專利名稱：缺陷修正裝置及缺陷修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器裝置的制造工序中的缺陷修正的技術(shù)。尤其涉及適合用于修正 在平板顯示器(FPD ；Flat Panel Display)的 TFT(薄膜晶體管 ThinFilm Transistor)基 板等的基板上形成的器件構(gòu)圖及布線構(gòu)圖上的缺陷的缺陷修正裝置及缺陷修正方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，作為顯示器裝置，有機EL (Electro Luminescence)顯示器及液晶顯示器等 所謂平板顯示器非常普遍。這些顯示器裝置由薄膜晶體管(TFT)及電容器等元件，以及包 含與這些元件電連接的多個布線(例如信號布線及電位供給布線)等各種導(dǎo)電部件的布 線基板構(gòu)成。在構(gòu)成該顯示器裝置的布線基板的量產(chǎn)中，會產(chǎn)生各種缺陷，例如，由于存在異物 而導(dǎo)致本來相互分離設(shè)置的布線及元件電連接而造成短路，以及本來連續(xù)設(shè)置的布線及元 件在內(nèi)部互相分離而造成斷路等。隨著顯示器裝置的大型化，量產(chǎn)時缺陷的發(fā)生，會增加作 為其驅(qū)動用的布線基板的TFT基板中產(chǎn)生的缺陷部位的數(shù)量，從而導(dǎo)致降低成品率，所以 需要修正(repair)缺陷部位的缺陷修正工序。作為針對這樣的短路及斷路等缺陷的修正手法，例如，通過激光照射切斷短路處 的手法(激光修正)外，還可以舉出通過激光CVD(Chemical VaporDeposition ；化學(xué)晶體 氣相生長)法進行斷路處的接線等。例如，還提出有根據(jù)缺陷的坐標(biāo)與基板的CIM(Computer IntegratedManufacturing)信息，對照、選擇缺陷修正手法，自動修正這些缺陷的缺陷修正 方法(例如，參照專利文獻1)。另外，本申請人還提出有，將基板上的單位像素(布線部)分割為多個區(qū)域，選擇 適合每個區(qū)域的修正手法來修正缺陷的缺陷修正方法(例如，參照專利文獻2)。專利文獻專利文獻1 日本特開2005-221974號公報專利文獻2 日本特開2008-159930號公報但是，如專利文獻1記載所示，當(dāng)單純以缺陷圖像(被檢查圖像)與標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)像 (參照圖像)具有的差別圖像作為缺陷范圍進行修正時，如果不把握其缺陷的位置及種類、 基板的缺陷存在之處的狀態(tài)等，就會存在修正失敗的可能。其原因在于操作員根據(jù)自己的 技能及經(jīng)驗來選擇缺陷修正手法、以及選定照射缺陷的激光的脈沖周期、激光能量、激光斑 形狀及振動時間等各參數(shù)，因此，其選定結(jié)果是不同的。當(dāng)是顯示器用TFT基板等的情況下，在對應(yīng)各像素的布線部內(nèi)，不僅存在信號布 線及掃描布線，而且還存在多個電位供給布線，所以像素內(nèi)的布線密度顯著增大，且像素結(jié) 構(gòu)也顯著復(fù)雜。例如，在修正連接同一的布線而產(chǎn)生的缺陷及在布線部內(nèi)大致相同位置產(chǎn)生的缺 陷等過程中，需要對應(yīng)位于周圍的部件種類及有無來分別選擇不同的缺陷修正手法。另外，例如，在研究通過激光照射來切斷短路處時，需要回避由熱擴散導(dǎo)致的周圍的薄膜晶體管 (TFT)等產(chǎn)生變質(zhì)的問題。尤其適用如有機EL顯示器所示構(gòu)成布線部(像素)的布線的種類及配置復(fù)雜的 情況，以及布線的兩端連接有電源的電位供給布線等兩側(cè)驅(qū)動的布線與另外的單側(cè)驅(qū)動布 線混合構(gòu)成布線部的情況等。