本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體,特別是涉及一種光掩膜和一種曝光顯影的方法。
背景技術(shù):
1、傳統(tǒng)的2.5d集成電路為了更好的性能和更低的功耗,通過使用硅中介層(siinterposer)和硅通孔(tsv)技術(shù),將存儲(chǔ)/邏輯電路/芯片等集成在單個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中。在芯片上晶圓基板(chip-on-wafer-on-substrate,cowos)的設(shè)計(jì)中,形成大型的硅中介層需要采用縫合曝光技術(shù)來避免光罩尺寸對(duì)硅中階層大小的限制,曝光形成大型中階層對(duì)應(yīng)的光掩模圖案時(shí),典型光刻工藝中需要使用多個(gè)小的光掩膜板進(jìn)行縫合曝光以形成需要的光掩膜圖案,在使用小的光掩膜板在正性光刻膠上形成光掩模圖案的過程中,小的掩膜板邊緣容易出現(xiàn)漏光或生成雜散光,對(duì)非目標(biāo)區(qū)域的光刻膠進(jìn)行曝光產(chǎn)生損害,從而影響光掩膜圖案的形狀,例如兩個(gè)小的光掩模圖案之間的縫合區(qū)域出現(xiàn)了重復(fù)曝光,位于縫合區(qū)域的掩膜圖案出現(xiàn)嚴(yán)重變形。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開實(shí)施例提供了一種光掩膜和一種曝光顯影的方法,可以優(yōu)化縫合區(qū)域的掩膜圖案。
2、一種光掩膜,用于在基底表面由正性光刻膠構(gòu)成的光刻膠膜層上形成光刻圖形,包括:第一子光掩膜和第二子光掩膜;
3、第一子光掩膜具有沿第一方向并排設(shè)置的第一主圖形區(qū)和第一縫合區(qū),第一縫合區(qū)包括沿第一方向并排設(shè)置的第一遮擋從部和第一子圖形區(qū),第一遮擋從部位于第一子圖形區(qū)背離第一主圖形區(qū)的一側(cè),第一遮擋從部用于遮擋光線,防止使用第一子光掩膜曝光顯影時(shí)光線照射到第一遮擋從部在光刻膠膜層上的第一投影區(qū)域;
4、第一主圖形區(qū)和第一子圖形區(qū)中形成有第一遮擋主部,第二子光掩膜中形成有第二遮擋主部,第一遮擋主部和第二遮擋主部均用于遮擋光線,以于光刻膠膜層上形成光刻圖形,所述第二遮擋主部在光刻膠膜層上的第二投影區(qū)域覆蓋所述第一投影區(qū)域,以于第一投影區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠膜層上形成光刻圖形。
5、在其中一個(gè)實(shí)施例中,第一遮擋從部和第一遮擋主部的構(gòu)成材料相同。
6、在其中一個(gè)實(shí)施例中,第一遮擋從部和第一遮擋主部的構(gòu)成材料不同。
7、在其中一個(gè)實(shí)施例中,第一遮擋從部包括:
8、第一阻擋層,靠近第一子圖形區(qū),和第一遮擋主部的構(gòu)成材料相同;
9、第二阻擋層,背離第一子圖形區(qū),和第一遮擋主部的構(gòu)成材料不同;
10、其中,第一阻擋層對(duì)入射光的透射率小于或等于第二阻擋層對(duì)入射光的透射率。
11、在其中一個(gè)實(shí)施例中,在第一方向上,第一遮擋從部的第一寬度等于第一子圖形區(qū)的第二寬度。
12、在其中一個(gè)實(shí)施例中,第二子光掩膜具有在第一方向上并排設(shè)置的第二主圖形區(qū)和第二縫合區(qū),第二縫合區(qū)包括沿第一方向并排設(shè)置的第二遮擋從部和第二子圖形區(qū),第二主圖形區(qū)和第二子圖形區(qū)中形成有第二遮擋主部,第二遮擋從部位于第二子圖形區(qū)背離第二主圖形區(qū)的一側(cè),第二遮擋從部用于遮擋光線,防止使用第二子光掩膜曝光顯影時(shí)光線照射到第二遮擋從部在光刻膠膜層上的第三投影區(qū)域;
13、其中,第三投影區(qū)域和第一投影區(qū)域不存在重合區(qū)域。
14、在其中一個(gè)實(shí)施例中,第一投影區(qū)域和第三投影區(qū)域相間隔,且第一投影區(qū)域和第三投影區(qū)域之間的間隔距離大于或等于光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)偏差。
15、在其中一個(gè)實(shí)施例中,第一遮擋從部和第二遮擋從部的構(gòu)成材料至少部分相同;第一遮擋從部的形狀和第二遮擋從部的形狀互為鏡像。
16、上述光刻掩膜包括第一子光掩膜和第二子光掩膜,第一子光掩膜中位于第一子圖形區(qū)背離第一主圖形區(qū)的一側(cè)的第一遮擋從部,使得使用第一子光掩膜曝光顯影時(shí)光線不會(huì)照射到第一遮擋從部在光刻膠膜層上的第一投影區(qū)域,第二子光掩膜中的第二遮擋主部在光刻膠膜層上的第二投影區(qū)域覆蓋第一投影區(qū)域,使得第一投影區(qū)域僅被第二子光掩膜曝光,消除了圖形衍射、光線折射對(duì)第一投影區(qū)域形成的光刻圖形的影響,削弱了第一子光掩膜和第二子光掩膜在光刻膠膜層上的投影的重疊區(qū)域上光刻圖形因過度曝光產(chǎn)的圖形形變的問題。
