本發(fā)明涉及一種導電性發(fā)泡輥，進一步詳細而言，涉及一種用于復印機、打印機、傳真機等電子照相設備的調色劑供給輥的導電性優(yōu)良的發(fā)泡輥。

背景技術：

電子照相設備的調色劑供給輥，相對于顯影輥進行調色劑的供給及清潔(刮取回收殘存的調色劑)。為了提高調色劑輸送性能及清潔性能，用發(fā)泡體(海綿)構成調色劑供給輥。其表面具備發(fā)泡單元開口而形成的多個凹部和劃分該表面凹部的單元壁。以往，將調色劑物理積存在該表面凹部而對調色劑進行輸送，并通過物理刮取該單元壁中殘存的調色劑來進行清潔。近年來，進行了通過賦予發(fā)泡體以導電性并外加電壓，在物理地進行調色劑的輸送及清潔的基礎上，利用電性吸附力進行調色劑的輸送及清潔的研究。

作為導電性發(fā)泡輥，例如已知專利文獻1。在專利文獻1中，記載了在導電性發(fā)泡層中配合離子導電劑的方案。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-254519號公報

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的問題

為了相比以往的調色劑供給輥更加提高清潔性能，需要提高基于發(fā)泡單元的表面開口率以增加在表面出現(xiàn)的單元壁的數(shù)量。但是，若提高表面開口率，則與顯影輥接觸的部分的面積變小，因此電阻變高。因此，在表面開口率較高的導電性發(fā)泡輥中，難以兼顧清潔性能和低電阻。

本發(fā)明要解決的問題在于，提供一種在表面開口率較高的導電性發(fā)泡輥中，兼顧清潔性能和低電阻的導電性發(fā)泡輥。

用于解決問題的手段

為了解決上述問題，本發(fā)明所涉及的導電性發(fā)泡輥是具有軸體和在上述軸體的外周形成的導電性發(fā)泡體層的導電性發(fā)泡輥，其要旨在于，上述導電性發(fā)泡體層的表面開口率為50％以上90％以下，上述導電性發(fā)泡體層含有離子導電劑，該離子導電劑由二烯丙基型銨陽離子與選自N,N-雙(三氟甲烷磺?；?亞胺陰離子及N,N-雙(氟磺?；?亞胺陰離子中的一種以上的陰離子的鹽構成。

在這種情況下，上述離子導電劑中的陰離子優(yōu)選為N,N-雙(氟磺?；?亞胺陰離子。而且，上述離子導電劑中的陽離子優(yōu)選為二烯丙基二甲基銨陽離子。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明所涉及的導電性發(fā)泡輥，在表面開口率為50％以上90％以下的表面開口率較高的導電性發(fā)泡輥中，導電性發(fā)泡體層含有離子導電劑，該離子導電劑由特定的銨鹽構成，在確保低電阻的同時可發(fā)揮較高的清潔性能。

而且，在離子導電劑的陰離子為N,N-雙(氟磺?；?亞胺陰離子時，低電阻化的效果進一步提高。另外，在離子導電劑的陽離子為二烯丙基二甲基銨陽離子時，低電阻化的效果進一步提高。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一個實施方式所涉及的導電性發(fā)泡輥的外觀立體圖(a)以及周向剖面圖(圖1(a)的A-A線處剖面圖)(b)。

圖2是導電性發(fā)泡體層的表面附近的剖面放大圖，表示多個單元在厚度方向上連通的圖(a)和多個單元在厚度方向上不連通的圖(b)。

圖3是表示導電性發(fā)泡體層的規(guī)定范圍的表面的示意圖，表示表面開口率較高的圖(a)和表面開口率較低的圖(b)。

圖4是說明基于不同表面開口率的清潔性能的示意圖，表示表面開口率較高的圖(a)和表面開口率較低的圖(b)。

圖5是說明基于不同表面開口率的導電性的示意圖，表示表面開口率較高的圖(a)和表面開口率較低的圖(b)。

圖6是表示表面開口率和體積電阻率的關系的圖表。

圖7是對通過除去表層而使表面附近的單元開口的方法進行說明的工序圖。

圖8是表示實施例及對比例的表面開口率和體積電阻率的關系的圖表。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的構成進行具體的說明。

