氟化鎂顆粒、氟化鎂顆粒的制造方法、氟化鎂顆粒分散液、氟化鎂顆粒分散液的制造方法 ...的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的氟化鎂顆粒是含有至少一個(gè)氟化鎂微粒的氟化鎂顆粒，所述至少一個(gè)氟化鎂微粒的每個(gè)都具有對被承載體進(jìn)行承載的細(xì)孔。而且，所述至少一個(gè)氟化鎂微粒是多個(gè)微粒，所述多個(gè)微粒中彼此相鄰的微粒之間存在粒界空隙狀細(xì)孔，粒界空隙狀細(xì)孔是對所述被承載體進(jìn)行承載的間隙。
【專利說明】氟化鎂顆粒、氟化鎂顆粒的制造方法、氟化鎂顆粒分散液、
氟化鎂顆粒分散液的制造方法、低折射率層形成用組合物、
低折射率層形成用組合物的制造方法、附有低折射率層的基材以及附有低折射率層的基材的制造方法
[0001]

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及氟化鎂顆粒、氟化鎂顆粒的制造方法、氟化鎂顆粒分散液、氟化鎂顆粒分散液的制造方法、低折射率層形成用組合物、低折射率層形成用組合物的制造方法、附有低折射率層的基材以及附有低折射率層的基材的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]隨著液晶顯示器(IXD)或等離子顯示面板(rop)等平板顯示器的發(fā)展，顯示器市場不斷擴(kuò)大，目前在進(jìn)行以顯示器的高清晰度、高色階、高對比度為目的的高性能化的開發(fā)。隨著高性能化的開發(fā)，顯示器表面上防反射層的應(yīng)用越來越普及。防反射層包含高折射率層和低折射率層，利用高折射率層和低折射率層各自物質(zhì)表面反射的光的相位差，從而防止顯示器表面的外部光反射。
[0004]低折射率層的形成方法大致分為氣相法和涂布法。尤其對于涂布法來說，原料的利用效率比較好，在大批量生產(chǎn)或設(shè)備成本方面比氣相法好。因此，目前使用生產(chǎn)率較好的涂布法來形成低折射率層。
[0005]尤其是，已知氟化鎂溶膠和氟化鎂微粉末能夠有效地作為低折射率層涂布劑的微填料(專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2)。還有，作為形成低折射率層的方法，已知如下方法:通過在構(gòu)成低折射率層的涂膜的內(nèi)部含有折射率為I且大小在可見光的波長以下的氣泡，從而降低涂膜整體的折射率。例如，有使中空二氧化硅等中空微粒含有在涂膜內(nèi)部的方法(專利文獻(xiàn)3、專利文獻(xiàn)4)。
[0006][專利文獻(xiàn)]
[0007]【專利文獻(xiàn)I】日本特開昭63-124332號公報(bào)
[0008]【專利文獻(xiàn)2】日本特開平2-26824號公報(bào)
[0009]【專利文獻(xiàn)3】日本特開2001-167637號公報(bào)
[0010]【專利文獻(xiàn)4】日本特開2002-265866號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2中，為了得到透明性，需要提高氟化鎂的分散性，而使一次粒徑變小的話，則生產(chǎn)率降低。專利文獻(xiàn)3和專利文獻(xiàn)4中，能夠使用中空二氧化硅顆粒來形成硬涂膜，但是機(jī)械強(qiáng)度或抗劃傷性較差。
[0012]本發(fā)明是鑒于上述課題而作出的，其目的在于提供一種低折射率且成膜性優(yōu)異的氟化鎂顆粒、氟化鎂顆粒的制造方法、氟化鎂顆粒分散液、氟化鎂顆粒分散液的制造方法、低折射率層形成用組合物、低折射率層形成用組合物的制造方法、附有低折射率層的基材以及附有低折射率層的基材的制造方法。
[0013]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的氟化鎂顆粒為含有至少一個(gè)氟化鎂微粒的氟化鎂顆粒，所述至少一個(gè)氟化鎂微粒的每個(gè)都具有對被承載體進(jìn)行承載的細(xì)孔。
[0014]所述至少一個(gè)氟化鎂微粒是多個(gè)微粒，所述多個(gè)微粒中彼此相鄰的微粒之間可以存在粒界空隙狀細(xì)孔，所述粒界空隙狀細(xì)孔為對所述被承載體進(jìn)行承載的間隙。
[0015]所述細(xì)孔對所述被承載體進(jìn)行承載，所述被承載體可以是所述至少一個(gè)氟化鎂微粒的生成過程中使用的物質(zhì)。
[0016]所述細(xì)孔對所述被承載體進(jìn)行承載，所述被承載體的折射率可以低于所述至少一個(gè)氟化鎂微粒的折射率。
[0017]所述被承載體可以是含有惰性氣體的氣體或者含有有機(jī)溶液的液體中的至少一種。
[0018]所述細(xì)孔可以是微粒內(nèi)開細(xì)孔和微粒內(nèi)閉細(xì)孔中的至少一種,所述微粒內(nèi)開細(xì)孔是以開口在所述氟化鎂微粒的表面的狀態(tài)而存在，所述微粒內(nèi)閉細(xì)孔是以從所述氟化鎂微粒的表面來看呈閉塞的狀態(tài)而存在于所述氟化鎂微粒的內(nèi)部。
[0019]所述粒界空隙狀細(xì)孔可以是以開口狀態(tài)而存在的粒界空隙狀開細(xì)孔和以閉塞狀態(tài)而存在的粒界空隙狀閉細(xì)孔中的至少一種。
[0020]所述氟化鎂微粒的平均粒徑可以是Inm?lOOnm。
[0021]所述氟化鎂微粒的平均粒徑可以是Inm?50nm。
[0022]所述氟化鎂微粒的折射率可以在1.20以上且1.40以下的范圍。
[0023]所述氟化鎂微粒根據(jù)BET法測得的比表面積可以在150m2/g以上且300m2/g以下的范圍。
[0024]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的氟化鎂顆粒分散液包含上述所記載的氟化鎂顆粒和用于分散所述氟化鎂顆粒的分散介質(zhì)。
[0025]所述分散介質(zhì)可以含有對所述氟化鎂顆粒的分散進(jìn)行促進(jìn)的分散劑。
[0026]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的低折射率層形成用組合物含有上述所記載的氟化鎂顆粒和用于分散所述氟化鎂顆粒的層形成用材料。
[0027]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的附有低折射率層的基材含有樹脂基板、形成在所述樹脂基板之上的硬涂層、形成在所述硬涂層之上的低折射率層，所述低折射率層由上述所記載的低折射率層形成用組合物構(gòu)成。
[0028]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的氟化鎂顆粒的制造方法為制造含有至少一個(gè)氟化鎂微粒的氟化鎂顆粒的方法，包含:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備氟硅酸鎂晶體；晶體生成工序，通過對所述氟硅酸鎂晶體進(jìn)行熱處理將氣體從所述氟硅酸鎂晶體中排出，并生成具有對被承載體進(jìn)行承載的細(xì)孔的氟化鎂晶體；以及微粒生成工序，由所述氟化鎂晶體生成含有所述細(xì)孔的氟化鎂微粒。
[0029]所述至少一個(gè)氟化鎂微粒是多個(gè)微粒，所述晶體生成工序包含凝聚工序，所述凝聚工序是按照使所述多個(gè)微粒中彼此相鄰的微粒之間形成粒界空隙狀細(xì)孔的方式來對所述彼此相鄰的微粒進(jìn)行凝聚的工序，所述粒界空隙狀細(xì)孔可以是對所述被承載體進(jìn)行承載的間隙。
[0030]所述晶體生成工序可以包含微粒內(nèi)開細(xì)孔形成工序和微粒內(nèi)閉細(xì)孔形成工序中的至少一種，所述微粒內(nèi)開細(xì)孔形成工序是形成以開口在所述氟化鎂微粒的表面的狀態(tài)而存在的微粒內(nèi)開細(xì)孔的工序，所述微粒內(nèi)閉細(xì)孔形成工序是形成以從所述氟化鎂微粒的表面來看呈閉塞的狀態(tài)而存在于所述氟化鎂微粒的內(nèi)部的微粒內(nèi)閉細(xì)孔的工序。
[0031]所述凝聚工序可以包含粒界空隙狀開細(xì)孔形成工序和粒界空隙狀閉細(xì)孔形成工序中的至少一種，所述粒界空隙狀開細(xì)孔形成工序是形成以開口狀態(tài)而存在的粒界空隙狀開細(xì)孔的工序，所述粒界空隙狀閉細(xì)孔形成工序是形成以閉塞狀態(tài)而存在的粒界空隙狀閉細(xì)孔的工序。
[0032]所述準(zhǔn)備工序可以包含:氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料生成工序，由鎂鹽與含有氟硅化物離子的溶液的混合液生成氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料；氟硅酸鎂顆粒的膏狀物生成工序，由所述氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料生成氟硅酸鎂顆粒的膏狀物；氟硅酸鎂顆粒生成工序，由所述氟硅酸鎂顆粒的膏狀物生成氟硅酸鎂顆粒；氟硅酸鎂微粒的漿料生成工序，對所述氟硅酸鎂顆粒進(jìn)行粉碎從而生成氟硅酸鎂微粒的漿料；以及氟硅酸鎂晶體生成工序，由所述氟硅酸鎂微粒的漿料生成所述氟硅酸鎂晶體。
[0033]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的氟化鎂顆粒分散液的制造方法包含:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備上述所記載的氟化鎂顆粒；以及分散工序，將所述氟化鎂顆粒分散到分散介質(zhì)中。
[0034]所述分散介質(zhì)可以含有對所述氟化鎂顆粒的分散進(jìn)行促進(jìn)的分散劑。
[0035]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的低折射率層形成用組合物的制造方法包含:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備上述所記載的氟化鎂顆粒；以及分散工序，將所述氟化鎂顆粒分散到層形成用材料中。
[0036]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的附有低折射率層的基材的制造方法包含準(zhǔn)備樹脂基板的工序、在所述樹脂基板之上形成硬涂層的工序、在所述硬涂層之上形成低折射率層的工序，所述低折射率層由上述所記載的低折射率層形成用組合物構(gòu)成。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒的示意圖。
[0038]圖2是本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒的截面示意圖。
[0039]圖3是本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒的透射型電子顯微鏡(TEM)圖像。
[0040]圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒的制造方法的流程圖。
[0041]圖5是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒分散液的示意圖。
[0042]圖6是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒分散液的制造方法的流程圖。
[0043]圖7是表示本發(fā)明實(shí)施方式的低折射率層形成用組合物的示意圖。
[0044]圖8是表示本發(fā)明實(shí)施方式的低折射率層形成用組合物的制造方法的流程圖。
[0045]圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式的附有低折射率層的基材的示意圖。
[0046]圖10是表示通過實(shí)施例和比較例制造的氟化鎂顆粒、低折射率層、附有低折射率層的基材的測量結(jié)果的表。

【具體實(shí)施方式】
[0047]以下，參照附圖對本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒、氟化鎂顆粒的制造方法、氟化鎂顆粒分散液、氟化鎂顆粒分散液的制造方法、低折射率層形成用組合物、低折射率層形成用組合物的制造方法、附有低折射率層的基材以及附有低折射率層的基材的制造方法進(jìn)行說明。
[0048][氟化鎂顆粒]
[0049]圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒100的示意圖。氟化鎂顆粒100含有至少一個(gè)微粒110。微粒110是氟化鎂微粒。微粒110具有凹凸120。微粒110的凹凸120在微粒110的表面上存在有多個(gè)。微粒110具有多個(gè)對被承載體進(jìn)行承載的細(xì)孔130，微粒110是孔隙結(jié)構(gòu)。
[0050]細(xì)孔130能夠以開口在微粒110的表面的狀態(tài)而存在。而且，細(xì)孔130也能夠以從微粒110的表面來看呈閉塞的狀態(tài)而存在于微粒110的內(nèi)部。氟化鎂顆粒100包含多個(gè)微粒110的情況下，在多個(gè)微粒110中彼此相鄰的微粒之間具有對被承載體進(jìn)行承載的間隙，由此形成細(xì)孔。優(yōu)選氟化鎂顆粒100的比表面積為比較大，優(yōu)選細(xì)孔130的數(shù)目為比較多。
[0051]細(xì)孔130承載的被承載體是微粒110的生成過程中使用的物質(zhì)。例如，被承載體是氣體(例如，惰性氣體等氣體或空氣)或者包含有機(jī)溶液的液體中的至少一種，一種的情況下可以是單獨(dú)由細(xì)孔130承載，兩種以上的情況下可以是混合后由細(xì)孔130承載。例如，被承載體可以具有比微粒110低的折射率。
