顯示裝置、coa基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置、C0A基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]COA (Color Filter on Array)基板所采用的技術(shù)是將一種將彩色濾光片集成在陣列基板上的技術(shù)。相比傳統(tǒng)的CF(彩色濾光片)基板與TFT(薄膜晶體管)基板對(duì)組技術(shù)，C0A技術(shù)提供了一種降低顯示面板制備過程中對(duì)盒制程的難度的設(shè)計(jì)思路。具體來說，在傳統(tǒng)技術(shù)中，為了盡量消除對(duì)組誤差，在設(shè)計(jì)中采用較寬的黑色矩陣(BM)遮光，而在C0A基板中，黑色矩陣可以設(shè)計(jì)為窄線寬，開口率隨之提升。另外，C0A基板通過色阻層增加了像素電極與金屬走線之間的距離，減小了二者間的電容耦合效應(yīng)，金屬線上的信號(hào)延時(shí)效應(yīng)得以改善，面板品質(zhì)得到提升。
[0003]然而，C0A基板在增加金屬走線與像素電極間的距離的同時(shí)，也使得像素電極與金屬走線搭接難度的增加。具體來說，像素電極與金屬走線之間間隔兩層絕緣層和一層彩色濾光片，需要通過一個(gè)很深的過孔搭接。為了防止像素電極斷線或者與金屬走線之間接觸不良，這個(gè)過孔的開孔面積比較大。在后續(xù)的制成中，當(dāng)液晶滴下時(shí)，液晶容易在過孔處聚集，造成過孔附近的液晶偏轉(zhuǎn)不受電壓控制，引起顯示異常，影響顯示裝置的面板的品質(zhì)。
[0004]綜上所述，有必要提供一種顯示裝置、C0A基板及其制造方法以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、C0A基板及其制造方法，能夠提高顯示裝置的面板的品質(zhì)。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種C0A基板的制造方法，包括:在襯底基板上形成薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括設(shè)置在襯底基板上的第一金屬層、設(shè)置在第一金屬層上的第一絕緣層、設(shè)置在第一絕緣層上的半導(dǎo)體活性層以及設(shè)置在半導(dǎo)體活性層上的第二金屬層，第二金屬層形成薄膜晶體管的漏極；在薄膜晶體管上形成第二絕緣層；在第二絕緣層上形成色阻層；在色阻層上形成第三絕緣層；形成露出薄膜晶體管的漏極的至少一個(gè)過孔；該方法還包括:在第三絕緣層上形成ΙΤ0膜層，其中ΙΤ0膜層包括設(shè)置在過孔上的過孔區(qū)域ΙΤ0膜層和設(shè)置在過孔外的非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層；在ΙΤ0膜層上形成光阻層；對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行遮光處理，并對(duì)非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行曝光處理；對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層和非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行顯影處理，以得到覆蓋在過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層塞子。
[0007]其中，非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層包括走線區(qū)域ΙΤ0膜層和非走線區(qū)域ΙΤ0膜層；對(duì)非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行曝光處理包括:對(duì)走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行部分曝光處理，以部分剝離走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層，且對(duì)非走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行完全曝光處理，以全部剝離非走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層。
[0008]其中，對(duì)走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行部分曝光處理包括:利用半透光光罩對(duì)走線區(qū)域ITO膜層上的光阻層進(jìn)行半曝光處理。
[0009]其中，對(duì)所述過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的所述光阻層進(jìn)行顯影處理的步驟之后，該方法還包括:利用蝕刻工藝剝離非走線區(qū)域ΙΤ0膜層。
[0010]其中，利用蝕刻工藝剝離非走線區(qū)域ΙΤ0膜層的步驟之后，該方法還包括:利用干刻工藝對(duì)走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層和過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行處理，以全部剝離走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層，部分剝離在過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層，使得光阻層塞子覆蓋在過孔上。
[0011]其中，裸露在過孔外的光阻層塞子的側(cè)面垂直襯底基板。
[0012]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種C0A基板，包括:襯底基板；設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括設(shè)置在襯底基板上的第一金屬層、設(shè)置在第一金屬層上的第一絕緣層、設(shè)置在第一絕緣層上的半導(dǎo)體活性層以及設(shè)置在半導(dǎo)體活性層上的第二金屬層，第二金屬層形成薄膜晶體管的漏極；設(shè)置在薄膜晶體管上的第二絕緣層，設(shè)置在第二絕緣層上的色阻層；設(shè)置在色阻層上的第三絕緣層以及露出薄膜晶體管的漏極的至少一個(gè)過孔；該C0A基板還包括:設(shè)置在第三絕緣層上的ΙΤ0膜層，其中ΙΤ0膜層包括設(shè)置在過孔上的過孔區(qū)域ΙΤ0膜層；覆蓋在過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層塞子。
[0013]其中，光阻層塞子包括突出部和塞子，塞子填充于過孔內(nèi)，突出部突出于過孔。
[0014]其中，突出部包括與襯底基板平行的水平面以及垂直襯底基板的側(cè)面。
