專利名稱：具有高可靠性的可精細(xì)構(gòu)圖的碳納米管發(fā)射體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有高可靠性的場(chǎng)發(fā)射裝置(FED)的可精細(xì)構(gòu)圖的碳 納米管(CNT)發(fā)射體的制造方法，更具體地，涉及一種采用包括納米尺寸 的金屬顆粒、有機(jī)粘合劑、光敏材料和單體的CNT漿料的CNT發(fā)射體的制 造方法，和制造所述CNT發(fā)射體的精細(xì)構(gòu)圖工藝。
背景技術(shù)：
除了 CRT的電子發(fā)射源由冷陰極材料形成之外，場(chǎng)發(fā)射裝置(FED)的 物理功能原則上與陰極射線管(CRT)相同。在FED中，電場(chǎng)施加到具有超 精細(xì)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)發(fā)射體，并且發(fā)射至真空中的電子撞擊熒光介質(zhì)(即激勵(lì)熒光 介質(zhì))，從而顯示圖像。因此，F(xiàn)ED是具有CRT的杰出的顯示特性，并且可 以為輕薄的顯示裝置。此外，由于FED在所有方面具有顯示裝置的理想特 性，它已經(jīng)作為有前途的下一代平板顯示裝置而廣受關(guān)注。最近作為FED的電子發(fā)射源(發(fā)射體)而獲得注意的是碳納米管(CNT )。 CNT是應(yīng)用場(chǎng)發(fā)射原理的發(fā)射體，其中當(dāng)在真空狀態(tài)下電場(chǎng)被施加到在具有 尖端的導(dǎo)電發(fā)射體時(shí)發(fā)射電子，并且提供杰出的性能。圖1是包括CNT發(fā)射體的常規(guī)FED的側(cè)截面圖。圖2是圖1的區(qū)II的 放大截面圖。參考圖1, FED 100包括電子發(fā)射體110，其中電子發(fā)射源形成為發(fā)射 體114,和包括熒光層135的圖像產(chǎn)生部130,從電子發(fā)射體110發(fā)出的電 子擊中熒光層125,由此產(chǎn)生光線。圖像產(chǎn)生部130包括第二基底131、形成于第二基底131上的正電極133 (陽極)、在正電極133上相互間隔開形成的熒光層135、和在熒光層135 之間形成的光屏蔽層(黑矩陣)137。光屏蔽層137負(fù)責(zé)界定像素邊界。電子發(fā)射體110包括第一基底111、在第一基底111上以預(yù)定形狀相互 間隔開形成的負(fù)電極(陰極)113、在負(fù)電極113上使用CNT形成的CNT 發(fā)射體、和與負(fù)電極113絕緣的柵極119。絕緣層118形成于柵極119下面。 支撐電子發(fā)射體110和圖像產(chǎn)生部130的隔離體140形成于電子發(fā)射體110和圖像產(chǎn)生部130之間。為了制造組成電子發(fā)射體110的CNT發(fā)射體114,應(yīng)當(dāng)首先制造CNT 漿料。CNT漿料通過下列方法制造(1 )分散CNT和無機(jī)填充劑；(2)添 加有機(jī)粘合劑；和(3)使用溶劑混合添加物并且調(diào)整粘度。參考圖2，在通 過工藝(1 )至(3 )制造了 CNT漿料之后，CNT漿料被涂覆在電子發(fā)射體 110的負(fù)電才及113上，由此形成CNT發(fā)射體114。但是，當(dāng)使用上述CNT漿料制造CNT發(fā)射體114時(shí)，傳統(tǒng)CNT漿料 使用通常具有幾個(gè)pm的尺寸的熔料玻璃作為無機(jī)(金屬)填充劑115。在 這種情形，熔料玻璃與CNT具有不同的物理和化學(xué)特性。因此，難于相等 地分布將作為發(fā)射體而實(shí)現(xiàn)的CNT。此外，陰極113和CNT 117之間的粘 合也是不均勻的。此外，顯著地增加了或非均勻地展示出負(fù)電極113和CNT 117或一個(gè)CNT 117和另一個(gè)CNT 117之間的電阻，并且因而這成為實(shí)現(xiàn) FED功能的障礙。由于CNT發(fā)射體114形成于負(fù)電極113上方而沒有強(qiáng)力粘接，所以當(dāng) CNT發(fā)射體114產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)時(shí)，CNT發(fā)射體114可以變得從負(fù)電極113分 離。