[0052]氟化鎂顆粒100的平均粒徑在Inm以上且10nm以下的范圍，優(yōu)選為Inm以上且50nm以下的范圍，更優(yōu)選為Inm以上且30nm以下的范圍。氟化鎂顆粒100的平均粒徑在Inm以上且50nm以下的話，則氟化鎂顆粒100容易分散于低折射率層形成用成分中，而且也適合于形成低折射率層(層厚50nm?300nm)或附有低折射率層的基材。平均粒徑在Inm以上的情況下，不削弱低折射效果，而且分散也是穩(wěn)定的。另外，平均粒徑定義為樣品顆粒全體的50% (體積百分比)是由平均粒徑以下的顆粒構(gòu)成時(shí)所對應(yīng)的粒徑(d50)。
[0053]氟化鎂顆粒100的比表面積在150m2/g?300m2/g的范圍。就包覆膜形成能力比較良好這一點(diǎn)而言，優(yōu)選比表面積在150m2/g?300m2/g的范圍。比表面積為150m2/g以上的情況下，無細(xì)孔的微粒被包含在氟化鎂顆粒100中的情況變少。還有，比表面積為300m2/g以下的情況下，可確保氟化鎂顆粒100的機(jī)械性強(qiáng)度在一定強(qiáng)度以上。
[0054]氟化鎂顆粒100的折射率在1.20以上且1.40以下的范圍，優(yōu)選為1.20以上且1.36以下的范圍。優(yōu)選氟化鎂顆粒100的折射率在1.20以上且1.40以下的范圍，因?yàn)槟苁拱材さ姆瓷渎首冃?。尤其是，氟化鎂顆粒100的折射率在1.20以上的話，能夠確保氟化鎂顆粒100的強(qiáng)度。還有，氟化鎂顆粒100的折射率在1.40以下的話，能夠得到充分的防反射效果，該防反射效果是指含有氟化鎂顆粒100的低折射率層或者包含這種低折射率層的基材的防反射效果。
[0055]氟化鎂的折射率通常在1.37以上且1.42以下的范圍，但是氟化鎂顆粒100的折射率比較小。基于這樣的趨勢，可知氟化鎂顆粒100的結(jié)構(gòu)是孔隙結(jié)構(gòu)且氟化鎂顆粒100具有細(xì)孔130。另外，氟化鎂顆粒100的折射率可以利用細(xì)孔130的形狀或者存在于細(xì)孔130內(nèi)的物質(zhì)(即溶劑或氣體)來進(jìn)行控制。細(xì)孔130所承載的被承載體的折射率比微粒110的折射率低的情況下，氟化鎂顆粒100的折射率就比微粒110的折射率低。
[0056]另外，包含氟化鎂顆粒100的低折射率層的折射率比包含使用其他方法制造的氟化鎂微粒的低折射率層的折射率小，其中，其他方法是指不同于本發(fā)明的方法。還有，包含氟化鎂顆粒100的低折射率層的折射率比包含非氟化鎂微粒的微粒(例如二氧化硅微粒)的低折射率層的折射率小。
[0057]圖2是本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒100的截面示意圖。參照圖2，對氟化鎂顆粒100具有的細(xì)孔130的變化進(jìn)行說明。細(xì)孔130是微粒內(nèi)開細(xì)孔130a、微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b、粒界空隙狀開細(xì)孔130c和粒界空隙狀閉細(xì)孔130d中的至少一種。
[0058]微粒內(nèi)開細(xì)孔130a是以開口在微粒110的表面的狀態(tài)而存在的細(xì)孔。在微粒110中存在多個(gè)微粒內(nèi)開細(xì)孔130a的情況下，微粒110成為多孔材料。微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b是以從微粒110的表面來看呈閉塞的狀態(tài)而存在于微粒110的內(nèi)部的細(xì)孔。關(guān)于微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b，微粒110的表面部分是閉合的，在微粒110內(nèi)部是獨(dú)立的。在微粒110中存在多個(gè)微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b的情況下，微粒110是部分中空的。
[0059]氟化鎂顆粒100包含多個(gè)微粒110的情況下，氟化鎂顆粒100在彼此相鄰的微粒110之間包含對被承載體進(jìn)行承載的間隙，間隙成為粒界空隙狀細(xì)孔。關(guān)于粒界空隙狀細(xì)孔，有粒界空隙狀開細(xì)孔130C和粒界空隙狀閉細(xì)孔130d。粒界空隙狀開細(xì)孔130c是以開口狀態(tài)而存在的粒界空隙狀細(xì)孔。粒界空隙狀閉細(xì)孔130d是以閉塞狀態(tài)而存在的粒界空隙狀細(xì)孔。關(guān)于粒界空隙狀閉細(xì)孔130d，氟化鎂顆粒100的表面部分是閉合的，在氟化鎂顆粒100的內(nèi)部是獨(dú)立的。
[0060]微粒110的細(xì)孔130是在氟化鎂顆粒100的制造過程中形成的。通過對氟硅酸鎂晶體進(jìn)行熱分解，使SiF4氣體在氟硅酸鎂晶體內(nèi)生成，并被排出到氟硅酸鎂晶體外，從而生成氟化鎂晶體。通過氣體排出，使氟化鎂晶體產(chǎn)生細(xì)孔。還有，氣體排出時(shí)，氟硅酸鎂晶體的體積發(fā)生變化，生成的氟化鎂晶體被微細(xì)化成微粒，同時(shí)微粒持續(xù)凝聚或者微粒進(jìn)行新的凝聚。
[0061]通過熱處理使氟化鎂微粒彼此熔合，從而形成氟化鎂顆粒。由微粒的熔合而形成的氟化鎂顆?？赡芎形⒘Ｄ郛a(chǎn)生的顆粒。通過對這樣的氟化鎂顆粒進(jìn)行粉碎，能夠得到氟化鎂顆粒100。
[0062]細(xì)孔130中的微粒內(nèi)開細(xì)孔130a和微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b是在SiF4氣體從氟硅酸鎂晶體內(nèi)排出時(shí)形成的。微粒內(nèi)開細(xì)孔130a也是氣體排出的痕跡。熱處理時(shí)使用了的氣體(例如，氮?dú)獾榷栊詺怏w或空氣)可以殘留在微粒內(nèi)開細(xì)孔130a或微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b中，并由其進(jìn)行承載。微粒內(nèi)開細(xì)孔130a或微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b也可以承載氟化鎂顆粒100的生成過程中使用的液體或溶劑。
[0063]細(xì)孔130中的微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b除了在SiF4氣體排出時(shí)形成，也會在熱處理使氟化鎂微粒的晶體生長時(shí)，通過微粒內(nèi)開細(xì)孔130a的開口部分發(fā)生閉合而形成。例如，微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b通過微粒內(nèi)開細(xì)孔130a發(fā)生變形、且微粒110的表面的開口部分發(fā)生閉合而形成。在微粒內(nèi)開細(xì)孔130a的開口部分發(fā)生閉合的過程中，微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b可以承載密閉在細(xì)孔內(nèi)部的氣體(例如，氮?dú)獾葰怏w或空氣)。而且，微粒內(nèi)閉細(xì)孔130b也可以承載氟化鎂顆粒100的生成過程中使用的液體或溶劑。
[0064]粒界空隙狀開細(xì)孔130c形成于熱處理使氟化鎂微粒凝聚或熔合的過程中。粒界空隙狀開細(xì)孔130c可以承載氟化鎂顆粒100的生成過程中使用的液體、溶劑或氣體(例如，氮?dú)獾葰怏w或空氣)。
[0065]粒界空隙狀閉細(xì)孔130d是氟化鎂微粒的凝聚或熔合的過程中粒界空隙狀開細(xì)孔130c的開口部分發(fā)生閉合而形成的。在氟化鎂微粒凝聚或熔合的過程中，粒界空隙狀閉細(xì)孔130d可以承載氣體(例如，氮?dú)獾葰怏w或空氣)。而且，粒界空隙狀閉細(xì)孔130d也可以承載氟化鎂顆粒100的生成過程中使用的液體或溶劑。粒界空隙狀閉細(xì)孔130d可以承載具有比微粒110的折射率還低的折射率的被承載體。
[0066]圖3是本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒100的透射型電子顯微鏡(TEM)圖像。利用TEM(株式會社日立制作所制造，HF-2000)，以放大倍率50萬倍拍攝氟化鎂顆粒100的照片，得到照片投影圖。
[0067][氟化鎂顆粒的制造方法]
[0068]圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒100的制造方法的流程圖。氟化鎂顆粒100可以通過執(zhí)行步驟S302?步驟S316來進(jìn)行制造。通過執(zhí)行步驟S302?步驟S306，能夠生成氟硅酸鎂顆粒。通過執(zhí)行步驟S308，能夠生成氟硅酸鎂微粒的漿料。通過執(zhí)行步驟S310，能夠生成氟硅酸鎂晶體。通過執(zhí)行步驟S312，能夠生成氟化鎂晶體。通過執(zhí)行步驟S314，能夠生成氟化鎂微粒的漿料。接著，通過執(zhí)行步驟S316，能夠生成氟化鎂顆粒100。另夕卜，本實(shí)施方式中，步驟S302?步驟S310是作為準(zhǔn)備氟硅酸鎂晶體的準(zhǔn)備工序發(fā)揮作用。以下，參照圖4對氟化鎂顆粒100的制造方法進(jìn)行說明。
[0069]步驟S302:將鎂鹽和含有氟硅化物離子的溶液進(jìn)行混合，生成氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料?；旌蠝囟仁?0°C以上且90°C以下。
[0070]例如，鎂鹽是氯化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、硫酸鎂、醋酸鎂、氨基磺酸鎂、甲酸鎂、檸檬酸鎂、苯甲酸鎂和草酸鎂中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。例如，氟硅化物離子是從氟硅化物(氟硅酸鈉、氟硅酸鉀、氟硅酸銫、氟硅酸、氟硅酸銨、氟硅酸季銨等)中解離生成的氟硅化物離子中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。
[0071]雖然沒有特別的限定，但是為了高效地制造氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料，優(yōu)選氟硅化物離子與從鎂鹽中解離生成的鎂離子的摩爾比接近化學(xué)計(jì)量比。具體來說，優(yōu)選氟硅化物離子/鎂離子的值為1.0以上且2.0以下。更優(yōu)選氟硅化物離子/鎂離子的值為1.0以上且1.5以下。
[0072]作為將鎂鹽和含有氟硅化物離子的溶液進(jìn)行混合的方法，比如有如下混合方法:將含有氟硅化物離子的溶液混合到預(yù)先將鎂鹽溶解于水而生成的水溶液中。雖然沒有特別的限定，但優(yōu)選將鎂鹽混合到含有氟硅化物離子的溶液中的方法作為混合方法。因?yàn)榕c將含有氟硅化物離子的溶液混合到鎂鹽中的方法相比較，容易使所得聚集物漿料中含有的氟硅酸鎂顆粒的大小均勻。還有，與一氣呵成地混合相比，緩慢且固定速度的混合容易使聚集物漿料中含有的氟硅酸鎂顆粒的大小均勻。
[0073]混合溫度可以是(TC以上且100°C以下，優(yōu)選為50°C以上且90°C以下。使混合溫度為50°C以上的話，則能夠抑制生成的氟硅酸鎂中含有的結(jié)晶水的大量生成。其結(jié)果，能夠抑制對氟化鎂顆粒100的有機(jī)溶膠進(jìn)行涂料化而形成的涂膜的白化。使混合溫度為90°C以下的話，則能夠抑制聚集物漿料中含有的氟硅酸鎂顆粒的粒徑變得過大。
[0074]還有，混合時(shí)間優(yōu)選為0.1小時(shí)以上且I小時(shí)以下。使混合時(shí)間為0.1小時(shí)以上的話，容易均勻地混合鎂鹽和含有氟硅化物離子的溶液。還有，使混合時(shí)間為I小時(shí)以下的話，則能夠抑制聚集物漿料中含有的氟硅酸鎂顆粒的粒徑變得過大。還能夠提高氟化鎂顆粒100的生產(chǎn)率。
[0075]步驟S304:對氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料進(jìn)行洗滌，生成氟硅酸鎂顆粒的膏狀物。
[0076]氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料洗滌是指除去氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料中含有的未反應(yīng)物和副產(chǎn)物。能夠通過抽吸過濾、加壓過濾、離心分離等除去未反應(yīng)物和副產(chǎn)物，但只要能夠除去未反應(yīng)物和副產(chǎn)物即可，對方法不作限定。而且，優(yōu)選洗滌后的廢液的電導(dǎo)率為1.0mS/cm以下。為1.0mS/cm以下的話，則未反應(yīng)物和副產(chǎn)物不會阻礙分散。還有，利用抽吸過濾、加壓過濾、離心分離等除去水分，能夠由氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料生成氟硅酸鎂顆粒的膏狀物，容易進(jìn)行下一工序中的干燥。
[0077]步驟S306:對氟硅酸鎂顆粒的膏狀物進(jìn)行干燥，生成氟硅酸鎂顆粒。干燥溫度為50°C以上且110°C以下。
