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一種掩膜板的制作方法、制作系統(tǒng)及掩膜板與流程

文檔序號:11627509閱讀:250來源:國知局
一種掩膜板的制作方法、制作系統(tǒng)及掩膜板與流程

本發(fā)明涉及顯示器件制作技術(shù),尤指一種掩膜板的制作方法、制作系統(tǒng)及掩膜板。



背景技術(shù):

顯示產(chǎn)品日新月異,發(fā)展趨勢為高分辨率、低成本。產(chǎn)品分辨率越來越高,對薄膜晶體管(thinfilmtransistor,簡稱tft),彩膜(colourfilter,簡稱cf)及有機致電發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode,簡稱oled)各層對位能力要求也越來越高。

tft各層對位精度目前的基準為偏差不超過1.5um,但是隨著產(chǎn)品分辨率的提升,各層對位精度需要提升至偏差不超過1.2um甚至偏差不超過1.0um。tft各層對位精度與各層使用的掩膜板的制作圖案的制作精度有關(guān)。

如圖1所示,掩膜板的制作過程中,制作圖案的制作精度的測試是在平坦的制作基臺上進行的,制作面(比如,鉻面)朝上,所以制作面上的圖案不會因為重力作用而發(fā)生變形。制作圖案與設(shè)計值的位置精度偏差規(guī)格大約為0.5um。但實際使用掩膜板對器件進行光刻時,如圖2所示,掩膜板放置于曝光機內(nèi)的工作基臺上,所述工作基臺托住掩膜板長邊兩側(cè),鉻面向下。由于掩膜板自身重力的影響,所以鉻面上的圖案會因為重力作用而發(fā)生變形,實際制作圖案與設(shè)計值位置精度偏差可達1.0um。

掩膜板基底背面粗糙度對圖案的精度也有影響,基板表面粗糙度即最高處與最低處差異,規(guī)格要求是小于10um,圖案制作于最高處與最低處時,也將造成位置略微偏移,影響圖案制作精度。

因此,掩膜板使用時的形變或基底背面粗糙度等因素已成為影響顯示器件分辨率提升的制約因素。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本申請?zhí)峁┝艘环N掩膜板的制作方法、制作系統(tǒng)和掩膜板,能夠提高掩膜板在實際使用過程中的圖案位置精度。

本發(fā)明實施例提供了一種掩膜板的制作方法,包括:

在測試基臺上對基準掩膜板上的制作圖案進行位置測量,將所述制作圖案的測量位置與設(shè)計位置進行比較獲得所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量;

參考所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正;

將校正后的圖案制作在所述目標掩膜板上。

本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜板的制作系統(tǒng),包括:圖案測量裝置、圖案校正裝置和圖案制作裝置;

圖案測量裝置,用于在測試基臺上對基準掩膜板上的制作圖案進行位置測量,將所述制作圖案的測量位置與設(shè)計位置進行比較獲得所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量;

圖案校正裝置,用于參考所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正;

圖案制作裝置,用于將校正后的圖案制作在所述目標掩膜板上。

本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜板,所述掩膜板采用上述掩膜板的制作方法制備。

與相關(guān)技術(shù)相比,本發(fā)明實施例提供了一種掩膜板的制作方法、制作系統(tǒng)和掩膜板,在測試基臺上對基準掩膜板上的制作圖案進行位置測量,將所述制作圖案的測量位置與設(shè)計位置進行比較獲得所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量;參考所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正,將校正后的圖案制作在所述目標掩膜板上。本發(fā)明實施例的技術(shù)方案能夠提高掩膜板在實際使用過程中的圖案位置精度。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得顯而易見,或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術(shù)方案的進一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與本申請的實施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案,并不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板在測試基臺上進行圖案位置測量時的狀態(tài)示意圖;

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板在曝光機中工作時的狀態(tài)示意圖;

圖3為本發(fā)明實施例一的一種掩膜板的制作方法的流程圖;

圖4-1為本發(fā)明示例1中基準掩膜板上制作圖案的測量位置與設(shè)計位置的對比示意圖;

圖4-2為本發(fā)明示例1中目標掩膜板的原始設(shè)計圖案與在曝光機中工作時投影在目標板上的掩膜圖案的對比示意圖;

圖4為本發(fā)明實施例二的一種掩膜板的制作系統(tǒng)的示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白,下文中將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。需要說明的是,在不沖突的情況下,本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機可執(zhí)行指令的計算機系統(tǒng)中執(zhí)行。并且,雖然在流程圖中示出了邏輯順序,但是在某些情況下,可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