結(jié)果，CNT發(fā)射體114和負(fù)電極113之間的接觸電阻可以非均勻或增力口。 此外，由于僅有部分CNT發(fā)射體114貢獻(xiàn)于電子發(fā)射，所以首先惡化電子 發(fā)射特性，然后惡化電子發(fā)射的位置并且出現(xiàn)電子發(fā)射的不均勻分布。此外， 由于僅有部分CNT發(fā)射體114用于電子發(fā)射，所以可以顯著地減小CNT發(fā) 射體114的壽命。由于在印刷工藝中所涉及的障礙，難于實(shí)施精細(xì)構(gòu)圖，精 細(xì)構(gòu)圖不僅對(duì)于適于高分辨率的精細(xì)像素的制造而且對(duì)于改善非均勻的電 子發(fā)射都是必須的。為了克服這些問題，在韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 2006-84912 (申請(qǐng)人韓國(guó)電 子通信研究院)中公開了其它的CNT漿料的制造方法。在所述方法中，添 加可以在CNT不惡化的低溫下熔化的納米尺寸的金屬顆粒，從而通過熔化 的金屬可以改善CNT發(fā)射體和負(fù)電極之間的粘接，并且可以減小電極和 CNT以及各CNT之間的電阻。同時(shí)，施加均勻的電阻使得均勻地發(fā)射電子 并且增加貢獻(xiàn)于電子發(fā)射的有效發(fā)射位置的密度。結(jié)果，可以制造可以獲得 相當(dāng)?shù)目煽啃缘腃NT。基于所述方法，可以實(shí)現(xiàn)FED的改善了的CNT。然而，適用于高分辨 率的精細(xì)像素的制造和在像素內(nèi)形成多個(gè)CNT發(fā)射體區(qū)的精細(xì)構(gòu)圖的實(shí)施 需要強(qiáng)化通過曝光所述漿料的構(gòu)圖特性。在通過曝光構(gòu)圖所需要的光敏材料的情形，與其反應(yīng)的單體和有機(jī)粘合劑，當(dāng)其在塑化之后未完全燒盡時(shí)，CNT 內(nèi)的電子發(fā)射的功函和在真空中的放氣通過殘留在CNT表面上的有機(jī)材料 而增加。結(jié)果，CNT發(fā)射體的性能惡化。然而，當(dāng)由于上述有機(jī)材料的燒盡的緣故，施加比添加到CNT漿料內(nèi) 的納米尺寸的金屬顆粒的熔點(diǎn)高的塑化溫度時(shí)，最初在低溫下熔化并且保持 CNT的金屬層在有機(jī)材料的燒盡工藝中被破壞。結(jié)果，CNT發(fā)射體的表面 形狀惡化，使得CNT發(fā)射體的特性最終也惡化。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及一種具有高可靠性的可精細(xì)構(gòu)圖的碳納米管(CNT)發(fā)射體 的制造方法，在其中添加了在CNT不惡化的低溫下熔化的納米尺寸的金屬 顆粒，并且同時(shí)使用了制造適于高分辨率的精細(xì)像素或改善電子發(fā)射的均勻 性所需要的改善精細(xì)構(gòu)圖的光敏特性的CNT漿料。本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種CNT發(fā)射體的制造方法，包括的步驟是(a)在溶劑中分散CNT粉末、有機(jī)粘合劑、光敏材料、單體、和納米尺寸 的金屬顆粒以制造CNT漿料；(b )在基底上方形成的電極上涂覆CNT漿料；(c)曝光涂覆在電極上的CNT漿料，由此進(jìn)行精細(xì)構(gòu)圖；(d)塑化精細(xì)構(gòu) 圖的CNT漿料；并且(e )處理CNT漿料的表面，使得被塑化的CNT漿料 的表面一皮激活。在步驟(c )中，CNT漿料可以被構(gòu)圖至5 pmx5 pm的精細(xì)尺寸，這是 可以保持對(duì)CNT發(fā)射體的電極的粘接的最小限值。單體是為了曝光和為了 精細(xì)構(gòu)圖添加的材料，其與光敏材料反應(yīng)而由此聚合有機(jī)粘合劑?？梢砸杂?機(jī)粘合劑的1/100至1/10的重量比添加單體。此外，可以以有機(jī)粘合劑的 1/100至1/10的重量比添加光敏材料。CNT粉末對(duì)金屬顆粒的重量比(wt% ) 可以是1:2至1:3。