陣列基板、陣列基板的數(shù)據(jù)線開路修復(fù)方法以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、陣列基板的數(shù)據(jù)線開路修復(fù)方法以及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有的平板顯示裝置中，一般包括具有控制像素顯示的陣列基板(Array)，其通過分布在各像素區(qū)的薄膜晶體管來控制各個(gè)像素的開閉；同時(shí)，對(duì)于TN模式的液晶顯示產(chǎn)品，陣列基板還包括公共電極線(COM)，以提供像素顯示的公共參考電壓。如圖1所示，現(xiàn)有的TN模式的陣列基板上的公共電極線5為叉狀，其包括平行于柵線部分和沿?cái)?shù)據(jù)線方向向下延伸的部分，該公共電極線5的總電阻較大，導(dǎo)致公共電極電壓Vcom的整體均一性不好，而且，該公共電極線也不具備數(shù)據(jù)線開路(DO)修復(fù)的功能，對(duì)陣列基板的良率提高起不到有利效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板、陣列基板的數(shù)據(jù)線開路修復(fù)方法以及顯示裝置，該陣列基板具有較佳的公共電極電壓Vcom的整體均一性，并具有數(shù)據(jù)線開路修復(fù)功能。
[0004]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該陣列基板，由交叉絕緣設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線劃分為多個(gè)像素區(qū)，每一所述像素區(qū)內(nèi)均設(shè)置薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，還包括公共電極線，所述公共電極線包括與所述柵線平行設(shè)置的公共電極線主體以及沿所述數(shù)據(jù)線方向延伸且設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的公共電極線分支，相鄰的所述公共電極線分支之間局部相連形成公共電極線搭橋，所述公共電極線搭橋與所述公共電極線分支之間的所述數(shù)據(jù)線在正投影方向上交叉重疊。
[0005]優(yōu)選的是，所述公共電極線搭橋包括相離設(shè)置且并聯(lián)連接的第一搭橋和第二搭橋，且所述第一搭橋和所述第二搭橋均與所述柵線平行。
[0006]優(yōu)選的是，所述第一搭橋和所述第二搭橋在平行于所述數(shù)據(jù)線方向上的間距小于等于所述公共電極線分支的長(zhǎng)度。
[0007]優(yōu)選的是，所述第一搭橋緊鄰所述公共電極線主體設(shè)置。
[0008]優(yōu)選的是，所述第二搭橋設(shè)置于所述公共電極線分支的末端。
[0009]優(yōu)選的是，相鄰的所述公共電極線分支分別與相鄰的所述像素電極在正投影方向上局部重疊。
[0010]一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0011]一種上述的陣列基板的數(shù)據(jù)線開路修復(fù)方法，當(dāng)相鄰所述像素電極之間的所述數(shù)據(jù)線出現(xiàn)開路點(diǎn)時(shí)，將開路點(diǎn)兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極線搭橋的一側(cè)連接，并使得所述公共電極線搭橋的另一側(cè)與所述公共電極線分支斷開。
[0012]優(yōu)選的是，所述修復(fù)方法執(zhí)行如下步驟:
[0013]找到所述數(shù)據(jù)線的開路點(diǎn)位置；
[0014]將所述數(shù)據(jù)線開路點(diǎn)位置相對(duì)靠近驅(qū)動(dòng)電路端的所述數(shù)據(jù)線與所述第一搭橋的一側(cè)連接在一起；
[0015]以及，將所述數(shù)據(jù)線開路點(diǎn)位置相對(duì)遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)電路端的所述數(shù)據(jù)線與所述第二搭橋的一側(cè)連接在一起；
[0016]將所述數(shù)據(jù)線相鄰的至少一側(cè)的所述公共電極線分支斷開并使斷開的所述公共電極線分支懸空；
[0017]以及，使得所述第一搭橋與所述公共電極線主體之間斷開。
[0018]優(yōu)選的是，通過激光焊接方式將所述數(shù)據(jù)線開路點(diǎn)位置兩端的所述數(shù)據(jù)線分別與所述第一搭橋和所述第二搭橋的同一側(cè)連接在一起。
