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一種掩膜板、基板及顯示裝置制造方法

文檔序號:2703656閱讀:134來源:國知局
一種掩膜板、基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種掩膜板、基板及顯示裝置,涉及顯示【技術領域】,解決了現(xiàn)有的掩膜板形成的彩色膜層其上表面不平整,具有角段差的問題。本發(fā)明實施例提供了一種掩膜板,包括全透光區(qū)、部分透光區(qū)和不透光區(qū),所述不透光區(qū)將掩膜板分割成多個陣列排布的曝光單元,每一所述曝光單元包括全透光區(qū)和部分透光區(qū),所述部分透光區(qū)設置在所述透光區(qū)和不透光區(qū)之間,其中所述掩膜板的曝光單元對應形成薄膜的圖案單元,且所述曝光單元的全透光區(qū)對應形成的薄膜的高度大于所述部分透光區(qū)對應形成的薄膜的高度。
【專利說明】一種掩膜板、基板及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】,尤其涉及一種掩膜板、基板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器包括陣列基板、彩膜基板以及設置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。其中,如圖1所示,彩膜基板包括設置在襯底基板I上的黑矩陣膜層以及彩色膜層(其中,所示黑矩陣膜層包括黑矩陣2,所示彩色膜層包括R (紅)、G (綠)、B (藍)三種不同顏色的彩色圖案3。
[0003]現(xiàn)有的彩膜基板的制作方法中,首先在襯底基板上形成黑矩陣膜層,再在所述襯底基板上經過涂布薄膜、曝光、顯影、刻蝕以及剝離等工序形成所述彩色膜層。其中,彩色膜層是通過掩膜板4進行曝光形成的,掩膜板4包括透光區(qū)401和不透光區(qū)402。彩膜基板上形成的彩色膜層由于襯底基板上形成有黑矩陣,則形成的彩色圖案3如圖1所述,其上表面不平整,即出現(xiàn)角段差,會造成配向不良,影響顯示效果。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種掩膜板、基板及其制作方法,通過所述掩膜板形成的膜層,其固化后上表面為平面,沒有角段差。
[0005]為達到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0006]本發(fā)明實施例提供了一種掩膜板,包括全透光區(qū)、部分透光區(qū)和不透光區(qū),所述不透光區(qū)將掩膜板分割成多個陣列排布的曝光單元,每一所述曝光單元包括全透光區(qū)和部分透光區(qū),所述部分透光區(qū)設置在所述透光區(qū)和不透光區(qū)之間,其中所述掩膜板的曝光單元對應形成薄膜的圖案單元,且所述曝光單元的全透光區(qū)對應形成的薄膜的高度大于所述部分透光區(qū)對應形成的薄膜的高度。
[0007]可選的,所述掩膜板曝光單元的各部分透光區(qū)的寬度為2-15 μ m。
[0008]可選的,所述掩膜板曝光單元的各全透光區(qū)的寬度為15-120 μ m。
[0009]本發(fā)明實施例提供了一種基板,包括:透明基板以及設置在所述透明基板上的第一膜層,其中,所述第一膜層通過本發(fā)明提供的任一所述的掩膜板形成,所述第一膜層包括多個陣列排布的圖案單元,且通過曝光直接形成的圖案單元中對應掩膜板全透光區(qū)的高度大于對應部分透光區(qū)的高度。
[0010]可選的,所述第一膜層為彩色膜層,所述圖案單元為像素單元,所述圖案單元對應掩膜板全透光區(qū)為基板透光區(qū),所述圖案單元對應掩膜板部分透光區(qū)為基板不透光區(qū)。
[0011]可選的,所述彩色膜層像素單元中透光部分的高度與不透光部分的高度差為0.4-1 μ m0
[0012]可選的,所述彩色膜層像素單元中各透光部分的厚度為1.5-3.5 μ m0
[0013]可選的,所述彩色膜層像素單元中各不透光部分的厚度為1.1-2.5 μ m0
[0014]可選的,所述彩色膜層像素單元中各透光部分的寬度為15-120 μ m。[0015]可選的,所述彩色膜層像素單元中各不透光部分的寬度為2_15μπι。
[0016]可選的,所述基板為陣列基板或彩膜基板。
[0017]本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的基板。
[0018]本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板、基板及顯示裝置,所述掩膜的曝光單元對應形成的薄膜的圖案單元,且所述曝光單元的全透光區(qū)對應形成的薄膜的高度大于所述部分透光區(qū)對應形成的薄膜的高度,則形成的薄膜經固化后其上表面沒有角段差(進而可以提升顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術中利用掩膜板形成彩色膜層的示意圖;
[0020]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板;