17、本公開還提供一種曝光顯影的方法,包括:
18、提供基底,基底表面具有正性光刻膠構(gòu)成的光刻膠膜層,光刻膠膜層包括并排設(shè)置的第一曝光區(qū)、縫合曝光區(qū)和第二曝光區(qū),縫合曝光區(qū)位于第一曝光區(qū)和第二曝光區(qū)之間,且由靠近第一曝光區(qū)的第一縫合曝光區(qū)和靠近第二曝光區(qū)的第二縫合曝光區(qū)構(gòu)成;
19、提供如上述的光掩膜;
20、采用光掩膜中的第一子光掩膜對(duì)第一曝光區(qū)和第一縫合曝光區(qū)進(jìn)行曝光顯影,以形成光刻圖形,第一遮擋從部在基底上的投影與第二縫合曝光區(qū)重合;
21、采用光掩膜中的第二子光掩膜至少對(duì)第二曝光區(qū)和第二縫合曝光區(qū)進(jìn)行曝光顯影,以形成光刻圖形,第二子光掩膜在光刻膠膜層上的投影覆蓋縫合曝光區(qū)和第二曝光區(qū)。
22、上述曝光顯影的方法,采用第一子光掩膜對(duì)第一曝光區(qū)和第一縫合曝光區(qū)進(jìn)行曝光顯影,第一遮擋從部在基底上的投影與第二縫合曝光區(qū)重合,使得使用第一子光掩膜曝光顯影時(shí)光線不會(huì)照射到第二曝光區(qū),即第二曝光區(qū)僅被第二子光掩膜曝光,消除了圖形衍射、光線折射對(duì)第二曝光區(qū)形成的光刻圖形的影響,削弱了縫合曝光區(qū)上光刻圖形的形變的問題。
技術(shù)特征:1.一種光掩膜,其特征在于,用于在基底表面由正性光刻膠構(gòu)成的光刻膠膜層上形成光刻圖形,包括:第一子光掩膜和第二子光掩膜;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩膜,其特征在于,所述第一遮擋從部和所述第一遮擋主部的構(gòu)成材料相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩膜,其特征在于,所述第一遮擋從部和所述第一遮擋主部的構(gòu)成材料不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩膜,其特征在于,所述第一遮擋從部包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光掩膜,其特征在于,所述第一阻擋層對(duì)入射光的透射率小于或等于所述第二阻擋層對(duì)入射光的透射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩膜,其特征在于,在所述第一方向上,所述第一遮擋從部的第一寬度等于所述第一子圖形區(qū)的第二寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩膜,其特征在于,所述第二子光掩膜具有:在第一方向上并排設(shè)置的第二主圖形區(qū)和第二縫合區(qū),所述第二縫合區(qū)包括沿所述第一方向并排設(shè)置的第二遮擋從部和第二子圖形區(qū),所述第二主圖形區(qū)和所述第二子圖形區(qū)中形成有所述第二遮擋主部,所述第二遮擋從部位于所述第二子圖形區(qū)背離所述第二主圖形區(qū)的一側(cè),所述第二遮擋從部用于遮擋光線,防止使用所述第二子光掩膜曝光顯影時(shí)光線照射到所述第二遮擋從部在光刻膠膜層上的第三投影區(qū)域;
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光掩膜,其特征在于,所述第一投影區(qū)域和所述第三投影區(qū)域相間隔,且所述第一投影區(qū)域和所述第三投影區(qū)域之間的間隔距離大于或等于光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)偏差。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光掩膜,其特征在于,所述第一遮擋從部和所述第二遮擋從部的構(gòu)成材料至少部分相同;所述第一遮擋從部的形狀和所述第二遮擋從部的形狀互為鏡像。
10.一種曝光顯影的方法,其特征在于,包括:
技術(shù)總結(jié)本公開實(shí)施例涉及一種光掩膜和曝光顯影的方法。該光掩膜用于在基底表面由正性光刻膠構(gòu)成的光刻膠膜層上形成光刻圖形,包括:第一子光掩膜和第二子光掩膜;第一子光掩膜具有第一主圖形區(qū)和第一縫合區(qū),第一縫合區(qū)包括第一遮擋從部和第一子圖形區(qū),第一遮擋從部用于遮擋光線,防止使用第一子光掩膜曝光顯影時(shí)光線照射到第一遮擋從部在光刻膠膜層上的第一投影區(qū)域;第二子光掩膜中形成有第二遮擋主部,所述第二遮擋主部在光刻膠膜層上的第二投影區(qū)域覆蓋所述第一投影區(qū)域,以于第一投影區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠膜層上形成光刻圖形。消除了圖形衍射、光線折射對(duì)第一投影區(qū)域形成的光刻圖形的影響。
技術(shù)研發(fā)人員:劉志拯
受保護(hù)的技術(shù)使用者:長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:技術(shù)公布日:2024/12/23