圖1表示本發(fā)明的一個實施方式所涉及的導電性發(fā)泡輥。如圖1所示，導電性發(fā)泡輥10具有軸體12和在軸體12的外周形成的導電性發(fā)泡體層14。在圖2中，對導電性發(fā)泡體層14的表面附近進行了放大表示。如圖2(a)(b)所示，導電性發(fā)泡體層14由多個單元(氣相)16和劃分單元16的單元壁(樹脂相)18構成。單元(氣相)16及單元壁(樹脂相)18分布于導電性發(fā)泡體層14的周向及厚度方向的整體。導電性發(fā)泡體層14通過具備多個單元16，而相比沒有單元(氣相)的實心樹脂層在柔軟性上更優(yōu)異。多個單元16，可以如圖2(a)所示在厚度方向上連通(連續(xù)氣泡型構造)，也可以如圖2(b)所示在厚度方向上不連通(獨立氣泡型構造)。若要形成連續(xù)氣泡型構造，可以采用提高發(fā)泡倍率、添加破泡劑、在獨立氣泡型構造中吹送壓縮氣體或熱風以除去單元壁18等方法。若要形成獨立氣泡型構造，可以采用降低發(fā)泡倍率、進行穩(wěn)泡劑等的選擇等方法。

如圖2所示，在導電性發(fā)泡體層14的表面，存在表面附近的單元16a開口而形成的多個凹部20。在相鄰的凹部20和凹部20之間，存在劃分凹部20的表面單元壁18a。凹部20為積存調色劑的部分。利用該凹部20進行調色劑的輸送(供給、去除)。表面單元壁18a為與顯影輥的表面接觸并物理刮取殘存的調色劑的部分。從顯影輥表面刮取的調色劑積存在表面單元壁18a旁邊的凹部20中。利用該表面單元壁18a及凹部20進行清潔。另外，表面單元壁18a為與顯影輥的表面接觸的部分，利用該表面單元壁18a可實現(xiàn)與顯影輥之間的導通。

如圖2(a)所示，若多個單元16在厚度方向上連通，則積存調色劑的部分在厚度方向上擴大，可積存的調色劑的量變多，因此調色劑的輸送量、刮取量變多。另外，可減少由調色劑導致的單元16的堵塞。

在導電性發(fā)泡輥10中，導電性發(fā)泡體層14的表面開口率為50％以上90％以下。導電性發(fā)泡體層14的表面開口率，可以通過對使用光學顯微鏡拍攝的導電性發(fā)泡體層14的表面照片進行二值化圖像分析而求出。導電性發(fā)泡體層14的表面開口率，可以由在導電性發(fā)泡體層14的表面出現(xiàn)的氣相和樹脂相的面積比而求出。導電性發(fā)泡體層14的表面開口率，可以用導電性發(fā)泡體層14表面的包括多個單元的規(guī)定范圍(3.2mm×2.4mm)內的開口率來表示。導電性發(fā)泡體層14的表面的平均開口徑在50-500μm的范圍內。

圖3(a)(b)示意性地表示導電性發(fā)泡體層14的表面的規(guī)定范圍。圖4(a)(b)表示對基于不同表面開口率的清潔性能進行說明的示意圖。并且，圖5(a)(b)表示對基于不同表面開口率的導電性進行說明的示意圖。圖4(a)及圖5(a)是與圖3(a)對應的構成，圖4(b)及圖5(b)是與圖3(b)對應的構成。