[0019]優(yōu)選的是，通過激光切割方式將未與所述數(shù)據(jù)線連接在一起的、同側(cè)的所述公共電極線分支斷開并使斷開的所述公共電極線分支懸空。
[0020]本發(fā)明的有益效果是:
[0021]該陣列基板通過對(duì)其中的公共電極線的優(yōu)化，不僅提高了公共電極電壓Vcom的整體均一性，并且還具有修復(fù)數(shù)據(jù)線開路DO的功能，極大的提高了產(chǎn)品的良率；
[0022]相應(yīng)的陣列基板的數(shù)據(jù)線開路修復(fù)方法，能極大提高產(chǎn)品良率，降低生產(chǎn)成本；
[0023]采用上述的陣列基板的顯示裝置生產(chǎn)成本更低，良率更高。
【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3為利用圖2中公共電極線進(jìn)行數(shù)據(jù)線開路修復(fù)的示意圖；
[0027]圖中:
[0028]I 一數(shù)據(jù)線；2 —柵線；3 —像素電極；
[0029]4 —公共電極線；41 —公共電極線主體；42 —公共電極線分支；43 —第一搭橋；44 一第二搭橋；
[0030]51 —柵極；52 —源極；53 —漏極。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明陣列基板、陣列基板的數(shù)據(jù)線開路修復(fù)方法以及顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0032]實(shí)施例1:
[0033]本實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板具有較佳的公共電極電壓Vcom的整體均一性，并具有數(shù)據(jù)線開路修復(fù)功能。
[0034]該陣列基板由交叉絕緣設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵線劃分為多個(gè)像素區(qū)，每一像素區(qū)內(nèi)均設(shè)置薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極51與柵線2連接、源極52與數(shù)據(jù)線I連接、漏極53與像素電極3連接。該陣列基板還包括公共電極線。如圖2所示，公共電極線4包括與柵線2平行設(shè)置的公共電極線主體41以及沿?cái)?shù)據(jù)線I方向延伸且設(shè)置于數(shù)據(jù)線I兩側(cè)的公共電極線分支42，相鄰的公共電極線分支42之間局部相連形成公共電極線搭橋，公共電極線搭橋與公共電極線分支42之間的數(shù)據(jù)線I在正投影方向上交叉重疊。
[0035]圖2中，公共電極線搭橋包括相離設(shè)置且并聯(lián)連接的第一搭橋43和第二搭橋44，且第一搭橋43和第二搭橋44均與柵線2平行。通過第一搭橋43和第二搭橋44的配合，不僅能降低公共電極線的電阻值，還能實(shí)現(xiàn)后續(xù)的數(shù)據(jù)線開路修復(fù)。
[0036]優(yōu)選的是，第一搭橋43和第二搭橋44在平行于數(shù)據(jù)線I方向上的間距小于等于公共電極線分支42的長(zhǎng)度。
[0037]作為優(yōu)選，第一搭橋43緊鄰公共電極線主體41設(shè)置，即第一搭橋43相對(duì)第二搭橋44更靠近柵線2。同時(shí)，第二搭橋44設(shè)置于公共電極線分支42的末端，以最大化處于像素區(qū)的數(shù)據(jù)線開路的修復(fù)范圍。
[0038]并且，相鄰的公共電極線分支42分別與相鄰的像素電極3在正投影方向上局部重疊，以形成存儲(chǔ)電容，保持一幀畫面的顯示時(shí)間。
[0039]通俗地講，本實(shí)施例中的陣列基板的公共電極線包括上、左、右、中、下五部分，其中上部分的公共電極線即為公共電極線主體41部分，其與柵線2平行；左部分和右部分即為公共電極線直線；中部分即為公共電極線第一搭橋43、下部分即為公共電極線第二搭橋44，該中部分和下部分與上部分分別并聯(lián)連接在一起?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，相對(duì)圖1中的公共電極線而言，本實(shí)施例中的公共電極線面積增大，根據(jù)歐姆定律，可知該公共電極線總電阻減小，從而提高了公共電極電壓Vcom的整體均一性；另外由于中部分、下部分與數(shù)據(jù)線I具有正投影關(guān)系上的交叉重疊關(guān)系，因此，當(dāng)處于中部分和下部分之間的數(shù)據(jù)線I在某處發(fā)生開路(Data Open)時(shí)，利用激光修復(fù)的方法，即可修復(fù)數(shù)據(jù)線I。
[0040]本實(shí)