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一種顯示面板及其陣列基板的制作方法

文檔序號:10723583閱讀:398來源:國知局
一種顯示面板及其陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種顯示面板及其陣列基板。該陣列基板包括:多條掃描線,設(shè)置在基板上;多條數(shù)據(jù)線設(shè)置在基板上,并且與多條掃描線交替設(shè)置,形成多個像素單元,每個像素單元包括像素電極;過孔與像素電極的連接部對應(yīng)設(shè)置;像素電極設(shè)置有鏤空部,鏤空部與連接部相鄰設(shè)置。通過上述方式,本發(fā)明能夠避免其他位置的液晶分子亂倒,進而降低按壓液晶擴散的不良風(fēng)險。
【專利說明】
一種顯示面板及其陣列基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種顯示面板及其陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,在常規(guī)小尺寸、高分辨率液晶顯示屏的像素單元設(shè)計中,為了提高像素單元的穿透率,通常采取將源極連接開口區(qū)的過孔設(shè)置在開口去的角落中。由于過孔連接的電極為源極金屬層和像素電極層,因此過孔處的地勢相對于像素電極的其他位置要高一些,進而電場強。
[0003]在液晶顯示屏正常點亮狀態(tài)時,過孔處的液晶會受到強電場和高地勢的影響向過孔傾倒,引起其他位置的液晶亂倒,會存在按壓液晶擴散不良的風(fēng)險。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種顯示面板及其陣列基板,以解決現(xiàn)有技術(shù)存在按壓液晶擴散不良的風(fēng)險的技術(shù)問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種陣列基板,其包括:
[0006]基板;
[0007]多條掃描線,設(shè)置在基板上;
[0008]多條數(shù)據(jù)線,設(shè)置在基板上,并且與多條掃描線交替設(shè)置,形成多個像素單元,每個像素單元包括像素電極;
[0009]過孔,與像素電極的連接部對應(yīng)設(shè)置;
[0010]其中,像素電極設(shè)置有鏤空部,鏤空部與連接部相鄰設(shè)置。
[0011]其中,陣列基板進一步包括多個薄膜晶體管,薄膜晶體管的柵極與對應(yīng)的掃描線連接,薄膜晶體管的源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接,薄膜晶體管的漏極與對應(yīng)的像素電極連接。
[0012]其中,像素電極的連接部通過過孔與薄膜晶體管的漏極連接。
[0013]其中,鏤空部的形狀為L型。
[0014]為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種顯示面板,其包括陣列基板,該陣列基板包括:
[0015]基板;
[0016]多條掃描線,設(shè)置在基板上;
[0017]多條數(shù)據(jù)線,設(shè)置在基板上,并且與多條掃描線交替設(shè)置,形成多個像素單元,每個像素單元包括像素電極;
[0018]過孔,與像素電極的連接部對應(yīng)設(shè)置;
[0019]其中,像素電極設(shè)置有鏤空部,鏤空部與連接部相鄰設(shè)置。
[0020]其中,陣列基板進一步包括多個薄膜晶體管,薄膜晶體管的柵極與對應(yīng)的掃描線連接,薄膜晶體管的源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接,薄膜晶體管的漏極與對應(yīng)的像素電極連接。
[0021]其中,像素電極的連接部通過過孔與薄膜晶體管的漏極連接。
[0022]其中,顯示面板進一步包括彩膜基板和液晶層,彩膜基板與陣列基板相對設(shè)置,液晶層設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間。
[0023]其中,液晶層與鏤空部對應(yīng)的液晶分子保持垂直狀態(tài)。
[0024]其中,鏤空部的形狀為L型。
[0025]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明提供的陣列基板的過孔與像素電極的連接部對應(yīng)設(shè)置,像素電極設(shè)置有鏤空部,鏤空部與連接部相鄰設(shè)置,由于鏤空部處呈現(xiàn)一條暗紋,避免其他位置的液晶分子亂倒,進而降低按壓液晶擴散的不良風(fēng)險。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,進一步可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中:
[0027]圖1是本發(fā)明第一實施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0028]圖2是圖1中陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖;