步驟(d)包括在大約250至300°C的溫度下在空氣中進(jìn)行的至少一塑化 步驟；和在大約320至450。C的溫度下在真空或非活性氣體(Ar、 N2等)氣 氛中進(jìn)行的塑化步驟。步驟(e)可以通過輥壓工藝(rolling process)進(jìn)行 從而使粘合劑不粘住。步驟(a)可以包括的步驟是在溶劑中分散CNT粉末；在其中混合了 CNT粉末的分散溶液中添加有機(jī)粘合劑；進(jìn)行研磨工藝以便調(diào)整其中混合了 有機(jī)粘合劑的分散溶液的粘性；添加納米尺寸的金屬顆粒；并且將光敏材料和單體添入所述分散溶液。金屬顆?？梢砸苑勰┗驖{料的形式添加。金屬顆?？梢园ň哂懈邔?dǎo)電性的金屬，例如Ag、 Cu、 Ru、 Ti、 Pd、 Zn、 Fe或 Au。


參考附圖，通過對(duì)于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，對(duì)于本領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯見，其中圖l是包括碳納米管(CNT)的常規(guī)場(chǎng)發(fā)射裝置(FED)的側(cè)截面圖； 圖2是圖1的區(qū)II (發(fā)射體區(qū))的放大截面圖；圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的典型實(shí)施例的其中具有添加于其內(nèi)的納米尺 寸金屬顆粒的CNT漿料被涂覆于基底上的狀態(tài)的截面圖；圖4B是示意示出其中圖4A的CNT漿料被曝光和構(gòu)圖的CNT發(fā)射體 的放大截面圖；圖4C是在圖4B的構(gòu)圖之后的塑化的CNT的放大截面圖；并且 圖5是根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的制造的精細(xì)構(gòu)圖的CNT發(fā)射體的放大 的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。
具體實(shí)施方式
以下，將詳細(xì)描述本發(fā)明的典型實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于以下公開 的實(shí)施例，而是可以以各種形式實(shí)施。因而，實(shí)施例的下列描述是為了使本 公開更完整和使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的碳納米管(CNT)發(fā)射體的制造方 法的方框圖。圖4A是示出其中具有添加于其中的納米尺寸的金屬顆粒的 CNT漿料被涂覆于基底上的狀態(tài)的截面圖。圖4B是在圖4A的CNT漿料被 曝光和構(gòu)圖之后的CNT發(fā)射體的放大截面圖。圖4C是在圖4B的構(gòu)圖進(jìn)行 之后并且塑化工藝完成之后的CNT發(fā)射體的放大截面圖。參考圖3，首先，為了使用CNT漿料430制造形成在電子發(fā)射體內(nèi)的發(fā) 射體，制備包括CNT粉末、納米尺寸的金屬顆粒、有機(jī)粘合劑、光敏材料、 和單體的CNT漿料(S310 )。構(gòu)成CNT漿料的金屬顆粒可以由可歐姆接觸且高導(dǎo)電的金屬形成，從 而降低在由CNT漿料430形成的CNT發(fā)射體內(nèi)一 CNT和另一 CNT之間的界面電阻，和在CNT和陰極420之間的界面電阻?？梢杂糜贑NT漿料的高 導(dǎo)電金屬可以包括Ag、 Cu、 Ti、 Ru、 Pd、 Zn、 Au和Fe。這些金屬可以單 獨(dú)使用或恰當(dāng)?shù)鼗旌显谝黄鹗褂??；旌细鞣N金屬，由此形成納米尺寸的金屬 顆粒，從而可以改善粘接和電特性。同時(shí)，金屬顆粒具有1至10 nm的尺寸，使得可以在低于對(duì)CNT粉末 引起熱損傷的溫度的溫度下熔化，并且可以以粉末或漿料的形式添加。當(dāng)金 屬顆粒是粉末形式時(shí)，當(dāng)CNT粉末分散在溶劑中時(shí)，它被分散。當(dāng)金屬顆 粒是漿料的形式時(shí)，其在作為后工藝而進(jìn)行的研磨工藝過程中添加，以便調(diào) 整分散溶液的粘度。