專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)等離子顯示器的制造方法，具體地說(shuō)，是在等離子顯示器制作時(shí)，在上板電介質(zhì)層的燒成工序后，通過(guò)再燒成，修復(fù)電介質(zhì)層上生成的缺陷的一種等離子顯示器的制造方法。
背景技術(shù)：
一般說(shuō)來(lái)，等離子顯示器以形成在前面基板和后面基板之間的間隔壁形成一個(gè)單位元件，在各元件內(nèi)充入以氖氣(Ne)，氦氣(He)或氖氣(Ne)和氦氣(He)混合氣體(Ne+He)為主的放電氣體和含有少量氙的惰性氣體。在高頻電壓作用下進(jìn)行放電時(shí)，惰性氣體生成真空紫外線(xiàn)(Vacuum Ultraviolet rays)，并使形成在間隔壁之間的熒光體發(fā)光形成圖像。如上所述，因?yàn)榈入x子顯示器可以具有薄而輕的構(gòu)造，所以成為受人矚目的顯示器裝置換代產(chǎn)品。
圖1所示為普通的等離子顯示器的構(gòu)造圖。如圖1所示，在等離子顯示器中的播放圖像的顯示面-前面玻璃101上，掃描電極102和維持電極103結(jié)成一對(duì)，其所形成的多個(gè)維持電極對(duì)排列的前面基板100上；在形成背面的后面玻璃111上，多個(gè)目標(biāo)電極113以和上述多個(gè)維持電極對(duì)相交叉的方向，排列在后面基板110上；前面基板和后面基板間隔一定距離，平行結(jié)合。
前面基板100包括掃描電極102及維持電極103，二者在一個(gè)放電元件中相互放電，以維持元件發(fā)光，即掃描電極102及維持電極103具有用透明ITO物質(zhì)制成的透明電極(a)和用金屬材質(zhì)制作的緩沖電極(b)，掃描電極102及維持電極103結(jié)成一對(duì)。掃描電極102和維持電極103控制施放電流，被兩組電極間絕緣的一個(gè)以上的上部電介質(zhì)層104所覆蓋。在上部電介質(zhì)層104上，為易于產(chǎn)生放電條件，形成附著氧化鎂(MgO)的保護(hù)層105。
后面基板110具有多個(gè)放電空間，即為使放電元件形成的線(xiàn)條型(或井式)的間隔壁112保持平行排列。還有目標(biāo)進(jìn)行放電，使真空紫外線(xiàn)生成的多個(gè)目標(biāo)電極113被間隔壁112被平行分布。在后面基板110的側(cè)面，涂有目標(biāo)放電時(shí)發(fā)出圖像的可見(jiàn)光的R，G，B熒光體114。在目標(biāo)電極113和熒光體114之間，形成為保護(hù)目標(biāo)電極113的下部電介質(zhì)層115。
具有上述構(gòu)造的等離子顯示器的制造方法如圖2所示。
圖2所示為現(xiàn)有的等離子顯示器上板的制造工序順序圖。
如圖2所示，等離子顯示器的制造過(guò)程如下。
S100，首先，在上部基板上形成上部電極一掃描電極102和維持電極103。這時(shí)，上述維持電極103使用附著有氧化銦或氧化錫的透明電極{ITO(Imdium-TinOxide)}。
S110，因此，為使壁電荷生成，使驅(qū)動(dòng)電壓降低，將電介質(zhì)涂料涂在掃描電極102和維持電極103所形成的前面玻璃101上。
S120，進(jìn)行干燥和燒成，形成電介質(zhì)層104。電介質(zhì)層104是以氧化鉛為主要成份的低熔點(diǎn)的玻璃物質(zhì)。
S130，因此，為防止電介質(zhì)層104發(fā)生損傷，形成了電介質(zhì)保護(hù)層105。這樣等離子顯示器的前面基板100全部完成。這時(shí)，電介質(zhì)保護(hù)層105使用氧化鎂(MgO)，利用電子光束附著法等制造工序制成。
但是，如前所述，在形成電介質(zhì)層后的干燥及修復(fù)的過(guò)程中，如圖3和圖4所示，因?yàn)殡娊橘|(zhì)層104未完全燒成，出現(xiàn)由于透過(guò)率低下和出現(xiàn)氣泡200而引起的絕緣被破壞的問(wèn)題。
如果因?yàn)殡娊橘|(zhì)層104未完全燒成而出現(xiàn)透過(guò)率降低的現(xiàn)象，放電電壓中效率降低，如圖3所示，判定因未完全燒制成而對(duì)上板造成缺陷是指在燒制工序時(shí)，因熱量不足，氣泡200無(wú)法排到電介質(zhì)的外面，在電介質(zhì)層104表面附近形成，如圖4所示，使可見(jiàn)光散亂，透光率降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明正是為解決目前存在的上述問(wèn)題而提出的。本發(fā)明的目的是提供有關(guān)電介質(zhì)層修復(fù)工序后，為去除因未修復(fù)而在電介質(zhì)層表面形成的氣泡，用RTA(Rapid Thermal Annealing快速熱處理技術(shù))或等離子表面處理方法去除產(chǎn)生氣泡的結(jié)合部分的一種等離子顯示器的制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的等離子顯示器的制造方法包括以下五個(gè)步驟，一是在形成掃描電極和維持電極的前面基板上，涂上可以覆蓋上述掃描電極和維持電極的電介質(zhì)涂料的步驟；二是干燥電介質(zhì)涂料，形成電介質(zhì)層的步驟；三是檢查電介質(zhì)層表面上是否存在形成氣泡缺陷的步驟；四是對(duì)電介質(zhì)層表面再燒成，除去因產(chǎn)生氣泡而出現(xiàn)的缺陷的修復(fù)步驟；五是為防止電介質(zhì)層的損傷，形成電介質(zhì)保護(hù)層的步驟。