在這樣的情況下，針對缺陷的修正手法的選擇項極端增大，與 此相伴，選擇合適的修正手法也變得很困難。這樣，在平板顯示器的平板制造中，缺陷的發(fā)生形式與針對它的修正手法(修正 工序)的選擇項顯著增加。為了進行一個缺陷修正，如果產(chǎn)生激光照射多處的必要性，則在 激光照射條件(激光加工參數(shù))的設(shè)定上耗費人工與時間，從而降低作業(yè)效率。但是，在平板制造生產(chǎn)線的缺陷修正工序中，由于熟練的操作員是現(xiàn)場確認(rèn)缺陷 并決定缺陷修正手法從而進行激光修正等缺陷修正作業(yè)的，所以會耗費過多的間歇時間。 因此，會產(chǎn)生缺陷修正工序的作業(yè)速度無法趕上整體的量產(chǎn)速度的問題。很多平板制造工 廠通過購置多臺缺陷修正裝置(修正機)、增加負(fù)責(zé)各缺陷修正裝置的操作員人數(shù)，來回避 這個問題。但是，當(dāng)采用這種回避方法的情況下，由于缺陷修正裝置及操作員數(shù)量顯著增 加，所以會導(dǎo)致產(chǎn)生設(shè)備成本及操作員的工時費會大幅增加，而降低效益的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種情況而做出的發(fā)明，目的在于顯著提高缺陷修正工序的作業(yè)效 率，同時提高缺陷修正的品質(zhì)。作為本發(fā)明的一個方面的信息處理裝置，其包括缺陷檢測部，用于檢查形成有重 復(fù)構(gòu)圖的多層基板，提取所述重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)的缺陷的位置信息及所述缺陷的特征信息；數(shù)據(jù) 庫，登錄有多個缺陷修正手法；缺陷修正部，利用指定的缺陷修正手法來修正所述多層基板 的缺陷；以及控制部，從數(shù)據(jù)庫讀取對應(yīng)由所述缺陷檢測部所檢測到的缺陷的缺陷修正手 法，使讀取的缺陷修正手法所含有的對象物尺寸與修正實施順序相對該缺陷修正裝置進行 最優(yōu)化，利用該缺陷修正手法來控制實施所述缺陷修正的所述缺陷修正部。作為本發(fā)明的一個方面的信息處理方法，其包括步驟1，檢查形成有重復(fù)構(gòu)圖的 多層基板，提取所述重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)的缺陷的位置信息及所述缺陷的特征信息；步驟2，從所述 數(shù)據(jù)庫讀取對應(yīng)通過所述步驟1檢測到的缺陷的缺陷修正手法；步驟3，使所述步驟2讀取 的缺陷修正手法中所含有的對象物尺寸與適用順序相對該缺陷修正裝置進行最優(yōu)化；步驟 4，利用通過所述步驟3使尺寸與適用順序被最優(yōu)化了的缺陷修正手法，來控制實施所述缺 陷的修正的缺陷修正部。在本發(fā)明的一個方面中，將符合缺陷修正裝置的、例如加工性能及基板的條件等 的加工尺寸與修正實施順序最優(yōu)化。因此，可以回避缺陷修正處理過程中的不良，同時縮短 修正處理時間。根據(jù)本發(fā)明，對于登錄的在重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)構(gòu)成的缺陷修正手法，將符合缺陷修正裝 置的加工性能及基板的條件等的加工尺寸與修正實施順序最優(yōu)化。因此，可以回避缺陷裝 置基板固有的不良，從而追求品質(zhì)的提高，并且能夠縮短間歇時間。