各個(gè)CNT粉末和納米尺寸的顆粒可以被分散在幾乎任何類型的溶劑中 (水系溶劑、有機(jī)溶劑等)。通常，由于例如CNT的納米材料具有分散后在 預(yù)定的時(shí)間流逝之后復(fù)合(團(tuán)聚)的特性，所以可以使用具有杰出的界面活 化特性的溶劑。另外，可以附加地使用具有高蒸發(fā)溫度的溶劑(具有150。C 以上的沸點(diǎn)的溶劑)以便避免迅速蒸發(fā)。在本實(shí)施例中，使用具有杰出的界 面活性特性的異丙醇(IPA)、松油醇等分散CNT粉末和納米尺寸的金屬顆粒。 當(dāng)使用混入IPA和松油醇的分散溶劑時(shí)，在制造CNT漿料之后僅有松油醇 留下來。這是因?yàn)樵贑NT的分散完成之后，用于CNT分散的IPA被干燥掉。 在制造CNT漿料之后留下來的松油醇的沸點(diǎn)是120至170°C。此外，當(dāng)制造CNT漿料時(shí)，所使用的CNT粉末和納米尺寸的金屬顆粒 應(yīng)當(dāng)考慮使用其制造的CNT的形狀而以恰當(dāng)?shù)谋壤旌?。在本?shí)施例中， CNT粉末與金屬顆粒的成分比是重量百分比(wt%)的1:2至1:3。在作為后處理的構(gòu)圖CNT漿料的步驟中(S330 )，為了確定精細(xì)構(gòu)圖的 特性，有機(jī)粘合劑、光敏材料和單體應(yīng)當(dāng)被添入其中分散了 CNT粉末和納 米尺寸的金屬顆粒的分散溶液中。具有各種類型的分子量和特性的聚合物可 以單獨(dú)或組合地用作添加到分散溶液中的有機(jī)粘合劑。通常使用 一種展示了 杰出的與單體的反應(yīng)性的壓克力Ucryl)樹脂(或乙基纖維素)作為有機(jī)粘合劑。光敏材料(光敏引發(fā)劑)是當(dāng)接受光時(shí)指示單體反應(yīng)的材料，并且可 以根據(jù)添加的有機(jī)粘合劑的類型而選擇。具體地，與有機(jī)粘合劑匹配的材料 可以被選作光敏材料。單體是被添加以通過曝光而獲得精細(xì)圖案特性的材料。單體用于通過光 敏材料引起反應(yīng)，由此與聚合體聚合。光敏材料應(yīng)當(dāng)通過與單體和有機(jī)粘合 劑的恰當(dāng)?shù)闹亓勘榷鴥?yōu)化。當(dāng)比率不正確時(shí)，進(jìn)行精細(xì)構(gòu)圖可能不可能，并且還對(duì)最終的CNT發(fā)射體的形狀有影響。因此，以有機(jī)粘合劑的1/10至100 的重量比添加光敏材料，并且以有機(jī)粘合劑的1/10至100的重量比添加單體。 當(dāng)光敏材料以上述優(yōu)選的比率混合到CNT漿料內(nèi)時(shí)，通過光敏反應(yīng)，涂覆 于基底或電極上的CNT漿料可以形成為具有特定形狀或幾個(gè)pm以下的精 細(xì)圖案的精細(xì)圖案。此外，使用研磨工藝以調(diào)整其中添加了有機(jī)粘合劑、光 敏材料、和單體的分散溶液的粘度。如上所述，當(dāng)金屬顆粒是槳料的形式時(shí)， 金屬顆粒在研磨工藝過程中被添加進(jìn)分散溶液。當(dāng)CNT漿料的制造完成時(shí)(S310)，如在圖3和4A中所示出的，CNT 漿料430涂覆于在FED的基底410上形成的電極(陰極)420上(S320 )。 如圖所示，CNT漿料430涂覆于陰極420的整個(gè)表面上，并且包括CNT431 和填充劑432。當(dāng)CNT漿料430涂覆于陰極420上時(shí)，可以根據(jù)粘度而施加 絲網(wǎng)印刷或旋涂工藝。參考圖3和4B，在下一步驟中，涂覆在陰極420上的CNT漿料被曝光 并且以希望的圖案構(gòu)圖(S330 )。由于CNT漿料430包括光敏材料，所以它 可以根據(jù)希望的圖案布局而被選擇性地曝光。如上所述，當(dāng)選擇性地進(jìn)行曝 光工藝，并且隨后進(jìn)行構(gòu)圖工藝時(shí)，可以獲得大約5nmx5pm的精細(xì)圖案。 因此，可以在單個(gè)像素內(nèi)形成多個(gè)CNT發(fā)射體。參考圖3和4C,在CNT漿料430被構(gòu)圖之后，進(jìn)行構(gòu)圖的CNT漿料 430的塑化(S340)。塑化CNT漿料430的步驟(S340 )包括在空氣氣氛中 在大約250至300。C的溫度下進(jìn)行的第一塑化工藝，和在真空或非活性氣體 (Ar、 N2等)氣氛中在大約320至450。