構(gòu)式(2_1)至結(jié)構(gòu)式(2-8)所示的取代基。另外，作為通式(Gl)至(G4)中的R2的具體結(jié)構(gòu)，還可以舉出結(jié)構(gòu)式(3_1)所示的取代基。H-(3-1)另外，作為通式(G2)中的R11至R15及通式(G3)中的R21至R25的具體結(jié)構(gòu)，可以舉出結(jié)構(gòu)式(4-1)至(4-20)所示的取代基。作為上述噁二唑衍生物的具體例子，可以舉出結(jié)構(gòu)式(100)至結(jié)構(gòu)式(132)所示的噁二唑衍生物。但是，本發(fā)明不局限于此。作為本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物的合成方法，可以應(yīng)用各種反應(yīng)。例如，通過(guò)進(jìn)行以下所示的合成反應(yīng)，可以合成出以下述通式(Gl)表示的本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物的合成方法不局限于以下合成方法。<以通式(Gl)表示的噁二唑衍生物的合成方法1>以通式(Gl)表示的噁二唑衍生物可以通過(guò)下述合成方案(A-I)的鈴木宮浦反應(yīng)來(lái)合成。即，通過(guò)在存在堿的情況下使用鈀催化劑將商化的噁二唑化合物(化合物Al)與9H-咔唑-3-硼酸衍生物(化合物Bi)偶聯(lián)，可以得到以通式(Gl)表示的噁二唑衍生物。鹵化的噁二唑衍生物(化合物Al)是式中的X被鹵素取代而得的噁二唑衍生物。另外，作為鹵素，優(yōu)選使用碘、溴等反應(yīng)性高的元素。另外，在式中，Ar表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R1表示碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。另外，在Ar、R\R2是具有取代基的芳基的情況下，該取代基是碳數(shù)為1至4的烷基或者形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的方基。作為可以用于合成方案(A-I)的鈴木·宮浦反應(yīng)的鈀催化劑，可以舉出醋酸鈀(II)、四(三苯膦)合鈀(0)等。另外，作為可以在合成方案(A-I)中使用的鈀催化劑的配體，可以舉出三(鄰-甲苯基)膦、三苯膦及三環(huán)己基膦等。作為可以用于合成方案(A-I)中的鈴木·宮浦反應(yīng)的堿，可以舉出叔丁醇鈉等有機(jī)堿及碳酸鉀等無(wú)機(jī)堿等。另外，作為可以用于合成方案(A-I)中的鈴木·宮浦反應(yīng)的溶劑，可以舉出甲苯和水的混合溶劑，甲苯、乙醇等醇和水的混合溶劑，二甲苯和水的混合溶劑，二甲苯、乙醇等醇和水的混合溶劑，苯和水的混合溶劑，苯、乙醇等醇和水的混合溶劑，以及1，2_二甲氧基乙烷等醚類(lèi)和水的混合溶劑等。尤其優(yōu)選甲苯和水的混合溶劑或甲苯、乙醇和水的混合溶劑。以通式(G2)至(G4)表示的噁二唑衍生物也可以通過(guò)與上述反應(yīng)式同樣的反應(yīng)來(lái)合成。即，通過(guò)將Ar適當(dāng)?shù)乇蝗〈柠u化的噁二唑衍生物與R1適當(dāng)?shù)乇蝗〈倪沁蜓苌锱悸?lián)，可以合成出以通式(G2)至(G4)表示的噁二唑衍生物。本實(shí)施方式所示的噁二唑衍生物具有噁二唑環(huán)。因此激發(fā)能高，尤其是三重態(tài)激發(fā)言旨聞。本實(shí)施方式所示的噁二唑衍生物包括具有電子傳輸性的噁二唑環(huán)和具有空穴傳輸性的咔唑環(huán)。因此，該噁二唑衍生物具有雙極性。(實(shí)施方式2)在本實(shí)施方式中，使用圖1對(duì)將本發(fā)明的一個(gè)方式的噁二唑衍生物用于發(fā)光層而形成的發(fā)光元件進(jìn)行說(shuō)明。圖1是示出在第一電極101和第二電極103之間夾有具有發(fā)光層113的EL層102而構(gòu)成的發(fā)光元件的圖。發(fā)光層113包含實(shí)施方式1中說(shuō)明的噁二唑衍生物。通過(guò)對(duì)第一電極101和第二電極103之間施加電壓，從第一電極101側(cè)注入的空穴和從第二電極103側(cè)注入的電子在發(fā)光層113中重新結(jié)合，從而使發(fā)光層113中的物質(zhì)處于激發(fā)狀態(tài)。并且，當(dāng)激發(fā)狀態(tài)的物質(zhì)恢復(fù)到基狀時(shí)發(fā)光。此外，在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，第一電極101起到陽(yáng)極的作用，第二電極103起到陰極的作用。當(dāng)?shù)谝浑姌O101起到陽(yáng)極的作用時(shí)，第一電極101優(yōu)選使用功函數(shù)高(具體而言在4.OeV以上)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物及它們的混合物等。具體而言，例如可以舉出氧化銦-氧化錫(ΙΤ0氧化銦錫)、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(ΙΖ0氧化銦鋅)、含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。另外，可以使用金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、Ti(鈦)等。但是，當(dāng)EL層102中的與第一電極101相接觸地形成的層是使用由下述有機(jī)化合物與電子受體(受主)混合而成的復(fù)合材料而形成的情況下，作為第一電極101所用的物質(zhì)，可以與功函數(shù)的高低無(wú)關(guān)地使用各種金屬、合金、導(dǎo)電性化合物及它們的混合物等。例如，還可以使用鋁(Al)、銀(Ag)、包含鋁的合金(AlSi)等。另外，第一電極101例如可以使用濺射法或蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)等來(lái)形成。形成在第一電極101上的EL層102至少具有發(fā)光層113，并且包含實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物而形成。EL層102的一部分也可以使用已知的物質(zhì)，還可以使用低分子化合物及高分子化合物的任一種。另外，形成EL層102的物質(zhì)不僅包括僅由有機(jī)化合物構(gòu)成的物質(zhì)，也包括部分包含無(wú)機(jī)化合物的構(gòu)成。另外，如圖1所示，EL層102是將發(fā)光層113、包含空穴注入性高的物質(zhì)而構(gòu)成的空穴注入層111；包含空穴傳輸性高的物質(zhì)而構(gòu)成的空穴傳輸層112；包含電子傳輸性高的物質(zhì)而構(gòu)成的電子傳輸層114；包含電子注入性高的物質(zhì)而構(gòu)成的電子注入層115等適當(dāng)?shù)亟M合層疊而形成?？昭ㄗ⑷雽?11是包含空穴注入性高的物質(zhì)的層。作為空穴注入性高的物質(zhì)，可以使用鉬氧化物、鈦氧化物、釩氧化物、錸氧化物、釕氧化物、鉻氧化物、鋯氧化物、鉿氧化物、鉭氧化物、銀氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等金屬氧化物。另外，可以使用酞菁(簡(jiǎn)稱(chēng)H2Pc)、銅(II)酞菁(簡(jiǎn)稱(chēng)CuPc)、釩氧酞菁(簡(jiǎn)稱(chēng)V0Pc)等酞菁類(lèi)化合物。此外，還可以使用作為低分子有機(jī)化合物的4，4’，4”_三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)TDATA)、4，4，，4”_三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)MTDATA)、4，4，-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)DPAB)、4，4，-雙(N-{4-[N'-(3-甲基苯基)-N’-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)DPA3B)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PCzPCAl),3,6-雙[N_(9_苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PCzPCA2)、3_[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PCzPCNl)等芳香胺化合物等。再者，還可以使用高分子化合物(低聚物、樹(shù)枝狀大分子、聚合物等)。例如，可以舉出以下高分子化合物聚(N-乙烯咔唑)(簡(jiǎn)稱(chēng)PVK)；聚(4-乙烯三苯胺)(簡(jiǎn)稱(chēng)PVTPA)；聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡(jiǎn)稱(chēng)PTPDMA)’聚[N，N’-雙(4-丁基苯基)-N，N’-雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡(jiǎn)稱(chēng)Poly-TPD)等。另外，還可以使用聚(3，4_乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等添加有酸的高分子化合物。此外，作為空穴注入層111，也可以使用將有機(jī)化合物和電子受體(受主)混合而成的復(fù)合材料。這種復(fù)合材料藉由電子受體在有機(jī)化合物中產(chǎn)生空穴，因此空穴注入性及空穴傳輸性好。在此情況下，作為有機(jī)化合物，優(yōu)選所產(chǎn)生的空穴的傳輸性?xún)?yōu)異的材料(空穴傳輸性高的物質(zhì))。作為用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物，可以使用芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物(低聚物、樹(shù)枝狀大分子、聚合物等)等各種化合物。另外，作為用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物，優(yōu)選空穴傳輸性高的有機(jī)化合物。具體而言，優(yōu)選具有10-6cm7Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。然而，只要是空穴傳輸性比電子傳輸性高的物質(zhì)，也可以使用除此之外的物質(zhì)。以下具體地舉出可以用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物。作為可以用于復(fù)合材料的有機(jī)化合物，例如可以使用TDATA、MTDATA、DPAB,DNTPD、DPA3B、PCzPCAl、PCzPCA2、PCzPCNl、4，4，_雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)NPB或a-NPD)、N，N，-雙(3-甲基苯基)-N，N，-二苯基-[1，1，-聯(lián)苯]_4，4，-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)=TPD)等芳香胺化合物；4，4，_二(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng):CBP)、1，3，5-三[4_(N_咔唑基)苯基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)11^8)、9-[4-(^咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)CzPA)、l，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等咔唑衍生物。此外，可以使用2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)t_BuDNA)、2_叔丁基_9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)DPPA)、2_叔丁基-9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)DNA)、9，10-二苯基蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)=DPAnth)、2_叔丁基蒽(簡(jiǎn)稱(chēng):t-BuAnth)、9，10-雙(4-甲基-I-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)DMNA)、9，10-雙[2-(1-萘基)苯基]_2_叔丁基蒽、9，10-雙[2_(1_萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽等芳香烴化合物。