如圖3(a)所示，若導電性發(fā)泡體層14的表面開口率較高，則規(guī)定范圍內的表面單元壁18a的數(shù)量較多，如圖4(a)所示，與顯影輥30的表面接觸并物理刮取殘存的調色劑32的部分變多而使清潔性能提高。另一方面，如圖3(b)所示，若導電性發(fā)泡體層14的表面開口率較低，則規(guī)定范圍內的表面單元壁18a的數(shù)量較少，如圖4(b)所示，與顯影輥30的表面接觸并物理刮取殘存的調色劑32的部分變少而使清潔性能降低。從發(fā)揮較高的清潔性能的觀點出發(fā)，導電性發(fā)泡體層14的表面開口率為50％以上。另外，從該觀點出發(fā)，導電性發(fā)泡體層14的表面開口率更優(yōu)選為55％以上，進一步優(yōu)選為60％以上。

但是，如圖3(a)所示，若導電性發(fā)泡體層14的表面開口率較高，則規(guī)定范圍內的表面單元壁18a與顯影輥30的表面接觸的接觸面積較小，因此，如圖5(a)所示，在表面單元壁18a處產生離子的集中，與圖3(b)所示的表面開口率較低的情況相比成為高電阻。如圖3(b)所示，若導電性發(fā)泡體層14的表面開口率較低，則規(guī)定范圍內的表面單元壁18a與顯影輥30的表面接觸的接觸面積較大，因此，如圖5(b)所示，在表面單元壁18a處不會產生離子的集中，而成為低電阻。若導電性發(fā)泡體層14的表面開口率在50％以上的范圍，則雖然能夠發(fā)揮較高的清潔性能，但是由于表面開口率較高而在表面單元壁18a處產生離子的集中。于是，通過使用特定的離子導電劑，即使是在導電性發(fā)泡體層14的表面開口率較高的情況下也能夠確保導電性。

但是，若導電性發(fā)泡體層14的表面開口率過大，則即使使用特定的離子導電劑也無法確保必要的導電性。因此，從確保導電性的觀點出發(fā)，導電性發(fā)泡體層14的表面開口率為90％以下。另外，從該觀點出發(fā)，導電性發(fā)泡體層14的表面開口率更優(yōu)選為85％以下，進一步優(yōu)選為80％以下。

導電性發(fā)泡體層14含有離子導電劑。離子導電劑由特定的離子導電劑構成，由二烯丙基型銨陽離子與選自N,N-雙(三氟甲烷磺?；?亞胺陰離子(TFSI)及N,N-雙(氟磺?；?亞胺陰離子(FSI)中的一種以上的陰離子的鹽構成。

該離子導電劑中的陰離子含有吸電子性的氟原子。通過該吸電子基團在陰離子內產生負電荷的非定域化。由此，與陽離子的靜電相互作用降低，離子易于解離。

另外，上述TFSI、FSI，如表1所示，在含有氟原子的陰離子中，也屬于分子量比較小的陰離子，在同一添加質量下陰離子的濃度變高，因此在同一添加質量下能增加陰離子的量。這樣，通過增加陰離子的量，即使離子集中也能夠確保導電性。從根據(jù)陰離子的分子量的不同來增加陰離子的量的觀點出發(fā)，在TFSI和FSI中，更優(yōu)選為分子量更小的FSI。

表1

作為分子量比TFSI大的氟系陰離子的N,N-雙(五氟乙烷磺?；?亞胺陰離子<C₂F₅>、N,N-雙(七氟丙烷磺?；?亞胺陰離子<C₃F₇>、N,N-雙(九氟丁烷磺酰基)亞胺陰離子<C₄F₉>，如表1所示，其分子量較大，不能對導電性的提高做出貢獻。另一方面，作為分子量比FSI小的氟系陰離子的三氟甲烷磺酸陰離子(TF)，如表1所示，其分子量較小，而使表面電荷密度變高且與陽離子的靜電相互作用變高，因此離子難以解離。因此，TF不能對導電性的提高做出貢獻。TFSI及FSI，增加陰離子量的效果和離子解離的容易程度的平衡性優(yōu)異，因此能對導電性的提高做出貢獻。

