基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)及方法
【專利摘要】基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)及方法，屬于非線性光學(xué)領(lǐng)域。二維光學(xué)掃描系統(tǒng)由第一順電相鉭鈮酸鉀晶體、第二順電相鉭鈮酸鉀晶體和二分之一玻片組成，第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的[100]、[010]和[001]方向與直角坐標(biāo)系的x、y、z軸相對(duì)應(yīng)，z軸為光學(xué)對(duì)稱軸，沿z值增大方向依次為第一順電相鉭鈮酸鉀晶體、二分之一玻片和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體。本發(fā)明以順電相鉭鈮酸鉀晶體為基礎(chǔ)，利用其電控二次電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)入射光的偏轉(zhuǎn)，并其通過(guò)調(diào)節(jié)施加在晶體表面的外加電壓直接控制激光束的偏轉(zhuǎn)方向，從而實(shí)現(xiàn)二維空間掃描。
【專利說(shuō)明】基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于非線性光學(xué)領(lǐng)域，涉及一種基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)及利用其進(jìn)行二維光學(xué)掃描的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光學(xué)掃描技術(shù)在光計(jì)算、光纖通信、光盤存儲(chǔ)、光電技術(shù)、光學(xué)圖象處理及精密測(cè)量等現(xiàn)代科技的許多領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。
[0003]傳統(tǒng)的光學(xué)掃描技術(shù)是基于機(jī)械式光學(xué)振鏡開發(fā)而成的。振鏡是一種優(yōu)良的矢量掃描器件，它是一種特殊的擺動(dòng)電機(jī)，基本原理是通電線圈在磁場(chǎng)中產(chǎn)生力矩，但與旋轉(zhuǎn)電機(jī)不同，其轉(zhuǎn)子上通過(guò)機(jī)械紐簧或電子的方法加有復(fù)位力矩，大小與轉(zhuǎn)子偏離平衡位置的角度成正比，當(dāng)線圈通以一定的電流而轉(zhuǎn)子發(fā)生偏轉(zhuǎn)到一定的角度時(shí)，電磁力矩與回復(fù)力矩大小相等，故不能象普通電機(jī)一樣旋轉(zhuǎn)，只能偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)角與電流成正比。這種掃描技術(shù)雖然是目前比較成熟的光學(xué)掃描技術(shù)，但由于其采用機(jī)械式的偏轉(zhuǎn)方法，其響應(yīng)速度、偏轉(zhuǎn)精度、回程誤差等必然要受到限制。
[0004]隨著相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，近年來(lái)基于液晶的光學(xué)掃描技術(shù)得到了較快的發(fā)展。其掃描原理是液晶具有雙折射特性和電控特性，當(dāng)向液晶盒施加一個(gè)較小的電壓時(shí)(I?10V)，液晶分子的取向?qū)l(fā)生一定的變化，導(dǎo)致液晶總體折射率發(fā)生變化，從而對(duì)入射光的相位進(jìn)行調(diào)制，進(jìn)而控制入射光束的偏轉(zhuǎn)方向，達(dá)到光束方向控制的目的。液晶具有雙折射范圍廣、波帶寬、驅(qū)動(dòng)電壓低等優(yōu)點(diǎn)。用液晶作為工作介質(zhì)制造的液晶衍射元件或空間光調(diào)制器件，運(yùn)用全電、非慣性掃描技術(shù)，因而具有功耗低、體積小、重量輕、可以電尋址、無(wú)機(jī)械磨損、控制精度高、能提高有效載荷的優(yōu)點(diǎn)。但由于其工作原理的限制，其響應(yīng)時(shí)間最好也只能達(dá)到微秒量級(jí)，并且由于其工作物質(zhì)為液晶，其最大通過(guò)功率受到了限制，并且其旁瓣效應(yīng)也是不可避免的。
[0005]聲光掃描技術(shù)是一種非機(jī)械式光學(xué)掃描技術(shù)。其原理是超聲波經(jīng)過(guò)液體時(shí)，液體的折射率會(huì)發(fā)生正弦或余弦調(diào)制形成光柵，當(dāng)有光束入射時(shí)會(huì)在光柵作用下產(chǎn)生衍射光，衍射光偏轉(zhuǎn)角與聲波頻率成線性關(guān)系。由于聲波頻率的改變能通過(guò)電子電路和壓電換能器實(shí)現(xiàn)，所以可以達(dá)到很高的速度，而且因?yàn)椴淮嬖跈C(jī)械慣性的作用能夠很快地穩(wěn)定于一個(gè)指定頻率，所以這種掃描器件具有很高的隨機(jī)尋訪能力，適合用于快速隨機(jī)掃描。例如，在生物顯微成像中可以用于記錄視野內(nèi)多個(gè)感興趣點(diǎn)毫秒量級(jí)以上的快速功能信號(hào)的變化。但是由于聲光掃描器的頻率帶寬有限而且?guī)掃吘壍难苌湫始眲∷p。普通聲光掃描器的掃描角為2度左右，導(dǎo)致這種器件用于掃描系統(tǒng)時(shí)所能達(dá)到的視場(chǎng)僅為傳統(tǒng)機(jī)械式掃描系統(tǒng)的1/4。