此外，還可以使用2，3，6，7_四甲基_9，10-二(2-萘基)蒽、9，9，-聯(lián)蒽、10，10，-二苯基-9，9，-聯(lián)蒽、10，10，-雙(2-苯基苯基)-9，9，-聯(lián)蒽、10，10，-雙[(2,3,4,5，6_五苯基)苯基]-9，9’_聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、茈、2，5，8，11-四(叔丁基)茈、并五苯、蔻、4，4，-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)DPVBi)、9，10-雙[4_(2，2_二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)DPVPA)等芳香烴化合物。另外，作為可以用于復(fù)合材料的電子受體，可以舉出7，7，8，8_四氰基_2，3，5，6_四氟二甲基對(duì)苯醌(簡(jiǎn)稱(chēng)=F4-TCNQ)、氯醌等有機(jī)化合物及過(guò)渡金屬氧化物。另外，還可以舉出屬于元素周期表中的第4族至第8族的金屬的氧化物。具體而言，優(yōu)選氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸，因?yàn)樗鼈兊碾娮咏邮苄愿摺Ｆ渲?，尤其?yōu)選氧化鉬，這是因?yàn)檠趸f在大氣中也穩(wěn)定并且吸濕性低、容易處理的緣故。此外，也可以使用上述PVK、PVTPA、PTPDMA、PoIy-TPD等高分子化合物及上述電子受體來(lái)形成復(fù)合材料，用于空穴注入層111。空穴傳輸層112是包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層。作為空穴傳輸性高的物質(zhì)，可以使用NPB、TPD、4，4，_雙[N-(9，9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)DFLDPBi)、4，4’_雙[N-(螺環(huán)-9，9’_二芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)BSPB)等芳香胺化合物。上述物質(zhì)主要是具有10-6cm7Vs以上的空穴遷移率的物質(zhì)。此外，包含空穴傳輸性高的物質(zhì)的層不僅可以是單層的，也可以是兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的層層疊而成的層。此外，作為空穴傳輸層112，還可以使用PVK、PVTPA、PTPDMA、PoIy-TPD等高分子化合物。發(fā)光層113具有如下結(jié)構(gòu)，即將實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物用作基質(zhì)(主體材料)，并且在該基質(zhì)中分散有發(fā)光性高的物質(zhì)(客體材料)的結(jié)構(gòu)。當(dāng)將熒光化合物用作客體材料時(shí)，優(yōu)選使用最低未占分子軌道能級(jí)(LUM0能級(jí))低于實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物的最低未占分子軌道能級(jí)、且其最高已占分子軌道能級(jí)(HOMO能級(jí))高于實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物的最高占據(jù)分子軌道能級(jí)的熒光化合物。例如，可以舉出N，N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基芪_4，4’-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4，-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)YGAPA)、4-(9!1-咔唑-9-基)-4，-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng):2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)PCAPA)、茈、2，5，8，11-四叔丁基茈(簡(jiǎn)稱(chēng)TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4，-(9_苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)卩〇8六4)、隊(duì)『-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亞苯基)雙[N，N，，N，-三苯基-1，4-苯二胺](簡(jiǎn)稱(chēng)0六8六)、隊(duì)9-二苯基4-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng):2卩〇六卩卩六)、^[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N，，N，-三苯基-1，4-苯二胺(簡(jiǎn)稱(chēng):2DPAPPA)、N，N，N，，N，，N”，N”，N”，，N”，-八苯基二苯并[g，ρ]蓆(chrysene)-2,7，10，15-四胺(簡(jiǎn)稱(chēng):DBC1)、香豆素30、^(9，10-二苯基-2-蒽基)-隊(duì)9-二苯基-9!1-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)2PCAPA)、N-[9，10-雙(1，1，-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng):2PCABPhA)、^(9，10-二苯基-2-蒽基)-隊(duì)N，，N，-三苯基-1，4-苯二胺(簡(jiǎn)稱(chēng):2DPAPA)、N-[9，10-雙(1，1，-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，N，，N，-三苯基-1，4_苯二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)2DPABPhA)、9，10-雙(1，1，-聯(lián)苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)=DPhAPhA)、香豆素545T、N,N，-二苯基喹吖酮(簡(jiǎn)稱(chēng)00(1)、紅熒烯、5，12-雙(1，1，-聯(lián)苯-4-基)_6，11-二苯基并四苯(簡(jiǎn)稱(chēng)BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}_6_甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)DCMl)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱(chēng):DCM2)、N，N，N，，N，-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)？-11^^1))、7，14-二苯基-隊(duì)隊(duì)^，^-四(4-甲基苯基)苊并[l，2-a]熒蒽_3，10-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(l，l，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1禮5!1-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)=DCJTI)、2_{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱(chēng):DCJTB)、2-(2，6-雙{2_[4_(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)BisDCM)、2-{2，6-雙[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫_1Η，5Η_苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)=BisDCJTM)等。另外，當(dāng)將磷光化合物用作客體材料時(shí)，優(yōu)選使用三重態(tài)激發(fā)能低于實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物的三重態(tài)激發(fā)能的磷光化合物。例如，可以舉出雙[2-(3’，5’-雙三氟甲基苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)吡啶甲酸酯(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(CF3ppy)2(piC))、雙[2-(4’，6，-二氟苯基)吡啶-N，C2，]合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)FIracac)、三(2-苯基吡啶)合銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶)合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)=Ir(ppy)2(acac)),三(乙酰丙酮)(一菲咯啉)合鋱(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)Tb(acac)3(Phen))、雙(苯并[h]喹啉)合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)11^叫)2(肌肌))、雙(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C2，)合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)11~((10)2(%%))、雙[2-(4，-全氟苯基苯基)吡啶]合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯并噻唑-N，C2，)合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(bt)2(acac))、雙[2-(2’-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶-N，C3’]合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N，C2，)合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)lr(piq)2(acac))、(乙酰丙酮)雙[2，3_雙(4_氟苯基)喹喔啉]合銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(Fdpq)2(acac))、(乙酰丙酮)雙(2，3，5_三苯基吡嗪(triphenylpyrazinato))合銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(tppr)2(acac))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H_卟啉合鉬(II)(簡(jiǎn)稱(chēng)PtOEP)、三(1，3_二苯基-1，3-丙二酮)(一菲咯啉)合銪(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)Eu(DBM)3(Phen))、三[1_(2-噻吩甲?；?thenoyl))-3，3，3-三氟丙酮](一菲咯啉)合銪(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)=Eu(TTA)3(Phen))等有機(jī)金屬配合物。實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物具有雙極性。因此，通過(guò)將實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物用作發(fā)光層113的主體材料，可以制成載流子傳輸性高的發(fā)光層。此外，可以使用多種用來(lái)分散發(fā)光物質(zhì)(客體材料)的物質(zhì)(主體材料)。因此，發(fā)光層113除了可以包含實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物以外，還可以包含第二主體材料。另外，雖然在此示出將實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物用作主體材料的發(fā)光元件，但是也可以將該噁二唑衍生物用作發(fā)光物質(zhì)(客體材料)。電子傳輸層114是包含電子傳輸性高的物質(zhì)的層。