[0078]進(jìn)一步除去氟硅酸鎂顆粒的膏狀物的水分，得到粉末狀的氟硅酸鎂顆粒。作為由氟硅酸鎂顆粒的膏狀物除去水分而得到粉末的方法，可以舉出減壓干燥或使用烘箱的熱干燥。為了抑制干燥凝聚，優(yōu)選在50°C以上且110°C以下的惰性氣體(例如N2氣體)環(huán)境下進(jìn)行干燥。為了進(jìn)一步抑制干燥凝聚，也可以使用干燥裝置(噴霧干燥器等)。還有，為了降低干燥溫度，也可以將氟硅酸鎂顆粒的膏狀物中含有的水分置換為親水性且低沸點(diǎn)的有機(jī)溶劑(甲醇、乙醇、丙酮等)。
[0079]步驟S308:將氟硅酸鎂顆?；旌系饺芤褐校瑢Ψ杷徭V顆粒進(jìn)行粉碎，生成氟硅酸鎂微粒的漿料。氟硅酸鎂微粒的平均粒徑是Inm以上且10nm以下。使用珠磨機(jī)作為分散機(jī)。
[0080]溶液特別是指有機(jī)溶液，溶液例如是具有酸性官能團(tuán)的分散介質(zhì)或者液體的有機(jī)物。還有，溶液可以是包含有機(jī)溶液的分散介質(zhì)。通常使用水和水溶性有機(jī)溶液的混合介質(zhì)作為分散介質(zhì)。作為水溶性有機(jī)溶液的例子，實(shí)用上可以舉出異丙醇。還有，為了促進(jìn)氟硅酸鎂顆粒的分散性，可以在分散介質(zhì)中適當(dāng)?shù)卦谔砑臃稚?表面活性劑等)。
[0081]作為分散劑，可以使用非離子型或陰離子型的烴類分散劑，或者非離子型或陰離子型的氟類分散劑。從分散狀態(tài)的長期穩(wěn)定性這一點(diǎn)來看，分散劑例如是聚氧乙烯十三烷基醚磷酸酯、聚氧乙烯異癸基醚、山梨醇酐單油酸酯、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。
[0082]分散介質(zhì)中的固形物濃度通常為I質(zhì)量％以上且15質(zhì)量％以下的范圍，優(yōu)選為2質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下的范圍，更優(yōu)選為2質(zhì)量％以上且8質(zhì)量％以下的范圍。分散介質(zhì)中的固形物濃度為I質(zhì)量％以上的情況下，工序上的效率是實(shí)用的。分散介質(zhì)中的固形物濃度為15質(zhì)量％以下的情況下，能夠容易地達(dá)到良好的分散狀態(tài)。
[0083]對氟硅酸鎂顆粒進(jìn)行粉碎的分散機(jī)，例如是涂料混合器(Red Devil制造)、球磨機(jī)、砂磨機(jī)、珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N 制造 “DYNO-MILL”、NIPPONCOKE & ENGINEERING.C0., LTD.制造 “MSC100” 等)、磨碎機(jī)、珠粒研磨機(jī)(Nippon EirichC0., Ltd.制造“DCP MILL” 等)、CoBall Mill、均質(zhì)混合機(jī)、勻衆(zhòng)機(jī)(Μ.Technique 公司制造“CLEARMIX”等)、濕式噴射磨機(jī)(Genus公司制造“Genus PY”、Nanomizer公司制造“Nanomizer”等)中的至少一種。還有，對膏狀的氟硅酸鎂顆粒與具有酸性官能團(tuán)的分散劑的混合液進(jìn)行磨碎或雙輥等的干式處理后，能夠添加有機(jī)溶劑并使用分散機(jī)進(jìn)行分散。另夕卜，在分散機(jī)中使用介質(zhì)的情況下，優(yōu)選氧化鋯珠等作為介質(zhì)。
[0084]步驟S310:對氟硅酸鎂微粒的漿料進(jìn)行蒸發(fā)干固，生成氟硅酸鎂晶體。蒸發(fā)干固溫度是50°C以上且110°C以下。優(yōu)選使用與步驟S306中執(zhí)行的干燥一樣的方法進(jìn)行蒸發(fā)干固，得到氟硅酸鎂晶體的粉末。
[0085]步驟S312:對氟硅酸鎂晶體進(jìn)行熱處理，生成氟化鎂晶體。優(yōu)選熱處理在300°C以上且900°C以下的惰性氣體(例如N2氣體)環(huán)境下進(jìn)行。更優(yōu)選熱處理在400°C以上且900°C以下的惰性氣體(例如N2氣體)環(huán)境下進(jìn)行。熱處理溫度為300°C以上的情況下，可以不用考慮未分解的氟硅酸鎂殘留的問題；熱處理溫度為900°C以下的情況下，能夠?qū)Ψ纸馍傻姆V晶體的成長進(jìn)行抑制，能夠阻止粒徑顯著增大。還有，由于在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行熱處理，因此不用考慮氧化物等的生成。
[0086]優(yōu)選熱處理時(shí)間為I小時(shí)以上且8小時(shí)以下，更優(yōu)選為3小時(shí)以上且8小時(shí)以下。熱處理時(shí)間為I小時(shí)以上的情況下，可以不用考慮未分解的氟硅酸鎂殘留的問題；熱處理時(shí)間為8小時(shí)以下的情況下，能夠?qū)Ψ纸馍傻姆V晶體的成長進(jìn)行抑制，能夠阻止粒徑顯著增大。另外，使用含有未分解的氟硅酸鎂的氟化鎂顆粒分散液來形成低折射率層的情況下，需要關(guān)注低折射率層中含有的樹脂的酸引起的劣化問題。
[0087]步驟S314:將氟化鎂晶體混合到溶液中，對氟化鎂晶體進(jìn)行粉碎，生成氟化鎂微粒的漿料。氟化鎂微粒的平均粒徑是Inm以上且10nm以下。使用珠磨機(jī)作為分散機(jī)。
[0088]溶液特別是指有機(jī)溶液，溶液例如是具有酸性官能團(tuán)的分散介質(zhì)或者液體的有機(jī)物。還有，溶液可以是包含有機(jī)溶液的分散介質(zhì)。有機(jī)溶液優(yōu)選使用與執(zhí)行步驟S308時(shí)所使用的溶液一樣的溶液。
[0089]分散介質(zhì)中的固形物濃度通常在I質(zhì)量％以上15質(zhì)量％以下的范圍，優(yōu)選為2質(zhì)量％以上10質(zhì)量％以下的范圍，更優(yōu)選為2質(zhì)量％以上8質(zhì)量％以下的范圍。分散介質(zhì)中的固形物濃度為I質(zhì)量％以上的情況下，工序上的效率是實(shí)用的。分散介質(zhì)中的固形物濃度為15質(zhì)量％以下的情況下，能夠容易地達(dá)到良好的分散狀態(tài)。
[0090]步驟S316:對氟化鎂微粒的漿料進(jìn)行蒸發(fā)干固之后，進(jìn)行熱處理，生成氟化鎂顆粒100。蒸發(fā)干固溫度是50°C以上且110°C以下。優(yōu)選為:使用與步驟S310中執(zhí)行的蒸發(fā)干固一樣的方法進(jìn)行蒸發(fā)干固，再使用與步驟S312中執(zhí)行的熱處理一樣的方法進(jìn)行熱處理來得到氟化鎂顆粒100。
[0091]不過，優(yōu)選熱處理在200°C以上且400°C以下、惰性氣體(例如N2氣體)環(huán)境下進(jìn)行。熱處理溫度為200°C以上的情況下，可以不用考慮溶劑的殘留；熱處理溫度為400°C以下的情況下，能夠?qū)ΨV顆粒100的晶體生長進(jìn)行抑制，能夠阻止粒徑顯著增大。還有，由于在N2氣體環(huán)境下進(jìn)行熱處理，因此不用考慮氧化物等的生成。熱處理時(shí)間為I小時(shí)以上的情況下，可以不用考慮溶劑的殘留；熱處理時(shí)間為3小時(shí)以下的情況下，能夠?qū)ΨV顆粒100的晶體生長進(jìn)行抑制，能夠阻止粒徑顯著增大。
[0092]以上，參照圖4對步驟S302?步驟S316進(jìn)行了說明。氟硅酸鎂是鱗片狀的晶體，通過執(zhí)行步驟S302能夠得到氟硅酸鎂顆粒的聚集物。聚集物的粒徑為數(shù)百nm至數(shù)十μ m，形成聚集物的顆粒(稱為初級粒子)的平均粒徑為50nm以下。氟硅酸鎂顆粒的聚集物能夠利用珠磨機(jī)容易地分散成初級粒子(平均粒徑為Inm以上且50nm以下)。利用步驟S310中執(zhí)行的蒸發(fā)干固，顆粒再次凝聚，能夠得到氟硅酸鎂晶體。
[0093]進(jìn)一步，利用步驟S312中執(zhí)行的熱處理，能夠?qū)Ψ杷徭V晶體進(jìn)行熱分解從而得到氟化鎂晶體。熱分解反應(yīng)中，SiF4氣體在氟硅酸鎂晶體內(nèi)生成，并排出到氟硅酸鎂晶體夕卜，從而生成氟化鎂晶體。通過氣體排出，使氟化鎂晶體產(chǎn)生細(xì)孔。還有，氣體排出時(shí)，氟硅酸鎂晶體的體積發(fā)生變化，生成的氟化鎂晶體被微細(xì)化成微粒，同時(shí)微粒持續(xù)凝聚或者微粒進(jìn)行新的凝聚。
[0094]氟化鎂微粒通過熱處理進(jìn)行顆粒生長，從而生成氟化鎂顆粒。顆粒生長的過程中，微粒又凝聚又熔合。通過微粒的凝聚或熔合而形成的氟化鎂顆?？赡芎形⒘５木奂锘蛭⒘Ｈ酆虾蟮奈⒘?。通過對這樣的氟化鎂顆粒進(jìn)行粉碎，能夠得到平均粒徑為Inm以上且10nm以下的氟化鎂顆粒100。
[0095][氟化鎂顆粒分散液]
[0096]圖5是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒分散液200的示意圖。圖5中，氟化鎂顆粒分散液200含有氟化鎂顆粒100和分散介質(zhì)210，放入在容器A中。氟化鎂顆粒100分散在分散介質(zhì)210中。另外，氟化鎂顆粒分散液200是將氟化鎂顆粒100作為分散質(zhì)的溶膠狀分散液，可以稱為氟化鎂溶膠。
[0097]分散介質(zhì)210是水或者有機(jī)分散液。有機(jī)分散液例如是醇類(甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等)、酮類(丙酮、MEK、MIBK等)、酯類(乙酸乙酯、乙酸丁酯等)、芳香族類(甲苯、二甲苯等)、醚類(甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等)中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。而且，分散介質(zhì)210可以是有機(jī)分散液與水的混合分散液。另外，在將氟化鎂顆粒分散液200應(yīng)用于低折射率層的形成用組合物的情況下，優(yōu)選使用具有對低折射率層的形成不產(chǎn)生阻礙的程度的揮發(fā)性的有機(jī)分散液。
[0098]氟化鎂顆粒分散液200中的固形物濃度通常是I質(zhì)量％以上15質(zhì)量％以下的范圍，優(yōu)選為I質(zhì)量％?10質(zhì)量％的范圍，更優(yōu)選為2質(zhì)量％以上8質(zhì)量％以下的范圍。氟化鎂顆粒分散液200中的固形物濃度為I質(zhì)量％以上的情況下，濃度也不會過稀，不需要濃縮處理。還有，氟化鎂顆粒分散液200中的固形物濃度為15質(zhì)量％以下的情況下，氟化鎂顆粒100不易發(fā)生凝聚，能夠容易地達(dá)到良好的分散狀態(tài)。
[0099][氟化鎂顆粒分散液的制造方法]
[0100]圖6是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒分散液200的制造方法的流程圖。氟化鎂顆粒分散液200可以通過執(zhí)行步驟S302?步驟S316以及步驟S502來進(jìn)行制造。步驟S302?步驟S316與參照圖4說明了的步驟相同，因此省略其詳細(xì)說明。
[0101]通過執(zhí)行步驟S302?步驟S316，得到氟化鎂顆粒100。
[0102]步驟S502:將氟化鎂顆粒100在分散介質(zhì)210中進(jìn)行分散，得到氟化鎂顆粒分散液 200。
[0103]另外，通過將分散介質(zhì)210作為執(zhí)行步驟S314時(shí)使用的溶液，可以省略步驟S302?步驟S316中步驟S316以及步驟S502的執(zhí)行。
[0104]還有，為了提高氟化鎂顆粒100的分散性，可以在分散介質(zhì)210中適當(dāng)添加分散劑(表面活性劑等)。作為分散劑，可以與步驟S308 —樣，使用非離子型或陰離子型的烴類分散劑，或者非離子型或陰離子型的氟類分散劑。從分散狀態(tài)的長期穩(wěn)定性這一點(diǎn)來看，分散劑例如是聚氧乙烯十三烷基醚磷酸酯、聚氧乙烯異癸基醚、山梨醇酐單油酸酯、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。
[0105][低折射率層形成用組合物300]
[0106]圖7是表示本發(fā)明實(shí)施方式的低折射率層形成用組合物300的示意圖。圖7中，低折射率層形成用組合物300含有氟化鎂顆粒100和粘合劑310，放入在容器A中。
[0107]粘合劑310是用于分散氟化鎂顆粒100的層形成用材料，可以是現(xiàn)有眾所周知的粘合劑。粘合劑310例如是涂料用樹脂、聚合性單體、水解性的有機(jī)金屬化合物、硅酸溶液(硅酸鈉等)中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。
[0108]作為涂料用樹脂，沒有特別限制，可以是普通的樹脂(眾所周知的熱固性樹脂或眾所周知的熱塑性樹脂等)。涂料用樹脂例如是丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、聚氨酯樹脂、氯乙烯樹脂、氟樹脂、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、三聚氰胺樹脂、酚醛樹脂、縮丁醛樹脂、乙酸乙烯酯樹脂中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以使用兩種以上的共聚物或改性物。例如為了降低涂膜的折射率，涂料用樹脂可以是含有氟原子的樹脂。