[0006]電光掃描技術(shù)是利用電場(chǎng)對(duì)電光材料折射率的控制而實(shí)現(xiàn)光學(xué)偏轉(zhuǎn)的掃描技術(shù)。在外加電場(chǎng)作用下，電光材料通過(guò)線性或二次電光效應(yīng)，其折射率隨外加電場(chǎng)呈一次或二次變化，這時(shí)入射光照射到電光材料上其傳播方向會(huì)發(fā)生相應(yīng)的改變，從而實(shí)現(xiàn)光學(xué)掃描。和目前廣泛應(yīng)用的機(jī)械振鏡掃描、液晶掃描以及聲光掃描等技術(shù)相比，電光掃描技術(shù)由于是利用在電光材料上施加外電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)掃描，因而可以實(shí)現(xiàn)激光的非機(jī)械、無(wú)慣性掃描，在響應(yīng)速度和靈敏性等方面優(yōu)勢(shì)顯著。目前較為典型的電光材料為鈮酸鋰晶體(LN)、鋯鈦酸鉛鑭陶瓷(PLZT)、GaAs等，這些材料的響應(yīng)時(shí)間都較短(納秒量級(jí))，但由于他們的電光系數(shù)較小，因此他們的尺度和外加電壓的要求都較高，難以實(shí)際應(yīng)用。
[0007]順電相鉭鈮酸鉀晶體(KtahNbxO3,簡(jiǎn)稱KTN)是目前已知的具有最大二次電光系數(shù)的電光晶體，由于具有二次電光系數(shù)大、電場(chǎng)響應(yīng)速度快(幾個(gè)納秒)等優(yōu)點(diǎn)，其在光學(xué)傳輸和信息處理領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為了解決現(xiàn)有二維掃描技術(shù)掃描頻率不夠高的缺點(diǎn)，本發(fā)明提出一種基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)及利用其進(jìn)行二維光學(xué)掃描的方法，以順電相鉭鈮酸鉀晶體為基礎(chǔ)，利用其電控二次電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)入射光的偏轉(zhuǎn)，并其通過(guò)調(diào)節(jié)施加在晶體表面的外加電壓直接控制激光束的偏轉(zhuǎn)方向，從而實(shí)現(xiàn)二維空間掃描。
[0009]本發(fā)明的基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)由第一順電相鉭鈮酸鉀晶體、第二順電相鉭鈮酸鉀晶體和二分之一玻片組成，第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的[100]、[010]和[001]方向與直角坐標(biāo)系的X、1、Z軸相對(duì)應(yīng)，Z軸為光學(xué)對(duì)稱軸，沿z值增大方向依次為第一順電相鉭鈮酸鉀晶體、二分之一玻片和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體。
[0010]本發(fā)明的基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描技術(shù)，具體過(guò)程如下:
步驟一、將兩塊利用提拉法生長(zhǎng)出來(lái)的順電相鉭鈮酸鉀晶體沿[100]、[010]和[001]方向切割成長(zhǎng)方體，之后對(duì)各個(gè)面進(jìn)行拋光。
[0011]步驟二、將兩塊晶體的[100]、[010]和[001]方向與直角坐標(biāo)系的x、y、z軸相對(duì)應(yīng)，這時(shí)Z軸為兩塊晶體的光學(xué)對(duì)稱軸，沿Z值增大方向依次為第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體。
[0012]步驟三、分別在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y-ζ面的表面和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于x-z面的表面上鍍上金屬電極并引出金屬導(dǎo)線，為施加外電場(chǎng)做準(zhǔn)備。
[0013]步驟四、通過(guò)控制環(huán)境溫度，使得晶體的溫度高于晶體從鐵電相到順電相的居里溫度1-20攝氏度。
[0014]步驟五、在兩塊晶體之間插入一片二分之一玻片，z軸為其光學(xué)對(duì)稱軸。