作為電子傳輸層114，可以舉出三(8-羥基喹啉)合鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)=Alq3)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)=Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)合鈹(簡(jiǎn)稱(chēng)=BeBq2)、雙[2_(2_羥基苯基)苯并噁唑]合鋅(簡(jiǎn)稱(chēng)=Zn(BOX)2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4_苯基苯酚鹽)合鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)BAlq)、雙[2_(2_羥基苯基)苯并噻唑]合鋅(簡(jiǎn)稱(chēng)=Zn(BTZ)2)等金屬配合物。此外，也可以使用2-(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PBD)、1，3-雙[5-(對(duì)叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)0XD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4_苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡(jiǎn)稱(chēng):丁八2)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4_聯(lián)苯基)-1，2，4_三唑(簡(jiǎn)稱(chēng)p-EtTAZ)、紅菲咯啉(簡(jiǎn)稱(chēng)BPhen)、浴銅靈(簡(jiǎn)稱(chēng)BCP)、4，4’-雙(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(簡(jiǎn)稱(chēng)Bz0s)等芳香雜環(huán)化合物。此外，也可以使用聚(2，5-吡啶二基)(簡(jiǎn)稱(chēng)PPy)、聚[(9，9_二己基芴-2，7-二基)-共-(吡啶-3，5-二基)](簡(jiǎn)稱(chēng)=PF-Py),聚[(9，9_二辛基芴-2，7-二基)-共_(2，2’-聯(lián)吡啶_6，6’-二基)](簡(jiǎn)稱(chēng)=PF-BPy)之類(lèi)的高分子化合物。上述物質(zhì)主要是具有10-6cm2/Vs以上的電子遷移率的物質(zhì)。另外，電子傳輸層不僅可以是單層的，也可以是兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的層層疊而成的層。電子注入層115是包含電子注入性高的物質(zhì)的層。作為電子注入層115，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)、鋰氧化物(LiOx)等堿金屬、堿土金屬、或它們的化合物。另外，也可以使用氟化鉺(ErF3)之類(lèi)的稀土金屬化合物。此外，還可以使用上述構(gòu)成電子傳輸層114的物質(zhì)。另外，作為電子注入層115，也可以使用將有機(jī)化合物和電子給體(施主)混合而成的復(fù)合材料。這種復(fù)合材料藉由電子給體在有機(jī)化合物中產(chǎn)生電子，因此電子注入性及電子傳輸性好。此時(shí)，作為有機(jī)化合物，優(yōu)選所產(chǎn)生的電子的傳輸性?xún)?yōu)異的材料。例如，可以使用上述構(gòu)成電子傳輸層114的物質(zhì)(金屬配合物、芳香雜環(huán)化合物等)。電子給體只要是對(duì)有機(jī)化合物呈現(xiàn)電子給予性的物質(zhì)即可。具體而言，電子給體優(yōu)選堿金屬、堿土金屬或者稀土金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。還優(yōu)選堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，還可以使用氧化鎂之類(lèi)的路易斯堿。另外，還可以使用四硫富瓦烯(簡(jiǎn)稱(chēng)TTF)等有機(jī)化合物。此外，上述空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114、電子注入層115分別可以通過(guò)蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、涂敷法等方法而形成。當(dāng)?shù)诙姌O103起到陰極的作用時(shí)，第二電極103可以使用功函數(shù)低(優(yōu)選是3.SeV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物及它們的混合物等而形成。具體而言，可以使用屬于元素周期表中的第1族或第2族的元素，即鋰(Li)、銫(Cs)等堿金屬；鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等堿土金屬；包含這些的合金(MgAg、AlLi)；除此之外也可使用銪(Eu)、鐿(Yb)等稀土金屬；包含這些的合金；鋁(Al)；銀(Ag)等。但是，當(dāng)EL層102中的與第二電極103相接觸地形成的層使用的是由上述有機(jī)化合物和電子給體(施主)混合而成的復(fù)合材料時(shí)，可以與功函數(shù)的高低無(wú)關(guān)地使用鋁(Al)、銀(Ag)、ΙΤ0、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等各種導(dǎo)電性材料。此外，當(dāng)形成第二電極103時(shí)，可以使用真空蒸鍍法或?yàn)R射法。另外，當(dāng)使用銀膏等時(shí)，可以使用涂敷法或噴墨法等。因產(chǎn)生在第一電極101和第二電極103之間的電勢(shì)差而使電流流過(guò)，在EL層102中空穴和電子重新結(jié)合，從而使得上述發(fā)光元件發(fā)光。該光經(jīng)過(guò)第一電極101和第二電極103中的任一方或雙方被提取到外部。因而，第一電極101和第二電極103中的任一方或雙方成為具有透光性的電極。另外，通過(guò)使用本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件，可以制造無(wú)源矩陣型顯示裝置、利用薄膜晶體管(TFT)控制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)的有源矩陣型顯示裝置。另外，當(dāng)制造有源矩陣型顯示裝置時(shí)，對(duì)TFT的結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別限制。例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂脰艠O電極上置型(StaggeredType)或柵極電極下置型(InvertStaggeredType)的TFT。另外，形成于TFT基板的驅(qū)動(dòng)電路也可以由N型及P型的TFT構(gòu)成，或者只由N型的TFT和P型的TFT中的任一方構(gòu)成。并且，對(duì)TFT中使用的半導(dǎo)體膜的材料沒(méi)有特別的限制。例如，可以使用由硅、鍺等第14族元素構(gòu)成的半導(dǎo)體膜或氧化物半導(dǎo)體膜。同樣地，對(duì)TFT中使用的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性也沒(méi)有特別的限制。例如，可以使用非晶半導(dǎo)體膜或晶體半導(dǎo)體膜。因?yàn)樵诒緦?shí)施方式所示的發(fā)光元件中使用實(shí)施方式1所示的具有雙極性的噁二唑衍生物來(lái)形成發(fā)光層113，所以可以提高電流效率等元件效率。另外，雖然在本實(shí)施方式中示出了具有使用實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物而形成的發(fā)光層的發(fā)光元件，但是使用該噁二唑衍生物而形成的發(fā)光元件不局限于該結(jié)構(gòu)。例如，具有雙極性的該噁二唑衍生物也可以用于空穴傳輸層或電子傳輸層，使用該噁二唑衍生物來(lái)形成空穴傳輸層或電子傳輸層的發(fā)光元件也是本發(fā)明的一個(gè)方式。同樣地，具有雙極性的該噁二唑衍生物也可以用作將有機(jī)化合物和電子受體(受主)混合而成的空穴注入層中的有機(jī)化合物、或者將有機(jī)化合物和電子給體(施主)混合而成的電子注入層中的有機(jī)化合物，使用該噁二唑衍生物作為包含在空穴注入層或者電子注入層中的有機(jī)化合物的發(fā)光元件也是本發(fā)明的一個(gè)方式。(實(shí)施方式3)在本實(shí)施方式中，使用圖2對(duì)具有多個(gè)發(fā)光層的發(fā)光元件進(jìn)行說(shuō)明。具體而言，說(shuō)明如下發(fā)光元件，即設(shè)置有多個(gè)發(fā)光層，并且通過(guò)從各發(fā)光層發(fā)射不同波長(zhǎng)的光來(lái)發(fā)射由多種顏色混合而成的光的發(fā)光元件。在圖2所示的發(fā)光元件中，在第一電極201和第二電極203之間設(shè)置有包括第一發(fā)光層213和第二發(fā)光層215的EL層202。該發(fā)光元件發(fā)射由第一發(fā)光層213中的發(fā)光和第二發(fā)光層215中的發(fā)光混合而成的光。另外，優(yōu)選在第一發(fā)光層213和第二發(fā)光層215之間設(shè)置分離層214。如果以使第一電極201的電位高于第二電極203的電位的方式施加電壓，則在第一電極201和第二電極203之間電流流過(guò)，從而在第一發(fā)光層213、第二發(fā)光層215或分離層214中空穴和電子重新結(jié)合。伴隨重新結(jié)合而產(chǎn)生的能量被分配到第一發(fā)光層213和第二發(fā)光層215這兩者，使包含在第一發(fā)光層213中的第一發(fā)光物質(zhì)和包含在第二發(fā)光層215中的第二發(fā)光物質(zhì)處于激發(fā)態(tài)。然后，當(dāng)處于激發(fā)態(tài)的第一發(fā)光物質(zhì)和第二發(fā)光物質(zhì)分別恢復(fù)到基態(tài)時(shí)發(fā)光。第一發(fā)光層213包含第一發(fā)光物質(zhì)，該第一發(fā)光物質(zhì)典型的是茈、2，5，8，11-四(叔丁基)茈(簡(jiǎn)稱(chēng)TBP)、DPVBi、4，4，-雙[2-(N-乙基咔唑_3_基)乙烯基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)BCzVBi)、BAlq、雙(2-甲基_8_羥基喹啉)合鎵氯化物(簡(jiǎn)稱(chēng)=Gamq2Cl)等熒光化合物，或者雙{2-[3，5_雙(三氟甲基)苯基]吡啶-N，C2，}合銥(III)吡啶甲酸酯(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(CF3ppy)2(piC))、雙[2-(4，6-二氟苯基)吡啶-N，C2，]合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)FIHacac))、雙[2_(4，6_二氟苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)吡啶甲酸酯(簡(jiǎn)稱(chēng)FIrpic)、雙[2-(4，6_二氟苯基)吡啶_N，C2’]合銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡(jiǎn)稱(chēng)FIr6)等磷光化合物，并且可以得到在450nm至510nm處具有發(fā)射光譜的峰值的發(fā)光(即，藍(lán)色至藍(lán)綠色)。此外，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光物質(zhì)是熒光化合物時(shí)，第一發(fā)光層213的構(gòu)成優(yōu)選如下所述的層將具有比第一發(fā)光物質(zhì)的單重態(tài)激發(fā)能高的單重態(tài)激發(fā)能的物質(zhì)用作第一主體材料，將第一發(fā)光物質(zhì)作為客體材料分散而成的層。此外，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光物質(zhì)是磷光化合物時(shí)，第一發(fā)光層213的結(jié)構(gòu)優(yōu)選如下所述的層將具有比第一發(fā)光物質(zhì)的三重態(tài)激發(fā)能高的三重態(tài)激發(fā)能的物質(zhì)用作第一主體材料，將第一發(fā)光物質(zhì)作為客體材料分散而成的層。作為第一主體材料，除了上述的NPB、CBP、TCTA等以外，還可以使用DNA、t-BuDNA等。另外，單重態(tài)激發(fā)能是指基態(tài)和單重激發(fā)態(tài)之間的能量差。另外，三重態(tài)激發(fā)能是指基態(tài)和三重激發(fā)態(tài)之間的能量差。