[0109]作為聚合性單體，只要是可聚合單體(自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等)即可，不作特別限定，可以是普通的單體。聚合性單體例如是非離子型單體(苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-2-羥乙酯等)、陰離子型單體(甲基丙烯酸、順丁烯二酸、甲叉琥珀酸、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、鄰苯乙烯磺酸鈉和對苯乙烯磺酸鈉，以及這些的鹽化物等)、陽離子型單體(N-(3_丙烯酰胺丙基)_甲基丙烯酸銨(N-(3-aCrylamidepropyl) ammonium methacrylate)、N- (2-甲基丙烯酸氧乙基)-N, I, 2- 二甲基-5-乙烯基批唆硫酸甲酯(N-(2-methacryloyloxyethyl) -N, I, 2-dimethyl-5-vinylpyridiniummethosulfate),以及這些的鹽化物等)、交聯(lián)單體(二乙烯苯、二丙烯酸乙烯酯、N, N-亞甲基雙丙烯酰胺(N, N-methylenebisacryIamide)等)中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。例如為了降低涂膜的折射率，聚合性單體可以是含有氟原子的單體。
[0110]水解性的有機(jī)金屬化合物是醇鹽(以通式R1nMm(OR2)m_n[式中，R1、R2:烷基、芳基、乙烯基、丙烯酸基等烴基，M:金屬原子，m =元素的配位數(shù)，η = 0、1、2或3]表示的娃、鈦、鋯、鋁等)或其衍生物中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。而且，水解性的有機(jī)金屬化合物也可以是有機(jī)硅化合物(四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四異丙氧基娃燒、甲基二甲氧基娃燒、乙基二甲氧基娃燒、乙基二異丙氧基娃燒、乙稀基二乙氧基硅烷等)中的至少一種。
[0111]為了對粘度或固形物含量進(jìn)行調(diào)整，可以在低折射率層形成用組合物300中添加有機(jī)溶劑?？商砑拥挠袡C(jī)溶劑可以考慮其與作為分散介質(zhì)的有機(jī)溶劑的相溶性、以及其與粘合劑310的相溶性而進(jìn)行選擇，其中，該分散介質(zhì)為氟化鎂顆粒100的有機(jī)溶膠的分散介質(zhì)?？商砑拥挠袡C(jī)溶劑例如是醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、酯類溶劑、齒素類溶劑、烴類溶劑中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。
[0112][低折射率層形成用組合物的制造方法]
[0113]圖8是表示本發(fā)明實(shí)施方式的低折射率層形成用組合物300的制造方法的流程圖。低折射率層形成用組合物300通過執(zhí)行步驟S702?步驟S712而進(jìn)行制造。
[0114]步驟S702:在含有氟化鎂顆粒100 (379質(zhì)量份)和分散介質(zhì)210 (異丙醇7204質(zhì)量份)的5%氟化鎂顆粒分散液200中，攪拌混合甲基三甲氧基硅烷(200質(zhì)量份)、三氟丙基三甲氧基硅烷(150質(zhì)量份)、聚丙二醇單乙醚(700質(zhì)量份)，生成混合液。
[0115]步驟S704:在混合液中調(diào)配磷酸(I質(zhì)量份)和水(150質(zhì)量份)，生成調(diào)配液。
[0116]步驟S706:在30°C ±5°C的條件下攪拌調(diào)配液的同時(shí)進(jìn)行60分鐘的水解，生成水解液。
[0117]步驟S708:再將溫度上升到80°C ±3°C，對水解液進(jìn)行60分鐘的攪拌同時(shí)發(fā)生聚合，制備出含有氟化鎂顆粒100的聚合物。
[0118]步驟S710:對含有氟化鎂顆粒100的聚合物￠54質(zhì)量份)和異丙醇(390質(zhì)量份)進(jìn)行攪拌混合，生成攪拌混合液。
[0119]步驟S712:在攪拌混合液中添加乙酰氧基鋁(15質(zhì)量份)作為固化催化劑，再次攪拌混合，制備出低折射率層形成用組合物300 (低折射率涂料)。低折射率層形成用組合物300的涂膜的折射率為1.35。
[0120][附有低折射率層的基材]
[0121]圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式的附有低折射率層的基材400的示意圖。附有低折射率層的基材400含有低折射率層410、硬涂層420和樹脂基板430。低折射率層410含有低折射率層形成用組合物300。樹脂基板430之上形成有硬涂層420，硬涂層420之上形成有低折射率層410。
[0122]低折射率層410是通過在硬涂層420之上涂布低折射率層形成用組合物300 (低折射率涂料)而形成的。作為涂布低折射率層形成用組合物300的方法，沒有特別的限制，例如可以使用浸潰法、噴涂法、旋涂法和輥涂法中的至少一種。涂布低折射率層形成用組合物300之后，對低折射率層形成用組合物300進(jìn)行干燥就能夠形成低折射率層410。另外，對應(yīng)于粘合劑310的種類，能夠通過加熱處理或紫外線照射處理來促進(jìn)硬涂層420的硬化。
[0123]相對于低折射率層410的總量100質(zhì)量％，低折射率層410中含有的氟化鎂顆粒100的量可以是20質(zhì)量％以上且90質(zhì)量％以下。作為低折射率成分的氟化鎂顆粒100的含量為90質(zhì)量％以下時(shí)，可以抑制低折射率層410的物理.化學(xué)強(qiáng)度的下降，并且可以確保與硬涂層420的粘附性來滿足實(shí)用性。還有，氟化鎂顆粒100的含量為20質(zhì)量％以上的情況下，由于可以保持低折射率層410的低折射率化的效果，因此具有實(shí)用價(jià)值。
[0124]低折射率層410的厚度是50nm以上且300nm以下，優(yōu)選為80nm以上且200nm以下的范圍。低折射率層410的厚度為50nm以上的情況下，容易抑制低折射率層410的強(qiáng)度的下降，容易抑制抗反射性能的下降。還有，低折射率層410的厚度為300nm以下的情況下，容易抑制低折射率層410上裂紋的產(chǎn)生，容易抑制低折射率層410的強(qiáng)度下降，還容易抑制低折射率層410過厚導(dǎo)致的抗反射性能下降。
[0125]低折射率層410的折射率根據(jù)作為低折射率成分的氟化鎂顆粒100與作為低折射率層形成用成分的粘合劑310之間的混合比例不同而不同，優(yōu)選為1.28以上且1.50以下的范圍，更優(yōu)選為1.30以上且1.42以下的范圍，特別優(yōu)選為1.30以上且1.40以下的范圍。
[0126]低折射率層410的折射率為1.50以下的情況下，容易抑制抗反射性能下降。還有，比較容易得到折射率為1.28以上的低折射率層410。
[0127]硬涂層420含有高折射率顆粒和涂層形成用成分，作為高折射率層發(fā)揮作用。高折射率顆粒的折射率為1.6以上，例如是由金屬、金屬氧化物或金屬氟化物構(gòu)成的顆粒。高折射率顆粒例如是鋅、鈦、鋁、鈰、釔、鈮、鋯、銻、銦和錫中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。還有，涂層形成用成分例如是活性能量射線固化型的丙烯酸類樹脂或熱固性的丙烯酸類樹脂中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。
[0128]硬涂層420的厚度(Th)為300nm以上。優(yōu)選高折射率顆粒的平均粒徑(Dp)與硬涂層420的厚度(Th)之比(Dp/Th)為0.2以上且1.0以下的范圍。還有，高折射率顆粒的折射率與涂層形成用成分的折射率之差通常是0.2以下，優(yōu)選為0.1以下。
[0129]樹脂基板430例如可以是塑料片材、塑料薄膜和塑料面板中的一種。還有，構(gòu)成樹脂基板430的材料例如是聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、PET和三醋酸纖維素(TAC)中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。
[0130][附有低折射率層的基材的制造方法]
[0131]附有低折射率層的基材400是通過在樹脂基板430之上層疊硬涂層420、在硬涂層420之上層疊低折射率層410而進(jìn)行制造的。作為將低折射率層410層疊在硬涂層420之上的方法，可以是將使用低折射率層形成用組合物300制作的膜層疊在硬涂層420之上的方法。層疊的方法例如是通過將低折射率層形成用組合物300涂布到硬涂層420上而直接層疊在硬涂層420上的方法、或者通過將樹脂基板430以外的基板上形成的低折射率層410進(jìn)行轉(zhuǎn)移而層疊在硬涂層420之上的方法中的至少一種。
[0132]使用的涂布方法是普通的涂布方法，例如是逆向涂布法、凹版涂布法、桿涂法、棒涂法、模涂法、噴涂法中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。另夕卜，從低折射率層410的形成中涂裝精度這點(diǎn)來看，優(yōu)選為逆向涂布法，特別是使用小直徑凹印輥的逆向涂布法。
[0133]還有，在硬涂層420之上層疊低折射率層410時(shí)，優(yōu)選為:通過使低折射率層形成用組合物300在溶劑中分散來對涂料進(jìn)行調(diào)整，將涂料涂布到硬涂層420，使涂料干燥.硬化。溶劑是配制來改善涂布或者印刷操作性的，只要是溶解粘合劑310的溶劑即可，可以使用現(xiàn)有眾所周知的溶劑。
[0134]溶劑例如是甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙二醇單甲醚、1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、環(huán)己酮、乙酸丁酯、異丙基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二乙酰丙酮、乙酰丙酮中的至少一種，可以單獨(dú)使用一種，也可以混合兩種以上來使用。硬涂層420的涂布也能夠使用與低折射率層410的涂布一樣的方法。
[0135]溶劑的用量只要是適合于形成低折射率層410即可，不做特別的限定，通常來說，相對于氟化鎂顆粒100和粘合劑310的總計(jì)100質(zhì)量份，溶劑為10質(zhì)量份以上且10000質(zhì)量份以下的范圍。另外，可以在溶劑中添加染料或顏料等著色劑。
[0136]以上，參照圖1?圖9對本發(fā)明實(shí)施方式的氟化鎂顆粒100、氟化鎂顆粒100的制造方法、氟化鎂顆粒分散液200、氟化鎂顆粒分散液200的制造方法、低折射率層形成用組合物300、低折射率層形成用組合物300的制造方法、附有低折射率層的基材400以及附有低折射率層的基材400的制造方法進(jìn)行了說明。
[0137][實(shí)施例]
[0138]以下，對本發(fā)明實(shí)施方式的實(shí)施例1?實(shí)施例4進(jìn)行說明。而且，為了與實(shí)施例進(jìn)行比較，對應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)的比較例I和比較例2進(jìn)行說明。另外，通過執(zhí)行實(shí)施例1?實(shí)施例4、比較例I和比較例2而形成的氟化鎂顆粒的平均粒徑、顆粒的折射率和顆粒的比表面積的測量方法如下。
[0139][平均粒徑測量]
[0140]利用動(dòng)態(tài)光散射法對氟化鎂顆粒的平均粒徑進(jìn)行了測量。具體來說，對氟化鎂顆粒和異丙醇進(jìn)行混合，調(diào)整得到氟化鎂濃度5質(zhì)量％的膠體，使用粒度分布測量裝置(日機(jī)裝株式會社制造，Microtrac, Nanotrac UPA, UPA-UZ152)對氟化鎂顆粒的平均粒徑進(jìn)行了測量。另外，平均粒徑定義為樣品顆粒全體的50% (體積百分比)是由平均粒徑以下的顆粒構(gòu)成時(shí)所對應(yīng)的粒徑(d50)。
[0141]測量原理:動(dòng)態(tài)光散射法頻率分析(FFT-外差法)
[0142]光源:3mW半導(dǎo)體激光78Onm (2束)
[0143]設(shè)定范圍:10°C?80°C
[0144]測量粒度分布范圍:0.8nm?6.5406 μ m
[0145]測量對象:膠體顆粒
[0146]除了特殊的說明，本發(fā)明實(shí)施方式的實(shí)施例和比較例中的平均粒徑是指利用上述動(dòng)態(tài)光散射法測量出的體積換算的平均粒徑。
[0147][顆粒的折射率測量]
[0148]以下，對氟化鎂顆粒的折射率的測量方法進(jìn)行說明。具體來說，執(zhí)行步驟S202和步驟S204。
[0149]步驟S202:將已知折射率的標(biāo)準(zhǔn)折射率溶液(CARGILLE標(biāo)準(zhǔn)折射液，AA和AAA系列)滴到玻璃基板上2、3滴，將氟化鎂顆?；旌系綐?biāo)準(zhǔn)折射率溶液中，制備混合液。
[0150]步驟S204:通過以各種標(biāo)準(zhǔn)折射率溶液(η = 1.300?1.458、波長=589.3nm)為對象來執(zhí)行步驟S202從而制備多種混合液，將變成了透明的混合液中含有的標(biāo)準(zhǔn)折射率溶液的折射率作為氟化鎂顆粒的折射率。
[0151][顆粒的比表面積測量]
[0152]利用氮吸附法(BET法)對氟化鎂顆粒的比表面積進(jìn)行了測量。具體來說，使用比表面積測量裝置(株式會社島津制作所Micrometrics公司制造，Gemini V),利用BET法，對氟化鎂顆粒的比表面積進(jìn)行了測量。對氟化鎂顆粒(約Ig)進(jìn)行減壓干燥并除氣處理后的物質(zhì)作為測量用樣品。干燥溫度為150°C，干燥時(shí)間約為20小時(shí)。