[0015]步驟六、使偏振方向平行于X軸的線偏振激光沿著z軸正方向正入射進(jìn)入第一順電相鉭鈮酸鉀晶體，這時(shí)在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y-z面的表面施加電壓，通過(guò)改變施加在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體上的電壓就可以控制入射光束的出射方向，實(shí)現(xiàn)y軸方向的一維掃描。當(dāng)激光從第一順電相鉭鈮酸鉀晶體中出射后進(jìn)入二分之一玻片，通過(guò)調(diào)整玻片光軸方向，使得激光的偏振方向旋轉(zhuǎn)90度,然后照射到第二順電相鉭鈮酸鉀晶體上，這時(shí)在第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于x-z面的表面施加電壓，通過(guò)改變施加在第二順電相鉭鈮酸鉀晶體上的電壓就可以控制入射光束的出射方向，實(shí)現(xiàn)X軸方向的一維掃描，這樣就可以通過(guò)調(diào)節(jié)施加在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體上的電壓，實(shí)現(xiàn)x-y平面內(nèi)的二維掃描。
[0016]上述方法中，所述第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的電極方
向相互垂直。
[0017]上述方法中，所述步驟一中順電相鉭鈮酸鉀晶體的溫度要控制在高于其居里溫度5度內(nèi)。
[0018]采用本發(fā)明方法制作的光學(xué)掃描系統(tǒng)具有體積小、成本低、加工簡(jiǎn)單、響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使得其應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為【具體實(shí)施方式】一的原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]【具體實(shí)施方式】一:如圖1所示，本實(shí)施方式中的基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)由第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2、第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4和二分之一玻片3組成，第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4的[100]、
[010]和[001]方向與直角坐標(biāo)系的x、y、z軸相對(duì)應(yīng)，z軸為光學(xué)對(duì)稱軸，沿z值增大方向依次為第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2、二分之一玻片3和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4。
[0021]利用上述掃描系統(tǒng)進(jìn)行二維光學(xué)掃描的方法，具體過(guò)程如下:
步驟一、將兩塊利用提拉法生長(zhǎng)出來(lái)的居里溫度在10-30攝氏度的第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4沿[100]、[010]和[001]方向切割成長(zhǎng)方體，之后對(duì)各個(gè)面進(jìn)行拋光。
[0022]步驟二、將兩塊晶體的[100]、[010]和[001]方向與直角坐標(biāo)系的x，y，z軸相對(duì)應(yīng)，這時(shí)z軸為兩塊晶體的光學(xué)對(duì)稱軸，沿z值增大方向依次為第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4。
[0023]步驟三、分別在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y-z面的abed面和efgh面及第二順電相鉭銀酸鉀晶體4的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于χ-ζ面的jkpo和ilmn面上鍍上金屬電極并引出金屬導(dǎo)線，為施加外電場(chǎng)做準(zhǔn)備。
[0024]步驟四、通過(guò)控制環(huán)境溫度，使得晶體的溫度高于晶體從鐵電相到順電相的居里溫度1-20攝氏度的范圍內(nèi)。
[0025]步驟五、在兩塊晶體之間插入一片二分之一玻片3, z軸為其光學(xué)對(duì)稱軸。
[0026]步驟六、使從激光器I出射的偏振方向平行于X軸的線偏振激光沿著z軸正方向正入射進(jìn)入第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2，這時(shí)在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y-z面的abed面和efgh面上施加電壓,通過(guò)改變施加的電壓就可以控制入射光束的出射方向，實(shí)現(xiàn)y軸方向的一維掃描。當(dāng)線偏振的激光從第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2中出射后進(jìn)入二分之一玻片3后，通過(guò)調(diào)整二分之一玻片3的光軸方向，使得線偏振激光的偏振方向旋轉(zhuǎn)90度，然后照射到第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4上，這時(shí)在第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于χ-ζ面的jkpo和ilmn面上施加電壓，通過(guò)改變施加的電壓就可以控制入射光束的出射方向，實(shí)現(xiàn)X軸方向的一維掃描，這樣就可以通過(guò)調(diào)節(jié)施加在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4上的電壓實(shí)現(xiàn)x-y平面內(nèi)的二維掃描。