C的溫度下進(jìn)行的第二塑化工藝。第 一塑化工藝可以使包含在CNT漿料430內(nèi)的有機(jī)粘合劑燒盡，并且根據(jù)金 屬顆粒的類型熔化金屬顆粒。在上述條件下(在真空中，并且在從320至450 。C的溫度范圍內(nèi))，在第二塑化工藝中進(jìn)行殘留在CNT表面上的有機(jī)化合物 的最終去除和金屬顆粒的熔化。當(dāng)在塑化工藝(S340 )之后進(jìn)行有機(jī)粘合劑的燒盡和金屬顆粒的熔化時(shí)， 精細(xì)構(gòu)圖的CNT發(fā)射體被堅(jiān)固地粘貼在陰極420上，如圖4C所示。在下一 步驟中，進(jìn)行表面處理工藝，使得構(gòu)圖的CNT發(fā)射體的表面被激活(S350 )。 盡管等離子體工藝，高電場(chǎng)工藝，成帶工藝(taping process )、輥壓工藝(rolling process)等可以廣泛地適用于表面處理工藝，但是采用了輥壓工藝，在輥壓 工藝中排除了在真空中的放氣的問題，膠水不粘住，并且制造工藝簡(jiǎn)單。與在圖2中所示出的常規(guī)CNT發(fā)射體不同，在根據(jù)上述制造工藝所制造的精細(xì)構(gòu)圖的CNT發(fā)射體中，平均地分散了納米尺寸的金屬顆粒432a、 和納米尺寸的CNT 431 。此外，在精細(xì)構(gòu)圖的CNT發(fā)射體中，用戶可以形 成希望的圖案和選擇性的圖案。此外，通過熔化的金屬可以均勻地形成一 CNT和另一 CNT之間的接觸，并且可以通過最終的物理表面處理工藝而制 造包括具有改善了的電子發(fā)射特性的CNT發(fā)射體的FED。具體地，當(dāng)通過 上述制造工藝制造CNT發(fā)射體時(shí)，與通過金屬填充劑粘接的情形相比大大 改善了粘接特性。而且，因?yàn)楦纳屏苏辰犹匦?，所以減小了電阻，并且改善 了電阻的均勻性。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明典型實(shí)施例的制造的精細(xì)構(gòu)圖的CNT發(fā)射體的 放大掃描電子顯微鏡(SEM)的圖像。參考圖5，可以證實(shí)使用多個(gè)CNT漿料430制造的CNT發(fā)射體形成于 在基底410上形成的一個(gè)像素510內(nèi)。根據(jù)用戶希望的形狀，可以實(shí)現(xiàn)CNT 發(fā)射體以具有精細(xì)的配置，并且因此，其可以適于制造適于高分辨率的FED 的陰極。根據(jù)上述，由于通過根據(jù)本發(fā)明的CNT發(fā)射體的精細(xì)構(gòu)圖特性而增加 了貢獻(xiàn)于電子發(fā)射的有效發(fā)射位置的密度，所以，可以提供具有高分辨率和 高圖像質(zhì)量的高可靠性的FED。根據(jù)本發(fā)明的CNT發(fā)射體可以用熔化的金屬改善CNT發(fā)射體粘接，由 于納米尺寸的金屬顆粒的低熔化溫度并且在形成CNT發(fā)射體的工藝中不惡 化CNT。此外，由于CNT發(fā)射體均勻地混合在由熔化的金屬導(dǎo)致的具有杰 出的導(dǎo)電性的導(dǎo)體內(nèi)，所以根據(jù)本發(fā)明，在CNT發(fā)射體內(nèi)均勻地發(fā)射電子。 另外，CNT發(fā)射體和金屬顆粒不與陰極分離。雖然參考其特定典型實(shí)施例顯示并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解在不背離由所附權(quán)利要求界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 在這里可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。本申請(qǐng)要求于2006年12月7日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 2006-123944 的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過引用的方式引入于此。
權(quán)利要求