離子導電劑中的陽離子，具有兩個與N原子鍵合的烯丙基。這種銨陽離子為二烯丙基型銨陽離子，在兩個烯丙基之外，還具有兩個烷基。兩個烷基優(yōu)選為碳原子數(shù)為1-8左右的烷基。兩個烷基可以為相同種類，也可以為不同種類。烯丙基是吸電子基團，使正電荷在陽離子內非定域化。由此，與陰離子的靜電相互作用降低，離子易于解離。在導電性發(fā)泡體層14中，離子導電劑的陽離子的烯丙基，以烯丙基的狀態(tài)存在，沒有因例如硫磺、過氧化物等自由基引發(fā)劑而高分子化(聚合化)。

二烯丙基型銨陽離子，在存在自由基引發(fā)劑的情況下，與具有不飽和鍵的基體預聚物成鍵而固定化在基體預聚物中。并且，此時，二烯丙基型銨陽離子被高分子化。若二烯丙基型銨陽離子被高分子化，則N上的電荷密度上升，相對介電常數(shù)變大。電荷處于定域化的方向，因此離子難以解離。像導電性發(fā)泡體層14這樣與顯影輥30的表面的接觸面積較小的情況下，優(yōu)選更易于離子解離的陽離子，因此，以未被高分子化的二烯丙基型銨陽離子為宜。

在二烯丙基型銨陽離子中，特別優(yōu)選二烯丙基二甲基銨陽離子。由于在二烯丙基型銨陽離子中分子量較小，因此在與陰離子的組合中，能夠相對提高陰離子的比例，在同一添加質量下陰離子的濃度變高，因此在同一添加質量下能增加陰離子的量。由此，能夠對導電性的提高做出貢獻。

二烯丙基型銨陽離子，相比與N原子鍵合的基團全部由烷基構成的四烷基銨陽離子(四烷基型銨陽離子)，離子易于離解，因此，使用含有二烯丙基型銨陽離子的離子導電劑的導電性發(fā)泡輥10的體積電阻率，如圖6所示，對表面開口率的依賴性較低。特別是，即使表面開口率在50％以上的范圍，體積電阻率的上升也較小，因此，作為導電性發(fā)泡輥的離子導電劑是有效的。若使用由四烷基銨陽離子的鹽構成的離子導電劑，則如圖6所示，從表面開口率為50％以上起，體積電阻率大幅上升，對表面開口率的依賴性較高。因此，難以作為導電性發(fā)泡輥的離子導電劑使用。

導電性發(fā)泡體層14由聚氨酯泡沫等發(fā)泡材料形成。從不使離子導電劑中的二烯丙基型銨陽離子高分子化的觀點出發(fā)，在導電性發(fā)泡體層14的原料組合物中不含有硫磺、過氧化物等自由基引發(fā)劑。

聚氨酯泡沫的原料組合物由含有多元醇、聚異氰酸酯、離子導電劑的組合物構成。進一步的，可以根據(jù)需要含有發(fā)泡劑、催化劑、阻燃劑、填充劑、表面活性劑等。

作為聚氨酯泡沫中的多元醇，可列舉為聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異丁烯多元醇、含有苯乙烯、丙烯酸微粒的聚合物多元醇等。這些可以單獨使用或者兩種以上并用。

作為聚氨酯泡沫中的聚異氰酸酯，只要是雙官能以上的聚異氰酸酯，就沒有特別限定。例如，可列舉為2,4-(或2,6-)甲苯二異氰酸酯(TDI)、鄰聯(lián)甲苯二異氰酸酯(TODI)、萘二異氰酸酯(NDI)、苯二亞甲基二異氰酸酯(XDI)、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)、碳化二亞胺改性MDI、聚亞甲基聚苯基異氰酸酯、聚合聚異氰酸酯(polymeric polyisocyanate)、以及改性異氰酸酯、預聚物化的異氰酸酯等。這些可以單獨使用或者兩種以上并用。