實施例一

如圖3所示,本發(fā)明實施例一提供一種掩膜板的制作方法,包括:

s310,在測試基臺上對基準掩膜板上的制作圖案進行位置測量,將所述制作圖案的測量位置與設(shè)計位置進行比較獲得所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量;

s320,參考所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正;

s330,將校正后的圖案制作在所述目標掩膜板上。

在一種實施方式中,所述測試基臺夾持所述基準掩膜板的方式,與曝光機中的工作基臺夾持所述目標掩膜板的方式相同;所述基準掩膜板在測試過程中制作了圖案的一面朝下,所述目標掩膜板在曝光機中工作時制作了圖案的一面朝下。

比如,所述測試基臺夾持所述基準掩膜板的一種方式可以是:所述基準掩膜板的至少一組對邊被所述測試基臺的夾持裝置所固定,所述基準掩膜板的中間懸空。

在一種實施方式中,所述將所述制作圖案的測量位置與設(shè)計位置進行比較獲得所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量,包括:

在基準掩膜板的制作圖案上選擇多個測試點;

對任意一個測試點,將所述測試點的測量位置(xi,yi)與設(shè)計位置(xi',yi')進行比較,獲得該測試點的圖案位置偏差量(δxi,δyi);

建立每一個測試點的測量位置與該測試點的圖案位置偏差量之間的對應(yīng)關(guān)系,根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系構(gòu)建基準掩膜板的圖案位置偏差量查詢集合。

在一種實施方式中,所述參考所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正,包括:

在目標掩膜板的原始設(shè)計圖案上選擇多個校正點,所述原始設(shè)計圖案上各處的位置是所述目標掩膜板放置在曝光機中工作時期望的圖案位置;

對原始設(shè)計圖案上的任意一個校正點,根據(jù)所述校正點的位置(xi,yi)查詢所述基準掩膜板的圖案位置偏差量查詢集合,將所述圖案位置偏差量查詢集合中距離所述校正點位置最近的測試點作為參考點,將所述參考點的圖案位置偏差量(δxi,δyi)作為所述校正點的圖案位置偏差量,根據(jù)所述校正點的圖案位置偏差量對所述校正點的位置進行設(shè)計校正,獲得所述校正點校正后的位置(xi',yi');

在一種實施方式中,所述測試點均勻分布在所述基準掩膜板上。

在一種實施方式中,所述基準掩膜板與所述目標掩膜板是相同的掩膜板;所述相同是指至少在以下方面相同:大小、形狀、材料、厚度。

基準掩膜板的圖案位置測量數(shù)據(jù)能夠模擬目標掩膜板在曝光機中真實使用時的圖案位置數(shù)據(jù)。

實施例二

如圖4所示,本發(fā)明實施例二提供一種掩膜板的制作系統(tǒng),包括:圖案測量裝置401、圖案校正裝置402和圖案制作裝置403;

圖案測量裝置401,用于在測試基臺上對基準掩膜板上的制作圖案進行位置測量,將所述制作圖案的測量位置與設(shè)計位置進行比較獲得所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量;

圖案校正裝置402,用于參考所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正;

圖案制作裝置403,用于將校正后的圖案制作在所述目標掩膜板上。

在一種實施方式中,所述測試基臺夾持所述基準掩膜板的方式,與曝光機中的工作基臺夾持所述目標掩膜板的方式相同;所述基準掩膜板在測試過程中制作了圖案的一面朝下,所述目標掩膜板在曝光機中工作時制作了圖案的一面朝下。

比如,所述測試基臺夾持所述基準掩膜板的一種方式可以是:所述基準掩膜板的至少一組對邊被所述測試基臺的夾持裝置所固定,所述基準掩膜板的中間懸空。

在一種實施方式中,圖案測量裝置,用于采用以下方式將所述制作圖案的測量位置與設(shè)計位置進行比較獲得所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量:

在基準掩膜板的制作圖案上選擇多個測試點;

對任意一個測試點,將所述測試點的測量位置(xi,yi)與設(shè)計位置(xi',yi')進行比較,獲得該測試點的圖案位置偏差量(δxi,δyi);

建立每一個測試點的測量位置與該測試點的圖案位置偏差量之間的對應(yīng)關(guān)系,根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系構(gòu)建基準掩膜板的圖案位置偏差量查詢集合。

在一種實施方式中,所述圖案校正裝置,用于采用以下方式參考所述基準掩膜板上各處的圖案位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正:

在目標掩膜板的原始設(shè)計圖案上選擇多個校正點,所述原始設(shè)計圖案上各處的位置是所述目標掩膜板放置在曝光機中工作時期望的圖案位置;