圖1是表示作為檢查對象的基板的構(gòu)成例的圖。圖2是表示圖1所表示的基板內(nèi)的重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域的圖。圖3是表示平板顯示器的布線基板的制造工序的流程圖。圖4是表示從缺陷檢查工序到缺陷修正工序的具體的流程的圖。圖5是表示涉及本發(fā)明的第1實施例的缺陷修正裝置的構(gòu)成例的圖。圖6是表示圖5所表示的控制部的內(nèi)部構(gòu)成的圖。圖7是表示涉及本發(fā)明的第1實施例的缺陷修正工序的流程圖。圖8是表示布線構(gòu)圖(布線部)例子的圖。圖9是表示缺陷圖像與模板例子的圖。圖10是表示Zap對象物例子的圖。圖11中，圖IlA是表示ZapLine對象物例子的圖，圖IlB是用于說明激光照射時 的圖。圖12是表示Zap對象物上任意坐標(biāo)的旋轉(zhuǎn)前后的位置關(guān)系的圖。圖13是用于說明由配置了加工尺寸不合適的Zap對象物的模板所產(chǎn)生的不良的圖。圖14是表示將圖13的Zap對象物的加工尺寸最優(yōu)化的模板例子的圖。圖15是表示將圖13的Zap對象物替換為ZapLine對象物的模板例子的圖。圖16中，圖16A是表示分割前的Zap對象物例子的圖，圖16B是表示分割后的Zap 對象物例子的圖。圖17是表示CVD對象物例子的圖。圖18中，圖18A是表示沒有接觸孔的CVD對象物例子的圖，圖18B是表示只有一 個接觸孔的CVD對象物例子的圖。圖19中，圖19A是表示通過地點為1處的CVD對象物例子的圖，圖19B是表示通 過地點為2處的CVD對象物的圖。圖20中，圖20A是表示需要進行制膜處理的布線構(gòu)圖例子的圖，圖20B是表示CVD 對象物的組合例子的圖。圖21是用于說明由配置了加工尺寸不合適的CVD對象物的模板所產(chǎn)生的不良的 圖。圖22中，圖22A是表示比最佳加工尺寸小的CVD對象物例子的圖，圖22B是表示 比最佳加工尺寸大的CVD對象物例子的圖。圖23中，圖23A、B分別表示將圖22A、B的CVD對象物的加工尺寸最優(yōu)化的CVD對 象物例子的圖。圖24是表示將圖21的CVD對象物的加工尺寸最優(yōu)化的模板例子的圖。圖25中，圖25A是表示將兩個CVD對象物組合例子的圖，圖25B是表示將兩個CVD 對象物的加工尺寸最優(yōu)化而產(chǎn)生不良例子的圖。圖26中，圖26A、B是用于說明CVD對象物的加工區(qū)域的計算方法的圖，A表示CVD 對象物不旋轉(zhuǎn)的情況，B表示CVD對象物旋轉(zhuǎn)的情況。圖27是用于說明CVD對象物具有通過地點的情況下的加工區(qū)域的計算方法的圖。圖28是表示在圖25A的兩個CVD對象物中分別計算加工區(qū)域的情況例子的圖。
6
圖29中，圖29A表示圖25A的兩個CVD對象物的通過路線的圖，圖29B是表示修 正圖25A的兩個CVD對象物的通過路線中的一方例子的圖。圖30中，圖30A是表示修正圖25A的兩個CVD對象物的通過路線的一方的情況例 子的圖，圖30B是表示變更圖30A的通過路線修正后的兩個CVD對象物的加工尺寸的情況 例子的圖。圖31中，圖31A是表示最優(yōu)化前的兩個CVD對象物例子的圖，圖3IB表示最優(yōu)化 后的兩個CVD對象物例子的圖。圖32是表示對涉及本發(fā)明的第1實施例的模板的對象物尺寸進行最優(yōu)化處理的 例子的流程圖。圖33是表示模板例子的圖。圖34是表示替換圖33的模板的實施順序的模板的圖。圖35是表示將CVD尺寸最優(yōu)化從而再次替換圖34的模板的實施順序的模板的 圖。圖36是表示將圖35的模板內(nèi)的Zap對象物的加工尺寸變換為一定數(shù)值后的模板 的圖。圖37中，圖37A是表示Zap對象物例子的圖，圖37B表示相對圖37A的Zap對象 物替換長徑與短徑并設(shè)定角度的Zap對象物例子的圖。圖38是表示指定CVD的加工順序例子的圖。圖39是表示對涉及本發(fā)明的第1實施例的模板的實施順序進行最優(yōu)化處理例子 的流程圖。附圖標(biāo)記說明1布線基板2布線部2a缺陷布線部3 基板4、5 布線6重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域12缺陷信息管理系統(tǒng)100缺陷修正裝置101控制部102缺陷修正部103缺陷檢測部125修正手法數(shù)據(jù)庫151模板輸出輸入部152對象物種類判定部153加工尺寸修正部154對象物修正方法變更部155對象物通過路線修正部156實施順序并列替換部