[0027]【具體實(shí)施方式】二:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一不同的是，步驟一中所用的第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2的尺寸為1.50 (ab) X 2.00 (af) X 4.00 (ad)立方毫米，第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4的尺寸為2.00(ij) X1.50 (in) X 4.00(il)立方毫米。
[0028]【具體實(shí)施方式】三:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一、二不同的是，步驟一中所用順電相鉭鈮酸鉀晶體的居里溫度為20攝氏度，晶體溫度為21.5攝氏度。
[0029]【具體實(shí)施方式】四:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一、二、三不同的是，步驟三中在順電相鉭鈮酸鉀晶體表面鍍鈦?zhàn)鳛殡姌O，這樣可以保證在外電場(chǎng)作用下，通過(guò)二次電光效應(yīng)，在電場(chǎng)方向上產(chǎn)生線性變化的折射率梯度，實(shí)現(xiàn)入射光的偏轉(zhuǎn)。
[0030]【具體實(shí)施方式】五:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一、二、三不同的是，步驟三中在順電相鉭鈮酸鉀晶體表面涂銀膠作為電極，這樣可以保證在外電場(chǎng)作用下，通過(guò)二次電光效應(yīng)，在電場(chǎng)方向上產(chǎn)生線性變化的折射率梯度，實(shí)現(xiàn)入射光的偏轉(zhuǎn)。
[0031]【具體實(shí)施方式】六:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一、二、三、四不同的是，激光器I為半導(dǎo)體激光器，其輸出波長(zhǎng)為532.0納米,光強(qiáng)為5.00毫瓦。二分之一玻片3的適用波長(zhǎng)為532.0納米，其光軸方向平行于x-y平面，并與X軸成45度角。
[0032]【具體實(shí)施方式】七:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五不同的是，激光器I為氦-氖激光器，其輸出波長(zhǎng)為632.8納米，光強(qiáng)為3.00毫瓦。二分之一玻片3適用波長(zhǎng)為632.8納米，其光軸方向平行于x-y平面，并與X軸成45度角。
[0033]【具體實(shí)施方式】八:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五不同的是，激光器I為半導(dǎo)體激光器，其輸出波長(zhǎng)為671納米，光強(qiáng)為7.00毫瓦。二分之一玻片3適用波長(zhǎng)為671納米，其光軸方向平行于x-y平面，并與X軸成45度角。
[0034]【具體實(shí)施方式】九:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一?七不同的是，步驟五中第一順電相鉭鈮酸鉀晶體2的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y-z面的abed面和efgh面和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體4的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于χ-ζ面的jkpo和ilmn面之間施加外電場(chǎng)為O到500V/mm，偏離X軸和偏離I軸方向的偏轉(zhuǎn)角度在O到1.5度之間變化。
[0035]除上述【具體實(shí)施方式】外，在外電場(chǎng)作用下，利用順電相鉭鈮酸鉀晶體和二分之一玻片，通過(guò)二次電光效應(yīng)，使得入射光在傳播中實(shí)現(xiàn)二維掃描的技術(shù)方案均在本說(shuō)明書的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)，其特征在于所述二維光學(xué)掃描系統(tǒng)由第一順電相鉭銀酸鉀晶體、第二順電相鉭銀酸鉀晶體和二分之一玻片組成，第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的[100]、[010]和[001]方向與直角坐標(biāo)系的x、y、z軸相對(duì)應(yīng)，Z軸為光學(xué)對(duì)稱軸，沿Z值增大方向依次為第一順電相鉭鈮酸鉀晶體、二分之一玻片和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