另一方面，第二發(fā)光層215是以實(shí)施方式1的噁二唑衍生物為主體材料的發(fā)光層。作為第二發(fā)光層215的具體結(jié)構(gòu)，采用與實(shí)施方式2所示的發(fā)光層113同樣的結(jié)構(gòu)即可。另外，分離層214可以使用上述的TPAQn、NPB、CBP、TCTA、Znpp2、ZnBOX等形成。通過(guò)設(shè)置分離層214，可以防止第一發(fā)光層213和第二發(fā)光層215中僅任一方的發(fā)光強(qiáng)度增大這一不利情況。但是，分離層214未必一定要形成。為了調(diào)節(jié)第一發(fā)光層213的發(fā)光強(qiáng)度和第二發(fā)光層215的發(fā)光強(qiáng)度的比率，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置分離層214即可。另外，雖然在本實(shí)施方式中將以實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物為主體材料的發(fā)光層用作第二發(fā)光層215，將以其它材料為主體材料的發(fā)光層用作第一發(fā)光層213，但是也可以反過(guò)來(lái)將以實(shí)施方式1所示的噁二唑衍生物為主體材料的發(fā)光層用作第一發(fā)光層213，將以其它物質(zhì)為主體材料的發(fā)光層用作第二發(fā)光層215。此外，雖然在本實(shí)施方式中記載了如圖2所示那樣設(shè)置有兩個(gè)發(fā)光層的發(fā)光元件，但是發(fā)光層的數(shù)量不局限于兩個(gè)。例如可以采用設(shè)置有三個(gè)發(fā)光層的發(fā)光元件。然后將來(lái)自各發(fā)光層的發(fā)光混合即可。其結(jié)果是，例如，通過(guò)將呈補(bǔ)色關(guān)系的兩種顏色(或者三種顏色)混合，可以得到白色發(fā)光。另外，補(bǔ)色是指混合后成為黑灰色的顏色之間的關(guān)系。此外，第一電極201采用與實(shí)施方式2所述的第一電極101相同的結(jié)構(gòu)即可。另夕卜，第二電極203也采用與實(shí)施方式2所述的第二電極103相同的結(jié)構(gòu)即可。此外，雖然在本實(shí)施方式中如圖2所示那樣設(shè)置空穴注入層211、空穴傳輸層212、電子傳輸層216、電子注入層217，但是這些層的結(jié)構(gòu)也采用實(shí)施方式2所述的各層的結(jié)構(gòu)即可。但是，這些層未必一定要形成，根據(jù)元件的特性適當(dāng)?shù)卦O(shè)置即可。在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，使用實(shí)施方式1所示的具有雙極性的噁二唑衍生物形成第二發(fā)光層215。因此，可以提高發(fā)光元件的電流效率。(實(shí)施方式4)在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D3對(duì)具有多個(gè)EL層的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件進(jìn)行說(shuō)明。該發(fā)光元件是在第一電極301和第二電極304之間具有多個(gè)EL層(第一EL層302、第二EL層303)的疊層型元件。另外，雖然在本實(shí)施方式中示出了EL層有兩層的情況，但是也可以是三層以上。在本實(shí)施方式中，第一電極301是作為陽(yáng)極起作用的電極，第二電極304是作為陰極起作用的電極。此外，第一電極301及第二電極304可以采用與實(shí)施方式2所示的第一電極101及第二電極103相同的結(jié)構(gòu)。另外，多個(gè)EL層(第一EL層302、第二EL層303)可以采用與實(shí)施方式2所示的EL層102相同的結(jié)構(gòu)，也可以是其中的任一方采用與實(shí)施方式2所示的EL層102相同的結(jié)構(gòu)。即，第一EL層302和第二EL層303可以采用相同的結(jié)構(gòu)或者不同的結(jié)構(gòu)，并且第一EL層302和第二EL層303的結(jié)構(gòu)可以采用與實(shí)施方式2所示的EL層102相同的結(jié)構(gòu)。此外，在多個(gè)EL層(第一EL層302、第二EL層303)之間設(shè)置有電荷產(chǎn)生層305。電荷產(chǎn)生層305具有當(dāng)對(duì)第一電極301和第二電極304之間施加電壓時(shí)將電子注入到一個(gè)EL層并將空穴注入到另一個(gè)EL層的功能。在本實(shí)施方式中，當(dāng)對(duì)第一電極301施加電壓以使其電位比第二電極304的電位高時(shí)，電子從電荷產(chǎn)生層305注入到第一EL層302，空穴從電荷產(chǎn)生層305注入到第二EL層303。另外，從光的提取效率的角度考慮，電荷產(chǎn)生層305最好具有透光性。此外，即使電荷產(chǎn)生層305的導(dǎo)電率低于第一電極301、第二電極304的導(dǎo)電率，也可以發(fā)揮其功能。電荷產(chǎn)生層305既可以采用在空穴傳輸性高的有機(jī)化合物中添加有電子受體(受主)的結(jié)構(gòu)，也可以采用在電子傳輸性高的有機(jī)化合物中添加有電子給體(施主)的結(jié)構(gòu)。此外，電荷產(chǎn)生層305還可以由上述的兩種結(jié)構(gòu)層疊而成。當(dāng)采用在空穴傳輸性高的有機(jī)化合物中添加有電子受體的結(jié)構(gòu)時(shí)，作為空穴傳輸性高的有機(jī)化合物，例如可以使用NPB、TPD、TDATA、MTDATA、BSPB等芳香胺化合物等。上述物質(zhì)主要是具有10_6Cm2/VS以上的空穴遷移率的物質(zhì)。作為電子受體，可以舉出F4_TCNQ、氯醌等。另外，可以舉出過(guò)渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬于元素周期表中的第4族至第8族的金屬的氧化物。具體而言，優(yōu)選氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化錸，因?yàn)樗鼈兙哂懈唠娮咏邮苄?。其中，尤其?yōu)選氧化鉬，因?yàn)樗诖髿庵幸卜€(wěn)定并且吸濕性低、容易處理。另一方面，當(dāng)采用在電子傳輸性高的有機(jī)化合物中添加有電子給體的結(jié)構(gòu)時(shí)，作為電子傳輸性高的有機(jī)化合物，可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等，例如Alq、Almq3、BeBq2,BAlq等。除此之外，還可以使用具有噁唑類(lèi)配體或噻唑類(lèi)配體的金屬配合物等，例如Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2等。另外，除了金屬配合物以外，還可以使用PBD、0XD-7、TAZ、BPheruBCP等。在此所述的物質(zhì)主要是具有10_6cm2/VS以上的電子遷移率的物質(zhì)。此外，作為電子給體，可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、或者屬于元素周期表中的第13族的金屬及其氧化物、碳酸鹽。具體而言，優(yōu)選使用鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鐿(Yb)、銦(In)、氧化鋰、碳酸銫等。另外，也可以將四硫并四苯(tetrathianaphthacene)之類(lèi)的有機(jī)化合物用作電子給體。另外，通過(guò)使用上述材料形成電荷產(chǎn)生層305，可以抑制層疊EL層時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓的上升。雖然在本實(shí)施方式中說(shuō)明了具有兩個(gè)EL層的發(fā)光元件，然而也可以同樣地采用層疊有三個(gè)以上的EL層的發(fā)光元件。通過(guò)如本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件那樣利用電荷產(chǎn)生層將多個(gè)EL層隔開(kāi)并將它們配置在一對(duì)電極之間，可以在保持低電流密度的情況下實(shí)現(xiàn)高亮度區(qū)域中的發(fā)光。因?yàn)榭梢员３值碗娏髅芏龋钥梢詫?shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命元件。此外，當(dāng)采用照明作為應(yīng)用例子時(shí)，因?yàn)榭梢詼p小電極材料的電阻所導(dǎo)致的電壓降，所以可以實(shí)現(xiàn)大面積的均勻發(fā)光。此外，可以實(shí)現(xiàn)能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)的低耗電量的顯示裝置。另外，通過(guò)使各EL層的發(fā)光顏色互相不同，可以在發(fā)光元件的整體上得到所要的顏色的發(fā)光。例如，在具有兩個(gè)EL層的發(fā)光元件中，通過(guò)使第一EL層的發(fā)光顏色和第二EL層的發(fā)光顏色呈補(bǔ)色的關(guān)系，也可以得到發(fā)光元件的整體進(jìn)行白色發(fā)光的發(fā)光元件。另外，在具有三個(gè)EL層的發(fā)光元件的情況下也與上述情況同樣，例如，當(dāng)?shù)谝籈L層的發(fā)光顏色是紅色，第二EL層的發(fā)光顏色是綠色，第三EL層的發(fā)光顏色是藍(lán)色時(shí)，可以在發(fā)光元件的整體上得到白色發(fā)光。本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件具有多個(gè)EL層。另外，多個(gè)EL層中的至少一個(gè)具有實(shí)施方式2或?qū)嵤┓绞?所示的發(fā)光層。因此，可以提高發(fā)光元件的電流效率。(實(shí)施方式5)在本實(shí)施方式中，對(duì)使用發(fā)光元件制造的無(wú)源矩陣型顯示裝置及有源矩陣型顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖4、圖5示出無(wú)源矩陣型顯示裝置的例子。在無(wú)源矩陣型(也稱(chēng)為單純矩陣型)顯示裝置呈以下結(jié)構(gòu)以條狀(帶狀)排列的多個(gè)陽(yáng)極和以條狀排列的多個(gè)陰極互相正交設(shè)置，發(fā)光層被夾在其交叉部中。因此，對(duì)所選擇的陽(yáng)極和所選擇的陰極的交叉點(diǎn)上的發(fā)光層施加電壓，該發(fā)光層發(fā)光。圖4(A)至圖4(C)是示出密封之前的像素部的俯視圖的圖，圖4(D)是對(duì)應(yīng)于沿圖4(A)至圖4(C)中的虛線(xiàn)A-A’切斷的截面的截面圖。在基板401上形成絕緣層402作為基底絕緣層。另外，若不需要基底絕緣層，則不必特意形成該絕緣層。在絕緣層402上以條狀等間距地配置有多個(gè)第一電極403(參照?qǐng)D4㈧)。另外，在第一電極403上設(shè)置有間隔壁404，該間隔壁404具有對(duì)應(yīng)于各像素的開(kāi)口部的。具有開(kāi)口部的間隔壁404由絕緣材料(感光性或非感光性有機(jī)材料(聚酰亞胺、丙烯酸樹(shù)脂、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑或苯并環(huán)丁烯)或SOG(SpinOnGlass旋涂玻璃)膜(例如包含烷基的SiOx膜))構(gòu)成。另外，對(duì)應(yīng)于各像素的開(kāi)口部405成為發(fā)光區(qū)域(參照?qǐng)D4(B))。在具有開(kāi)口部的間隔壁404上設(shè)置有與第一電極403交叉的彼此平行的多個(gè)倒錐形的間隔壁406(參照?qǐng)D4(C))。倒錐形的間隔壁406可以通過(guò)光刻法形成。在此，使用因曝光而導(dǎo)致在顯影液中的溶解性下降的負(fù)型感光性樹(shù)脂，并通過(guò)對(duì)該感光性樹(shù)脂進(jìn)行曝光、顯影而形成間隔壁406。在如圖4(C)所示那樣形成倒錐形的間隔壁406之后，如圖4(D)所示那樣依次形成EL層407及第二電極408。因?yàn)榫哂虚_(kāi)口部的間隔壁404及倒錐形的間隔壁406的合計(jì)高度被設(shè)定為大于EL層407及第二電極408的膜厚，所以如圖4(D)所示那樣形成分離為多個(gè)區(qū)域的EL層407、第二電極408。另外，分離為多個(gè)的區(qū)域彼此電絕緣。第二電極408是在與第一電極403交叉的方向上延伸的彼此平行的條狀電極。另夕卜，雖然在倒錐形的間隔壁406上也形成有用來(lái)形成EL層407的層及用來(lái)形成第二電極408的導(dǎo)電層的一部分，但是它們與EL層407及第二電極408分開(kāi)。此外，只要本實(shí)施方式中的第一電極403和第二電極408中的一方是陽(yáng)極而另一方是陰極即可。