7
160記錄部201 Zap 對象物202中心點203旋轉(zhuǎn)角度210 ZapLine 對象物211加工尺寸2IlS 開始點2 IlE 結(jié)束點213旋轉(zhuǎn)角度220A、221A Zap 對象物222U、222D 未處理部225 ZapLine 對象物231 233Zap 對象物240、250、260 制膜部240cl、240c2、270cl、270c2、280cl、280c2、320cl、320c2、340cl、340c2、350c 1接觸孔生成部241、271、281、321、341、351、351A 開始點(接觸孔生成坐標(biāo) 1)242、273、284、323、347結(jié)束點(接觸孔生成坐標(biāo)2)272、282、283、343、345、352 通過地點322、342、344、346 中心點340、340A、350、350A、350B 制膜部340-1、340-2、340-3、350-1、350-2 矩形340tl 340t4、350tl 350t4 頂點
具體實施例方式以下，參照

用于實施本發(fā)明的實施例。按照以下項目順序進行說明。1.第1實施例(對象物尺寸、模板實施順序的最優(yōu)化例)L第1實施例概要本實施例中，說明作為目的的布線基板構(gòu)成顯示器裝置的情況，也就是說，對將構(gòu) 成由TFT基板等構(gòu)成的布線基板的多個布線部對應(yīng)顯示器裝置的像素形成為多個二維矩 陣狀的情況進行說明。圖1是表示作為檢查對象的基板的構(gòu)成例的圖。圖2是表示圖1所表示的基板內(nèi) 的重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域的圖。在此例中，共用基板3上形成有四塊平板顯示器的布線基板1。布線基板1分為如 具有后述重復(fù)構(gòu)圖的區(qū)域(重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域6，參照圖2)、經(jīng)由布線5從重復(fù)構(gòu)圖連接至外部 周圍電路4的區(qū)域(周圍電路區(qū)域)、成為重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域6與周圍電路區(qū)域的界限的最外周 區(qū)域(最外周區(qū)域)。重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域6與最外周區(qū)域?qū)⒉季€部2對應(yīng)平板顯示器的像素形成二維矩陣狀。如圖2所示，重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域6為布線部2重復(fù)形成的區(qū)域中除去最外周區(qū) 域的部分。圖3表示了平板顯示器的布線基板的制造工序、S卩，從布線構(gòu)圖形成工序經(jīng)過缺 陷檢查工序至缺陷修正工序的流程。在本實施例中，首先，通過在基板3上迭層形成作為目的的布線部2的主要構(gòu)成的 掃描布線、層間絕緣膜與信號布線及電位供給布線，來實施布線部形成工序(步驟Si、S2、 S3)。另外，形成周圍電路4及布線5，連接周圍電路4與最外周區(qū)域的布線部2。該周圍電 路4和布線5的形成工序可以是在上記步驟Sl S3中形成掃描布線、層間絕緣膜、信號布 線及電位供給線的工序的前后的任一個。然后，針對經(jīng)過布線部形成工序而移動的基板3，實施對多個布線部2進行光學(xué)觀 察來檢測缺陷布線部2a的光學(xué)式檢查工序(步驟S4)。