)，其特征在于所述第一順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y_z面的表面和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于χ-ζ面的表面上鍍有金屬電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)，其特征在于所述第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的電極方向相互垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描系統(tǒng)，其特征在于所述第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體為利用提拉法生長(zhǎng)出來(lái)的順電相鉭鈮酸鉀晶體沿[100]、[010]和[001]方向切割成的長(zhǎng)方體。
5.基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描方法，其特征在于所述掃描方法步驟如下: 步驟一、將兩塊利用提拉法生長(zhǎng)出來(lái)的順電相鉭鈮酸鉀晶體沿[100]、[010]和[001]方向切割成長(zhǎng)方體，之后對(duì)各個(gè)面進(jìn)行拋光； 步驟二、將兩塊晶體的[100]、[010]和[001]方向與直角坐標(biāo)系的x、y、z軸相對(duì)應(yīng)，Z軸為兩塊晶體的光學(xué)對(duì)稱軸，沿z值增大方向依次為第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體； 步驟三、分別在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y_z面的表面和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于χ-ζ面的表面上鍍上金屬電極并引出金屬導(dǎo)線.步驟四、通過(guò)控制環(huán)境溫度，使得晶體的溫度高于晶體從鐵電相到順電相的居里溫度1-20攝氏度； 步驟五、在兩塊晶體之間插入一片二分之一玻片，z軸為其光學(xué)對(duì)稱軸； 步驟六、使從激光器出射的偏振方向平行于X軸的線偏振激光沿著z軸正方向正入射進(jìn)入第一順電相鉭鈮酸鉀晶體，這時(shí)在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于y-z面的表面施加電壓，通過(guò)改變施加在第一順電相鉭鈮酸鉀晶體上的電壓可以控制入射光束的出射方向，實(shí)現(xiàn)y軸方向的的一維掃描；當(dāng)激光從第一順電相鉭鈮酸鉀晶體中出射后進(jìn)入二分之一玻片，通過(guò)調(diào)整二分之一玻片光軸方向，使得激光的偏振方向旋轉(zhuǎn)90度，然后照射到第二順電相鉭鈮酸鉀晶體上，這時(shí)在第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的平行于x-z面的表面施加電壓，通過(guò)改變施加在第二順電相鉭鈮酸鉀晶體上的電壓控制入射光束的出射方向，實(shí)現(xiàn)X軸方向的一維掃描。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于順電相鉭銀酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描方法，其特征在于所述第一順電相鉭鈮酸鉀晶體和第二順電相鉭鈮酸鉀晶體的電極方向相互垂直。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于順電相鉭銀酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描方法，其特征在于所述激光器為半導(dǎo)體激光器或氦-氖激光器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于順電相鉭銀酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描方法，其特征在于所述步驟一中順電相鉭鈮酸鉀晶體的溫度高于其居里溫度5度內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的基于順電相鉭鈮酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描方法，其特征在于所述順電相鉭鈮酸鉀晶體的居里溫度為10-30攝氏度。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于順電相鉭銀酸鉀晶體電控偏轉(zhuǎn)特性的二維光學(xué)掃描方法，其特征在于所述步驟一中，順電相鉭鈮酸鉀晶體的居里溫度為20攝氏度，晶體溫度為21.5攝氏度。
【文檔編號(hào)】G02F1/03GK103713403SQ201310579886
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月19日
【發(fā)明者】宮德維, 周忠祥 申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)