對原始設(shè)計圖案上的任意一個校正點,根據(jù)所述校正點的位置(xi,yi)查詢所述基準掩膜板的圖案位置偏差量查詢集合,將所述圖案位置偏差量查詢集合中距離所述校正點位置最近的測試點作為參考點,將所述參考點的圖案位置偏差量(δxi,δyi)作為所述校正點的圖案位置偏差量,根據(jù)所述校正點的圖案位置偏差量對所述校正點的位置進行設(shè)計校正,獲得所述校正點校正后的位置(xi',yi');

在一種實施方式中,所述測試點均勻分布在所述基準掩膜板上。

在一種實施方式中,所述基準掩膜板與所述目標掩膜板是相同的掩膜板;所述相同是指至少在以下方面相同:大小、形狀、材料、厚度?;鶞恃谀ぐ宓膱D案位置測量數(shù)據(jù)能夠模擬目標掩膜板在曝光機中真實使用時的圖案位置數(shù)據(jù)。

實施例三

本發(fā)明實施例三提供一種掩膜板,所述掩膜板采用上述掩膜板的制作方法制備。

示例1

下面通過一個示例說明一種掩膜板的制作方法,所述掩膜板的制作方法可以包括以下步驟:

s101,在測試基臺上對基準掩膜板上的制作圖案進行位置測量,在基準掩膜板的制作圖案上選擇多個測試點,確定各個測試點的設(shè)計位置與測量位置之間的位置偏差量;

其中,將基準掩膜板固定在測試基臺上;比如,所述測試基臺的結(jié)構(gòu)與曝光機中的工作基臺的結(jié)構(gòu)類似,可以將基準掩膜板的一組長邊固定在所述測試基臺的夾持裝置中,所述基準掩膜板的中間懸空并且制作了第一設(shè)計圖案的一面朝下;

其中,如圖4-1所示,在測試基臺上對基準掩膜板上的制作圖案進行測量獲得的測量圖案用空心標注線進行標注,測試點的測量位置用空心表示,比如(xi,yi);制作圖案的設(shè)計位置用實心標注線進行標注,測試點對應(yīng)的設(shè)計位置用實心表示,比如(xi',yi');

對任意一個測試點,將所述測試點的測量位置與所述測試點的設(shè)計位置進行比較獲得所述測試點的位置偏差量(δxi,δyi),所述位置偏差量可以通過下述公式(1-1)得到;

建立各個測試點的測量位置(xi,yi)與位置偏差量(δxi,δyi)的對應(yīng)關(guān)系,根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系構(gòu)建位置偏差量查詢集合;其中,各個測試點可以均勻分布在所述基準掩膜板上。

s102,參考所述基準掩膜板上各個測試點的位置偏差量對將要制作在目標掩膜板上的圖案進行設(shè)計校正;

其中,所述基準掩膜板與所述目標掩膜板是相同的掩膜板;所述相同是指至少在以下方面相同:大小、形狀、材料、厚度。基準掩膜板的圖案位置測量數(shù)據(jù)能夠模擬目標掩膜板在曝光機中真實使用時的圖案位置數(shù)據(jù);

在目標掩膜板的原始設(shè)計圖案上選擇多個校正點,所述原始設(shè)計圖案上各處的位置是所述目標掩膜板放置在曝光機中工作時期望的圖案位置;

對原始設(shè)計圖案上的任意一個校正點,根據(jù)所述校正點的位置(xi,yi)查詢所述基準掩膜板的圖案位置偏差量查詢集合,將所述圖案位置偏差量查詢集合中距離所述校正點位置最近的測試點作為參考點,將所述參考點的圖案位置偏差量(δxi,δyi)作為所述校正點的圖案位置偏差量,根據(jù)所述校正點的圖案位置偏差量對所述校正點的位置進行設(shè)計校正,獲得所述校正點校正后的位置(xi',yi');

s103,將校正后的圖案制作在所述目標掩膜板上;

s104,對目標掩膜板進行圖案制作精度測量;

其中,如圖4-2所示,所述目標掩膜板的原始設(shè)計圖案(校正前的設(shè)計圖案)用實心標注線表示;

在曝光機中利用所述目標掩膜板對目標板進行圖案制作后,所述目標板上的制作圖案用空心標注線表示;

可以看出,目標板上制作的圖案與原始設(shè)計圖案之間的圖案位置偏差量大大減小了,也即,掩膜板在實際使用過程中的圖案位置精度提高了。

雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上,但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實施方式,并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下,可以在實施的形式及細節(jié)上進行任何的修改與變化,但本發(fā)明的專利保護范圍,仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。

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