專利名稱：場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)和使用該冷陰極的電子槍的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)(spindt型陰極結(jié)構(gòu))和具有該種陰極的電子槍。具體涉及一種場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)和使用該冷陰極的電子槍，能夠防止由滲透到陰極部分中的雜質(zhì)等造成的電子發(fā)射誤差。


圖1表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)CRT(陰極射線管)的結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，標(biāo)準(zhǔn)CRT(陰極射線管)包括玻璃容器1，電子槍2，電子束3，偏轉(zhuǎn)線圈4和熒光屏5，下面對(duì)其進(jìn)行說明。
首先，電子槍2被安裝在真空玻璃容器1的端部，從電子槍2產(chǎn)生的電子束3由產(chǎn)生磁場(chǎng)的偏轉(zhuǎn)線圈4偏轉(zhuǎn)，并發(fā)射到熒光屏5，因此熒光屏5在電子束3的撞擊激勵(lì)下發(fā)光。
而且，當(dāng)實(shí)際使用上述CRT(陰極射線管)時(shí)，可以根據(jù)輸入的圖像信號(hào)通過控制電子束的數(shù)量、在二維方向偏轉(zhuǎn)電子束3、以及在熒光屏5上對(duì)其進(jìn)行掃描，來(lái)顯示某個(gè)圖像。
圖2表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CRT的電子槍中使用的陰極的結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，其包括鎳圓筒6，發(fā)射極7，加熱絲8和滑石盤(steatitedisk)9。下面對(duì)其進(jìn)行說明。
首先，將發(fā)射極7安裝在鎳圓筒6的前端，此處，廣泛地使用由Ba,Ca,Sr等構(gòu)成的氧化物陰極。
此外，也可以使用通過將發(fā)射極灌入多孔鎢中制造的高電流密度的陰極。
此外，將加熱絲8安裝在鎳圓筒6的內(nèi)部，電子束從發(fā)射極7發(fā)射到真空中。將陰極固定在滑石盤9上，以便使電子槍的組裝更容易。
圖3表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CRT中使用的電子槍的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，其包括第一控制電極10，第二控制電極11，第三控制電極12，第四控制電極13，自由聚焦電子透鏡(free focus electronlens)14，主透鏡15，和電子束16的交叉，下面對(duì)其進(jìn)行說明。
首先，在陰極上安裝的發(fā)射極7的前面安裝用于控制電子束的第一控制電極10和第二控制電極11。
此外，設(shè)置第三控制電極12和第四控制電極13的位置，以形成使電子束3在熒光屏5上形成微小束斑的主電子透鏡15。
此外，由第二控制電極11和第三控制電極12形成電子束3的自由聚焦電子透鏡14。
從陰極發(fā)射的電子束密度的方向依賴性，即相對(duì)于垂直熒光屏方向的電流密度j(A/m2立體弧度(steradian))，從法線發(fā)射到θ方向的電流密度j(θ)，可以由如下公式1表示。
j(θ)=jcosθ………………[公式1]此處，j表示垂直熒光屏的電流密度。
此外，所發(fā)射的電子是以一定的統(tǒng)計(jì)初始速度分布飛出的，關(guān)于氣體分子速度分布的“標(biāo)記單元分布”(＂distribution of mark cell＂)可以適用于與陰極溫度對(duì)應(yīng)的溫度。
如上所述，為了將從陰極的每個(gè)點(diǎn)發(fā)射的電子聚焦到熒光屏上的一個(gè)點(diǎn)，對(duì)于用來(lái)形成主電子透鏡15的控制電極和用來(lái)將電子束引導(dǎo)到主電子透鏡的控制電極，提供了各種結(jié)構(gòu)。
圖4表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)。
如圖4所示，其包括基底玻璃101，基電極102，絕緣層103，柵電極104，發(fā)射極片(emitter chip)105，電子束106，電源107，下面對(duì)其進(jìn)行說明。
首先，在基底玻璃101上形成的基電極102上形成錐形的由非常小導(dǎo)電體(例如鉬)構(gòu)成的發(fā)射極片105。
在發(fā)射極片105的前端并圍繞發(fā)射極片105形成由導(dǎo)電體(例如鎳)構(gòu)成的柵電極104。
而且，在基電極102和電極104之間設(shè)置絕緣層103(例如SiO2)以便二者間絕緣。
如上所述，當(dāng)將一定電壓Vg從電源107施加到基電極102和柵電極104之間時(shí)，在發(fā)射極片105的前端產(chǎn)生非常強(qiáng)電場(chǎng)，并且從發(fā)射極片105的前端發(fā)射出電子(電子束106)。