在這里，本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，其特征在于修復(fù)步驟是通過(guò)對(duì)電介質(zhì)層表面進(jìn)行快速熱處理(RTA)或等離子表面處理來(lái)進(jìn)行再燒制，修復(fù)因生成氣泡而產(chǎn)生的缺陷。
還有，本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，其特征在于修復(fù)步驟是對(duì)電介質(zhì)表面整體進(jìn)行再燒成，修復(fù)因生成氣泡而出現(xiàn)的缺陷，或?qū)﹄娊橘|(zhì)層表面的一部分進(jìn)行再燒成，修復(fù)因生成氣泡而產(chǎn)生的缺陷。
本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，其特征在于修復(fù)步驟是用600度以上的溫度對(duì)電介質(zhì)層表面進(jìn)行再燒成，修復(fù)因生成氣泡而產(chǎn)生的缺陷。
本發(fā)明的效果如上所述，在本發(fā)明的等離子顯示器的制造方法中，電介質(zhì)層修復(fù)工序后，因?yàn)樵俅涡迯?fù)了因熱熔量不足而在電介質(zhì)層表面上形成的氣泡，并予以去除，所以不需要對(duì)上板整體表面進(jìn)行缺陷處理，從而節(jié)省了費(fèi)用。
還有，可以防止因未完全燒制成而引起的透過(guò)率低下和絕緣被破壞的問(wèn)題出現(xiàn)。
為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1所示為普通的等離子顯示器的構(gòu)造圖。
圖2所示為現(xiàn)有的等離子顯示器上板的制造工序順序圖。
圖3和圖4所示為現(xiàn)有的等離子顯示器上板電介質(zhì)層因形成氣泡而出現(xiàn)缺陷的示意圖。
圖5所示為按照本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，加入上板電介質(zhì)層的修復(fù)工序的制造過(guò)程順序圖。
圖6所示為按照本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，上板電介質(zhì)層上形成的氣泡去除過(guò)程的示意圖。
圖7所示為按照本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，上板電介質(zhì)層的修復(fù)過(guò)程示意圖。
附圖主要部分符號(hào)說(shuō)明101前面玻璃 104電介質(zhì)層400氣泡具體實(shí)施方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的等離子顯示器的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖5所示為按照本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，加入上板電介質(zhì)層的修復(fù)工序的制造過(guò)程順序圖。
如圖5所示，上述等離子顯示器上板電介質(zhì)的制造工序如下。
S300，首先，在上部基板101上形成上部電極-掃描電極102和維持電極103。
這時(shí)，上述維持電極103使用附著有氧化銦或氧化錫的透明電極{ITO(Imdium-Tin Oxide)}。
S310，為使壁電荷生成，使驅(qū)動(dòng)電壓降低，將電介質(zhì)涂料涂在掃描電極102和維持電極103所形成的前面玻璃101上。
S320，進(jìn)行干燥和燒成，形成電介質(zhì)層104。
S330，接著，電介質(zhì)層104形成后，檢查電介質(zhì)層104燒成后是否出現(xiàn)缺陷。這是因?yàn)樵跓乒ば蛑袝?huì)出現(xiàn)因熱熔量不足而在帶電體層表面上生成氣泡的缺陷。
判定因未完全燒制成而對(duì)上板造成缺陷是指在燒制工序時(shí)，因熱量不足生面的無(wú)法排到電介質(zhì)104的外面，在電介質(zhì)層104表面附近形成，使可見(jiàn)光散亂，透光率降低。
圖6中的(a)所示為因生成上述氣泡400而在電介質(zhì)層104上形成缺陷的示意圖。
S340，圖6中的(b)所示為對(duì)生成氣泡400的電介質(zhì)層表面進(jìn)行快速熱處理RTA(Rapid Thermal Annealing快速熱處理技術(shù))或等離子表面處理來(lái)進(jìn)行再燒制。
圖6中的(c)是去除上述電介質(zhì)層104表面上生成的氣泡400的修復(fù)(repair)工序，即去除因生成氣泡而產(chǎn)生缺陷的工序示意圖。
