專利名稱：一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子制造領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)伴隨集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步，線寬的不斷縮小，半導(dǎo)體器件的面積正變得越來(lái)越小，半導(dǎo)體的布局已經(jīng)從普通的單一功能分離器件，演變成整合高密度多功能的集成電路；由最初的IC (集成電路)隨后到LSI (大規(guī)模集成電路)，VLSI (超大規(guī)模集成電路)，直至今天的ULSI (特大規(guī)模集成電路)，器件的面積進(jìn)一步縮小，功能更為全面強(qiáng)大?？紤]到工藝研發(fā)的復(fù)雜性，長(zhǎng)期性和高昂的成本等等不利因素的制約，如何在現(xiàn)有技術(shù)水平的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高器件的集成密度，縮小芯片的面積，在同一枚硅片上盡可能 多的得到有效的芯片數(shù)，從而提高整體利益，將越來(lái)越受到芯片設(shè)計(jì)者，制造商的重視。掩模板便首當(dāng)其沖。在半導(dǎo)體制造中，掩模板充當(dāng)著載體的角色，正是依靠它，光刻能夠在硅片上實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)者的思路，讓半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)各種功能。隨著光刻技術(shù)不斷向更為細(xì)小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，掩模板的價(jià)格也不斷激增；與之相反的是關(guān)鍵層的套準(zhǔn)精度不斷縮小。若無(wú)法滿足技術(shù)的需求，產(chǎn)品的合格率無(wú)法保證，隨之而來(lái)的就是先期投入的浪費(fèi)、錯(cuò)過(guò)市場(chǎng)黃金需求期,商業(yè)的巨大損失。為保證套準(zhǔn)精度，業(yè)界常用如圖I所示的掩模板對(duì)準(zhǔn)方式，其中為確保光刻機(jī)的套準(zhǔn)精度，圖I中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3-6的坐標(biāo)分別如圖2所示，其中掩膜板上的實(shí)際圖形區(qū)域分別為4_1和4_2。這種掩膜板的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局模式對(duì)于步進(jìn)式重復(fù)曝光光刻機(jī)(St印per)而言會(huì)造成光學(xué)鏡頭局部受熱不均勻的問(wèn)題，這一問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致圖形形變惡化，進(jìn)而降低光刻機(jī)的套準(zhǔn)精度表現(xiàn)。隨著技術(shù)的不斷前進(jìn)，產(chǎn)品套準(zhǔn)規(guī)格的要求越發(fā)嚴(yán)格，這一問(wèn)題正不斷凸顯出來(lái)。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，現(xiàn)提供了一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法的技術(shù)方案，具體如下
一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，適用于步進(jìn)式重復(fù)曝光光刻機(jī)，其中，包括以下步驟 步驟a，在掩膜板上分布XOY坐標(biāo)軸，將掩膜板的中心點(diǎn)設(shè)為所述坐標(biāo)軸的原點(diǎn)；
步驟b,所述坐標(biāo)軸的X軸單位設(shè)為毫米(mm),所述坐標(biāo)軸的Y軸單位設(shè)為毫米(mm)； 步驟C，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，-4. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記I ;
步驟d，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，4. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記2 ；
優(yōu)選的，該掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其中，在所述掩膜板上設(shè)置有多層使用同一類(lèi)光刻曝光設(shè)備的光刻工藝層。優(yōu)選的，該掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其中，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3 ；優(yōu)選的，該掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其中，在所屬掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記4 ；
優(yōu)選的，該掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其中，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，-67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記5 ；
優(yōu)選的，該掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方 法，其中，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，-67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記6 ；
優(yōu)選的，該掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其中，每個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與所述掩膜板上的設(shè)計(jì)圖形之間的距離為I. 5毫米。上述技術(shù)方案的有益效果克服了掩膜板下部曝光而上部不發(fā)生曝光，從而使得上部的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與下部的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通過(guò)溫度不均勻的鏡頭，進(jìn)而導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)發(fā)生漂移，從而套準(zhǔn)精度惡化的情況；進(jìn)而能夠真實(shí)地反應(yīng)鏡頭的受熱變化，從而改進(jìn)掩膜板的套準(zhǔn)精度。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)中常用的掩膜板對(duì)準(zhǔn)布局方法的示意 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中常用的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記坐標(biāo)數(shù)值的表 圖3是本發(fā)明一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法的實(shí)施例的掩膜板仰視 圖4是本發(fā)明一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)布局方法的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本發(fā)明的限定。如圖3所示為本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施例的俯視圖，該掩膜板適用于步進(jìn)式重復(fù)曝光光刻機(jī)，其采用多層整合光罩結(jié)構(gòu)(Multi-Layer Mask, MLM)，具體為將多層使用同一類(lèi)光刻曝光設(shè)備的光刻工藝層放在同一塊掩膜板上，這樣能夠最大限度的使用掩膜板，進(jìn)而節(jié)約成本。該掩膜對(duì)準(zhǔn)布局方法的步驟包括