根據(jù)電極的極性來(lái)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整構(gòu)成EL層407的疊層結(jié)構(gòu)即可。另外，若有需要，則也可以使用密封劑等粘合劑將密封罐或玻璃基板等密封材料貼合于基板401來(lái)進(jìn)行密封，以將發(fā)光元件配置在被密封的空間中。由此，可以防止發(fā)光元件的劣化。另外，還可以在被密封的空間內(nèi)填充填充劑或干燥的惰性氣體。還可以在基板和密封材料之間封入干燥劑等，以防止水分等所引起的發(fā)光元件的劣化。通過(guò)使用干燥劑除去微量的水分，從而充分進(jìn)行干燥。另外，作為干燥劑，可以使用氧化鈣或氧化鋇等堿土金屬的氧化物這樣的通過(guò)化學(xué)吸附來(lái)吸收水分的物質(zhì)。作為其他干燥劑，也可以使用沸石、硅膠等通過(guò)物理吸附來(lái)吸收水分的物質(zhì)。接下來(lái)，圖5示出在圖4(A)至圖4(D)所示的無(wú)源矩陣型顯示裝置上安裝FPC等時(shí)的俯視圖。在圖5中，在構(gòu)成圖像顯示器的像素部中，掃描線(xiàn)組和數(shù)據(jù)線(xiàn)組彼此正交地交叉。這里，圖4中的第一電極403相當(dāng)于圖5的掃描線(xiàn)503，圖4㈧至圖4⑶中的第二電極408相當(dāng)于圖5的數(shù)據(jù)線(xiàn)508，倒錐形的間隔壁406相當(dāng)于間隔壁506。在數(shù)據(jù)線(xiàn)508和掃描線(xiàn)503之間夾有圖4(D)的EL層407，區(qū)域505所示的交叉部是一個(gè)像素。另外，掃描線(xiàn)503在布線(xiàn)端部與連接端子509電連接，連接端子509通過(guò)輸入端子510與FPC511b連接。另外，數(shù)據(jù)線(xiàn)508通過(guò)輸入端子512與FPC511a連接。此外，若有需要，則也可以在發(fā)射面上適當(dāng)?shù)卦O(shè)置偏振片、圓偏振片(包括橢圓偏振片)、相位差板(λ/4片、λ/2片)、濾色片等光學(xué)薄膜。另外，也可以在偏振片或圓偏振片上設(shè)置防反射膜。例如，可以進(jìn)行防眩光處理(anti-glaretreatment)，該防眩光處理是利用表面的凹凸來(lái)使反射光擴(kuò)散，從而可以降低反光(reflection)。另外，雖然在圖5中示出了未在基板501上設(shè)置驅(qū)動(dòng)電路的例子，但也可以在基板501上安裝具有驅(qū)動(dòng)電路的IC芯片。此外，在安裝IC芯片的情況下，利用COG方式在像素部的周?chē)?外側(cè))區(qū)域中分別安裝形成有用來(lái)將各信號(hào)傳輸?shù)较袼夭康尿?qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)IC和掃描線(xiàn)側(cè)IC。作為除COG方式以外的安裝技術(shù)，還可以采用TCP或引線(xiàn)接合方式來(lái)進(jìn)行安裝。TCP是一種在TAB膠帶安裝IC而成的器件，通過(guò)將TAB膠帶與形成元件的基板上的布線(xiàn)連接來(lái)安裝IC。數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)IC以及掃描線(xiàn)側(cè)IC可以是使用硅基板而得的IC，也可以是通過(guò)在玻璃基板、石英基板或塑料基板上使用TFT形成驅(qū)動(dòng)電路而得的IC。接著，使用圖6對(duì)有源矩陣型顯示裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明。另外，圖6(A)是示出顯示裝置的俯視圖，圖6(B)是沿著圖6(A)的虛線(xiàn)A-A’切斷的截面圖。本實(shí)施方式的有源矩陣型顯示裝置包括設(shè)置在元件基板601上的像素部602、驅(qū)動(dòng)電路部(源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)603以及驅(qū)動(dòng)電路部(柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)604。使用密封劑605將像素部602、驅(qū)動(dòng)電路部603及驅(qū)動(dòng)電路部604密封在元件基板601和密封基板606之間。此外，在元件基板601上設(shè)置有用來(lái)連接外部輸入端子的引導(dǎo)布線(xiàn)607，該外部輸入端子將來(lái)自外部的信號(hào)(例如，視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、起始信號(hào)、或者復(fù)位信號(hào)等)或電位傳輸?shù)津?qū)動(dòng)電路部603及驅(qū)動(dòng)電路部604。在此，示出設(shè)置FPC(柔性印刷電路板)608作為外部輸入端子的例子。另外，雖然在此僅示出FPC608，但是該FPC608也可以安裝有印刷線(xiàn)路板(PWB)。本說(shuō)明書(shū)中的顯示裝置不僅包括顯示裝置主體，還包括安裝有FPC或PWB的狀態(tài)。接著，參照?qǐng)D6(B)說(shuō)明截面結(jié)構(gòu)。雖然在元件基板601上形成有驅(qū)動(dòng)電路部以及像素部，但是在此示出作為源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電路部603和像素部602。示出了驅(qū)動(dòng)電路部603由將η溝道型TFT609和ρ溝道型TFT610組合而成的CMOS電路形成的例子。此外，形成驅(qū)動(dòng)電路部的電路也可以由各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，雖然在本實(shí)施方式中示出將驅(qū)動(dòng)電路形成在基板上的驅(qū)動(dòng)電路一體型，但是未必一定要采用該結(jié)構(gòu)，也可以將驅(qū)動(dòng)電路形成在外部而不形成在基板上。此外，像素部602由多個(gè)像素形成，該多個(gè)像素包括開(kāi)關(guān)用TFT611、電流控制用TFT612、以及與電流控制用TFT612的布線(xiàn)(源電極或漏電極)電連接的陽(yáng)極613。另外，以覆蓋陽(yáng)極613的端部的方式形成有絕緣物614。在此，絕緣物614通過(guò)使用正型感光性丙烯酸樹(shù)脂來(lái)形成。此外，為了改善層疊形成于上層的膜的覆蓋性，優(yōu)選將絕緣物614的上端部或下端部形成為具有曲率的曲面。例如，在使用正型感光性丙烯酸樹(shù)脂作為絕緣物614的材料的情況下，優(yōu)選使絕緣物614的上端部包括具有曲率半徑(0.2μπι至3μπι)的曲面。此外，作為絕緣物614，可以使用具有感光性且因特定波長(zhǎng)的光而變得不溶于蝕刻劑的負(fù)型或因特定波長(zhǎng)的光而變得可溶于蝕刻劑的正型中的任一種，并且不限于有機(jī)化合物，也可以使用諸如氧化硅、氧氮化硅等無(wú)機(jī)化合物。在陽(yáng)極613上層疊形成有EL層615及陰極616。另外，如果使用將ITO膜用作陽(yáng)極613，并且作為與陽(yáng)極613連接的電流控制用TFT612的布線(xiàn)使用氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的疊層膜或使用氮化鈦膜、以鋁為其主要成分的膜和氮化鈦膜的疊層膜，則作為布線(xiàn)的電阻低，并且可以得到與ITO膜的良好的歐姆接觸。另外，雖然在此未圖示，但是陰極616與作為外部輸入端子的FPC608電連接。另外，EL層615的結(jié)構(gòu)中至少設(shè)置有發(fā)光層，并且除了發(fā)光層之外還適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層。以陽(yáng)極613、EL層615以及陰極616的疊層結(jié)構(gòu)形成發(fā)光元件617。此外，雖然在圖6(B)所示的截面圖中僅示出一個(gè)發(fā)光元件617，但是在像素部602中以矩陣形狀配置有多個(gè)發(fā)光元件。在像素部602中分別選擇性地形成能夠得到三種(R、G、B)發(fā)光的發(fā)光元件，可以形成能夠進(jìn)行全彩色顯示的顯示裝置。此外，也可以形成通過(guò)與濾色片的組合能夠進(jìn)行全彩色顯示的顯示裝置。再者，通過(guò)利用密封劑605將密封基板606和元件基板601貼合，從而成為在由元件基板601、密封基板606及密封劑605圍成的空間618中具備發(fā)光元件617的結(jié)構(gòu)。另夕卜，除了空間618中填充有惰性氣體(氮、氬等)的情況以外，還包括空間618中填充有密封劑605的結(jié)構(gòu)。另外，作為密封劑605，優(yōu)選使用環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂。另外，這些材料優(yōu)選盡量不透過(guò)水分和氧的材料。此外，作為用于密封基板606的材料，除了玻璃基板、石英基板以外，還可以使用由FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸樹(shù)脂等構(gòu)成的塑料基板。如上所述，可以得到有源矩陣型顯示裝置。本實(shí)施方式的顯示裝置使用實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的電流效率高的發(fā)光元件形成。因此，可以減少顯示裝置的耗電量。(實(shí)施方式6)在本實(shí)施方式中，使用圖7對(duì)使用發(fā)光元件制造的照明裝置的一例進(jìn)行說(shuō)明。作為照明裝置的一例，可以舉出設(shè)置在室內(nèi)的下照燈、吊燈、吸頂燈、壁燈等設(shè)置型室內(nèi)照明裝置；放在寫(xiě)字臺(tái)或桌子上的臺(tái)燈等可動(dòng)型室內(nèi)照明裝置；主要在室外使用的頭燈、筆燈、手提燈等照明裝置。圖7㈧示出臺(tái)燈的一例。臺(tái)燈700包括照明部701、燈罩702、可調(diào)支架(adjustablearm)703、支柱704、臺(tái)705以及電源開(kāi)關(guān)706。另外，將實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件用于照明部701。圖7(B)示出手提燈的一例。手提燈710包括殼體711、照明部712以及電源開(kāi)關(guān)713。另外，將實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件用于照明部712。圖7(C)示出室內(nèi)照明裝置的一例。因?yàn)榘l(fā)光元件也可以實(shí)現(xiàn)大面積化，所以可以用作吸頂燈721。另外，還可以將發(fā)光元件用于卷動(dòng)型(roll-type)照明裝置722。另夕卜，也可以如圖7(C)所示那樣在具備室內(nèi)照明裝置的房間中同時(shí)使用圖7(A)所示的臺(tái)燈723(臺(tái)燈700)。本實(shí)施方式的照明裝置使用實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的電流效率高的發(fā)光元件形成。因此，可以減少照明裝置的耗電量。(實(shí)施方式7)在本實(shí)施方式中，使用圖8對(duì)使用發(fā)光元件制造的電子設(shè)備的一例進(jìn)行說(shuō)明。作為使用發(fā)光元件制造的電子設(shè)備的一例，例如可以舉出電視裝置(也稱(chēng)為電視機(jī)或電視接收機(jī))、用于計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器、如數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝影機(jī)等影像拍攝裝置、數(shù)碼相框、移動(dòng)電話(huà)機(jī)(也稱(chēng)為移動(dòng)電話(huà)、移動(dòng)電話(huà)裝置)、便攜式游戲機(jī)、便攜式信息終端、音頻播放裝置、彈珠機(jī)等大型游戲機(jī)等。圖8示出這些電子設(shè)備的具體例子。圖8(A)示出電視裝置的一例。在電視裝置800中，在殼體801的中央部組裝有顯示部802，在殼體801的角落組裝有照明部803。顯示部802能夠顯示視頻，而照明部803當(dāng)顯示部802顯示視頻時(shí)可以點(diǎn)亮。另外，在電視裝置800中，將實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件用于顯示部802、照明部803的雙方或者任一方。此外，在此示出利用支架804支持殼體801的結(jié)構(gòu)。通過(guò)利用殼體801所具備的操作開(kāi)關(guān)、分體的遙控操作機(jī)805可以進(jìn)行電視裝置800的操作。通過(guò)利用遙控操作機(jī)805所具備的操作鍵806，可以進(jìn)行頻道及音量的操作，并可以對(duì)顯示在顯示部802上的視頻進(jìn)行操作。