按照本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，上板電介質(zhì)層上形成的氣泡去除過(guò)程的示意圖。
如果修復(fù)工序完成，可以形成如圖6中的(d)所示的完好平整、無(wú)氣泡缺陷的電介質(zhì)層104，并可以提高可見(jiàn)光的透過(guò)率。
S350，因此，為防止在修復(fù)工序中形成的電介質(zhì)層104出現(xiàn)損傷，在其中形成電介質(zhì)保護(hù)層。
這時(shí)，上述電介質(zhì)保護(hù)層使用氧化鎂，利用電子光束附著法等方法形成。
還有，本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法可以一次修復(fù)整個(gè)電介質(zhì)層表面，或修復(fù)電介質(zhì)層表面的一部分。這種方法如下圖7所示。
圖7所示為按照本發(fā)明中的等離子顯示器的制造方法，上板電介質(zhì)層的修復(fù)過(guò)程示意圖。圖7中的(a)所示為將上述電介質(zhì)層分為A，B，C，D四個(gè)部分進(jìn)行局部修復(fù)的實(shí)施例示意圖。
如圖7中的(a)所示，只有在上述電介質(zhì)層104的C部分上產(chǎn)生氣泡400缺陷時(shí)，只對(duì)產(chǎn)生氣泡的C部分進(jìn)行RTA或等離子處理，除去氣泡。
圖7中的(b)所示為在上述電介質(zhì)層104全部表面上生成氣泡400缺陷的示意圖。以600度以上的高溫，經(jīng)過(guò)生成氣泡400的電介質(zhì)層104所整個(gè)表面，進(jìn)行RTA或等離子表面處理。
本本本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，而并非用作為對(duì)本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器的制造方法，其特征在于包括以下五個(gè)步驟一是在形成掃描電極和維持電極的前面基板上，涂上可以覆蓋上述掃描電極和維持電極的電介質(zhì)涂料的步驟；二是干燥電介質(zhì)涂料，形成電介質(zhì)層的步驟；三是檢查電介質(zhì)層表面上是否存在形成氣泡缺陷的步驟；四是對(duì)電介質(zhì)層表面再燒成，除去因產(chǎn)生氣泡而出現(xiàn)的缺陷的修復(fù)步驟；五是為防止電介質(zhì)層的損傷，形成電介質(zhì)保護(hù)層的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述修復(fù)步驟是通過(guò)對(duì)所述電介質(zhì)層表面進(jìn)行快速熱處理或等離子表面處理來(lái)進(jìn)行再燒制，修復(fù)因生成氣泡而產(chǎn)生的缺陷。
3.如權(quán)利要求1的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述修復(fù)步驟是對(duì)電介質(zhì)表面整體進(jìn)行再燒成，修復(fù)因生成氣泡而出現(xiàn)的缺陷，或?qū)﹄娊橘|(zhì)層表面的一部分進(jìn)行再燒成，修復(fù)因生成氣泡而產(chǎn)生的缺陷。
4.如權(quán)利要求1或3所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述修復(fù)步驟是用600度以上的溫度對(duì)電介質(zhì)層表面進(jìn)行再燒成，修復(fù)因生成氣泡而產(chǎn)生的缺陷。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)等離子顯示器的制造方法，是等離子顯示器制作時(shí)，在上板電介質(zhì)層的燒成工序后，通過(guò)再燒成，修復(fù)電介質(zhì)層上所生成缺陷的方法，包括以下五個(gè)步驟，一是在形成掃描電極和維持電極的前面基板上，涂上可以覆蓋上述掃描電極和維持電極的電介質(zhì)涂料的步驟；二是干燥電介質(zhì)涂料，形成電介質(zhì)層的步驟；三是檢查電介質(zhì)層表面上是否存在形成氣泡缺陷的步驟；四是對(duì)電介質(zhì)層表面再燒成，除去因產(chǎn)生氣泡而出現(xiàn)的缺陷的修復(fù)步驟；五是為防止電介質(zhì)層的損傷，形成電介質(zhì)保護(hù)層的步驟。本發(fā)明由于不需要對(duì)整個(gè)上板進(jìn)行缺陷處理，所以節(jié)省了費(fèi)用，同時(shí)還具有可以防止因未完全燒制成而引起的透過(guò)率低下和絕緣被破壞的問(wèn)題出現(xiàn)。
文檔編號(hào)H01J9/50GK101030511SQ20061002419
公開(kāi)日2007年9月5日 申請(qǐng)日期2006年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月28日
發(fā)明者李光雨 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(南京)等離子有限公司