[0153]以下，對本發(fā)明實(shí)施方式的實(shí)施例1?實(shí)施例4進(jìn)行說明。而且，為了與實(shí)施例進(jìn)行比較，對應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)的比較例I和比較例2進(jìn)行說明。
[0154][實(shí)施例1]
[0155][氟硅酸鎂顆粒的生成]
[0156]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S302?步驟S306，生成氟硅酸鎂顆粒。
[0157]量取H2SiF6水溶液(40%:897.4g)并放入反應(yīng)容器(PFA制)，利用水浴槽使溶液溫度達(dá)到80°C之后，將溶液溫度保持在80°C進(jìn)行攪拌，同時(shí)用時(shí)約30分鐘不間斷地一點(diǎn)一點(diǎn)添加MgCO3 (200g =Konoshima公司制造)，得到反應(yīng)液。之后，將反應(yīng)液的溫度保持在80°C,使反應(yīng)液進(jìn)行I小時(shí)的熟化。
[0158]將反應(yīng)容器從水浴槽中取出，靜置約2小時(shí)使反應(yīng)液達(dá)到室溫(20?23°C)時(shí)，添加異丙醇(645.2g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)并充分?jǐn)嚢?，得到攪拌反?yīng)液。使用薄膜過濾器(孔徑5 μ m =Millipore公司制造)用時(shí)約2小時(shí)對攪拌反應(yīng)液進(jìn)行抽吸過濾，得到作為濾渣的氟硅酸鎂顆粒的膏狀物(678.2g)。
[0159]將氟硅酸鎂顆粒的膏狀物放入反應(yīng)容器(PFA制)，并一邊使高純度N2氣體(流量5L/min)流過反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)進(jìn)行干燥(干燥溫度60°C、干燥時(shí)間50hr)。干燥后，得到白色粉末484.7g。使用XRD(Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對白色粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgSiF6.6H20。還有，使用差熱天平(Seiko公司制造EXSTAR6000 TG/DTA6300)對粉末進(jìn)行TG測量的結(jié)果，確認(rèn)到粉末是6H20鹽。MgSiF6.6Η20的收率是74%。
[0160][氟硅酸鎂微粒的漿料生成]
[0161]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S308，生成氟硅酸鎂微粒的漿料。
[0162]將通過執(zhí)行步驟S306得到的白色粉末(MgSiF6.6H20:480g)添加到異丙醇(5920g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到溶?7.5%:6400g)。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對粉末進(jìn)行粉碎，使粉末的平均粒徑達(dá)到20nm以下。對粉末進(jìn)行數(shù)次的粉碎作業(yè)，生成MgSiF6.6Η20微粒分散液(氟硅酸鎂微粒的漿料)。MgSiF6.6Η20微粒分散液的質(zhì)量約為6100g，MgSiF6.6H20微粒分散液的濃度為7.5%。
[0163][氟硅酸鎂晶體的生成]
[0164]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S310，生成氟硅酸鎂晶體。
[0165]將通過執(zhí)行步驟S308得到的MgSiF6.6Η20微粒分散液(7.5%)中的6000g填充到反應(yīng)容器(PFA制)，蓋上配有N2氣體導(dǎo)入口和排氣口的蓋子。一邊使N2氣體流過(流量2L/min)反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)對MgSiF6.6Η20微粒分散液進(jìn)行干燥(干燥溫度80°C、干燥時(shí)間72hr)。干燥后，得到白色粉末(氟硅酸鎂晶體=MgSiF6.6H20)約445g。
[0166][氟化鎂晶體的生成]
[0167]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S312，生成氟化鎂晶體。
[0168]將通過執(zhí)行步驟S310得到的白色粉末(氟硅酸鎂晶體)中的430g填充到氧化鋁坩堝，使用電爐在N2氣體環(huán)境下對白色粉末進(jìn)行熱處理。熱處理溫度是600°C、熱處理時(shí)間是3小時(shí)。熱處理之后，在N2氣體環(huán)境下降溫到室溫(20?23°C)，之后從氧化鋁坩堝中取出了 79g的白色粉末。使用XRD(Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgF2 (氟化鎂晶體)。由此，由MgSiF6.6H20生成的MgF2 (氟化鎂晶體)的收率是81%。
[0169][氟化鎂微粒的漿料生成]
[0170]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S314，生成氟化鎂微粒的漿料。
[0171]將通過執(zhí)行步驟S312得到的白色粉末(MgF2:37.5g)添加到異丙醇(462.5g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到MgF2分散溶液(7.5%:500g)。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對MgF2分散溶液進(jìn)行分散處理，得到分散液。一邊使用氧化鋯珠粒(ΝΙΚΚΑΤ0公司制造)進(jìn)行分散處理，一邊使用粒度分布測量裝置(日機(jī)裝公司制造=Microtrac UPA-UZ152)對分散液中的MgF2 (氟化鎂微粒)的粒度分布進(jìn)行測量。分散處理至MgF2的平均粒徑(體積換算，d50)達(dá)到30nm以下的結(jié)果，得到MgF2的微粒分散溶液(氟化鎂微粒的漿料:7.5% )358go
[0172][氟化鎂顆粒100的制造]
[0173]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S316，制造氟化鎂顆粒100。
[0174]將通過執(zhí)行步驟S314得到的氟化鎂微粒分散液(氟化鎂微粒的漿料:約358g)在500C以上且110°C以下進(jìn)行蒸發(fā)干固，之后維持在200°C以上且400°C以下進(jìn)行熱處理，得到氟化鎂顆粒100 (約26g)。
[0175][氟化鎂顆粒分散液200的制造]
[0176]通過執(zhí)行參照圖6說明了的步驟S502，制造氟化鎂顆粒分散液200。
[0177]將通過執(zhí)行步驟S316得到的氟化鎂顆粒100(粉末25g)添加到異丙醇(475g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到氟化鎂顆粒分散液200(5%:500g)。對氟化鎂顆粒100相對于波長550nm的光的折射率進(jìn)行測量的結(jié)果，折射率為1.34。因?yàn)閱尉wMgF2相對于波長550nm的光的折射率是1.38，所以確認(rèn)到氟化鎂顆粒100具有細(xì)孔130。
[0178][實(shí)施例2]
[0179][氟硅酸鎂顆粒的生成]
[0180]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S302?步驟S306，生成氟硅酸鎂顆粒。
[0181]量取(NH4)2SiF6水溶液(15%:3000g)并放入反應(yīng)容器(PFA制)，利用水浴槽使溶液溫度達(dá)到50°C之后，將溶液溫度保持在50°C進(jìn)行攪拌，同時(shí)用時(shí)約30分鐘不間斷地一點(diǎn)一點(diǎn)添加MgCO3 (200g =Konoshima公司制造)，得到反應(yīng)液。之后，將反應(yīng)液的溫度保持在50°C,使反應(yīng)液進(jìn)行I小時(shí)的熟化。
[0182]將反應(yīng)容器從水浴槽中取出，靜置約2小時(shí)使反應(yīng)液達(dá)到室溫(20?23°C)時(shí)，使用薄膜過濾器(孔徑5ym:Millipore公司制造)用時(shí)約2小時(shí)對反應(yīng)液進(jìn)行抽吸過濾，得到作為濾渣的氟硅酸鎂顆粒的膏狀物(718.5g)。
[0183]將氟硅酸鎂顆粒的膏狀物放入反應(yīng)容器(PFA制)，并一邊使高純度N2氣體(流量5L/min)流過反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)進(jìn)行干燥(干燥溫度110°C、干燥時(shí)間50hr)。干燥后，得到白色粉末462.3g。使用XRD(Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對白色粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgSiF6.6H20。還有，使用差熱天平(Seiko公司制造EXSTAR6000 TG/DTA6300)對粉末進(jìn)行TG測量的結(jié)果，確認(rèn)到粉末是6H20鹽。MgSiF6.6Η20的收率是71 %。
[0184][氟硅酸鎂微粒的漿料生成]
[0185]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S308，生成氟硅酸鎂微粒的漿料。
[0186]將通過執(zhí)行步驟S306得到的白色粉末(MgSiF6.6H20:460g)添加到異丙醇(6111g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到溶?7%)。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對粉末進(jìn)行粉碎，使粉末的平均粒徑達(dá)到20nm以下。對粉末進(jìn)行數(shù)次的粉碎作業(yè)，生成MgSiF6.6Η20微粒分散液(氟硅酸鎂微粒的漿料)。MgSiF6.6Η20微粒分散液的質(zhì)量約為5880g，MgSiF6.6H20微粒分散液的濃度為7%。
[0187][氟硅酸鎂晶體的生成]
[0188]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S310，生成氟硅酸鎂晶體。
[0189]將通過執(zhí)行步驟S308得到的MgSiF6.6H20微粒分散液(7 % )中的5400g填充到反應(yīng)容器(PFA制)，蓋上配有N2氣體導(dǎo)入口和排氣口的蓋子。一邊使N2氣體流過(流量2L/min)反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)對MgSiF6.6Η20微粒分散液進(jìn)行干燥(干燥溫度80°C、干燥時(shí)間72hr)。干燥后，得到白色粉末(氟硅酸鎂晶體=MgSiF6.6H20)約371g。
[0190][氟化鎂晶體的生成]
[0191]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S312，生成氟化鎂晶體。
[0192]將通過執(zhí)行步驟S310得到的白色粉末(氟硅酸鎂晶體)中的370g填充到氧化鋁坩堝，使用電爐在N2氣體環(huán)境下對白色粉末進(jìn)行熱處理。熱處理溫度是400°C，熱處理時(shí)間是8小時(shí)。熱處理之后，在N2氣體環(huán)境下降溫到室溫(20?23°C)，之后從氧化鋁坩堝中取出了 71.8g的白色粉末。使用XRD(Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgF2 (氟化鎂晶體)。由此，由MgSiF6.6H20生成的MgF2 (氟化鎂晶體)的收率是86%。
[0193][氟化鎂微粒的漿料生成]
[0194]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S314，生成氟化鎂微粒的漿料。
[0195]將通過執(zhí)行步驟S312得到的白色粉末(MgF2:30g)添加到異丙醇(470g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢瑁玫組gF2分散溶液^%:500g)。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對MgF2分散溶液進(jìn)行分散處理，得到分散液。一邊使用氧化鋯珠粒(ΝΙΚΚΑΤ0公司制造)進(jìn)行分散處理，一邊使用粒度分布測量裝置(日機(jī)裝公司制造:Microtrac UPA-UZ152)對分散液中的MgF2 (氟化鎂微粒)的粒度分布進(jìn)行測量。分散處理至MgF2的平均粒徑(體積換算，d50)達(dá)到30nm以下的結(jié)果，得到MgF2的微粒分散溶液(氟化鎂微粒的漿料:6% )375g。
[0196][氟化鎂顆粒100的制造]