[0021]圖3為利用圖2所示的掩膜板形成彩色膜層的示意圖;
[0022]圖4為本發(fā)明實施例提供的彩膜基板示意圖;
[0023]附圖標記:
[0024]1-透明基板;2_黑矩陣;3_彩色圖案;4_掩膜板;401_全透光區(qū);402_不透光區(qū);403-部分透光區(qū);5_彩膜基板。
【具體實施方式】
[0025]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。
[0026]需要說明的是,現(xiàn)有的構圖工藝一般通過掩膜板形成需要的薄膜圖案,其具體工藝包括:在薄膜上涂膠,利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光,再利用顯影液將需去除的光刻膠沖蝕掉,再刻蝕掉未覆蓋光刻膠的薄膜部分,最后將剩下的光刻膠剝離。其中,根據(jù)所述光刻膠的不同,所述掩膜板在所述基板上形成的薄膜圖案相同或者相對。以圖1所示的現(xiàn)有掩膜板為例,具體的,當所述光刻膠為正性光刻膠,則所述掩膜板的不透光區(qū)對應的光刻膠完全保留,所述透光區(qū)域對應的光刻膠被完全去除,即薄膜圖案對應掩膜板的不透光區(qū)。若所述光刻膠為負性光刻膠,則所述掩膜板的全透光區(qū)對應的光刻膠完全保留,所述不透光區(qū)對應的光刻膠被完全去除,即薄膜圖案對應掩膜板的透光區(qū)。且本發(fā)明實施例中以所述光刻膠為負性光刻膠為例進行詳細說明。正性光刻膠的掩膜板設置與負向光刻膠相反,在這里就不作贅述。
[0027]本發(fā)明提供了一種掩膜板4,如圖2所示,包括全透光區(qū)401、部分透光區(qū)403和不透光區(qū)402,所述不透光區(qū)402將掩膜板100分割成多個陣列排布的曝光單元,每一所述曝光單元包括全透光區(qū)401和部分透光區(qū)403,所述部分透光區(qū)403設置在所述透光區(qū)401和不透光區(qū)402之間,其中所述掩膜板4的曝光單元對應形成的薄膜的圖案單元,且所述曝光單元的全透光區(qū)401對應形成的薄膜的高度大于所述部分透光區(qū)403對應形成的薄膜的高度。
[0028]需要說明的是,現(xiàn)有的掩膜板一般是通過在透明基板上貼附薄膜使其不透光或者部分透光,本發(fā)明附圖中提供的掩膜板僅用于說明,不作為具體實施方案。
[0029]本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板,所述掩膜板的曝光單元包括全透光區(qū)和部分透光區(qū),所述掩膜板的曝光單元對應形成的薄膜的圖案單元,且所述曝光單元的全透光區(qū)對應形成的薄膜的高度大于所述部分透光區(qū)對應形成的薄膜的高度,薄膜圖案固化之后沒有角段差,進而可以提升顯示效果。
[0030]可選的,所述掩膜板曝光單元的各部分透光區(qū)的寬度為2-15 μ m。如圖2所示,部分透光區(qū)b的寬度為2-15 μ m。需要說明的是,本發(fā)明實施例中的各數(shù)值范圍均包括臨界值。即掩膜板曝光單元的各部分透光區(qū)的寬度可以為2 μ m或15 μ m。
[0031]可選的,所述掩膜板曝光單元的各全透光區(qū)的寬度為15-120 μ m。如圖2所示,全透光區(qū)a的寬度為15-120 μ m。其中,掩膜板曝光單元的各全透光區(qū)的寬度可以為15 μ m或120 μ m0
[0032]本發(fā)明實施例提供了一種基板,包括:透明基板以及設置在所述透明基板上的第一膜層,其中,所述第一膜層通過本發(fā)明實施例提供的任一所述的掩膜板形成,所述第一膜層包括多個陣列排布的圖案單元,且通過曝光直接形成的圖案單元中對應掩膜板全透光區(qū)的高度大于對應部分透光區(qū)的高度。
[0033]需要說明的是,所述基板上設置有第一膜層,所述第一膜層通過本發(fā)明實施例提供的任一所述的掩膜板形成,則所述第一膜層的圖案與所述掩膜的透光區(qū)的圖案相同。所述薄膜圖案的高度,在本發(fā)明實施例中以所述基板的上表面為基準。具體的,如圖3所示,利用本發(fā)明實施例提供的掩膜板4形成彩膜基板5上的彩色膜層為例,即包括R (紅)、G(綠)、B (藍)三種不同顏色的彩色圖案3,且所述彩色膜層與對應掩膜板4全透光區(qū)401的高度大于對應部分透光區(qū)403的高度。
[0034]可選的,所述第一膜層為彩色膜層,所述圖案單元為像素單元,所述圖案單元對應掩膜板全透光區(qū)為基板透光區(qū),所述圖案單元對應掩膜板部分透光區(qū)為基板不透光區(qū)。
[0035]具體的,如圖3所示,所述第一膜層為彩色膜層,且以所述彩色膜層設置在彩膜基板為例,則所述圖案單元為像素單元,所述圖案單元對應掩膜板全透光區(qū)為彩膜基板的透光區(qū),所述圖案單元對應掩膜板部分透光區(qū)與黑矩陣重疊,且為彩膜基板的不透光區(qū)。由于彩膜基板上的透光區(qū)的薄膜的高度大于彩膜基板上不透光區(qū)的薄膜的高度,這樣彩色膜層固化之后最終形成如圖4所示的薄膜圖案,即各彩色膜層的上表面為平面,薄膜表面沒有角段差。
