專利名稱：等離子區(qū)顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于等離子區(qū)顯示板的技術(shù)，更詳細(xì)地講就是關(guān)于包括電極的等離子區(qū)顯示板。
背景技術(shù)：
一般的等離子區(qū)顯示板(Plasma Display Panel下面稱作“PDP”)都是利用He+Xe或是Ne+Xe惰性混合氣體的放電時產(chǎn)生的147nm的紫外線使熒光體發(fā)光，因此可以顯示包括文字或是圖解的畫像。
這樣的PDP不僅容易實(shí)現(xiàn)薄膜化和大形化，而且對最近技術(shù)開發(fā)也起到了幫助作用還提供了高質(zhì)量的畫面。
尤其是，3電極交流面放電形PDP放電時在表面積累了壁電荷，放電產(chǎn)生的噴射保護(hù)了電極，所以具有低電壓驅(qū)動和長壽命的優(yōu)點(diǎn)。
圖1是現(xiàn)有的等離子區(qū)顯示板的構(gòu)造改良圖。如圖所示PDP100是顯示畫像的顯示面的前面基板10和形成后面的后面基板20間隔一定距離而平行結(jié)合的。
前面基板10在下方一個像素中設(shè)置有根據(jù)相互放電來維持單元發(fā)光的維持電極11，即形成一對設(shè)置有透明物質(zhì)形成的透明電極11a和金屬物質(zhì)制作成的總線電極11b的維持電極11。
維持電極11限制放電電流的話，由絕緣電耦合之間的電介質(zhì)12蓋著，為了容易實(shí)現(xiàn)放電條件在電介質(zhì)12上面形成蒸發(fā)氧化鎂(MgO)的保護(hù)層13。
數(shù)個放電空間即為了形成單元的隔壁21為了維持平行而被排列著，與上述維持電極11交叉的部位中進(jìn)行地址放電，然后在后面基板20上形成產(chǎn)生真空紫外線的數(shù)個地址電極22。
另外，地址放電時放出為了畫像顯示的可見光線的R，G，B熒光體23在后面基板20的上側(cè)面中被噴射。
圖2a和圖2b以及圖2c是現(xiàn)有等離子區(qū)顯示板的又一不同構(gòu)造的改良圖。如圖2a和圖2b所示，地址電極110、掃描電極112及維持電極114形成于前面基板100上。
首先，透明電極110a形成于前面基板100中，在透明電極110a長度方向的邊緣上至少形成一個以上的金屬電極110b。在這里，地址電極110包括透明電極110a和金屬電極110b?，F(xiàn)有的等離子區(qū)顯示板的構(gòu)造是這樣的，前面基板100上只形成掃描電極和維持電極。但是，本發(fā)明中在前面基板100上形成包括透明電極110a和金屬電極110b的地址電極110。在這里，地址電極110包括透明電極110a和金屬電極110b，就是為了在掃描電極112和地址放電時形成更多的壁電荷。
之后，第1電介質(zhì)層122a形成于金屬電極110b上。
這時，第1電介質(zhì)層122a可以起到防止以后形成制造工序的地址電極110和掃描電極112及維持電極114電短路的作用。
之后，設(shè)置形成于前面基板100的數(shù)個地址電極110和與地址電極110交叉形成于地址電極110上的劃分放電空間的數(shù)個第1橫壁116及第2橫壁118。這時，第1橫壁116及第2橫壁118周圍形成金屬物質(zhì)的電極，它起到掃描電極112和維持電極114的作用。
在這里，為了AC驅(qū)動形成蓋住第1橫壁116及第2橫壁118和掃描電極112及維持電極114的第2電介質(zhì)層122b，之后形成容易2次電子放出的蒸發(fā)氧化鎂(MgO)的保護(hù)層。
這時，氧化鎂(MgO)的蒸發(fā)面積與第1橫壁116及第2橫壁118形成的蒸發(fā)一樣，蒸發(fā)面積可以增至到最大程度，因此可以提高放電特性。
另外，根據(jù)掃描電極112和維持電極114構(gòu)成的寬幅的放電縫隙由于產(chǎn)生了陽輝區(qū)區(qū)域的紫外線，因此可以提高輝度及發(fā)光效率。
一方面，前面基板100的掃描電極112及維持電極114之間形成的放電空間與形成于后面基板200的熒光體130發(fā)光空間是被分離而形成的。
這時，由放電空間135內(nèi)形成于第1橫壁116側(cè)面的掃描電極112和放電空間135內(nèi)與掃描電極112相視形成于第2橫壁118的側(cè)面的維持電極114形成的前面基板100的反向的后面基板200上形成第3橫壁126及第4橫壁128。
在這里，雖然沒有圖示，但是第1豎壁(未圖示)和第2豎壁(未圖示)與第1橫壁116及第2橫壁118交叉形成于地址電極110之間，第3豎壁(未圖示)和第4豎壁(未圖示)與第3橫壁126及第4橫壁128交叉形成于發(fā)光空間之間。
這樣的第1豎壁(未圖示)及第2豎壁(未圖示)和第3豎壁(未圖示)及第4豎壁(未圖示)理想狀態(tài)就是相互重疊形成。