[0197]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S316，制造氟化鎂顆粒100。
[0198]將通過執(zhí)行步驟S314得到的氟化鎂微粒分散液(氟化鎂微粒的漿料:370g)在500C以上且110°C以下進(jìn)行蒸發(fā)干固，之后維持在200°C以上且400°C以下進(jìn)行熱處理，得到氟化鎂顆粒100(約21g)。
[0199][氟化鎂顆粒分散液200的制造]
[0200]通過執(zhí)行參照圖6說明了的步驟S502，制造氟化鎂顆粒分散液200。
[0201]將通過執(zhí)行步驟S316得到的氟化鎂顆粒100(粉末20g)添加到異丙醇(380g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到氟化鎂顆粒分散液200(5%:400g)。對氟化鎂顆粒100相對于波長550nm的光的折射率進(jìn)行測量的結(jié)果，折射率為1.34。因?yàn)閱尉wMgF2相對于波長550nm的光的折射率是1.38，所以確認(rèn)到氟化鎂顆粒100具有細(xì)孔130。
[0202][實(shí)施例3]
[0203][氟硅酸鎂顆粒的生成]
[0204]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S302?步驟S306，生成氟硅酸鎂顆粒。
[0205]量取H2SiF6水溶液(40%:720.5g)并放入反應(yīng)容器(PFA制)，利用水浴槽使溶液溫度達(dá)到80°C之后，將溶液溫度保持在80°C進(jìn)行攪拌，同時(shí)用時(shí)約30分鐘不間斷地一點(diǎn)一點(diǎn)添加MgCl2.6H20(205g:關(guān)東化學(xué)制造)，得到反應(yīng)液。之后，將反應(yīng)液的溫度保持在80°C,使反應(yīng)液進(jìn)行I小時(shí)的熟化。
[0206]將反應(yīng)容器從水浴槽中取出，靜置約2小時(shí)使反應(yīng)液達(dá)到室溫(20?23°C )時(shí)，添加異丙醇(925g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)并充分?jǐn)嚢?，得到攪拌反?yīng)液。使用薄膜過濾器(孔徑5 μ m =Millipore公司制造)用時(shí)約2小時(shí)對攪拌反應(yīng)液進(jìn)行抽吸過濾，得到作為濾渣的氟硅酸鎂顆粒的膏狀物(678.2g)。
[0207]將氟硅酸鎂顆粒的膏狀物放入反應(yīng)容器(PFA制)，并一邊使高純度N2氣體(流量5L/min)流過反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)進(jìn)行干燥(干燥溫度60°C、干燥時(shí)間96hr)。干燥后，得到白色粉末210g。使用XRD(Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對白色粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgSiF6.6Η20。還有，使用差熱天平(Seiko公司制造EXSTAR6000TG/DTA6300)對粉末進(jìn)行TG測量的結(jié)果，確認(rèn)到粉末是6H20鹽。MgSiF6.6H20的收率是76.5%。
[0208][氟硅酸鎂微粒的漿料生成]
[0209]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S308，生成氟硅酸鎂微粒的漿料。
[0210]將通過執(zhí)行步驟S306得到的白色粉末(MgSiF6.6H20:200g)添加到異丙醇(3133g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢瑁玫饺芤?約6% )。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對粉末進(jìn)行粉碎，使粉末的平均粒徑達(dá)到20nm以下。對粉末進(jìn)行數(shù)次的粉碎作業(yè)，生成MgSiF6.6Η20微粒分散液(氟硅酸鎂微粒的漿料)。MgSiF6.6Η20微粒分散液的質(zhì)量約為3100g，MgSiF6.6H20微粒分散液的濃度約為6%。
[0211][氟硅酸鎂晶體的生成]
[0212]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S310，生成氟硅酸鎂晶體。
[0213]將通過執(zhí)行步驟S308得到的MgSiF6.6H20微粒分散液(約6 % )中的3050g填充到反應(yīng)容器(PFA制)，蓋上配有N2氣體導(dǎo)入口和排氣口的蓋子。一邊使N2氣體流過(流量2L/min)反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)對MgSiF6.6H20微粒分散液進(jìn)行干燥(干燥溫度80°C、干燥時(shí)間48hr)。干燥后，得到白色粉末(氟硅酸鎂晶體:MgSiF6.6Η20)約181g。
[0214][氟化鎂晶體的生成]
[0215]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S312，生成氟化鎂晶體。
[0216]將通過執(zhí)行步驟S310得到的白色粉末(氟硅酸鎂晶體)中的180g填充到氧化鋁坩堝，使用電爐在N2氣體環(huán)境下對白色粉末進(jìn)行熱處理。熱處理溫度是600°C，熱處理時(shí)間是3小時(shí)。熱處理之后，在N2氣體環(huán)境下降溫到室溫(20?23°C)，之后從氧化鋁坩堝中取出了 34g的白色粉末。使用XRD(Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgF2 (氟化鎂晶體)。由此，由MgSiF6.6H20生成的MgF2 (氟化鎂晶體)的收率是83%。
[0217][氟化鎂微粒的漿料生成]
[0218]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S314，生成氟化鎂微粒的漿料。
[0219]將通過執(zhí)行步驟S312得到的白色粉末(MgF2:30g)添加到異丙醇(470g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到MgF2分散溶液^%:500g)。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對MgF2分散溶液進(jìn)行分散處理，得到分散液。一邊使用氧化鋯珠粒(ΝΙΚΚΑΤ0公司制造)進(jìn)行分散處理，一邊使用粒度分布測量裝置(日機(jī)裝公司制造:Microtrac UPA-UZ152)對分散液中的MgF2 (氟化鎂微粒)的粒度分布進(jìn)行測量。分散處理至MgF2的平均粒徑(體積換算，d50)達(dá)到30nm以下的結(jié)果，得到MgF2的微粒分散溶液(氟化鎂微粒的漿料:6% )364g。
[0220][氟化鎂顆粒100的制造]
[0221]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S316，制造氟化鎂顆粒100。
[0222]將通過執(zhí)行步驟S314得到的氟化鎂微粒分散液(氟化鎂微粒的漿料:約364g)在500C以上且110°C以下進(jìn)行蒸發(fā)干固，之后維持在200°C以上且400°C以下進(jìn)行熱處理，得到氟化鎂顆粒100(約21g)。
[0223][氟化鎂顆粒分散液200的制造]
[0224]通過執(zhí)行參照圖6說明了的步驟S502，制造氟化鎂顆粒分散液200。
[0225]將通過執(zhí)行步驟S316得到的氟化鎂顆粒100(粉末20g)添加到異丙醇(380g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到氟化鎂顆粒分散液200(5%:400g)。對氟化鎂顆粒100相對于波長550nm的光的折射率進(jìn)行測量的結(jié)果，折射率為1.35。因?yàn)閱尉wMgF2相對于波長550nm的光的折射率是1.38，所以確認(rèn)到氟化鎂顆粒100具有細(xì)孔130。
[0226][實(shí)施例4]
[0227][氟硅酸鎂顆粒的生成]
[0228]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S302?步驟S306，生成氟硅酸鎂顆粒。
[0229]量取H2SiF6水溶液(40 %: 100g)并放入反應(yīng)容器(PFA制)，利用水浴槽使溶液溫度達(dá)到80°C之后，將溶液溫度保持在80°C進(jìn)行攪拌，同時(shí)用時(shí)約30分鐘不間斷地一點(diǎn)一點(diǎn)添加Mg (OH)2 (150g:關(guān)東化學(xué)制造)，得到反應(yīng)液。之后，將反應(yīng)液的溫度保持在80°C，使反應(yīng)液進(jìn)行I小時(shí)的熟化。
[0230]將反應(yīng)容器從水浴槽中取出，靜置約2小時(shí)使反應(yīng)液達(dá)到室溫(20?23°C)時(shí)，添加異丙醇(950g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)并充分?jǐn)嚢?，得到攪拌反?yīng)液。使用薄膜過濾器(孔徑5 μ m =Millipore公司制造)用時(shí)約2小時(shí)對攪拌反應(yīng)液進(jìn)行抽吸過濾，得到作為濾渣的氟硅酸鎂顆粒的膏狀物。
[0231]將氟硅酸鎂顆粒的膏狀物放入反應(yīng)容器(PFA制)，并一邊使高純度N2氣體(流量5L/min)流過反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)進(jìn)行干燥(干燥溫度70°C、干燥時(shí)間96hr)。干燥后，得到白色粉末515g。使用XRD(Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對白色粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgSiF6.6Η20。還有，使用差熱天平(Seiko公司制造EXSTAR6000TG/DTA6300)對粉末進(jìn)行TG測量的結(jié)果，確認(rèn)到粉末是6H20鹽。MgSiF6.6H20的收率是73%。
[0232][氟硅酸鎂微粒的漿料生成]
[0233]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S308，生成氟硅酸鎂微粒的漿料。
[0234]將通過執(zhí)行步驟S306得到的白色粉末(MgSiF6.6H20:300g)添加到異丙醇(4315g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到溶?約6.5% )。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對粉末進(jìn)行粉碎，使粉末的平均粒徑達(dá)到20nm以下。對粉末進(jìn)行數(shù)次的粉碎作業(yè)，生成MgSiF6.6Η20微粒分散液(氟硅酸鎂微粒的漿料)。MgSiF6.6Η20微粒分散液的質(zhì)量約為4200g，MgSiF6.6H20微粒分散液的濃度約為6.5%。
[0235]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S310，生成氟硅酸鎂晶體。
[0236]將通過執(zhí)行步驟S308得到的MgSiF6.6H20微粒分散液(約6.5 % )中的4000g填充到反應(yīng)容器(PFA制)，蓋上配有N2氣體導(dǎo)入口和排氣口的蓋子。一邊使N2氣體流過(流量2L/min)反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)對MgSiF6.6H20微粒分散液進(jìn)行干燥(干燥溫度80°C、干燥時(shí)間48hr)。干燥后，得到白色粉末(氟硅酸鎂晶體:MgSiF6.6Η20)約 255g。
[0237][氟化鎂晶體的生成]
[0238]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S312，生成氟化鎂晶體。
[0239]將通過執(zhí)行步驟S310得到的白色粉末(氟硅酸鎂晶體)中的250g填充到氧化鋁坩堝，使用電爐在N2氣體環(huán)境下對白色粉末進(jìn)行熱處理。熱處理溫度是600°C，熱處理時(shí)間是3小時(shí)。熱處理之后，在N2氣體環(huán)境下降溫到室溫(20?23°C)，之后從氧化鋁坩堝中取出了 48.2g的白色粉末。使用XRD (Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgF2 (氟化鎂晶體)。由此，由MgSiF6.6H20 (250g)生成的MgF2 (氟化鎂晶體)的收率是85%。
[0240][氟化鎂微粒的漿料生成]
[0241]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S314，生成氟化鎂微粒的漿料。