當(dāng)從發(fā)射極片105的前端發(fā)射出電子時(shí)，在熒光屏上需要大約每點(diǎn)350μA的電子束流，利用一個(gè)發(fā)射極片105不可能在熒光屏上得到需要的電子束流。
因此，為了得到需要的電子束流，通過在二維平面上形成多個(gè)發(fā)射極片105來(lái)構(gòu)造陰極。
圖5表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括多個(gè)發(fā)射極片的場(chǎng)致發(fā)射型陰極結(jié)構(gòu)的剖面，其中標(biāo)號(hào)51表示雜質(zhì)。
如圖5所示，當(dāng)由于某種原因造成具有導(dǎo)電性的雜質(zhì)粘附到發(fā)射極片105時(shí)，基電極102和柵電極104處于短路狀態(tài)。
當(dāng)基電極102和柵電極104處于短路狀態(tài)時(shí)，高電流通過發(fā)射極片105和雜質(zhì)51在基電極102和柵電極104之間流動(dòng)。據(jù)此，無(wú)法將電壓施加到發(fā)射極片105和柵電極104之間，因此不從其余的發(fā)射極片105發(fā)射出電子。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在控制電極結(jié)構(gòu)中存在部件數(shù)目增加的問題。
此外，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的陰極結(jié)構(gòu)中，因?yàn)槔眉訜岱椒▉?lái)發(fā)射電子，盡管電視機(jī)的主電源是ON，但是直到Ba的溫度達(dá)到電子發(fā)射溫度時(shí)具有良好圖像質(zhì)量的圖像才能在電視機(jī)的CRT上顯示出來(lái)。
此外，在一般電視使用的CRT中，熒光屏所需的電子束流是大約每一點(diǎn)350μA，但是加熱陰極所需的功率是大約2W，因此電子發(fā)射效率較低。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)作為電子發(fā)射材料的Ba使用了較長(zhǎng)時(shí)間后，由于受熱會(huì)慢慢蒸發(fā)，因此電子發(fā)射效率慢慢變差。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，因?yàn)閺年帢O表面發(fā)射的電子從各點(diǎn)輻射到每個(gè)區(qū)域，并且初始速度是無(wú)規(guī)律的，為了在熒光屏上得到微小的電子束斑，需要大量的控制電極。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)電子從發(fā)射極片105的前端發(fā)射出時(shí)，因?yàn)樾枰獰晒馄辽系碾娮邮魇谴蠹s每一點(diǎn)350μA，因此利用一個(gè)發(fā)射極片105不可能在熒光屏上得到所需的電子束流。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)基電極102和柵電極104處于短路狀態(tài)時(shí)，高電流通過發(fā)射極片105和雜質(zhì)51在基電極102和柵電極104之間流動(dòng)。據(jù)此，無(wú)法將電壓施加到發(fā)射極片105和柵電極104之間，因此從其余的發(fā)射極片105不發(fā)射電子。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)，能夠通過構(gòu)造一種利用電場(chǎng)發(fā)射電子的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)來(lái)防止由雜質(zhì)等造成的電子發(fā)射誤差，而不使用利用加熱發(fā)射電子的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)，能夠半永久性地延長(zhǎng)其使用壽命，改進(jìn)電子發(fā)射效率，減小能耗，和簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種使用根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)具有在基電極上形成的多個(gè)發(fā)射極片，在每個(gè)發(fā)射極片的周圍形成的柵電極，位于基電極和柵電極之間以使二者絕緣的絕緣層，在基電極和柵電極之間施加一定的DC(直流)電壓，該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)包括在基電極和每個(gè)發(fā)射極片之間形成的低熔點(diǎn)金屬層。
在該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)中，在柵電極的上部安裝聚焦電極，在柵電極和聚焦電極之間有絕緣層。