此外，也可以采用在遙控操作機(jī)805中設(shè)置顯示從該遙控操作機(jī)805輸出的信息的顯示部807的結(jié)構(gòu)。另外，電視裝置800采用具備接收機(jī)、調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)。通過(guò)接收機(jī)可以接收一般的電視廣播，而且通過(guò)調(diào)制解調(diào)器連接到有線(xiàn)或無(wú)線(xiàn)方式的通信網(wǎng)絡(luò)，藉此可以進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通fn°圖8(B)示出計(jì)算機(jī)的一例。計(jì)算機(jī)810包括主體811、殼體812、顯示部813、鍵盤(pán)814、外接端口815、定位裝置816等。此外，在計(jì)算機(jī)810中將實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件用于顯示部813。圖8(C)示出便攜式游戲機(jī)的一例。便攜式游戲機(jī)820由殼體821和殼體822的兩個(gè)殼體構(gòu)成，兩個(gè)框體通過(guò)連結(jié)部823可以開(kāi)閉地連接。殼體821組裝有顯示部824，殼體822組裝有顯示部825以及照明部828。此外，圖8(C)所示的便攜式游戲機(jī)820還具備揚(yáng)聲器部826、記錄介質(zhì)插入部827、輸入單元(操作鍵829、連接端子830、傳感器831(包括測(cè)定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、輻射線(xiàn)、流量、濕度、傾斜度、振動(dòng)、氣味或紅外線(xiàn)))等。當(dāng)然，便攜式游戲機(jī)的結(jié)構(gòu)不局限于上述結(jié)構(gòu)，只要在顯示部824、顯示部825以及照明部828中的至少一個(gè)中使用實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件即可，而可以采用適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有其他附屬設(shè)備的結(jié)構(gòu)。圖8(C)所示的便攜式游戲機(jī)820具有如下功能讀出儲(chǔ)存在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并顯示于顯示部的功能；以及通過(guò)與其他便攜式游戲機(jī)進(jìn)行無(wú)線(xiàn)通信而實(shí)現(xiàn)信息共享的功能。另外，圖8(C)所示的便攜式游戲機(jī)820所具有的功能不局限于此，可以具有各種各樣的功能。圖8(D)示出移動(dòng)電話(huà)機(jī)的一例。移動(dòng)電話(huà)機(jī)840除了組裝于殼體841的顯示部842之外，還具備操作按鈕843、外接端口844、揚(yáng)聲器845、麥克風(fēng)846等。另外，在移動(dòng)電話(huà)機(jī)840中將實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件用于顯示部842。圖8(D)所示的移動(dòng)電話(huà)機(jī)840可以通過(guò)用手指等觸摸顯示部842來(lái)輸入信息。此夕卜，可以用手指等觸摸顯示部842來(lái)進(jìn)行打電話(huà)或撰寫(xiě)電子郵件等操作。顯示部842的畫(huà)面主要有如下三種模式第一是以圖像的顯示為主的顯示模式；第二是以文字等信息輸入為主的輸入模式；第三是顯示模式與輸入模式這兩種模式混合而成的顯示+輸入模式。例如，在打電話(huà)或制作電子郵件的情況下，將顯示部842設(shè)定為以文字的輸入為主的文字輸入模式，并進(jìn)行顯示在畫(huà)面上的文字的輸入操作即可。在此情況下，優(yōu)選在顯示部842的畫(huà)面的大部分中顯示鍵盤(pán)或號(hào)碼按鈕。另外，通過(guò)在移動(dòng)電話(huà)機(jī)840內(nèi)部設(shè)置具有陀螺儀、加速度傳感器等檢測(cè)傾斜度的傳感器的檢測(cè)裝置，可以判斷移動(dòng)電話(huà)機(jī)840的方向(縱向還是橫向)，從而對(duì)顯示部842的畫(huà)面顯示進(jìn)行自動(dòng)切換。通過(guò)觸摸顯示部842或?qū)んw841的操作按鈕843進(jìn)行操作來(lái)進(jìn)行畫(huà)面模式的切換。還可以根據(jù)顯示于顯示部842的圖像的種類(lèi)切換畫(huà)面模式。例如，當(dāng)顯示于顯示部842的圖像信號(hào)為動(dòng)態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時(shí)，將畫(huà)面模式切換成顯示模式，當(dāng)顯示于顯示部842的圖像信號(hào)為文本數(shù)據(jù)時(shí)，將畫(huà)面模式切換成輸入模式。另外，當(dāng)在輸入模式下通過(guò)檢測(cè)出顯示部842的光傳感器所檢測(cè)的信號(hào)得知在一定期間內(nèi)沒(méi)有顯示部842的觸摸操作輸入時(shí)，也可以進(jìn)行控制以將畫(huà)面模式從輸入模式切換成顯示模式。顯示部842還可以用作圖像傳感器。例如，通過(guò)用手掌或手指觸摸顯示部842，來(lái)拍攝掌紋、指紋等，由此可以進(jìn)行身份識(shí)別。此外，通過(guò)在顯示部中使用發(fā)射近紅外光的背光源或發(fā)射近紅外光的感測(cè)光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。本實(shí)施方式所示的照明裝置以及電子設(shè)備具備實(shí)施方式2至實(shí)施方式4所示的發(fā)光元件。因此，可以減少耗電量。實(shí)施例1在本實(shí)施例中，對(duì)以下述結(jié)構(gòu)式(100)表示的噁二唑衍生物9-苯基-3-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PC011)的合成方法進(jìn)行說(shuō)明。(100)將2-(4_溴苯基)-5_苯基-1，3，4-噁二唑(化合物al)3.Og(IOmmol)、9_苯基-9H-咔唑-3-硼酸(化合物bl)3.4g(12mmol)、醋酸鈀(11)0.010g(0.045mmol)以及三(鄰-甲苯基)膦0.030g(0.99mmol)放在50mL三口燒瓶中。然后，向該50mL燒瓶?jī)?nèi)加入2M碳酸鉀水溶液30mL以及甲苯60mL。接著，對(duì)所得到的混合物進(jìn)行減壓脫氣，對(duì)該50mL三口燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行氮?dú)庵脫Q后，在氮?dú)鈿饬飨略?00°C下攪拌5小時(shí)。攪拌后，在混合物中添加甲苯而得到懸浮液。在使用水洗滌該懸浮液之后，在有機(jī)層中添加硫酸鎂進(jìn)行干燥，然后進(jìn)行采用硅藻土(日本和光純藥工業(yè)株式會(huì)社，目錄號(hào)碼531-16855)的抽濾，得到濾液。利用硅膠柱層析法對(duì)將該濾液濃縮而得到的化合物進(jìn)行純化。首先使用甲苯作為展開(kāi)溶齊U，接著使用甲苯乙酸乙酯=91的混合溶劑作為展開(kāi)溶劑，以進(jìn)行柱層析。利用氯仿和己烷的混合溶劑使將所得到的餾分濃縮而得到的化合物重結(jié)晶，以48%的收率得到收量2.2g的粉末狀白色固體。以下示出本實(shí)施例的合成方案(a-1)。利用梯度升華法對(duì)所得到的2.2g的固體進(jìn)行升華純化。在7.OPa的減壓下，將氬流量設(shè)定為3.OmL/min,于260°C進(jìn)行17小時(shí)的升華純化。其結(jié)果是，收量是1.4g，收率是64%。以下示出通過(guò)核磁共振法(NMR)測(cè)定通過(guò)上述方法而得到的化合物的數(shù)據(jù)。1H匪R(CDCl3,300MHz)δ=7.29-7.73(m,13H)，7·89(d,J=8.8Ηζ，2Η)，8·16-8.26(m,5Η)，8.42(s，1Η)。另外，圖9(A)和圖9(B)表示通過(guò)上述方法而得到的化合物的1HNMR圖。另外，圖9(B)是將圖9(A)中的7.0ppm至8.5ppm的范圍擴(kuò)大表示的圖。根據(jù)測(cè)定結(jié)果，可知得到了以上述結(jié)構(gòu)式(100)表示的噁二唑衍生物9-苯基-3-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)=PCOll)。此外，圖IO(A)和圖IO(B)示出使用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)定PCOll的吸收光譜以及發(fā)射光譜的結(jié)果。測(cè)定PCOll的吸收光譜以及發(fā)射光譜時(shí)，對(duì)將PCOll的二氯甲烷溶液放在石英皿中的樣品以及將PCOll蒸鍍到石英基板上的薄膜樣品進(jìn)行測(cè)定。具體而言，圖10㈧是由溶液樣品得到的光譜，圖IO(B)是由薄膜樣品得到的光譜。另外，關(guān)于吸收光譜，為了只評(píng)價(jià)來(lái)自PCOll的吸收光譜，圖IO(A)示出溶液樣品的吸收光譜，其中從實(shí)得的吸收光譜減去只將二氯甲烷放在石英皿中而測(cè)得的吸收光譜，圖IO(B)示出薄膜樣品的吸收光譜，其中從實(shí)得的吸收光譜減去石英基板的吸收光譜。在圖10㈧和圖IO(B)中，橫軸表示波長(zhǎng)(nm)，縱軸表示強(qiáng)度(任意單位)。當(dāng)以二氯甲烷溶液為樣品時(shí)，在329nm處觀察到吸收峰值，在436nm(激發(fā)波長(zhǎng)是340nm)處觀察到最大發(fā)光波長(zhǎng)(參照?qǐng)D10(A))。當(dāng)以薄膜為樣品時(shí)，在344nm處觀察到吸收峰值，在436nm(344nm)處觀察到最大發(fā)光波長(zhǎng)(參照?qǐng)D10(B))。示出PCOll的薄膜樣品的HOMO能級(jí)和LUMO能級(jí)的測(cè)定結(jié)果。具體而言，首先，將通過(guò)大氣中的光電子分光法(日本理研計(jì)器株式會(huì)社制，AC-2)測(cè)得的電離電位值換算為負(fù)值，以該值為HOMO能級(jí)。接著，基于圖IO(B)所示的吸收光譜數(shù)據(jù)從假定直接躍遷的Tauc曲線(xiàn)求出吸收端，以該吸收端的能量為光學(xué)能隙，以將其加上HOMO能級(jí)而得的值為L(zhǎng)UMO能級(jí)。其結(jié)果是，PCOll的HOMO能級(jí)是-5.53eV，LUM0能級(jí)是-2.23eV(光學(xué)能隙是3.20eV)。因此，可知PCOll是具有大能隙的物質(zhì)。圖11(A)和圖11(B)示出PCOll的氧化還原反應(yīng)特性的測(cè)定結(jié)果。另夕卜，圖11(A)是示出氧化反應(yīng)特性的圖，圖11(B)是示出還原反應(yīng)特性的圖。此外，通過(guò)循環(huán)伏安法(CV)測(cè)定來(lái)考察氧化還原反應(yīng)特性。另外，測(cè)定使用電化學(xué)分析儀(BAS株式會(huì)社制，型號(hào)ALS模型600A)。作為CV測(cè)定中的溶液，使用作為溶劑的脫水二甲基甲酰胺(DMF)(西格瑪-奧德里奇公司制，99.8%，目錄號(hào)碼22705-6)，使作為支持電解質(zhì)的四-正丁基高氯酸銨(n-Bu4NC104)(日本東京化成工業(yè)株式會(huì)社制，目錄號(hào)碼T0836)溶解以使其濃度為lOOmmol/L，進(jìn)而調(diào)制作為測(cè)定對(duì)象的PCOll以使其濃度為lmmol/L。另外，作為工作電極，使用鉬電極(BAS株式會(huì)社制，PTE鉬電極)，作為輔助電極，使用鉬電極(BAS株式會(huì)社制，VC-3用Pt對(duì)電極(5cm))，作為參比電極，使用Ag/Ag+電極(BAS株式會(huì)社制，RE5非水溶劑類(lèi)參比電極)。另外，測(cè)定在室溫下進(jìn)行。以如下步驟對(duì)PCOll的氧化反應(yīng)特性進(jìn)行考察。即，使工作電極相對(duì)于參比電極的電位從-0.35V變化到1.30V后，使其再?gòu)?.30V變化到-0.35V，以上述的掃描為1個(gè)周期，測(cè)定100個(gè)周期。另外，將CV測(cè)定的掃描速度設(shè)定為0.lV/s。另外，圖Il(A)中只示出第1周期以及第100周期的CV曲線(xiàn)。以如下步驟對(duì)PCOll的還原反應(yīng)特性進(jìn)行考察。即，使工作電極相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)電極的電位從-0.30V變化到-2.60V后，使其再?gòu)?2.60V變化到-0.30V,以上述的掃描為1個(gè)周期，測(cè)定100個(gè)周期。另外，將CV測(cè)定的掃描速度設(shè)定為0.lV/s。另外，圖Il(B)中只示出第1周期以及第100周期的CV曲線(xiàn)。