如果檢測缺陷布線部2a，則基板3 上的該缺陷布線部2a的位置信息會被發(fā)送到缺陷修正裝置的計算機(控制部)。在該光學(xué) 式檢查工序中，從圖1所表示的從含有缺陷布線部2a的圖像(缺陷圖像)中不僅可以確定 缺陷布線部2a的存在，而且還可以確定以缺陷(構(gòu)圖缺陷，異物等)及其位置為主的所謂 構(gòu)圖缺陷分類信息。另外，還可以確定缺陷的尺寸及種類(材料及狀態(tài)等)等特征。另外，通過電動檢查工序，可以檢測到光學(xué)式檢查工序所無法發(fā)現(xiàn)的在表面以外 產(chǎn)生的缺陷(步驟S5)。并且，在缺陷修正工序中，通過讀取該缺陷位置信息，能夠控制缺陷修正裝置的載 物臺移動到缺陷位置，通過觀測系統(tǒng)確認(rèn)缺陷，通過激光照射等來修正缺陷(步驟S6)。關(guān) 于基板3的布線基板1上產(chǎn)生的缺陷，在各自的區(qū)域適合的修正方法不同。如果該工序結(jié) 束，則TFT工序(布線基板的制造工序)完成。通過本發(fā)明，通過調(diào)取過去的修正數(shù)據(jù)，能夠大幅提高修正工序的效率。而且，通 過選擇與缺陷的位置及大小、種類對應(yīng)的合適的修正數(shù)據(jù)，能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷的修正工序的自 動化。圖4表示從缺陷檢查工序到缺陷修正工序的具體的流程。將經(jīng)過了布線部形成工序的基板3移動至光學(xué)式檢查機11 (第1工序)，實施光學(xué) 式檢查來確定缺陷，將檢查結(jié)果21輸出到缺陷信息管理系統(tǒng)12 (第2工序)。另外，將基板 3移動至電動檢查機13 (第3工序)，實施電動檢查來確定缺陷，將檢查結(jié)果22輸出到缺陷 信息管理系統(tǒng)12 (第4工序)。缺陷信息管理系統(tǒng)12生成與任何一方或雙方的缺陷信息關(guān) 聯(lián)的缺陷信息(第5工序)，作為缺陷信息文件24記錄到儲存裝置。另一方面，基板3從電 動檢查機13向修正機14移動(第6工序)，并且修正機14從缺陷信息管理系統(tǒng)12中接收 缺陷信息文件24。修正機14根據(jù)缺陷信息文件24的內(nèi)容自動選擇合適的修正手法(缺陷修正手 法模板)來進行修正，將修正結(jié)果25(數(shù)據(jù)文件，修正后的圖像等)再次輸出至缺陷信息 管理系統(tǒng)12 (第7工序)。此時，與基板3同時接收到的缺陷信息文件24中包含基板的層 結(jié)構(gòu)信息。其后，如果有必要，則將基板3移動至電動檢查機13(第8工序)，通過電動檢查 來再次檢查修正后的缺陷的狀態(tài)，如果有必要，則將再次缺陷信息輸出至缺陷信息管理系 統(tǒng)12(第9工序)。并且，還能夠?qū)⑷毕菪畔⒔?jīng)由缺陷信息管理系統(tǒng)12輸送至修正機14，并且使基板3移動至修正機14 (第10工序)，再次進行修正。在本發(fā)明中，通過調(diào)取預(yù)先登錄的過去的缺陷修正手法(缺陷修正工序)的數(shù)據(jù) 文件(模板)，能夠大幅提高缺陷修正工序的效率。而且，通過檢測缺陷的位置、尺寸、種類 等，選擇合適的修正數(shù)據(jù)，能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷的修正工序的自動化。缺陷修正裝置的構(gòu)成例圖5表示針對布線基板實施缺陷修正工序的缺陷修正裝置(相當(dāng)于修正機14)例 子的構(gòu)成圖。涉及本實施例的缺陷修正裝置100為通過激光照射來切斷短路處的所謂激光修 正裝置的一例，也可以適用于進行激光CVD法等布線的接線處理的裝置(例如，參照日本特 開2008-159930號公報的圖5)。