[0029]圖3是圖2中沿1-1的剖視圖;
[0030]圖4是圖1中顯示面板正常點亮?xí)r的模擬效果圖;
[0031 ]圖5是本發(fā)明第一實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0032]圖6是本發(fā)明第一實施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0033]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0034]請參見圖1-3所示,圖1是本發(fā)明第一實施例的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3是圖2中沿1-1的剖視圖。如圖1所示,本實施例所揭示的顯示面板10包括陣列基板11、彩膜基板12以及液晶層13,其中彩膜基板12與陣列基板11相對設(shè)置,液晶層13設(shè)置在陣列基板11和彩膜基板12之間。
[0035]如圖2所示,陣列基板11包括基板111、多條掃描線Gl,G2……,Gn、多條數(shù)據(jù)線D1,D2……,Dn、多個像素單元112、多個薄膜晶體管Tl,T2……,Τη以及過孔113。其中,多條掃描線G1,G2……,Gn設(shè)置在基板111上,多條數(shù)據(jù)線D1,D2……,Dn設(shè)置在基板111上,基板111優(yōu)選為玻璃基板。在其他實施例中,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以將基板111設(shè)置為其他材料的基板。
[0036]多條數(shù)據(jù)線Dl,D2……,Dn與多條掃描線Gl,G2……,Gn交替設(shè)置,形成多個像素單元112。每個像素單元112包括像素電極114,像素電極114優(yōu)選為IT0(Indium Tin Oxides,銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜)。
[0037]其中,過孔113與像素電極114的連接部115對應(yīng)設(shè)置,優(yōu)選地過孔113設(shè)置在連接部115的下方。連接部115優(yōu)選地設(shè)置在像素電極114的角落處,在其他實施例中,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員還可以將連接部115設(shè)置在像素電極114的其他位置,例如像素電極114的邊緣位置。
[0038]以下以一個像素單元112進行詳細(xì)說明。
[0039]薄膜晶體管Tl的柵極與對應(yīng)的掃描線Gl連接,薄膜晶體管Tl的源極與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線Dl連接,薄膜晶體管Tl的漏極與對應(yīng)的像素電極114連接。其中,像素電極114的連接部115通過過孔113與薄膜晶體管Tl的漏極連接。
[0040]如圖3所示,在基板111上設(shè)置第一金屬層Ml,以形成薄膜晶體管Tl的柵極;在第一金屬層Ml上設(shè)置第一絕緣層ISl;在第一絕緣層ISl對應(yīng)于柵極的位置上設(shè)置半導(dǎo)體層sd;在第一絕緣層ISl和半導(dǎo)體層sd上設(shè)置第二金屬層M2,以形成薄膜晶體管Tl的源極和漏極;在第二金屬層M2上設(shè)置第二絕緣層IS2;在第二絕緣層IS2上設(shè)置ΙΤ0,以形成像素電極114;其中,第二絕緣層IS2進一步設(shè)置有過孔113,像素電極114的連接部115通過過孔113與第二金屬層M2連接。
[0041]其中,像素電極114進一步設(shè)置有鏤空部116,鏤空部116與連接部115相鄰設(shè)置,SP鏤空部116與過孔113相鄰設(shè)置。具體而言,將與連接部115相鄰的像素電極114進行挖空處理,以形成鏤空部116,并且連接部115與像素電極114的其他部分保持電性連接。
[0042]優(yōu)選地,鏤空部116的形狀設(shè)置為L型。在其他實施例中,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員還可以將鏤空部116的形狀設(shè)置為其他形狀,例如鏤空部116的形狀設(shè)置為弧形。
[0043]在像素單元112正常點亮狀態(tài),即顯示面板10正常點亮?xí)r,即掃描線Gl提供掃描信號,薄膜晶體管Tl導(dǎo)通,數(shù)據(jù)線Dl提供的數(shù)據(jù)信號通過薄膜晶體管Tl輸入至像素電極114;此時,液晶層13與鏤空部116對應(yīng)的液晶分子保持垂直狀態(tài),即在顯示面板10上形成一條暗紋14,如圖4所示。液晶層13與像素電極114除了鏤空部116和連接部115外的其他部分(即其他位置)對應(yīng)的液晶分子均向像素電極114的中心傾倒,因此避免其他位置的液晶分子亂倒,進而降低按壓液晶擴散的不良風(fēng)險。