在圖Il(A)和圖Il(B)中，橫軸表示工作電極相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)電極的電位(V)，縱軸表示工作電極和輔助電極之間流過(guò)的電流值(μΑ)。根據(jù)圖11㈧可知，PCOll在+0.99V(vs.Ag/Ag+電極)處具有表示氧化的峰值。并且，根據(jù)圖11(B)可知，PCOll在-2.30V(vs.Ag/Ag+電極)處具有表示還原的峰值。根據(jù)圖11㈧和圖11(B)，在第1周期和第100周期的氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)中未觀察到CV曲線(xiàn)的峰值位置以及強(qiáng)度的大的變化，由此可知，PCOll對(duì)氧化還原反應(yīng)的重復(fù)是穩(wěn)定的。此外，利用密度泛函法(DFT)計(jì)算PCOll處于基態(tài)時(shí)的最佳分子結(jié)構(gòu)。以勢(shì)能、電子間靜電能、電子的動(dòng)能、包括所有的復(fù)雜的電子間的互相作用的交換相關(guān)能的總和表示DFT的總能量。在DFT中，由于使用以電子密度表示的單電子勢(shì)的泛函(函數(shù)的函數(shù)之意)來(lái)近似表示交換相關(guān)作用，所以計(jì)算速度快且精度高。在此，利用作為混合泛函的B3LYP來(lái)規(guī)定涉及交換相關(guān)能的各參數(shù)的權(quán)重。此外，將作為基函數(shù)的6-311(對(duì)各原子價(jià)軌道使用三個(gè)收縮函數(shù)的三重分裂價(jià)層(triplesplitvalence)基組的基函數(shù))用于所有原子。根據(jù)上述基函數(shù)，例如在氫原子的情況下考慮Is至3s的軌道，而在碳原子的情況下考慮Is至4s、2p至4p的軌道。再者，作為極化基組(polarizationbasissets)，對(duì)氫原子加上ρ函數(shù)，對(duì)除氫原子以外的原子加上d函數(shù)，以提高計(jì)算精度。此外，作為量子化學(xué)計(jì)算程序，使用GauSSian03。使用高性能計(jì)算機(jī)(SGI株式會(huì)社制，Altix4700)來(lái)進(jìn)行計(jì)算。圖12㈧和圖12⑶示出通過(guò)計(jì)算求出的PCOll的最高已占分子軌道(HOMO)和最低未占分子軌道(LUMO)。圖12(A)表示Η0Μ0，圖12B表示LUM0。附圖中的球形表示構(gòu)成PCOll的原子，而存在于原子周邊的云狀物表示作為對(duì)象的軌道。此外，圖12(A)和12(B)是通過(guò)能夠使計(jì)算結(jié)果可見(jiàn)化的軟件GaussView4.1使最佳分子結(jié)構(gòu)的計(jì)算結(jié)果可見(jiàn)化的圖。根據(jù)圖12(A)和圖12(B)可知，在PCOll中，HOMO存在于咔唑環(huán)，LUMO存在于噁二唑環(huán)。即，可以說(shuō)咔唑環(huán)對(duì)PCOll的空穴傳輸性有貢獻(xiàn)，噁二唑環(huán)對(duì)PCOll的電子傳輸性有貢獻(xiàn)。咔唑環(huán)是顯示高空穴傳輸性的單元，噁二唑環(huán)是顯示高電子傳輸性的單元。由此可以確認(rèn)PCOll具有雙極性。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，對(duì)以結(jié)構(gòu)式(121)表示的噁二唑衍生物3，9_二苯基-6-[4-(5_苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PC011II)的合成方法進(jìn)行說(shuō)明。(121)將2-碘苯基-5-苯基-1，3，4-噁二唑(化合物a2)1.Og(2.8mmol)、6，9_二苯基-9H-咔唑-3-硼酸(化合物b2)1.0g(2.8mmol)、三(鄰-甲苯基)膦0.060g(0.20mmol)放在IOOmL的三口燒瓶中。然后，在該IOOmL的三口燒瓶中加入1，2_二甲氧基乙烷(簡(jiǎn)稱(chēng)DME)15mL以及2M碳酸鉀水溶液5mL。接著，對(duì)所得到的混合物進(jìn)行減壓脫氣，對(duì)該IOOmL的三口燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行氮?dú)庵脫Q后，加入醋酸鈀(11)6.2mg(0.028mmol)，于90°C攪拌3小時(shí)。攪拌后，在該混合物中添加氯仿而得到懸浮液。在依次使用飽和碳酸鈉水溶液、飽和食鹽水洗滌該懸浮液之后，在有機(jī)層中添加硫酸鎂進(jìn)行干燥。干燥后，進(jìn)行用來(lái)去除包含在有機(jī)層中的硫酸鎂的抽濾，然后通過(guò)硅藻土(日本和光純藥工業(yè)株式會(huì)社、目錄號(hào)碼531-16855)進(jìn)行抽濾，得到濾液。利用硅膠柱層析法對(duì)將該濾液濃縮而得到的化合物進(jìn)行純化。首先使用甲苯作為展開(kāi)溶劑，接著使用甲苯乙酸乙酯=41的混合溶劑作為展開(kāi)溶劑，以進(jìn)行柱層析。利用氯仿和甲醇的混合溶劑使將所得到的餾分濃縮而得到的化合物重結(jié)晶，以73%的收率得到收量1.Ig的粉末狀白色固體。以下示出本實(shí)施例的合成方案(a-2)。利用梯度升華法對(duì)所得到的1.Ig的固體進(jìn)行升華純化。在2.5Pa的減壓下，將氬流量設(shè)定為5.OmL/min,于290°C進(jìn)行19小時(shí)的升華純化。其結(jié)果是，收量是0.90g,收率是81%。以下示出通過(guò)核磁共振法(NMR)測(cè)定通過(guò)上述方法而得到的化合物的數(shù)據(jù)。1H匪R(CDCl3,300MHz)δ=7.33-7.77(m，17Η)，7.91(d，J=8.8Hz，2H)，8.16-8.20(m，2H)，8.25(d,J=8.8Hz，2H)，8·44(sd,J=L5Hz,1H)，8·48(sd,J=L5Hz,1H)。另外，圖13(A)和圖13(B)表示通過(guò)上述方法而得到的化合物的IHNMR圖。另外，圖13(B)是將圖13(A)中的7.Oppm至9.Oppm的范圍擴(kuò)大表示的圖。根據(jù)測(cè)定結(jié)果，可知得到了以上述結(jié)構(gòu)式(121)表示的噁二唑衍生物3，9-二苯基-6-[4-(5-苯基_1，3，4_噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PC011II)。此夕卜，圖14㈧和圖14⑶示出使用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)定PCOllII的吸收光譜以及發(fā)射光譜的結(jié)果。測(cè)定PCOllII的吸收光譜以及發(fā)射光譜時(shí)，對(duì)將PCOllII的甲苯溶液放在石英皿中的樣品以及將PCOllII蒸鍍到石英基板上的薄膜樣品進(jìn)行測(cè)定。具體而言，圖14(A)是由溶液樣品得到的光譜，圖14⑶是由薄膜樣品得到的光譜。另外，關(guān)于吸收光譜，為了只評(píng)價(jià)來(lái)自PCOllII的吸收光譜，圖14(A)示出溶液樣品的吸收光譜，其中從實(shí)得的吸收光譜減去只將甲苯放在石英皿中而測(cè)得的吸收光譜；圖14(B)示出薄膜樣品的吸收光譜，其中從實(shí)得的吸收光譜減去石英基板的吸收光譜。在圖14㈧和圖14(B)中，橫軸表示波長(zhǎng)(nm)，縱軸表示強(qiáng)度(任意單位)。當(dāng)以甲苯溶液為樣品時(shí)，在336nm處觀察到吸收峰值，在391nm以及409nm(激發(fā)波長(zhǎng)是336nm)處觀察到發(fā)光波長(zhǎng)的峰值(參照?qǐng)D14(A))。當(dāng)以薄膜為樣品時(shí)，在352nm處觀察到吸收峰值，在440nm(352nm)處觀察到最大發(fā)光波長(zhǎng)(參照?qǐng)D14(B))。示出PCOllII的薄膜樣品的HOMO能級(jí)和LUMO能級(jí)的測(cè)定結(jié)果。具體而言，首先，將通過(guò)大氣中的光電子分光法(日本理研計(jì)器株式會(huì)社制，AC-2)測(cè)得的電離電位值換算為負(fù)值，以該值為HOMO能級(jí)。接著，基于圖14(B)所示的吸收光譜數(shù)據(jù)從假定直接躍遷的Tauc曲線(xiàn)求出吸收端，以該吸收端的能量為光學(xué)能隙，以將其加上HOMO能級(jí)而得的值為L(zhǎng)UMO能級(jí)。其結(jié)果是，PCOllII的HOMO能級(jí)是-5.61eV,LUMO能級(jí)是-2.47eV(光學(xué)能隙是3.14eV)。因此，可知PCOllII是具有大能隙的物質(zhì)。圖15(A)和圖15(B)示出PCOllII的氧化還原反應(yīng)特性的測(cè)定結(jié)果。另外，圖15(A)是示出氧化反應(yīng)特性的圖，圖15(B)是示出還原反應(yīng)特性的圖。此外，通過(guò)循環(huán)伏安法(CV)測(cè)定來(lái)考察氧化還原反應(yīng)特性。另外，測(cè)定使用電化學(xué)分析儀(BAS株式會(huì)社制，型號(hào)=ALS模型600A)。作為CV測(cè)定中的溶液，使用作為溶劑的脫水二甲基甲酰胺(DMF)(西格瑪-奧德里奇公司制，99.8%，目錄號(hào)碼22705-6)，使作為支持電解質(zhì)的四-正丁基高氯酸銨(n-Bu4NC104)(日本東京化成工業(yè)株式會(huì)社制，目錄號(hào)碼T0836)溶解以使其濃度為lOOmmol/L，進(jìn)而調(diào)制作為測(cè)定對(duì)象的PC011II以使其濃度為lmmol/L。另外，作為工作電極，使用鉬電極(BAS株式會(huì)社制，PTE鉬電極)，作為輔助電極，使用鉬電極(BAS株式會(huì)社制，VC-3用Pt對(duì)電極(5cm))，作為參比電極，使用Ag/Ag+電極(BAS株式會(huì)社制，RE7非水溶劑類(lèi)參比電極)。另外，測(cè)定在室溫下進(jìn)行。以如下步驟對(duì)PCOllII的氧化反應(yīng)特性進(jìn)行考察。即，使工作電極相對(duì)于參比電極的電位從0.09V變化到1.OOV后，使其再?gòu)?.OOV變化到0.09V,以上述的掃描為1個(gè)周期，測(cè)定100個(gè)周期。另外，將CV測(cè)定的掃描速度設(shè)定為0.ν/s。另外，圖15(A)中只示出第1周期以及第100周期的CV曲線(xiàn)。以如下步驟對(duì)PCOllII的還原反應(yīng)特性進(jìn)行考察。即，使工作電極相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)電極的電位從-1.33V變化到-2.45V后，使其再?gòu)?2.45V變化到-1.33V，以上述的掃描為1個(gè)周期，測(cè)定100個(gè)周期。另外，將CV測(cè)定的掃描速度設(shè)定為0.lV/s。另外，圖15(B)中只示出第1周期以及第100周期的CV曲線(xiàn)。在圖15㈧和圖15(B)中，橫軸表示工作電極相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)電極的電位(V)，縱軸表示工作電極和輔助電極之間流過(guò)的電流值(μΑ)。根據(jù)圖15㈧可知，PCOllII在+0.89V(vs.Ag/Ag+電極)處具有表示氧化的峰值。并且，根據(jù)圖15(B)可知，PCOllII在-2.36V(vs.Ag/Ag+電極)處具有表示還原的峰值。根據(jù)圖15(A)和圖15(B)，在第1周期和第100周期的氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)中未觀察到CV曲線(xiàn)的峰值位置以及強(qiáng)度的大的變化，由此可知，PCOllII對(duì)氧化還原反應(yīng)的重復(fù)是穩(wěn)定的。此外，以與實(shí)施例1同樣的方法計(jì)算PCOllII處于基態(tài)時(shí)的最佳分子結(jié)構(gòu)。圖16(A)和圖16(B)示出通過(guò)計(jì)算求出的PCOllII的HOMO和LUMO。根據(jù)圖16(A)和圖16(B)可知，在PCOllII中，HOMO存在于咔唑環(huán)，LUMO存在于噁二唑環(huán)。即，可以說(shuō)咔唑環(huán)對(duì)PCOllII的空穴傳輸性有貢獻(xiàn)，噁二唑環(huán)對(duì)PCOllII的電子傳輸性有貢獻(xiàn)。咔唑環(huán)是顯示高空穴傳輸性的單元，噁二唑環(huán)是顯示高電子傳輸性的單元。由此可以確認(rèn)PCOllII具有雙極性。實(shí)施例3在本實(shí)施例中，示出將實(shí)施方式1所記載的噁二唑衍生物用作發(fā)光層的主體材料的發(fā)光元件的制造方法以及元件特性的測(cè)定結(jié)果。具體而言，示出使用在實(shí)施例1中所說(shuō)明的9-苯基-3-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)=PCOll)而形成的發(fā)光元件1以及使用在實(shí)施例2中所說(shuō)明的3，9-二苯基-6-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)PC011II)而形成的發(fā)光元件2。