[0036]可選的,所述基板為陣列基板或彩膜基板。即所述第一膜層可以形成在陣列基板上的膜層也可以是形成在彩膜基板上的膜層。本發(fā)明實施例及附圖以所述第一膜層為彩色膜層且形成在所述彩膜基板為例進行詳細說明。
[0037]可選的,所述彩色膜層像素單元中透光部分的高度與不透光部分的高度差為
0.4-1 μ m。如圖3所示,彩色膜層透光部分的高度與不透光部分的高度差c為0.4-1 μ m。
[0038]可選的,所述彩色膜層像素單元中各透光部分的厚度為1.5-3.5 μ m0如圖3所示,彩色膜層透光部分的厚度h為1.5-3.5 μ m。其中,彩色膜層像素單元中各透光部分的厚度可以為 1.5μηι 或 3.5μηι。
[0039]可選的,所述彩色膜層像素單元中各不透光部分的厚度為1.1-2.5 μ m。如圖3所示,彩色膜層不透光部分的厚度k為1.1-2.5 μ m。其中,彩色膜層像素單元中各不透光部分的厚度可以為1.1 μ m或2.5 μ m。
[0040]可選的,所述彩色膜層像素單元中各透光部分的寬度為15_120μπι。如圖3所示,彩色膜層透光部分的寬度m為15-120 μ m。其中,彩色膜層像素單元中各透光部分的寬度可以為 15 μ m 或 120 μ m。
[0041]可選的,所述彩色膜層像素單元中各不透光部分的寬度為2_15μπι。如圖3所示,彩色膜層不透光部分的寬度η為2-15 μ m。其中,彩色膜層像素單元中各不透光部分的寬度可以為2 μ m或15 μ m。
[0042]本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、電子紙、OLED (Organic Light) Emitting Diode (有機發(fā)光二極管)顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產品或者部件。
[0043]以上所述,僅為本發(fā)明的【具體實施方式】,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內,可輕易想到的變化或替換,都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此,本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種掩膜板,其特征在于,包括全透光區(qū)、部分透光區(qū)和不透光區(qū),所述不透光區(qū)將掩膜板分割成多個陣列排布的曝光單元,每一所述曝光單元包括全透光區(qū)和部分透光區(qū),所述部分透光區(qū)設置在所述透光區(qū)和不透光區(qū)之間,其中所述掩膜板的曝光單元對應形成薄膜的圖案單元,且所述曝光單元的全透光區(qū)對應形成的薄膜的高度大于所述部分透光區(qū)對應形成的薄膜的高度。
2.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板曝光單元的各部分透光區(qū)的寬度為2-15 μ m。
3.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板曝光單元的各全透光區(qū)的寬度為15-120 μ m。
4.一種基板,包括:透明基板以及設置在所述透明基板上的第一膜層,其特征在于,所述第一膜層通過權利要求1-3任一項所述的掩膜板形成,所述第一膜層包括多個陣列排布的圖案單元,且通過曝光直接形成的圖案單元中對應掩膜板全透光區(qū)的高度大于對應部分透光區(qū)的高度。
5.根據(jù)權利要求4所述的基板,其特征在于,所述第一膜層為彩色膜層,所述圖案單元為像素單元,所述圖案單元對應掩膜板全透光區(qū)為基板透光區(qū),所述圖案單元對應掩膜板部分透光區(qū)為基板不透光區(qū)。
6.根據(jù)權利要求4所述的基板,其特征在于,所述彩色膜層像素單元中透光部分的高度與不透光部分的高度差為0.4-1 μ m。
7.根據(jù)權利要求4所述的基板,其特征在于,所述彩色膜層像素單元中各透光部分的厚度為 1.5-3.5 μ m。
8.根據(jù)權利要求4所述的基板,其特征在于,所述彩色膜層像素單元中各不透光部分的厚度為1.1-2.5 μ m。
9.根據(jù)權利要求4所述的基板,其特征在于,所述彩色膜層像素單元中各透光部分的寬度為15-120 μ m。
10.根據(jù)權利要求4所述的基板,其特征在于,所述彩色膜層像素單元中各不透光部分的寬度為2-15 μ m。
11.根據(jù)權利要求4-10任一項所述的基板,其特征在于,所述基板為陣列基板或彩膜基板。
12.—種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求4-11任一項所述的基板。
【文檔編號】G03F7/20GK103592815SQ201310581233
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年11月18日 優(yōu)先權日:2013年11月18日
【發(fā)明者】黃正峰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司
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