在該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)中，在柵電極的上部安裝聚焦電極，在柵電極和聚焦電極之間有絕緣層，并且在聚焦電極的上部安裝控制電極，聚焦電極和控制電極之間有絕緣層。
此外，該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)具有以一定間隔在基電極上形成的多個(gè)發(fā)射極片，在每個(gè)發(fā)射極片的周圍形成的柵電極，在基電極和柵電極之間的絕緣層，該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)包括在每個(gè)發(fā)射極片的周圍形成的柵電極，在圍繞柵電極的外圓周上安裝的主電極，和在主電極和柵電極之間形成的低熔點(diǎn)金屬層。
在該場(chǎng)致發(fā)射冷陰極結(jié)構(gòu)中，在基電極和主電極之間施加一定的電壓。
此外，在使用場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍中，該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)具有陰極部分，主電子透鏡，第一和第二聚焦電極，該陰極部分包括以一定間隔在基電極上形成的多個(gè)發(fā)射極片，在每個(gè)發(fā)射極片的周圍形成的柵電極，在基電極和每個(gè)發(fā)射極片之間形成的低熔點(diǎn)金屬層，隔著絕緣層在柵電極的上方形成的聚焦電極，以及在控制電極的前面形成的第一和第二聚焦電極。
在該使用場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍中，通過絕緣層使基電極和柵電極彼此絕緣。
在該使用場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍中，從多個(gè)發(fā)射極片發(fā)射的電子束被聚焦到由第一和第二聚焦電極形成的主電子透鏡上，而不形成交叉。
圖1表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)CRT(陰極射線管)的結(jié)構(gòu)；圖2表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CRT的電子槍使用的陰極的結(jié)構(gòu)；圖3表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的CRT使用的電子槍的剖面結(jié)構(gòu)；圖4表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)；
圖5表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括多個(gè)發(fā)射極片的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)；圖6表示根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)；圖7A表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)的剖面；圖7B是表示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)的平面圖；圖8表示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)；圖9A是表示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)的平面圖；圖9B是表示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖10表示使用圖9A～9B的冷陰極的電子槍的剖面結(jié)構(gòu)。
圖6表示根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)(spindt型陰極結(jié)構(gòu))，其還包括低熔點(diǎn)金屬層61。
在下面內(nèi)容中，與圖4和5相同的部件具有相同的標(biāo)號(hào)，下面對(duì)圖6～10進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖6～10所示，在發(fā)射極片105和基電極104之間形成低熔點(diǎn)金屬層61。
此外，本發(fā)明并不受該低熔點(diǎn)金屬層的限制，還有可能使用在高電流下熔化的材料，例如半導(dǎo)體材料。
例如，當(dāng)粘附到發(fā)射極片105A上的導(dǎo)電雜質(zhì)51使發(fā)射極片105A和柵電極14短路時(shí)，高電流通過發(fā)射極片105A和雜質(zhì)51在基電極102和柵電極104之間流動(dòng)，會(huì)由于低熔點(diǎn)金屬層61的蒸發(fā)而開放發(fā)射極片105和柵電極104之間的間隔。
因此，盡管雜質(zhì)51使得發(fā)射極片105A和柵電極104短路，因?yàn)榧纯涕_放發(fā)射極片105和柵電極104之間的間隔，所以可以在其余的發(fā)射極片105和柵電極104之間施加一定電壓。