1.一種碳納米管發(fā)射體的制造方法，包括的步驟是(a)在溶劑中分散碳納米管粉末、有機(jī)粘合劑、光敏材料、單體、和納米尺寸的金屬顆粒，由此制造碳納米管漿料；(b)在基底上方形成的電極上涂覆所述碳納米管漿料；(c)曝光涂覆在電極上的所述碳納米管漿料，由此進(jìn)行精細(xì)構(gòu)圖；(d)塑化所述精細(xì)構(gòu)圖的碳納米管漿料；并且(e)處理所述碳納米管漿料的表面，使得被塑化的碳納米管漿料被激活。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中在步驟(c)中，所述碳納米管漿料被 精確構(gòu)圖至大約5 pmx5 pm的尺寸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中添加所述單體，使得所述碳納米管漿 料被曝光從而精細(xì)地構(gòu)圖，并且單體是與所述光敏材料反應(yīng)從而與所述有機(jī) 粘合劑聚合的材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中以有機(jī)粘合劑的1/100至1/10的重量 比添加所述單體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中以有機(jī)粘合劑的1/100至1/10的重量 比添加所述光敏材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述碳納米管粉末對(duì)金屬顆粒的重量 百分比(wt%)是1:2至1:3。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中步驟(d)包括至少一 在大約250至30(TC的溫度下在空氣氣氛中進(jìn)行的塑化步驟；和 在大約320至45(TC的溫度下在真空或非活性氣體氣氛中進(jìn)行的塑化步驟。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中在步驟(e)內(nèi)，進(jìn)行輥壓工藝使得粘 合劑不被粘住。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中步驟(a)包括的步驟是 在溶劑中分散所述碳納米管粉末；在其中混合的碳納米管粉末的分散溶液中添加所述有機(jī)粘合劑； 進(jìn)行研磨工藝以便調(diào)整其中混合了所述有機(jī)粘合劑的分散溶液的粘度；添加所述納米尺寸的金屬顆粒；并且 將所述光敏材料和單體添入所述分散溶液。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中以粉末或漿料的形式添加所述金屬顆粒。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述金屬顆粒包括Ag、 Cu、 Ru、 Ti、 Pd、 Zn、 Fe或Au。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種場(chǎng)發(fā)射裝置的碳納米管的制造方法，其中添加了納米尺寸的金屬顆粒，由此大大提高了發(fā)射體的可靠性。CNT發(fā)射體的制造方法包括(a)在溶劑中分散CNT粉末、有機(jī)粘合劑、光敏材料、單體、和納米尺寸的金屬顆粒，由此制造CNT漿料；(b)在基底上方形成的電極上涂覆CNT漿料；(c)曝光涂覆在電極上的CNT漿料，由此進(jìn)行精細(xì)構(gòu)圖；(d)塑化精細(xì)構(gòu)圖的CNT漿料；并且(e)處理CNT漿料的表面，使得被塑化的CNT漿料被激活。CNT發(fā)射體可以被精細(xì)地構(gòu)圖至幾個(gè)μm，并可以改善電子發(fā)射的均勻性。另外，添加納米尺寸的金屬顆粒作為CNT漿料的金屬填充劑，使得金屬可以在CNT不惡化的低溫下熔化。此外，增強(qiáng)了CNT對(duì)陰極的粘接，從而可以改善CNT發(fā)射體的可靠性。
文檔編號(hào)H01J9/02GK101221872SQ20071019627
公開日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月7日
發(fā)明者宋潤(rùn)鎬, 鄭珍宇, 金大俊 申請(qǐng)人:韓國(guó)電子通信研究院