[0242]將通過執(zhí)行步驟S312得到的白色粉末(MgF2:35g)添加到異丙醇(465g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到MgF2分散溶液(7%:500g)。使用珠磨機(jī)(SHINMARU ENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對MgF2分散溶液進(jìn)行分散處理，得到分散液。一邊使用氧化鋯珠粒(ΝΙΚΚΑΤ0公司制造)進(jìn)行分散處理，一邊使用粒度分布測量裝置(日機(jī)裝公司制造:Microtrac UPA-UZ152)對分散液中的MgF2 (氟化鎂微粒)的粒度分布進(jìn)行測量。分散處理至MgF2的平均粒徑(體積換算，d50)達(dá)到30nm以下的結(jié)果，得到MgF2的微粒分散溶液(氟化鎂微粒的漿料:7% )372g。
[0243][氟化鎂顆粒100的制造]
[0244]通過執(zhí)行參照圖4說明了的步驟S316，制造氟化鎂顆粒100。
[0245]將通過執(zhí)行步驟S314得到的氟化鎂微粒分散液(氟化鎂微粒的漿料:約372g)在500C以上且110°C以下進(jìn)行蒸發(fā)干固，之后維持在200°C以上且400°C以下進(jìn)行熱處理，得到氟化鎂顆粒100 (約25g)。
[0246][氟化鎂顆粒分散液200的制造]
[0247]通過執(zhí)行參照圖6說明了的步驟S502，制造氟化鎂顆粒分散液200。
[0248]將通過執(zhí)行步驟S316得到的氟化鎂顆粒100(粉末20g)添加到異丙醇(380g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到氟化鎂顆粒分散液200(5%:400g)。對氟化鎂顆粒100相對于波長550nm的光的折射率進(jìn)行測量的結(jié)果，折射率為1.34。因?yàn)閱尉wMgF2相對于波長550nm的光的折射率是1.38，所以確認(rèn)到氟化鎂顆粒100具有細(xì)孔130。
[0249][比較例I]
[0250][MgF2 的制造]
[0251]量取超純水(780g)并放入反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用磁力攪拌器以攪拌子進(jìn)行攪拌，一邊添加HF水溶液(50%:200g)，得到反應(yīng)液。利用水浴槽使反應(yīng)液的溶液溫度保持在50°C的恒溫并進(jìn)行攪拌，同時(shí)用時(shí)約30分鐘不間斷地一點(diǎn)一點(diǎn)添加MgCO3(200g:Konoshima公司制造)，得到反應(yīng)液。之后，將反應(yīng)液的溫度保持在80°C，使反應(yīng)液進(jìn)行I小時(shí)的熟化。因反應(yīng)迅速地進(jìn)行，中途可能出現(xiàn)成凝膠狀或攪拌停頓的情況。
[0252]將反應(yīng)容器從水浴槽中取出，靜置約2小時(shí)使反應(yīng)液達(dá)到室溫(20?23°C )時(shí)，添加異丙醇(100g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)并充分?jǐn)嚢?。將反?yīng)液放入反應(yīng)容器(PFA制)，并一邊使高純度N2氣體(流量5L/min)流過反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)進(jìn)行干燥(干燥溫度110°C、干燥時(shí)間96hr)。干燥后，得到白色粉末約137g。
[0253]將所得白色粉末(約137g)填充到氧化鋁坩堝，使用電爐在N2氣體環(huán)境下對白色粉末進(jìn)行熱處理。熱處理溫度是600 °C,熱處理時(shí)間是3小時(shí)。熱處理之后，在N2氣體環(huán)境下降溫到室溫(20?23°C)，之后從氧化鋁坩堝中取出了 134.Sg的白色粉末。使用XRD (Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對白色粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgF2。由MgCO3 (200g)制造的MgF2的收率約為91%。
[0254][MgF2微粒分散液的制造]
[0255]將所得白色粉末(MgF2:42g)添加到異丙醇(558g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到MgF2分散溶液(7%:600g)。使用珠磨機(jī)(SHINMARUENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對MgF2分散溶液進(jìn)行分散處理，得到分散液。一邊使用氧化鋯珠粒(ΝΙΚΚΑΤ0公司制造)進(jìn)行分散處理，一邊使用粒度分布測量裝置(日機(jī)裝公司制造=Microtrac UPA-UZ152)對分散液中的MgF2(氟化鎂微粒)的粒度分布進(jìn)行測量。分散處理至MgF2的平均粒徑(體積換算，d50)達(dá)到30nm以下的結(jié)果，得到MgF2的微粒分散溶液(7% )478g。
[0256][MgF2微粒的粉末的制造]
[0257]將得到的MgF2的微粒分散液(約478g)在50°C以上且110°C以下進(jìn)行蒸發(fā)干固，之后維持在200°C以上且400°C以下進(jìn)行熱處理，得到MgF2的微粒(約26g)。
[0258][MgF2微粒分散液的制造]
[0259]將所得MgF2的微粒(約26g)添加到異丙醇(400g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢瑁玫組gF2顆粒分散液200 (7%:430g)。對MgF2的微粒相對于波長550nm的光的折射率進(jìn)行測量的結(jié)果，與單晶體MgF2的折射率相同，折射率是1.38。
[0260][比較例2]
[0261][MgFJA制造]
[0262]量取超純水(755g)并放入反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用磁力攪拌器以攪拌子進(jìn)行攪拌，一邊添加HF水溶液(50%:90g)，得到反應(yīng)液。利用水浴槽使反應(yīng)液的溶液溫度保持在50°C的恒溫并進(jìn)行攪拌，同時(shí)用時(shí)約30分鐘不間斷地一點(diǎn)一點(diǎn)添加MgCl2.6H20(200g:關(guān)東化學(xué)制造)，得到反應(yīng)液。之后，將反應(yīng)液的溫度保持在80°C，使反應(yīng)液進(jìn)行I小時(shí)的熟化。因反應(yīng)迅速地進(jìn)行，中途可能出現(xiàn)成凝膠狀或攪拌停頓的情況。
[0263]將反應(yīng)容器從水浴槽中取出，靜置約2小時(shí)使反應(yīng)液達(dá)到室溫(20?23°C)時(shí)，添加異丙醇(100g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)并充分?jǐn)嚢?。將反?yīng)液放入反應(yīng)容器(PFA制)，并一邊使高純度N2氣體(流量2L/min)流過反應(yīng)容器(PFA制)，一邊使用干燥機(jī)進(jìn)行干燥(干燥溫度110°C、干燥時(shí)間96hr)。干燥后，得到白色粉末約58g。
[0264]將所得白色粉末(約58g)填充到氧化鋁坩堝，使用電爐在N2氣體環(huán)境下對白色粉末進(jìn)行熱處理。熱處理溫度是600°C，熱處理時(shí)間是3小時(shí)。熱處理之后，在N2氣體環(huán)境下降溫到室溫(20?23°C )，之后從氧化鋁坩堝中取出了 55.1g的白色粉末。使用XRD (Rigaku公司制造RINT-Ultima III)對白色粉末進(jìn)行分析，確認(rèn)到粉末是MgF2。由MgCl2.6Η20(200g)制造的MgF2的收率約為90 %。
[0265][MgF2微粒分散液的制造]
[0266]將所得白色粉末(MgF2:35g)添加到異丙醇(465g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢瑁玫組gF2分散溶液(7%:500g)。使用珠磨機(jī)(SHINMARUENTERPRISES CORPORAT1N公司制造)對MgF2分散溶液進(jìn)行分散處理，得到分散液。一邊使用氧化鋯珠粒(ΝΙΚΚΑΤ0公司制造)進(jìn)行分散處理，一邊使用粒度分布測量裝置(日機(jī)裝公司制造:Micr0trac UPA-UZ152)對分散液中的MgF2(氟化鎂微粒)的粒度分布進(jìn)行測量。分散處理至MgF2的平均粒徑(體積換算，d50)達(dá)到30nm以下的結(jié)果，得到MgF2的微粒分散溶液(7% )370g。
[0267][MgF2微粒的粉末的制造]
[0268]將得到的MgF2的微粒分散液(約370g)在50°C以上且110°C以下進(jìn)行蒸發(fā)干固，之后維持在200°C以上且400°C以下進(jìn)行熱處理，得到MgF2的微粒(約22g)。
[0269][MgF2微粒分散液的制造]
[0270]將所得MgF2的微粒(20g)添加到異丙醇(315g:和光純藥工業(yè)株式會社制造特級試劑)中并充分?jǐn)嚢?，得到MgF2顆粒分散液200?%:335g)。對MgF2的微粒相對于波長550nm的光的折射率進(jìn)行測量的結(jié)果，與單晶體MgF2的折射率相同，折射率是1.38。
[0271]以上，通過執(zhí)行實(shí)施例1?實(shí)施例4，制造了氟化鎂顆粒100和氟化鎂顆粒分散液200。而且，通過執(zhí)行比較例I和比較例2，制造了 MgF2微粒和MgF2微粒分散液。
[0272][實(shí)施例:附有低折射率層的基材的制造]
[0273]以下，對基材制造的實(shí)施例進(jìn)行說明，其中，基材是指含有通過執(zhí)行實(shí)施例1?實(shí)施例4而制造的氟化鎂顆粒100的附有低折射率層的基材400、以及含有通過執(zhí)行比較例I和比較例2而制造的MgF2微粒的附有低折射率層的基材。
[0274]首先制作層疊有硬涂層的PET基板(PET膜)。在光學(xué)用易粘接聚酯薄膜(東麗制造Lumirror (注冊商標(biāo))U34:厚度100 μ m)的一側(cè)的易粘接面,使用棒涂機(jī)涂布含有五氧化二銻微粒(27質(zhì)量％ )和聚氨酯丙烯酸酯的涂料(Τ0Υ0 INK制造株式會社TYS63:涂膜的折射率1.63、固形物濃度40質(zhì)量％ )。在90°C的條件下進(jìn)行干燥后，用紫外線(400mJ/cm2)進(jìn)行照射使涂料硬化，從而形成硬涂層。
[0275]接著，通過將低折射率層層疊在PET基板(PET膜)上的硬涂層上，制造附有低折射率層的基材(防反射膜)。對低折射率涂料(固形物成分100份)添加3份含聚酯改性羥基的聚二甲基硅氧烷(畢克化學(xué)公司制造:BYK370)進(jìn)行調(diào)整，使用棒涂機(jī)將調(diào)整后的涂料涂布在硬涂層上。將涂布在硬涂層上的涂料在130°C的條件下進(jìn)行干燥之后，用紫外線400mJ/cm2進(jìn)行照射使其硬化，從而在硬涂層上層疊了低折射率層(厚度約10nm)。
[0276]通過執(zhí)行附有低折射率層的基材的制造的實(shí)施例，制造出在PET膜上層疊有硬涂層和低折射率層的附有低折射率層的基材(防反射膜)。另外，含有氟化鎂顆粒100的低折射率層和含有MgF2微粒的低折射率層的折射率、霧度值、全光線透過率以及最低反射率的測量方法和低折射率層的抗劃傷性的評價(jià)方法如下。
[0277][低折射率層的折射率測量]
[0278]在低折射率層形成用組合物中添加含聚酯改性羥基的聚二甲基硅氧烷，對涂料進(jìn)行調(diào)整。使用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)將調(diào)整后的涂料涂布在硅晶片的鏡面拋光面上，并使其在130°C的條件下干燥并硬化。在23°C的溫度下使用光譜橢偏儀(HORIBA JOBIN YVON公司制造UVISEL M200-FUV-AGMS)對已硬化的低折射率層的折射率進(jìn)行測量。
[0279][霧度測量、全光線透過率測量以及最低反射率測量]
[0280]按照J(rèn)IS K 7136使用紫外可見近紅外分光光度計(jì)(V670 ;日本分光株式會社)對低折射率層的霧度值、低折射率層的全光線透過率以及低折射率層的最低反射率進(jìn)行測量。
[0281]霧度值是使用可見光對膜進(jìn)行照射時(shí)漫透射光相對于總透射光的比例。霧度值越小，則膜的透明性越優(yōu)異。優(yōu)選霧度值為1.5%以下，全光線透過率為90%以上。關(guān)于最低反射率，以5度的入射角對波長區(qū)域300nm?800nm的絕對反射光譜進(jìn)行測量，對在波長400nm和700nm的反射率以及在400nm?700nm的區(qū)域的最低反射率進(jìn)行測量。另外，在測量出的反射光譜中存在波形曲線的情況下，基于通過連接波形曲線的峰(極大點(diǎn))和谷(極小點(diǎn))的中間點(diǎn)而形成的曲線，求出在波長400nm和700nm的反射率以及在400nm?700nm的區(qū)域的最低反射率。最低反射率越低，則低折射率層的防反射性能越高，優(yōu)選最低反射率為1.0%以下。
[0282][抗劃傷性]
[0283]關(guān)于低折射率層的抗劃傷性，進(jìn)行鋼絲絨(SW)硬度評價(jià)。在鋼絲絨(#0000)上加上負(fù)荷(250g)，以沖程10cm、速度30mm/sec對低折射率層的防反射面反復(fù)進(jìn)行10次摩擦。目視觀察表面，以3個(gè)等級(A級:劃痕O?10條；B級:劃痕11條?20條；C級:劃痕20條以上)來評價(jià)劃傷程度。