之后，熒光體層130在第3橫壁126和第4橫壁128之間的發(fā)光空間被噴射，理想狀態(tài)就是熒光體層也在第3豎壁和第4豎壁中被噴射。
如上所述的本發(fā)明的等離子區(qū)顯示板的構(gòu)造是第1橫壁116及第2橫壁118和第3橫壁126及第4橫壁128分別重疊形成二個空間，前面基板100上形成的空間因?yàn)槭欠烹娍臻g135，利用形成于第1橫壁116和第2橫壁118中的掃描電極112和維持電極114的反向放電而且利用放電區(qū)中陽輝區(qū)(Positive Column)區(qū)域，所以會產(chǎn)生等離子區(qū)放電。
另外，后面基板200上形成的空間中熒光體130被噴射的話，接收根據(jù)等離子區(qū)放電產(chǎn)生的紫外線，因此就會產(chǎn)生可見光。
現(xiàn)有的技術(shù)是由于放電縫隙很窄，所以通過陰極電輝發(fā)光效率很低，但是根據(jù)本發(fā)明的掃描電極112和維持電極114構(gòu)成的寬幅的放電縫隙由于會產(chǎn)生陽輝區(qū)區(qū)域的紫外線，所以就可以提高輝度及發(fā)光效率。
如上所述本發(fā)明的等離子區(qū)顯示板的構(gòu)造是把前面基板100的掃描電極112和維持電極114之間形成的放電空間135與后面基板200上形成的熒光體130發(fā)光空間分離開。這樣的構(gòu)造在后面玻璃基板200的情況時是完全由電被分離的。因此熒光體130發(fā)光空間與圖2c一樣沒有受到電場140的影響，所以就不會出現(xiàn)由于激活電荷的粒子引起的碰撞現(xiàn)象。因此不存在熒光體130劣化問題，所以壽命就會變長。
但是，上述的放電空間和發(fā)光空間被分離的構(gòu)造由于在前面基板上形成的透明電極的面電阻會很大，因此電流的消耗就會增多，消費(fèi)電力就會提高。接著放電開始電壓就會變大，抖動特性也會惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決如上所述的問題而提出來的，本發(fā)明的目的在于提供一種等離子區(qū)顯示板，就是在透明電極中形成一個以上的多角形模樣的孔及圓形模樣的孔或是橢圓形模樣的孔，形成與地址電極連接的金屬電極，這樣就會減小透明電極的面電阻，因此可以減少消費(fèi)電力。
為了實(shí)現(xiàn)如上所述目的，本發(fā)明的等離子區(qū)顯示板設(shè)置有包括透明電極及金屬電極的地址電極、蓋住地址電極形成的第1電介質(zhì)層、與地址電極交叉形成于第1電介質(zhì)層上的劃分放電空間的第1橫壁及第2橫壁、在放電空間內(nèi)形成于第1橫壁的側(cè)面的掃描電極、放電空間內(nèi)與掃描電極相視形成于上述第2橫壁的側(cè)面的維持電極，其特征在于在透明電極上形成至少一個以上的孔。
另外，其特征在于孔是多角形模樣的。
另外，其特征在于孔是圓形模樣的或是橢圓形模樣的。
另外，其特征在于補(bǔ)助電極連接在地址電極上。
另外，其特征在于還設(shè)置有蓋住第1橫壁及第2橫壁和掃描電極及維持電極的第2電介質(zhì)層。
另外，其特征在于還設(shè)置有第1橫壁及第2橫壁交叉形成于前面基板上的話，地址電極之間形成的第1豎壁及第2豎壁、與前面基板反向形成于后面基板上的第3橫壁及第4橫壁、與第3橫壁及第4橫壁交叉形成的第3豎壁及第4豎壁、在第3橫壁及第4橫壁和第3豎壁及第4豎壁之間形成的熒光體層。
另外，其特征在于如果第1橫壁及第2橫壁和第3橫壁及第4橫壁相互重疊形成的話，第1豎壁及第2豎壁和第3豎壁及第4豎壁也會重疊形成。
另外，其特征在于在透明電極長度方向的邊緣上至少形成一個以上金屬電極。
本發(fā)明的效果如上所述，本發(fā)明的等離子區(qū)顯示板可以達(dá)到的效果是在透明導(dǎo)電體層上形成一個以上的孔和與地址電極連接的補(bǔ)助電極，因?yàn)榭梢越档兔骐娮韬拖M(fèi)電力，所以使放電開始時電壓變小，從而改善了抖動特性。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1是現(xiàn)有3電極交流面放電形等離子區(qū)顯示板的構(gòu)造圖。
圖2a和圖2b及圖2c是現(xiàn)有等離子區(qū)顯示板的構(gòu)造改良圖。
圖3a是本發(fā)明的第1實(shí)施例的等離子區(qū)顯示前面基板的構(gòu)造改良圖。
圖3b是本發(fā)明的第2實(shí)施例圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對本發(fā)明的等離子區(qū)顯示板的實(shí)施例進(jìn)行更為詳細(xì)地說明。