圖7A和7B表示根據(jù)不同實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)，圖7A是冷陰極結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖7B是冷陰極結(jié)構(gòu)的平面圖。此處，標(biāo)號(hào)71表示主電極，標(biāo)號(hào)72表示低熔點(diǎn)金屬層。
如圖7A和7B所示，在每個(gè)發(fā)射極片105上形成各個(gè)分離的柵電極104，每個(gè)柵電極104通過低熔點(diǎn)金屬層72與主電極71接觸。
此外，在該冷陰極結(jié)構(gòu)中，形成了四個(gè)發(fā)射極片105，圍繞四個(gè)發(fā)射極片的柵電極104，和包圍四個(gè)發(fā)射極片105和柵電極104的主電極71。
此外，所形成的發(fā)射極片和柵電極的數(shù)量不受限制，只要能接觸外圍主電極71即可。
如圖6所示那樣，在該冷陰極結(jié)構(gòu)中，例如當(dāng)雜質(zhì)51造成發(fā)射極片105A和柵電極104之間發(fā)生短路狀態(tài)時(shí)，高電流通過柵電極104從發(fā)射極片105A流向基電極102和主電極之間的間隔，對(duì)應(yīng)于柵電極104的低熔點(diǎn)金屬層72蒸發(fā)，因此開放發(fā)射極片105A和柵電極之間的間隔。
因此，有可能在其余的發(fā)射極片105和柵電極之間施加正常的電壓。
而且，當(dāng)上述冷陰極用于CRT(陰極射線管)時(shí)，通過利用控制電極和聚焦電極控制從冷陰極的每個(gè)發(fā)射極片105發(fā)射的電子的方向，有可能在熒光屏上得到微小的電子束斑，并且顯示具有高圖像質(zhì)量的圖像或字符。
圖8表示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)。標(biāo)號(hào)81表示聚焦電極。
如圖8所示，通過柵電極104上的絕緣層103將聚焦電極81安裝在每個(gè)發(fā)射極片105上，以便聚焦從發(fā)射極片105發(fā)射的電子束106。
與圖6相同，在該實(shí)施例中，在發(fā)射極片105和基電極102之間形成低熔點(diǎn)金屬層72。
圖9A和9B表示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的冷陰極結(jié)構(gòu)，圖9A是表示冷陰極結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖9B是表示冷陰極結(jié)構(gòu)的剖面圖。此處，標(biāo)號(hào)91表示控制電極。
如圖9A和9B所示，在二維平面上設(shè)置多個(gè)發(fā)射極片105，并且如圖8一樣安裝聚焦電極81，在聚焦電極81的上部形成控制電極91，在控制電極91和聚焦電極81之間有絕緣層103。
如圖10所示，控制電極91用于防止其它電極的電場(chǎng)影響發(fā)射極片105的電子發(fā)射特性。
圖10表示使用圖9A～9B的冷陰極的電子槍的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖10所示，在對(duì)應(yīng)于圖9的冷陰極結(jié)構(gòu)的陰極部分1001中，以一定間隔在控制電極91的前面設(shè)置(形成)用于形成主電子透鏡1004的第一聚焦電極1002和第二聚焦電極1003。
而且，聚焦來(lái)自陰極部分1001的電子束106，以便利用主電子透鏡1004的聚焦作用在熒光屏上得到微小的電子束斑。
此外，在控制電極91和第一聚焦電極1002之間形成自由聚焦電子透鏡1005，以便使電子束入射到主電子透鏡1004上的入射角較小，并且使聚焦在熒光屏上的電子束斑更小。
此外，在本發(fā)明中，用于接觸電子束的主電子透鏡1004不會(huì)使電子束在冷陰極的前面形成交叉(參見圖3的標(biāo)號(hào)16)。
同時(shí)，在使用根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍中，因?yàn)榭梢岳霉饪碳夹g(shù)形成陰極部分，所以可以非常精確地確定當(dāng)前彩色CRT(陰極射線管)使用的三個(gè)陰極部分(用于RGB(紅，綠，藍(lán))的每個(gè)陰極)的位置，因此可以減少諸如色純度調(diào)整，會(huì)聚調(diào)整等的制造工序。
此外，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖3的結(jié)構(gòu)相比，在根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)中第一控制電極10和第二控制電極11是不必要的，因此簡(jiǎn)化了整體結(jié)構(gòu)。
如上所述，因?yàn)楸景l(fā)明中的電子發(fā)射不是利用加熱絲加熱而是利用電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)的，本發(fā)明可以減少用于加熱冷陰極的功率，并且可以在屏幕上即刻顯示數(shù)據(jù)和圖像。因此，有可能減少用于顯示圖像的等待時(shí)間。