[0284]圖10是表示通過執(zhí)行實(shí)施例和比較例而制造的氟化鎂顆粒、低折射率層、附有低折射率層的基材的測量結(jié)果的表。
[0285]關(guān)于氟化鎂顆粒的折射率，在現(xiàn)有技術(shù)的比較例I?比較例2中是1.38，而在本發(fā)明的實(shí)施例1?實(shí)施例4中是1.34?1.35。本發(fā)明的實(shí)施例的氟化鎂顆粒相對于現(xiàn)有技術(shù)的氟化鎂顆粒而言是低折射的。
[0286]關(guān)于氟化鎂顆粒的比表面積，現(xiàn)有技術(shù)的比較例I?比較例2中是119m2/g?134m2/g,而本發(fā)明的實(shí)施例1?實(shí)施例4中是174m2/g?193m2/g。本發(fā)明的實(shí)施例的氟化鎂顆粒相對于現(xiàn)有技術(shù)的氟化鎂顆粒而言，比表面積比較大。
[0287]關(guān)于低折射率層的折射率，現(xiàn)有技術(shù)的比較例I?比較例2中是1.39?1.40，而本發(fā)明的實(shí)施例1?實(shí)施例4中是1.35?1.36。本發(fā)明的實(shí)施例的低折射率層相對于現(xiàn)有技術(shù)的低折射率層而言是低折射的。
[0288]關(guān)于低折射率層的全光線透過率，現(xiàn)有技術(shù)的比較例I?比較例2中是93.23%?94.56%，而本發(fā)明的實(shí)施例1?實(shí)施例4中是95.49%?96.01%。本發(fā)明的實(shí)施例的低折射率層的全光線透過率高于現(xiàn)有技術(shù)的低折射率層的全光線透過率。
[0289]關(guān)于低折射率層的霧度值，現(xiàn)有技術(shù)的比較例I?比較例2中是1.62%?1.65%，而本發(fā)明的實(shí)施例1?實(shí)施例4中是1.45%?1.50%。本發(fā)明的實(shí)施例的低折射率層的霧度值小于現(xiàn)有技術(shù)的低折射率層的霧度值。
[0290]關(guān)于低折射率層的最低反射率，現(xiàn)有技術(shù)的比較例I?比較例2中是0.62%?0.78%，而本發(fā)明的實(shí)施例1?實(shí)施例4中是0.26%?0.40%。本發(fā)明的實(shí)施例的低折射率層的最低反射率小于現(xiàn)有技術(shù)的低折射率層的最低反射率。
[0291]關(guān)于低折射率層的抗劃傷性評價(jià)，現(xiàn)有技術(shù)的比較例I?比較例2中是A級，本發(fā)明的實(shí)施例1?實(shí)施例4也是A級。本發(fā)明的實(shí)施例的低折射率層的抗劃傷性評價(jià)與現(xiàn)有技術(shù)的低折射率層的抗劃傷性評價(jià)相同。
[0292]根據(jù)本發(fā)明，例如使防止顯示器表面的外部光反射成為可能，可以應(yīng)用于液晶顯示器(IXD)或等離子顯示面板(rop)等平板顯示器。
[0293]【附圖標(biāo)記說明】
[0294]A 容器
[0295]100 氟化鎂顆粒
[0296]110 微粒
[0297]120 凹凸
[0298]130 細(xì)孔
[0299]130a微粒內(nèi)開細(xì)孔
[0300]130b微粒內(nèi)閉細(xì)孔
[0301]130c粒界空隙狀開細(xì)孔
[0302]130d粒界空隙狀閉細(xì)孔
[0303]200 氟化鎂顆粒分散液
[0304]210 分散介質(zhì)
[0305]300 低折射率層形成用組合物
[0306]310 粘合劑
[0307]400 附有低折射率層的基材
[0308]410 低折射率層
[0309]420 硬涂層
[0310]430 樹脂基板
【權(quán)利要求】
1.一種氟化鎂顆粒，含有至少一個(gè)氟化鎂微粒， 所述至少一個(gè)氟化鎂微粒的每個(gè)都具有對被承載體進(jìn)行承載的細(xì)孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述至少一個(gè)氟化鎂微粒是多個(gè)微粒， 所述多個(gè)微粒中彼此相鄰的微粒之間存在粒界空隙狀細(xì)孔，所述粒界空隙狀細(xì)孔為對所述被承載體進(jìn)行承載的間隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述細(xì)孔對所述被承載體進(jìn)行承載， 所述被承載體是所述至少一個(gè)氟化鎂微粒的生成過程中使用的物質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述細(xì)孔對所述被承載體進(jìn)行承載， 所述被承載體的折射率低于所述至少一個(gè)氟化鎂微粒的折射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?權(quán)利要求4中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述被承載體是含有惰性氣體的氣體或者含有有機(jī)溶液的液體中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?權(quán)利要求5中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述細(xì)孔是微粒內(nèi)開細(xì)孔和微粒內(nèi)閉細(xì)孔中的至少一種，所述微粒內(nèi)開細(xì)孔是以開口在所述氟化鎂微粒的表面的狀態(tài)而存在，所述微粒內(nèi)閉細(xì)孔是以從所述氟化鎂微粒的表面來看呈閉塞的狀態(tài)而存在于所述氟化鎂微粒的內(nèi)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求2?權(quán)利要求6中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述粒界空隙狀細(xì)孔是以開口狀態(tài)而存在的粒界空隙狀開細(xì)孔和以閉塞狀態(tài)而存在的粒界空隙狀閉細(xì)孔中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?權(quán)利要求7中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述氟化鎂微粒的平均粒徑是Inm?lOOnm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1?權(quán)利要求8中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述氟化鎂微粒的平均粒徑是Inm?50nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1?權(quán)利要求9中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述氟化鎂微粒的折射率在1.20以上且1.40以下的范圍。
11.根據(jù)權(quán)利要求1?權(quán)利要求10中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒，其中， 所述氟化鎂微粒根據(jù)BET法測得的比表面積在150m2/g以上且300m2/g以下的范圍。
12.—種氟化鎂顆粒分散液，含有: 權(quán)利要求1?權(quán)利要求11中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒；和 用于分散所述氟化鎂顆粒的分散介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所記載的氟化鎂顆粒分散液，其中， 所述分散介質(zhì)含有對所述氟化鎂顆粒的分散進(jìn)行促進(jìn)的分散劑。
14.一種低折射率層形成用組合物，含有: 權(quán)利要求1?權(quán)利要求11中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒；和 用于分散所述氟化鎂顆粒的層形成用材料。
15.—種附有低折射率層的基材,含有: 樹脂基板； 硬涂層，形成在所述樹脂基板之上；和 低折射率層，形成在所述硬涂層之上， 所述低折射率層由權(quán)利要求14所記載的低折射率層形成用組合物構(gòu)成。
16.一種氟化鎂顆粒的制造方法，制造含有至少一個(gè)氟化鎂微粒的氟化鎂顆粒，包含: 準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備氟硅酸鎂晶體； 晶體生成工序，通過對所述氟硅酸鎂晶體進(jìn)行熱處理將氣體從所述氟硅酸鎂晶體中排出，并生成具有對被承載體進(jìn)行承載的細(xì)孔的氟化鎂晶體；和 微粒生成工序，由所述氟化鎂晶體生成含有所述細(xì)孔的氟化鎂微粒。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所記載的氟化鎂顆粒的制造方法，其中， 所述至少一個(gè)氟化鎂微粒是多個(gè)微粒， 所述晶體生成工序包含凝聚工序， 所述凝聚工序是按照使所述多個(gè)微粒中彼此相鄰的微粒之間形成粒界空隙狀細(xì)孔的方式來對所述彼此相鄰的微粒進(jìn)行凝聚的工序， 所述粒界空隙狀細(xì)孔是對所述被承載體進(jìn)行承載的間隙。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或權(quán)利要求17所記載的氟化鎂顆粒的制造方法，其中， 所述晶體生成工序包含微粒內(nèi)開細(xì)孔形成工序和微粒內(nèi)閉細(xì)孔形成工序中的至少一種， 所述微粒內(nèi)開細(xì)孔形成工序是形成以開口在所述氟化鎂微粒的表面的狀態(tài)而存在的微粒內(nèi)開細(xì)孔的工序， 所述微粒內(nèi)閉細(xì)孔形成工序是形成以從所述氟化鎂微粒的表面來看呈閉塞的狀態(tài)而存在于所述氟化鎂微粒的內(nèi)部的微粒內(nèi)閉細(xì)孔的工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或權(quán)利要求18所記載的氟化鎂顆粒的制造方法，其中， 所述凝聚工序包含粒界空隙狀開細(xì)孔形成工序和粒界空隙狀閉細(xì)孔形成工序中的至少一種， 所述粒界空隙狀開細(xì)孔形成工序是形成以開口狀態(tài)而存在的粒界空隙狀開細(xì)孔的工序， 所述粒界空隙狀閉細(xì)孔形成工序是形成以閉塞狀態(tài)而存在的粒界空隙狀閉細(xì)孔的工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求16?權(quán)利要求19中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒的制造方法，其中， 所述準(zhǔn)備工序包含: 氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料生成工序，由鎂鹽與含有氟硅化物離子的溶液的混合液生成氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料； 氟硅酸鎂顆粒的膏狀物生成工序，由所述氟硅酸鎂顆粒聚集物漿料生成氟硅酸鎂顆粒的膏狀物； 氟硅酸鎂顆粒生成工序，由所述氟硅酸鎂顆粒的膏狀物生成氟硅酸鎂顆粒； 氟硅酸鎂微粒的漿料生成工序，對所述氟硅酸鎂顆粒進(jìn)行粉碎從而生成氟硅酸鎂微粒的漿料；和 氟硅酸鎂晶體生成工序，由所述氟硅酸鎂微粒的漿料生成所述氟硅酸鎂晶體。
21.一種氟化鎂顆粒分散液的制造方法，包含:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備權(quán)利要求1?權(quán)利要求11中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒；和分散工序，將所述氟化鎂顆粒分散到分散介質(zhì)中。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所記載的氟化鎂顆粒分散液的制造方法，其中，所述分散介質(zhì)含有對所述氟化鎂顆粒的分散進(jìn)行促進(jìn)的分散劑。
23.一種低折射率層形成用組合物的制造方法，包含:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備權(quán)利要求1?權(quán)利要求11中的任意一項(xiàng)所記載的氟化鎂顆粒；和分散工序，將所述氟化鎂顆粒分散到層形成用材料中。
24.一種附有低折射率層的基材的制造方法，包含:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備樹脂基板；硬涂層形成工序，在所述樹脂基板之上形成硬涂層；和低折射率層形成工序，在所述硬涂層之上形成低折射率層，所述低折射率層由權(quán)利要求14所記載的低折射率層形成用組合物構(gòu)成。
【文檔編號】G02B1/11GK104271509SQ201380022702
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2013年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月29日
【發(fā)明者】藪根辰弘, 富崎惠, 里家正規(guī), 鷹取浩明 申請人:斯泰拉化工公司