圖3a由于是本發(fā)明的第1實(shí)施例，因此是等離子區(qū)顯示前面面板的構(gòu)造改良圖。首先，本發(fā)明的等離子區(qū)顯示板的構(gòu)造與圖2a至圖2c所示的相同。其中，包括透明電極315、地址電極322、掃描電極311、維持電極312。只是，如圖3a所示，透明電極315中形成一個以上的孔335，這樣的孔335雖然是多角形模樣的，也可以是圓形模樣及橢圓形模樣的。
與此相同，透明電極315中形成一個以上的孔335就是為了減小透明電極315的面電阻，從而降低消費(fèi)電力。接著，放電開始電壓也會變小，從而改善總的驅(qū)動電路的抖動特性。
之后形成的過程與圖2a至圖2b所示的相同，故省略該說明。
圖3b是本發(fā)明的第2實(shí)施例圖。首先，本發(fā)明的第2實(shí)施例與圖3a上述的第1實(shí)施例是相同的。而且，還與圖3b所示的相同，透明電極315中形成一個以上的孔335，這樣的孔335雖然是圓形模樣的，也可以是多角形模樣及橢圓形模樣的。
上述的透明電極315中形成一個以上的孔335就是為了與圖3a一樣減小透明電極315的面電阻，從而降低消費(fèi)電力。接著，還可以使放電開始電壓變小，從而改善驅(qū)動電路的抖動特性。
一方面，與圖3a不同的就是與地址電極322連接的金屬物質(zhì)的補(bǔ)助電極322a形成于透明電極315上，因此可以更減小透明電極315的面電阻，從而提高驅(qū)動時產(chǎn)生的消費(fèi)電力的所得。
之后形成的過程與圖3a上述的過程相同，故省略該說明。
本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實(shí)施例僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子區(qū)顯示板，設(shè)置有包括形成于前面基板上的透明電極及金屬電極的地址電極；蓋住上述地址電極形成的第1電介質(zhì)層；與上述地址電極交叉形成于上述第1電介質(zhì)層上的劃分放電空間的第1橫壁及第2橫壁；上述放電空間內(nèi)形成于上述第1橫壁的側(cè)面的掃描電極；上述放電空間內(nèi)與上述掃描電極相視形成于上述第2橫壁的側(cè)面的維持電極，其特征在于在上述透明電極上形成至少一個以上的孔。
2.如權(quán)利要求1所述等離子區(qū)顯示板，其特征在于上述孔是多角形模樣的。
3.如權(quán)利要求1所述等離子區(qū)顯示板，其特征在于上述孔是圓形模樣或是橢圓形模樣的。
4.如權(quán)利要求1所述等離子區(qū)顯示板，其特征在于在上述地址電極上連接有補(bǔ)助電極。
5.如權(quán)利要求1所述等離子區(qū)顯示板，其特征在于還設(shè)置有蓋住上述第1橫壁及第2橫壁和上述掃描電極及維持電極形成的第2電介質(zhì)層。
6.如權(quán)利要求1所述等離子區(qū)顯示板，其特征在于還設(shè)置有在上述第1橫壁及第2橫壁交叉形成于上述前面基板上，上述地址電極之間形成的第1豎壁及第2豎壁、與上述前面基板反向的后面基板上形成的第3橫壁及第4橫壁、與上述第3橫壁及第4橫壁交叉形成的第3豎壁及第4豎壁、上述第3橫壁及第4橫壁和上述第3豎壁及第4豎壁上形成的熒光體層。
7.如權(quán)利要求6所述等離子區(qū)顯示板，其特征在于上述第1橫壁及第2橫壁和上述第3橫壁及第4橫壁相互重疊形成的話，上述第1豎壁及第2豎壁和上述第3豎壁及第4豎壁也會相互重疊形成的。
8.如權(quán)利要求1所述等離子區(qū)顯示板，其特征在于上述透明電極長度方向的邊緣上至少形成一個以上的上述金屬電極。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于等離子區(qū)顯示板，是包括電極的等離子區(qū)顯示板，設(shè)置有包括前面基板上形成的透明電極及金屬電極的地址電極、蓋住地址電極形成的第1電介質(zhì)層、與地址電極交叉形成于第1電介質(zhì)層上的劃分放電空間的第1橫壁及第2橫壁、放電空間內(nèi)形成于第1橫壁的側(cè)面的掃描電極、放電空間內(nèi)與掃描電極相視形成于第2橫壁側(cè)面的維持電極，之后在透明電極上形成至少一個以上的孔。本發(fā)明在透明導(dǎo)電體層上形成一個以上的孔和與地址電極連接的補(bǔ)助電極，因?yàn)榭梢越档兔骐娮韬拖M(fèi)電力，所以使放電開始時電壓變小，從而改善了抖動特性。
文檔編號H01J17/49GK101026069SQ20061002394
公開日2007年8月29日 申請日期2006年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月17日
發(fā)明者金鴻昨 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司