此外，在形成具有良好電子發(fā)射特性的冷陰極結(jié)構(gòu)時(shí)，本發(fā)明可以簡(jiǎn)化聚焦電子束的電子透鏡等的結(jié)構(gòu)，并可以在熒光屏上得到微小的電子束斑。
此外，當(dāng)將本發(fā)明應(yīng)用于彩色CRT時(shí)，因?yàn)榭梢岳霉饪碳夹g(shù)在同一基底上同時(shí)形成根據(jù)本發(fā)明的冷陰極，因此可以形成三個(gè)具有非常精確位置的冷陰極，并且可以改進(jìn)電子槍的組裝精度。
權(quán)利要求
1．一種場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)，具有以一定間隔在基電極上形成的多個(gè)發(fā)射極片和在每個(gè)發(fā)射極片的周圍形成的柵電極，在基電極和柵電極之間有用于絕緣的絕緣層，并且在基電極和柵電極之間施加一定的DC電壓，該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)包括在基電極和每個(gè)發(fā)射極片之間形成的低熔點(diǎn)金屬層。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)，其中在柵電極的上部形成聚焦電極，在聚焦電極和柵電極之間有絕緣層，并且在聚焦電極的上部形成控制電極，在控制電極和聚焦電極之間有絕緣層。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)，其中在柵電極的上部形成聚焦電極，在聚焦電極和柵電極之間有絕緣層。
4．一種場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)，具有以一定間隔在基電極上形成的多個(gè)發(fā)射極片和在每個(gè)發(fā)射極片的周圍各自形成的柵電極，并且利用一絕緣層使基電極和柵電極絕緣，該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)包括在每個(gè)發(fā)射極片的周圍各自形成的柵電極；在圍繞柵電極的外圓周上安裝的主電極；和在主電極和柵電極之間形成的低熔點(diǎn)金屬層。
5．根據(jù)權(quán)利要求4的場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)，其中在基電極和主電極之間施加一定電壓。
6．一種使用場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍，該場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)具有陰極部分，主電子透鏡，第一和第二聚焦電極，其中陰極部分包括以一定間隔在基電極上形成的多個(gè)發(fā)射極片；在每個(gè)發(fā)射極片的周圍形成的柵電極；在基電極和每個(gè)發(fā)射極片之間形成的低熔點(diǎn)金屬層；在柵電極的上部形成的聚焦電極，在聚焦電極和柵電極之間有絕緣層；在聚焦電極的上部形成的控制電極，在控制電極和聚焦電極之間有絕緣層；和在控制電極的前面形成的第一和第二聚焦電極。
7．根據(jù)權(quán)利要求6的使用場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍，其中通過絕緣層將基電極和柵電極絕緣。
8．根據(jù)權(quán)利要求6的使用場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍，其中從多個(gè)發(fā)射極片發(fā)射的電子束被聚焦在由第一和第二聚焦電極形成的主電子透鏡上，而沒有形成交叉。
9．根據(jù)權(quán)利要求6的使用場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)的電子槍，其中根據(jù)每個(gè)R,G,B顏色各自形成陰極部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及場(chǎng)致發(fā)射型冷陰極結(jié)構(gòu)和使用該冷陰極的電子槍,能夠防止由滲透到陰極部分中的雜質(zhì)等造成的電子發(fā)射誤差。本發(fā)明包括在基電極和每個(gè)發(fā)射極片之間形成的低熔點(diǎn)金屬層,在柵電極的上部形成的聚焦電極,和在聚焦電極的上部形成的控制電極,在聚焦電極和柵電極之間以及在控制電極和聚焦電極之間有絕緣層,因此本發(fā)明可以減少用于加熱冷陰極的功率,并可以在屏幕上即刻顯示數(shù)據(jù)和圖像。因此,有可能減少用于顯示圖像的等待時(shí)間。
文檔編號(hào)H01J29/04GK1314691SQ0110919
公開日2001年9月26日 申請(qǐng)日期2001年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月22日
發(fā)明者富井薰 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社