作為發(fā)泡劑，可以使用在聚氨酯反應中通常使用的發(fā)泡劑。作為這樣的發(fā)泡劑，可列舉為水、含有氫原子的鹵化烴、低沸點烴、液化二氧化碳等。作為含有氫原子的鹵化烴，可列舉為含氫氯氟烴(HCFC)、氫氟烴(HFC)等。作為低沸點烴，可列舉為丁烷、戊烷、環(huán)戊烷等沸點為-5～70℃左右的烴。這些發(fā)泡劑的含量，可以適當確定。例如，以多元醇成分為100質量份計，可以設為0.1-10質量份的范圍內。

作為催化劑，可以使用在聚氨酯反應中通常使用的催化劑。作為這樣的催化劑，可列舉為胺系催化劑、金屬催化劑。作為胺系催化劑，可列舉為三乙烯二胺、五甲基二乙烯三胺、N-乙基嗎啉、二乙基乙醇胺、N,N,N',N'-四甲基己二胺、1-異丁基-2-甲基咪唑、1,8-二氮雜雙環(huán)-[5.4.0]-十一碳-7-烯、雙(二甲基氨基乙基)醚(羧酸鹽)等。作為金屬催化劑，可列舉為辛酸亞錫、二月桂酸二丁基錫、辛酸鉛等。這些既可以單獨使用，也可以兩種以上并用。催化劑的含量沒有特別限定，以多元醇成分為100質量份計，可以設為0.05-5質量份的范圍內。

導電性發(fā)泡體層14可以通過在輥成形模具內使原料組合物發(fā)泡成形而形成，該輥成形模具具有能夠成形為輥狀的模具面。輥成形模具的構成包括圓筒模具(管)和蓋，該圓筒模具與導電性發(fā)泡體層14的軸向長度大致等長，該蓋安裝于該圓筒模具的兩端并將該圓筒模具的兩端封閉。在將軸體與圓筒模具同軸地配置在圓筒模具內的狀態(tài)下，若用蓋將圓筒模具的兩端封閉并合模，則軸體與圓筒模具同軸地被蓋支撐，并在圓筒模具內形成目的為賦予導電性發(fā)泡體層的輥形狀的成形腔。將原料組合物注入該成形腔內，發(fā)泡固化在軸體12的周圍一體地成形導電性發(fā)泡體層14后，脫模。

若輥成形模具的模具面由氟樹脂形成，或者在模具面上形成由氟樹脂構成的涂覆層，則模具面具有防水性，由此成形的導電性發(fā)泡體層14，其表面附近的單元16a容易在導電性發(fā)泡體層14的表面開口，容易直接形成凹部20。

在成形后，在表面附近的單元16a未在導電性發(fā)泡體層14的表面開口的情況下，可以通過破壞將表面附近的單元16a覆蓋的薄膜狀的表層，而使表面附近的單元16a在導電性發(fā)泡體層14的表面開口。例如，如圖7(a)(b)所示，可以通過拉起將表面附近的單元16a覆蓋的薄膜狀的表層34并將表層34從導電性發(fā)泡體層14的表面剝離，從而破壞將表面附近的單元16a覆蓋的薄膜狀的表層34，也可以通過使用前端尖銳的工具在將表面附近的單元16a覆蓋的薄膜狀的表層34上開孔，從而破壞將表面附近的單元16a覆蓋的薄膜狀的表層34。

導電性發(fā)泡體層14，可以通過從對原料組合物進行板發(fā)泡(slab foaming)或模具發(fā)泡而得到的塊狀的發(fā)泡體切割出輥狀而形成。在這種情況下，需要對切割成輥狀的輥體的表面進行拋光，以達到規(guī)定的尺寸。由于拋光而使輥體的表面起毛，因此需要進行將起毛去除的處理。