[0044]本發(fā)明提供第一實施例的陣列基板,如圖5所示,本實施例所揭示的陣列基板50與上述實施例所揭示的陣列基板11完全相同,在此不再贅述。
[0045]本發(fā)明提供第一實施例的液晶顯示裝置,如圖6所示,本實施例所揭示的液晶顯示裝置60包括顯示面板61和背光模組62,顯示面板61設(shè)置在背光模組62的出光方向上,背光模組62用于為顯示面板61提供光源,本實施例所揭示的顯示面板61優(yōu)選為上述實施例所揭示的顯示面板10,在此不再贅述。
[0046]本實施例所揭示的液晶顯示裝置62優(yōu)選為VA型液晶顯示裝置。在其他實施例中,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員還可以將液晶顯示裝置62設(shè)置為其他顯示裝置。
[0047]綜上所述,本發(fā)明提供的陣列基板的過孔與像素電極的連接部對應(yīng)設(shè)置,像素電極設(shè)置有鏤空部,鏤空部與連接部相鄰設(shè)置,由于鏤空部處呈現(xiàn)一條暗紋,避免其他位置的液晶分子亂倒,進而降低按壓液晶擴散的不良風(fēng)險。
[0048]以上所述僅為本發(fā)明的實施方式,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括: 基板; 多條掃描線,設(shè)置在所述基板上; 多條數(shù)據(jù)線,設(shè)置在所述基板上,并且與所述多條掃描線交替設(shè)置,形成多個像素單元,每個所述像素單元包括像素電極; 過孔,與所述像素電極的連接部對應(yīng)設(shè)置; 其中,所述像素電極設(shè)置有鏤空部,所述鏤空部與所述連接部相鄰設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板進一步包括多個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的柵極與對應(yīng)的所述掃描線連接,所述薄膜晶體管的源極與對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接,所述薄膜晶體管的漏極與對應(yīng)的所述像素電極連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極的連接部通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述鏤空部的形狀為L型。5.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括陣列基板,所述陣列基板包括: 基板; 多條掃描線,設(shè)置在所述基板上; 多條數(shù)據(jù)線,設(shè)置在所述基板上,并且與所述多條掃描線交替設(shè)置,形成多個像素單元,每個所述像素單元包括像素電極; 過孔,與所述像素電極的連接部對應(yīng)設(shè)置; 其中,所述像素電極設(shè)置有鏤空部,所述鏤空部與所述連接部相鄰設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板進一步包括多個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的柵極與對應(yīng)的所述掃描線連接,所述薄膜晶體管的源極與對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接,所述薄膜晶體管的漏極與對應(yīng)的所述像素電極連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述像素電極的連接部通過所述過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板進一步包括彩膜基板和液晶層,所述彩膜基板與所述陣列基板相對設(shè)置,所述液晶層設(shè)置在所述陣列基板和所述彩膜基板之間。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述液晶層與所述鏤空部對應(yīng)的液晶分子保持垂直狀態(tài)。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述鏤空部的形狀為L型。
【文檔編號】G02F1/1343GK106094379SQ201610685270
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月17日 公開號201610685270.X, CN 106094379 A, CN 106094379A, CN 201610685270, CN-A-106094379, CN106094379 A, CN106094379A, CN201610685270, CN201610685270.X
【發(fā)明人】趙麗
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
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