技術(shù)編號(hào):40438170
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體,特別是涉及一種光掩膜和一種曝光顯影的方法。背景技術(shù)、傳統(tǒng)的.d集成電路為了更好的性能和更低的功耗,通過(guò)使用硅中介層(siinterposer)和硅通孔(tsv)技術(shù),將存儲(chǔ)/邏輯電路/芯片等集成在單個(gè)封裝結(jié)構(gòu)中。在芯片上晶圓基板(chip-on-wafer-on-substrate,cowos)的設(shè)計(jì)中,形成大型的硅中介層需要采用縫合曝光技術(shù)來(lái)避免光罩尺寸對(duì)硅中階層大小的限制,曝光形成大型中階層對(duì)應(yīng)的光掩模圖案時(shí),典型光刻工藝中需要使用多個(gè)小的光掩膜板進(jìn)行縫合曝光以...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。