這樣，導電性發(fā)泡體層14的表面開口率可以通過發(fā)泡倍率、作為在輥成形模具上涂布的脫模劑的種類而選擇硅、氟、聚乙烯等種類、表層34的剝離、表層34的開孔、拋光等進行調整。

軸體12，例如，可列舉為鐵、不銹鋼、鋁、施加有鍍層的鐵等金屬，或聚縮醛(POM)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚碳酸酯、聚酰胺等塑料。另外，可以根據(jù)需要在軸體12的外周面涂布粘合劑、底漆等。

實施例

以下，根據(jù)實施例對本發(fā)明具體地進行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。

(實施例1-3)

<導電性發(fā)泡體層用組合物的制備>

通過將100質量份的聚醚多元醇(三洋化成工業(yè)公司制造“FA703”，含有EO10％，OH值＝33)、1.0質量份的硅系穩(wěn)泡劑(東麗道康寧公司制造“SRX274DL”)、1.7質量份的蒸餾水(發(fā)泡劑)、0.2質量份的催化劑(三乙烯二胺，東曹公司制造“TEDA L33”)、0.05質量份的催化劑(雙(二甲基氨基乙基)醚、東曹公司制造“TOYOCAT ET”)、1.0質量份的離子導電劑B混合，從而制備多元醇配合液。

通過將15.2質量份的異氰酸酯(TDI，日本聚氨酯公司制造“CORONATE T80”，NCO48％)、10.1質量份的異氰酸酯(crude-MDI，日本聚氨酯公司制造“MILLIONATE MR200”，NCO31％)混合，從而制備異氰酸酯混合液。

通過將多元醇配合液和異氰酸酯混合液混合，從而制備導電性發(fā)泡體層用組合物。

<導電性發(fā)泡輥的制備>

在輥成形模具的涂布有親水性硅脫模劑的管模具內，同軸地配置實心圓柱狀的軸體，用蓋將管模具的兩端封閉并對軸體進行支撐。在該狀態(tài)下，向成形腔內注入導電性發(fā)泡體層用組合物，并在90℃×30分鐘的條件下發(fā)泡固化，得到在軸體的周圍一體地形成聚氨酯的導電性發(fā)泡體層而構成的導電性發(fā)泡輥，其中發(fā)泡比重為0.11(g/cm³)。在輥表面形成有表層，通過對該輥表面進行拋光，分別制備表面開口率為72％、50％、90％的導電性發(fā)泡輥(φ13.2mm)。

(實施例4)

按照與實施例1-3同樣的方式，制備表面開口率為70％的導電性發(fā)泡輥，不同之處在于，在導電性發(fā)泡體層用組合物的制備中，使用離子導電劑A代替離子導電劑B。

(對比例1)

按照與實施例1同樣的方式，制備表面開口率為70％的導電性發(fā)泡輥，不同之處在于，在導電性發(fā)泡體層用組合物的制備中，在多元醇配合液中進一步配合0.3質量份的過氧化物(日油公司制造“PERBUTYL ND”)。

(對比例2)

按照與實施例1同樣的方式，制備導電性發(fā)泡輥，不同之處在于，將表面開口率調整為40％。

(對比例3)

按照與實施例1同樣的方式，制備表面開口率為70％的導電性發(fā)泡輥，不同之處在于，在導電性發(fā)泡體層用組合物的制備中，使用離子導電劑C代替離子導電劑B。

(對比例4)

按照與實施例1同樣的方式，制備表面開口率為70％的導電性發(fā)泡輥，不同之處在于，在導電性發(fā)泡體層用組合物的制備中，使用離子導電劑D代替離子導電劑B。

離子導電劑A-D，由表2所示的結構的物質構成。

對于制備的各導電性發(fā)泡輥，進行表面開口率的測定、體積電阻率的測定、清潔性能的評價、體積電阻率的表面開口率依賴性的評價。測定方法、評價方法、評價基準如下。將這些結果連同配比表示在表3中。