步驟a，在掩膜板上分布XOY坐標(biāo)軸，將掩膜板的中心點(diǎn)設(shè)為坐標(biāo)軸的原點(diǎn)；
步驟b,坐標(biāo)軸的X軸單位設(shè)為毫米(mm),坐標(biāo)軸的Y軸單位設(shè)為毫米(mm)；
步驟C，在掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，-4. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記I ;
步驟d，在掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，4. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記2。具體到一個(gè)實(shí)施例中，該步驟包括首先，在掩膜板上設(shè)置XOY坐標(biāo)軸，該坐標(biāo)軸的中心點(diǎn)與掩膜板的中心點(diǎn)重合，X軸和Y軸的單位均為毫米(_)。其次，為確保光刻機(jī)的套準(zhǔn)精度，需要在如圖2和圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)中的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法上進(jìn)行改進(jìn)，新增一對(duì)位于掩膜板實(shí)際圖形區(qū)域4-1和4-2之間的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記I和2,如圖4所示(圖中未示出XOY坐標(biāo)軸),對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記I在XOY軸上的坐標(biāo)為(-46，4. 8)，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記2在XOY軸上的坐標(biāo)為(46，4. 8)，其他對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3_6的坐標(biāo)依次為(-46，67. 8)，(46，67. 8)，(-46，-67. 8)，(46，-67. 8)；
由于遮光帶的需求，上述每個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與掩膜板設(shè)計(jì)圖形之間的距離為I. 5mm。以上所述僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見(jiàn)的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，適用于步進(jìn)式重復(fù)曝光光刻機(jī)，其特征在于，包括以下步驟 步驟a，在掩膜板上分布XOY坐標(biāo)軸，將掩膜板的中心點(diǎn)設(shè)為所述坐標(biāo)軸的原點(diǎn)； 步驟b,所述坐標(biāo)軸的X軸單位設(shè)為毫米(mm),所述坐標(biāo)軸的Y軸單位設(shè)為毫米(mm)； 步驟C，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，4. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記I ; 步驟d，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，4. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記2。
2.如權(quán)利要求I所述的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其特征在于，在所述掩膜板上設(shè)置有多層使用同一類(lèi)光刻曝光設(shè)備的光刻工藝層。
3.如權(quán)利要求I所述的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其特征在于，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。
4.如權(quán)利要求I所述的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其特征在于，在所屬掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記4。
5.如權(quán)利要求I所述的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其特征在于，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，-67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記5。
6.如權(quán)利要求I所述的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其特征在于，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，-67. 8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記6。
7.如權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，其特征在于，每個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與所述掩膜板上的設(shè)計(jì)圖形之間的距離為I. 5毫米。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種掩膜板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記布局方法，屬于微電子制造領(lǐng)域，步驟包括步驟a，在掩膜板上分布XOY坐標(biāo)軸，將掩膜板的中心點(diǎn)設(shè)為所述坐標(biāo)軸的原點(diǎn)；步驟b，所述坐標(biāo)軸的X軸單位設(shè)為毫米(mm)，所述坐標(biāo)軸的Y軸單位設(shè)為毫米(mm)；步驟c，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(-46，-4.8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記1；步驟d，在所述掩膜板上，依據(jù)XOY坐標(biāo)軸設(shè)置坐標(biāo)為(46，4.8)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記2；上述技術(shù)方案的有益效果是克服了掩膜板下部曝光而上部不發(fā)生曝光而使得上部的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與下部的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通過(guò)溫度不均勻的鏡頭，進(jìn)而導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)發(fā)生漂移，從而套準(zhǔn)精度惡化的情況，改進(jìn)掩膜板的套準(zhǔn)精度。
文檔編號(hào)G03F9/00GK102866604SQ201210343548
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者朱駿 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司