1的連接線043 ;陣列基板還包括:
[0037]位于各像素區(qū)域內(nèi)的、與數(shù)據(jù)線03電連接的、且與公共電極04相互絕緣的數(shù)據(jù)線修復(fù)線05，并且數(shù)據(jù)線修復(fù)線05在襯底基板上的正投影與子電極041或連接線043在襯底基板01上的正投影有重疊區(qū)域。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于在陣列基板中各像素區(qū)域內(nèi)的增加了與數(shù)據(jù)線電連接的、且與公共電極相互絕緣的數(shù)據(jù)線修復(fù)線，并且數(shù)據(jù)線修復(fù)線在襯底基板上的正投影與子電極或連接線在襯底基板上的正投影有重疊區(qū)域，數(shù)據(jù)線修復(fù)線用于當(dāng)數(shù)據(jù)線斷裂時(shí)，與公共電極一起使斷裂的數(shù)據(jù)線的兩端導(dǎo)通。因此，如圖3a所示，當(dāng)上述陣列基板上的數(shù)據(jù)線03在與柵線02的交疊區(qū)域發(fā)生斷裂時(shí)，可以將斷裂位置兩端距離最近的公共電極線042與數(shù)據(jù)線03在交疊區(qū)域熔接，以及將數(shù)據(jù)線修復(fù)線05與公共電極04在交疊區(qū)域熔接，再將公共電極04進(jìn)行切割(圖中虛線所示為切割線)，使兩個(gè)熔接點(diǎn)06電連接，如圖3b所示，從而使數(shù)據(jù)線03斷裂的兩端通過數(shù)據(jù)線修復(fù)線05以及從公共電極04上切割下來的部分連接起來。即采用數(shù)據(jù)線修復(fù)線05和部分公共電極04作為連接斷裂的數(shù)據(jù)線的介質(zhì)，從而不需要再采用Laser CVD法沉積金屬線，因此，修復(fù)時(shí)間較短，并且極大地提高了陣列基板修復(fù)的成功率。
[0039]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，數(shù)據(jù)線修復(fù)線在襯底基板的正投影與公共電極線在襯底基板的正投影不重疊。
[0040]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖2所示，公共電極線位042于子電極041的一側(cè)，數(shù)據(jù)線修復(fù)線05位于與該公共電極線042相鄰且距離遠(yuǎn)的柵線02與該公共電極線042之間。這樣當(dāng)數(shù)據(jù)線03在與柵線02交疊的區(qū)域發(fā)生斷裂時(shí)，用于連接該斷裂的數(shù)據(jù)線03兩端的公共電極線042與數(shù)據(jù)線修復(fù)線05之間的距離相對(duì)較小，從而可以減少從公共電極04上切割下來的部分。
[0041]因此，進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，位于柵線02與公共電極線042之間的數(shù)據(jù)線修復(fù)線05設(shè)置于靠近柵線02 —側(cè)。即數(shù)據(jù)線修復(fù)線05越靠近柵線02，數(shù)據(jù)線03斷裂位置兩側(cè)的數(shù)據(jù)線修復(fù)線05與公共電極線042之間的距離越小，從公共電極04上切割下來的部分也就越小。
[0042]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，數(shù)據(jù)線修復(fù)線05與位于數(shù)據(jù)線修復(fù)線05所屬的像素區(qū)域內(nèi)的公共電極線042平行。
[0043]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，連接線043與數(shù)據(jù)線03平行；
[0044]數(shù)據(jù)線修復(fù)線05位于數(shù)據(jù)線03的一側(cè)，且數(shù)據(jù)線修復(fù)線05所在一側(cè)為與數(shù)據(jù)線修復(fù)線05電連接的數(shù)據(jù)線03與相鄰的連接線043之間的距離近的一側(cè)。即數(shù)據(jù)線修復(fù)線05位于距離連接線043距離近的一側(cè)，這樣也是為了當(dāng)數(shù)據(jù)線03斷裂時(shí)，減小從公共電極04上切割下來的部分。
[0045]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，數(shù)據(jù)線修復(fù)線05與數(shù)據(jù)線03設(shè)置為同層同材料，且數(shù)據(jù)線修復(fù)線05與數(shù)據(jù)線03直接電連接。這樣，在制備陣列基板時(shí)不需要增加額外的制備工序，只需要改變?cè)瓟?shù)據(jù)線的圖形，通過一次構(gòu)圖工藝即可形成數(shù)據(jù)線03和數(shù)據(jù)線修復(fù)線05的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。
[0046]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于襯底基板上與公共電極相互絕緣的像素電極；
[0047]連接線與像素電極設(shè)置為同層同材料，且連接線通過過孔與對(duì)應(yīng)的子電極電連接。這樣，在制備陣列基板時(shí)不需要增加額外的制備工序，只需要改變像素電極的圖形，通過一次構(gòu)圖工藝即可形成像素電極和連接線的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。