此外，本實(shí)施例中的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)是圖17所示的結(jié)構(gòu)，是將上述噁二唑衍生物用于發(fā)光層1113而形成的結(jié)構(gòu)。以下示出在本實(shí)施例中使用的有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)式。首先，在玻璃基板1100上通過(guò)濺射法形成包含氧化硅的氧化銦_氧化錫膜，形成第一電極1101。此外，該第一電極1101的膜厚是llOnm，電極面積是2mmX2mm。接著，在第一電極1101上形成由多個(gè)層層疊而成的EL層1102。在本實(shí)施例中，EL層1102具有依次層疊有空穴注入層1111、空穴傳輸層1112、發(fā)光層1113、電子傳輸層1114、電子注入層1115的結(jié)構(gòu)。以使形成有第一電極1101的面朝向下方的方式將形成有第一電極1101的基板1100固定于設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的基板支架上，減壓到10-4Pa左右后，在第一電極1101上進(jìn)行4，4’_雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)NPB)和氧化鉬(VI)的共蒸鍍，從而形成空穴注入層1111。將空穴注入層1111的膜厚設(shè)定為40nm，調(diào)節(jié)蒸鍍速率以使NPB和氧化鉬(VI)的比例以重量比計(jì)為41(=NPB氧化鉬)。另外，共蒸鍍法是一種蒸鍍法，該方法是在一個(gè)處理室內(nèi)從多個(gè)蒸發(fā)源同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。接著，通過(guò)使用電阻加熱的蒸鍍法在空穴注入層1111上形成膜厚20nm的空穴傳輸材料的膜，從而形成空穴傳輸層1112。此外，作為空穴傳輸層1112，使用4-(9H-咔唑-9-基)-4，-苯基三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)=YGAlBP)。接著，通過(guò)使用電阻加熱的蒸鍍法在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。此外，當(dāng)形成發(fā)光元件1時(shí)，通過(guò)進(jìn)行PCOll和雙(2-苯基吡啶-N，C2’)合銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)Ir(ppy)2(acac))的共蒸鍍，形成膜厚40nm的發(fā)光層1113。在此，調(diào)節(jié)蒸鍍速率以使PCOll和Ir(ppy)2(acac)的重量比為10.06(=PCOllIr(ppy)2(acac))。另外，當(dāng)形成發(fā)光元件2時(shí)，通過(guò)進(jìn)行PC011II和Ir(ppy)2(acac)的共蒸鍍，形成膜厚40nm的發(fā)光層1113。在此，調(diào)節(jié)蒸鍍速率以使PCOllII和Ir(ppy)2(acac)的重量比為10.06(=PCOllIIIr(ppy)2(acac))。然后，通過(guò)使用電阻加熱的蒸鍍法在發(fā)光層1113上形成膜厚IOnm的雙(2_甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚鹽)合鋁(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)BAlq)膜，并且在該膜上形成膜厚20nm的紅菲繞啉(簡(jiǎn)稱(chēng)BPhen)膜，從而形成電子傳輸層1114。通過(guò)在電子傳輸層1114上形成膜厚Inm的氟化鋰(LiF)膜，從而形成電子注入層1115。最后，通過(guò)使用電阻加熱的蒸鍍法形成膜厚200nm的鋁膜，從而形成第二電極1103，制成發(fā)光元件1以及發(fā)光元件2。在氮?dú)鈿夥盏氖痔紫鋬?nèi)不使發(fā)光元件暴露于大氣地進(jìn)行將以上得到的發(fā)光元件1以及發(fā)光元件2密封的操作，然后對(duì)這些發(fā)光元件的工作特性進(jìn)行測(cè)定。另外，測(cè)定在室溫(保持為25°C的氣氛)下進(jìn)行。圖18示出發(fā)光元件1以及發(fā)光元件2的電流密度-亮度特性，圖19示出發(fā)光元件1以及發(fā)光元件2的電壓-亮度特性，圖20示出發(fā)光元件1以及發(fā)光元件2的亮度-電流效率特性。在圖18中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電流密度(mA/cm2)，在圖19中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓(V)，在圖20中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。此外，在圖20中，發(fā)光元件1的最大電流效率是59cd/A，發(fā)光元件2的最大電流效率是54cd/A。因此，可知使用PCOll或PCOllII的發(fā)光元件是高效率的發(fā)光元件。另外，圖21示出發(fā)光元件1以及發(fā)光元件2的發(fā)射光譜。另外，如圖21所示，在發(fā)光元件1以及發(fā)光元件2的任何情況中，都觀察到來(lái)自作為客體材料的Ir(ppy)2(acac)的發(fā)光波長(zhǎng)，而沒(méi)觀察到來(lái)自作為主體材料的PCOll或PCOllII的發(fā)光波長(zhǎng)。因此，可知PCOll以及PCOllII在發(fā)光元件的發(fā)光層中作為雙極性的主體材料起作用。權(quán)利要求一種以下述通式(G1)表示的噁二唑衍生物，其中，Ar表示取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R1表示碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。FSA00000078277000011.tif2.如權(quán)利要求1所述的噁二唑衍生物，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G2)表示，(G2)其中，R1表示碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的方基，R11至R15分別表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。3.如權(quán)利要求1所述的噁二唑衍生物，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G3)表示，其中，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R21至R25分別表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。4.如權(quán)利要求1所述的噁二唑衍生物，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G4)表示，其中，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。5.一種顯示裝置，該顯示裝置包括在發(fā)光層中包含以通式(Gl)表示的噁二唑衍生物的發(fā)光元件，其中，Ar表示取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R1表示碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的方基。6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G2)表示，其中，R1表示碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的方基，R11至R15分別表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。7.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G3)表示，其中，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R21至R25分別表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。8.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G4)表示，其中，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。9.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光層還包括發(fā)光物質(zhì)。10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光物質(zhì)是磷光化合物。11.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，該顯示裝置還包括用來(lái)控制所述發(fā)光元件的發(fā)光的控制單元。12.一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備在其顯示部中包括權(quán)利要求5所述的顯示裝置。13.一種照明裝置，該照明裝置包括在發(fā)光層中包含以通式(Gl)表示的噁二唑衍生物的發(fā)光元件，其中，Ar表示取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R1表示碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的方基。14.如權(quán)利要求13所述的照明裝置，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G2)表示，其中，R1表示碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的方基，R11至R15分別表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。15.如權(quán)利要求13所述的照明裝置，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G3)表示，其中，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基，R21至R25分別表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。16.如權(quán)利要求13所述的照明裝置，其中所述噁二唑衍生物以下述通式(G4)表示，(G4)其中，R2表示氫、碳原子數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的具有6至10個(gè)環(huán)中碳原子的芳基。17.如權(quán)利要求13所述的照明裝置，其中所述發(fā)光層還包括發(fā)光物質(zhì)。18.如權(quán)利要求17所述的照明裝置，其中所述發(fā)光物質(zhì)是磷光化合物。19.如權(quán)利要求13所述的照明裝置，該照明裝置還包括用來(lái)控制所述發(fā)光元件的發(fā)光的控制單元。20.一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備在其照明部中包括權(quán)利要求13所述的照明裝置。全文摘要本發(fā)明涉及噁二唑衍生物、發(fā)光元件、顯示裝置、照明裝置及電子設(shè)備，目的在于提供激發(fā)能高，尤其是三重態(tài)激發(fā)能高并且具有雙極性的物質(zhì)。提供以下述通式(G1)表示的噁二唑衍生物。在式中，Ar表示取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R1表示碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基，R2表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的形成環(huán)的碳數(shù)為6至10的芳基。文檔編號(hào)F21K2/08GK101845042SQ20101015562公開(kāi)日2010年9月29日申請(qǐng)日期2010年3月26日優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日發(fā)明者大澤信晴,川上祥子,瀨尾哲史,野村洸子申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所