(表面開口率的測定)

使用光學顯微鏡獲取規(guī)定范圍(3.2mm×2.4mm)的表面圖像，通過圖像分析進行二值化處理，并基于下述表達式算出表面開口率。

表面開口率(％)＝開口面積/圖像范圍×100

(體積電阻率的測定)

在NN環(huán)境下(23℃50％RH)，使導電性發(fā)泡輥與金屬棒線接觸，以在軸體的兩端分別施加300g的載荷的狀態(tài)下旋轉驅動金屬棒，以30rpm帶動導電性發(fā)泡輥旋轉，并在從軸體的端部外加200V的直流電壓的狀態(tài)下，測定軸體與金屬棒之間的電阻(1分鐘)，由此求出導電性發(fā)泡輥的體積電阻率(Ω·cm)。

(清潔性能的評價)

將導電性發(fā)泡輥作為調色劑供給輥裝入市售的打印機(RICOH公司制造“IPSIO CX3000”)，在LL環(huán)境下(15℃10％RH)打印立體圖像(solid image)，并調查印刷的濃淡偏差。將觀察到印刷濃淡偏差的情況視為不良“×”，未觀察到印刷濃淡偏差的情況視為良好“○”。

(體積電阻率的表面開口率依賴性)

對于實施例1-3、對比例2，由實施例2、3的體積電阻率求出表面開口率為50％及90％時的體積電阻率。對于實施例4、對比例1、3、4，依據(jù)實施例4、對比例1、3、4分別制備表面開口率為50％的導電性發(fā)泡輥，測定其體積電阻率后，通過對導電性發(fā)泡體層的表面進行拋光以增大表面開口率調整至90％。對這樣制備的表面開口率為50％及90％的導電性發(fā)泡輥進行體積電阻率測定。體積電阻率的表面開口率依賴性，由表面開口率為50％時的體積電阻率與表面開口率為90％時的體積電阻率之比以及圖8進行評價。圖8是表示實施例及對比例中的表面開口率和體積電阻率的關系的圖表。

對比例1的離子導電劑中的陽離子被高分子化。因此，即使在表面開口率為50％的情況下，電阻也略高，在表面開口率超過70％的情況下，不能滿足導電性發(fā)泡輥所要求的低電阻。另外，如圖8所示，電阻的表面開口率依賴性較高，因此，不適合作為在導電性發(fā)泡輥中使用的離子導電劑。對比例2的表面開口率為40％。因此，不滿足清潔性能。對比例3的離子導電劑中的陽離子為四烷基型銨陽離子。因此，即使在表面開口率為50％的情況下，也為高電阻，不能滿足導電性發(fā)泡輥所要求的低電阻。另外，如圖8所示，電阻的表面開口率依賴性較高，因此，不適合作為在導電性發(fā)泡輥中使用的離子導電劑。對比例4的離子導電劑中的陰離子由低分子量的TF構成。因此，即使在表面開口率為50％的情況下，也為高電阻，不能滿足導電性發(fā)泡輥所要求的低電阻。另外，如圖8所示，電阻的表面開口率依賴性較高，因此，不適合作為在導電性發(fā)泡輥中使用的離子導電劑。

與此相對，實施例1-4的離子導電劑中的陰離子由FSI或TFSI構成，陽離子由二烯丙基型銨陽離子構成。因此，在表面開口率為50-90％的范圍內，電阻足夠低，滿足導電性發(fā)泡輥所要求的低電阻。另外，如圖8所示，可知電阻的表面開口率依賴性較低，適合作為在導電性發(fā)泡輥中使用的離子導電劑。在實施例1-4中，可知在離子導電劑中的陰離子由FSI構成的實施例1-3中，在表面開口率為50-90％的范圍內均為更低電阻，在導電性方面更優(yōu)異。

以上對本發(fā)明的實施方式進行了詳細的說明，但本發(fā)明不受上述實施方式的任何限定，可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內進行各種改變。