[0048]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，也可以在各像素區(qū)域內(nèi)的設(shè)置兩條數(shù)據(jù)線修復(fù)線，該兩條數(shù)據(jù)修復(fù)線分別位于同一柵線的兩側(cè)，且靠近柵線設(shè)置，并且該兩條數(shù)據(jù)修復(fù)線在襯底基板上的正投影與均與公共電極在襯底基板上的正投影有重疊區(qū)域。這樣當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂時(shí)，就可以利用該兩條數(shù)據(jù)修復(fù)線和子電極以及連接線對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)，從而可以避免后續(xù)修復(fù)時(shí)對(duì)公共電極線進(jìn)行切割。
[0049]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種陣列基板。由于該顯示面板解決問題的原理與前述一種陣列基板相似，因此該顯示面板的實(shí)施可以參見前述陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0050]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種顯示面板。該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0051]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種陣列基板的修復(fù)方法，如圖5所示，包括以下步驟:
[0052]S501、確定陣列基板上數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路的斷裂位置；
[0053]S502、確定位于斷裂位置的兩側(cè)與斷裂位置距離最近的公共電極線和與斷裂位置距離最近的且與發(fā)生斷路的數(shù)據(jù)線電連接的數(shù)據(jù)線修復(fù)線；
[0054]S503、針對(duì)確定的公共電極線，在公共電極線與數(shù)據(jù)線的交疊區(qū)選取熔接點(diǎn)，并采用激光熔接技術(shù)使熔接點(diǎn)處的公共電極線與數(shù)據(jù)線電連接；針對(duì)確定的數(shù)據(jù)線修復(fù)線，在數(shù)據(jù)線修復(fù)線與子電極的交疊區(qū)域或在數(shù)據(jù)線修復(fù)線與連接線的交疊區(qū)域選取熔接點(diǎn)，并采用激光熔接技術(shù)使熔接點(diǎn)處的子電極或連接線與數(shù)據(jù)線修復(fù)線電連接；
[0055]S504、根據(jù)確定的公共電極線和數(shù)據(jù)線修復(fù)線對(duì)公共電極進(jìn)行切割，使從公共電極中切割掉的部分與剩余的部分絕緣，且從公共電極中切割掉的部分電連接斷裂位置兩端的數(shù)據(jù)線。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的修復(fù)方法，由于在陣列基板中各像素區(qū)域內(nèi)的增加了與數(shù)據(jù)線電連接的、且與公共電極相互絕緣的數(shù)據(jù)線修復(fù)線，并且數(shù)據(jù)線修復(fù)線在襯底基板上的正投影與子電極或連接線在襯底基板上的正投影有重疊區(qū)域，數(shù)據(jù)線修復(fù)線用于當(dāng)數(shù)據(jù)線斷裂時(shí)，與公共電極一起使斷裂的數(shù)據(jù)線的兩端導(dǎo)通。因此，當(dāng)上述陣列基板上的數(shù)據(jù)線在與柵線的交疊區(qū)域發(fā)生斷裂時(shí)，可以將斷裂位置兩端距離最近的公共電極線與數(shù)據(jù)線在交疊區(qū)域熔接，以及將數(shù)據(jù)線修復(fù)線與公共電極在交疊區(qū)域熔接，再將公共電極進(jìn)行切割，使兩個(gè)熔接點(diǎn)電連接，從而使數(shù)據(jù)線斷裂的兩端通過數(shù)據(jù)線修復(fù)線以及從公共電極上切割下來的部分連接起來。即采用數(shù)據(jù)線修復(fù)線和部分公共電極作為連接斷裂的數(shù)據(jù)線的介質(zhì)，從而不需要再采用Laser CVD法沉積金屬線，因此，修復(fù)時(shí)間較短，并且極大地提高了陣列基板修復(fù)的成功率。
[0057]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法中，在保證將修復(fù)數(shù)據(jù)線的基礎(chǔ)上，從公共電極上切割下來的部分越小，修復(fù)后的陣列基板的品質(zhì)越好。因此，在具體實(shí)施時(shí)，根據(jù)實(shí)際情況選擇公共電極的切割部分。
[0058]下面通過具體的實(shí)施例來舉例說明。
[0059]實(shí)施例一:
[0060]如圖3b所示，數(shù)據(jù)線修復(fù)線05在襯底基板01的正投影僅與子電極041在襯底基板01的正投影有重疊區(qū)域，當(dāng)數(shù)據(jù)線03發(fā)生斷裂后:
[0061]1、確定出位于斷裂位置的兩側(cè)與斷裂位置距離最近的公共電極線042和與斷裂位置距離最近的且與發(fā)生斷路的數(shù)據(jù)線03電連接的數(shù)據(jù)線修復(fù)線05 ;
[0062]2、針對(duì)確定的公共電極線042，在公共電極線042與數(shù)據(jù)線03的交疊區(qū)選取熔接點(diǎn)06，并采用激光熔接技術(shù)使熔接點(diǎn)06處的公共電極線042與數(shù)據(jù)線03電連接；針對(duì)確定的數(shù)據(jù)線修復(fù)線05，在數(shù)據(jù)線修復(fù)線05與子電極041的交疊區(qū)域選取熔接點(diǎn)06，并采用激光熔接技術(shù)使熔接點(diǎn)處的子電極041與數(shù)據(jù)線修復(fù)線05電