一種陣列基板、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有功耗低、無輻射等優(yōu)點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。隨著顯示面板朝著大尺寸設(shè)計發(fā)展，在顯示面板的制程中，數(shù)據(jù)線很容易在與柵線交疊的區(qū)域容易發(fā)生斷裂，從而影響信號傳輸。
[0003]眾所周知，顯示面板中只要有一條數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂，就會影響顯示，從而導(dǎo)致該顯示面板報廢，從而影響產(chǎn)品良率。因此，對于大尺寸顯示面板廠家，通過修復(fù)斷裂的數(shù)據(jù)線來提高產(chǎn)品良率是非常重要的。
[0004]目前，對于在與柵線的交疊區(qū)域發(fā)生斷裂的數(shù)據(jù)線，主要是采用激光化學氣相沉積法(Laser Chemical Vapor Deposit1n，Laser CVD)進行修復(fù)，如圖1a 所不，陣列基板包括襯底基板1、位于襯底基板I上的柵線2、與柵線2交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線3、位于數(shù)據(jù)線3上方且與數(shù)據(jù)線3相互絕緣的公共電極4 ;如圖1b所示，當數(shù)據(jù)線3在與柵線2交疊的區(qū)域發(fā)生斷裂時，首先需要在斷裂位置兩端位置處且位于數(shù)據(jù)線3上方的各膜層中打過孔5，然后沿過孔5兩側(cè)采用Laser CVD法沉積金屬線6使斷裂的數(shù)據(jù)線3連接起來。
[0005]但是，在采用Laser CVD法進行修復(fù)時，存在維修速度慢的修復(fù)時間長的缺點，并且在沉積金屬線時會存在金屬原子擴散的風險，金屬原子一旦擴散，會使顯示面板中的公共電極與數(shù)據(jù)線發(fā)生短接，從而產(chǎn)生其它像素缺陷問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置，用于提供一種可以避免使用Laser CVD法就可以將斷裂的數(shù)據(jù)線進行修復(fù)的陣列基板。
[0007]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，包括:襯底基板，位于所述襯底基板上的交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線，以及公共電極；其中，所述公共電極包括:位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線所限定的各像素區(qū)域內(nèi)的子電極，與所述柵線的延伸方向相同且用于向所述子電極傳輸公共電壓信號的公共電極線，以及電連接沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向相鄰的兩個子電極的連接線；還包括:
[0008]位于各所述像素區(qū)域內(nèi)的、與所述數(shù)據(jù)線電連接的、且與所述公共電極相互絕緣的數(shù)據(jù)線修復(fù)線，并且所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線在所述襯底基板上的正投影與所述子電極或所述連接線在所述襯底基板上的正投影有重疊區(qū)域。
[0009]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線在所述襯底基板的正投影與所述公共電極線在所述襯底基板的正投影不重疊。
[0010]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述公共電極線位于所述子電極的一側(cè)，所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線位于與所述公共電極線相鄰且距離遠的柵線與所述公共電極線之間。
[0011]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，位于所述柵線與所述公共電極線之間的所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線設(shè)置于靠近所述柵線一側(cè)。
[0012]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線與位于所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線所屬的像素區(qū)域內(nèi)的公共電極線平行。
[0013]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述連接線與所述數(shù)據(jù)線平行；
[0014]所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線位于所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)，且所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線所在一側(cè)為與所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線電連接的數(shù)據(jù)線與相鄰的連接線之間的距離近的一側(cè)。
[0015]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線設(shè)置為同層同材料，且所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線與所述數(shù)據(jù)線直接電連接。
[0016]較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于所述襯底基板上與所述公共電極相互絕緣的像素電極；
[0017]所述連接線與所述像素電極設(shè)置為同層同材料，且所述連接線通過過孔與對應(yīng)的子電極電連接。
[0018]相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種陣列基板。
[0019]相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種顯不面板。
[0020]相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述任一種陣列基板的修復(fù)方法，包括:
[0021]確定所述陣列基板上數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路的斷裂位置；
[0022]確定位于所述斷裂位置的兩側(cè)與所述斷裂位置距離最近的公共電極線和與所述斷裂位置距離最近的且與所述發(fā)生斷路的數(shù)據(jù)線電連接的數(shù)據(jù)線修復(fù)線；
[0023]針對確定的公共電極線，在所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線的交疊區(qū)選取熔接點，并采用激光熔接技術(shù)使熔接點處的公共電極線與數(shù)據(jù)線電連接；針對確定的數(shù)據(jù)線修復(fù)線，在所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線與所述子電極的交疊區(qū)域或在所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線與所述連接線的交疊區(qū)域選取熔接點，并采用激光熔接技術(shù)使熔接點處的子電極或連接線與所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線電連接；
[0024]根據(jù)確定的所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線修復(fù)線對所述公共電極進行切割，使從所述公共電極中切割出來的部分與剩余的部分絕緣，且從所述公共電極中切割出來的部分電連接所述斷裂位置兩端的數(shù)據(jù)線。
[0025]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置，由于在陣列基板中各像素區(qū)域內(nèi)的增加了與數(shù)據(jù)線電連接的、且與公共電極相互絕緣的數(shù)據(jù)線修復(fù)線，并且數(shù)據(jù)線修復(fù)線在襯底基板上的正投影與子電極或連接線在襯底基板上的正投影有重疊區(qū)域，數(shù)據(jù)線修復(fù)線用于當數(shù)據(jù)線斷裂時，與公共電極一起使斷裂的數(shù)據(jù)線的兩端導(dǎo)通。因此，當上述陣列基板上的數(shù)據(jù)線在與柵線的交疊區(qū)域發(fā)生斷裂時，可以將斷裂位置兩端距離最近的公共電極線與數(shù)據(jù)線在交疊區(qū)域熔接，以及將數(shù)據(jù)線修復(fù)線與公共電極在交疊區(qū)域熔接，再將公共電極進行切割，使兩個熔接點電連接，從而使數(shù)據(jù)線斷裂的兩端通過數(shù)據(jù)線修復(fù)線以及從公共電極上切割下來的部分連接起來。即采用數(shù)據(jù)線修復(fù)線和部分公共電極作為連接斷裂的數(shù)據(jù)線的介質(zhì)，從而不需要再采用Laser CVD法沉積金屬線，因此，修復(fù)時間較短，并且極大地提高了陣列基板修復(fù)的成功率。
【附圖說明】
[0026]圖1a為現(xiàn)有的陣列基板在修復(fù)之前的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖1b為現(xiàn)有的陣列基板在修復(fù)之后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0029]圖3a為圖2所示的陣列基板在數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂后進行修復(fù)的演示圖；
[0030]圖3b為圖2所示的陣列基板在數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂后修復(fù)以后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0032]圖5為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的修復(fù)方法的流程示意圖；
[0033]圖6為本發(fā)明實施例二提供的陣列基板在數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂后進行修復(fù)的演示圖。
【具體實施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的陣列基板、其修復(fù)方法、顯示面板及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0035]附圖中各部件的大小和形狀不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0036]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，如圖2所示，包括襯底基板01，位于襯底基板01上的交叉設(shè)置的柵線02和數(shù)據(jù)線03，以及公共電極04 ;其中，公共電極04包括:位于柵線02和數(shù)據(jù)線03所限定的各像素區(qū)域內(nèi)的子電極041，與柵線02的延伸方向相同且用于向子電極傳輸公共電壓信號的公共電極線042，以及電連接沿數(shù)據(jù)線03的延伸方向相鄰的兩個子電極04