[0015]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任一項(xiàng)的C0A基板。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的C0A基板的制造方法包括:在襯底基板上形成薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成第二絕緣層；在第二絕緣層上形成色阻層；在色阻層上形成第三絕緣層；形成露出薄膜晶體管的漏極的至少一個(gè)過孔；在第三絕緣層上形成ΙΤ0膜層；在1?膜層上形成光阻層；對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行遮光處理，并對(duì)非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行曝光處理；對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層和非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行顯影處理，以得到覆蓋在過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層塞子。通過上述方式，本發(fā)明在不增加光罩的情況下，只是進(jìn)行ΙΤ0光罩的局部修改，并采用半曝光工藝制作C0A基板的像素電極，且利用光阻將過孔的洞口填滿，能夠優(yōu)化面板制作工藝，有效提高面板品質(zhì)。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明C0A基板的制造方法的流程示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明C0A基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0019]圖3是圖2中區(qū)域A的第一實(shí)施例的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是圖2中區(qū)域A的第二實(shí)施例的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0022]如圖1所示，圖1是本發(fā)明C0A基板的制造方法的流程示意圖。該方法包括以下步驟:
[0023]步驟S101:在襯底基板上形成薄膜晶體管。
[0024]其中，薄膜晶體管包括設(shè)置在襯底基板上的第一金屬層、設(shè)置在第一金屬層上的第一絕緣層、設(shè)置在第一絕緣層上的半導(dǎo)體活性層以及設(shè)置在半導(dǎo)體活性層上的第二金屬層。第一金屬層形成薄膜晶體管的柵極，第二金屬層形成薄膜晶體管的漏極和源極。
[0025]步驟S102:在薄膜晶體管上形成第二絕緣層。
[0026]步驟S103:在第二絕緣層上形成色阻層。
[0027]步驟S104:在色阻層上形成第三絕緣層。
[0028]步驟S105:形成露出薄膜晶體管的漏極的至少一個(gè)過孔。
[0029]步驟S106:在第三絕緣層上形成ΙΤ0膜層。
[0030]其中，過孔處的ΙΤ0膜層穿過第三絕緣層、色阻層和第二絕緣層并與第二金屬層信號(hào)連接。Ι??膜層包括設(shè)置在過孔上的過孔區(qū)域ΙΤ0膜層和設(shè)置在過孔外的非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層。在本實(shí)施例中，ΙΤ0膜層貼附在第三絕緣層上的厚度均是相同的，S卩貼附過孔上的過孔區(qū)域ΙΤ0膜層和貼附在過孔外的非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層的厚度一樣。
[0031]步驟S107:在ΙΤ0膜層上形成光阻層。
[0032]其中，光阻層填充在過孔上。應(yīng)理解，本發(fā)明并不限定在ΙΤ0膜層上形成光阻層，還可以在在ΙΤ0膜層上形成其他材料層，只要能夠填充在ΙΤ0膜層上的所有材料都可以。然而，在ΙΤ0膜層上形成其他材料層，即需重新制作多一個(gè)其他材料層的制程，會(huì)增加制作C0A基板的工藝制程，加大設(shè)計(jì)成本。相反，形成光阻層的制程在液晶技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)成熟，本發(fā)明可以直接采用制作光阻層的制程，能夠減少制作C0A基板的工藝制程，降低設(shè)計(jì)成本。
[0033]步驟S108:對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行遮光處理，并對(duì)非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行曝光處理。
[0034]在步驟S108中，非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層包括走線區(qū)域ΙΤ0膜層和非走線區(qū)域ΙΤ0膜層，對(duì)走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行部分曝光處理，且對(duì)非走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行完全曝光處理。
[0035]具體地，利用不透光光罩對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行遮光處理，以保持過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層的厚度不變。利用半透光光罩對(duì)走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行半曝光處理，以部分剝離走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層，即降低走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層的厚度。利用完全透光光罩對(duì)非走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行完全曝光處理，以全部剝離非走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的所述光阻層。
[0036]S卩，執(zhí)行完步驟S108后，過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層的厚度保持不變，走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層的變薄，非走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層全部剝離。
[0037]應(yīng)理解，利用半透光光罩對(duì)走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行處理時(shí)，通過控制光罩的透光強(qiáng)度，能夠改變走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層的厚度，優(yōu)選將走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層的厚度減低為原厚度的一半。當(dāng)然，可以根據(jù)實(shí)際需要，控制光罩的透光強(qiáng)度，將走線區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層的厚度減低為原厚度的三分之一、四分之一或三分之二等。
[0038]步驟S109:對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層和非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行顯影處理。
[0039]在步驟S109中，利用顯影液對(duì)已進(jìn)行遮光處理過的過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行顯影處理，同時(shí)也利用顯影液對(duì)已進(jìn)行曝光處理過的非過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行顯影。
[0040]在一些實(shí)施例中，從步驟S101開始，到步驟S109的顯影處理后，可以直接通過對(duì)過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上的光阻層進(jìn)行遮光處理，保留過孔區(qū)域ΙΤ0膜層上所有的光阻層填充在過孔上，且通過對(duì)非過孔區(qū)域Ι