該缺陷修正裝置100具有能夠在物鏡108與基板3之間實 施激光CVD法的加工裝置，關(guān)于此同一公開公報的圖5、圖6與其說明書中記載了其詳細(xì)構(gòu) 成。缺陷修正裝置100主要由控制部101、缺陷修正部102及缺陷檢測部103構(gòu)成?？刂撇?01經(jīng)由通信接口(圖示略)等與缺陷信息管理系統(tǒng)12連接，并且與顯 示器127及鍵盤等的輸入裝置128連接。控制部101經(jīng)由缺陷信息管理系統(tǒng)12取得預(yù)先 由缺陷檢查裝置130進行缺陷檢查的結(jié)果(缺陷信息)，根據(jù)該缺陷信息旋選擇最佳模板。 并且，控制用于實施缺陷修正的缺陷修正部102及實施缺陷的詳細(xì)觀測的缺陷檢測部103。 MPU(Micro ProcessingUnit)及個人計算機等的計算機(演算處理裝置)可以適用于該控 制部101。通過控制部101進行調(diào)整，以將指令輸送至缺陷修正部102的載物臺控制部107、 移動安裝有基板3的XY載物臺105、并且將存在缺陷部位的像素移至物鏡108的正下方。 其次移動對焦載物臺110來調(diào)整物鏡108與基板3的間隔，通過缺陷檢測部103的撮像裝 置117能夠攝取透過光學(xué)鏡頭114g的光的對上焦點的圖像。另外，這里，利用半反半透鏡 115a、115b、光學(xué)鏡頭114a、及燈109的反射(落射)照明，可以得到具有合適的亮度的圖 像。包含有所攝取的缺陷部位的圖像(缺陷圖像)暫時保存于缺陷圖像儲存裝置118。這 里所說的像素相當(dāng)于圖1所示的缺陷布線部2a。其次，控制部101將指令輸送至載物臺控制部107并且移動XY載物臺105，使移動 至與缺陷部位的像素完全相同的像素構(gòu)圖位置的位置為物鏡108的正下方。并且，攝取無 缺陷圖像(參照圖像)，并保存于參照圖像儲存裝置119。這里所說的像素相當(dāng)于圖1所示 的布線部2。缺陷提取部(缺陷檢測部)120通過對保存于缺陷圖像儲存裝置118的缺陷圖像 與保存于參照圖像儲存裝置119的參照圖像進行位置對照后生成差別圖像，來提取缺陷部 位的圖像。并且，將提取到的缺陷部位的圖像輸出至詳細(xì)位置信息提取部121及特征提取 部 122。詳細(xì)位置信息提取部121從XY載物臺105的當(dāng)前位置及缺陷圖像計算所提取的 缺陷在基板3上的準(zhǔn)確位置，并將其信息輸送至修正方法生成部126。特征提取部122將缺陷提取部120提取到的用于確定缺陷的形態(tài)及種類等的信息 的缺陷的顏色、大小、對比度、形狀等各種特征信息進行數(shù)值化，然后輸出至控制部101。并且，控制部101根據(jù)從詳細(xì)位置信息提取部121及特征提取部122取得的詳細(xì)位置信息及特征信息，從修正手法數(shù)據(jù)庫125讀取后述其詳細(xì)情況的缺陷修正信息(修正 方法信息)。根據(jù)該缺陷修正信息，規(guī)定缺陷修正部102的修正機構(gòu)部104上的各單元的動 作。具體的而言，例如根據(jù)來自詳細(xì)位置信息提取部121的詳細(xì)位置信息，來判定缺 陷部位處于布線基板的哪個位置及何種狀態(tài)，且包含怎樣的層信息，實施控制以實施適合 缺陷位置的缺陷修正處理。層信息為構(gòu)成多層基板的各層的信息。層信息中包含，例如表示層的重疊順序的 層ID、層名、層內(nèi)的級數(shù)等信息。另外，還有作為表示構(gòu)成該層的個別區(qū)域(級)的信息的 級信息。級信息中包含用于識別該層內(nèi)的級的級ID、表示包含該級的層的層ID。而且，如后述其詳細(xì)所示，控制部101將根據(jù)生成的缺陷修正信息得到的修正手 法(模板)與缺陷圖像重疊顯示到顯示器127上。另外，控制部101能夠?qū)?yīng)不同情況根 據(jù)位置及特征等缺陷信息，修正缺陷修正信息的修正對象物的一部分。另外，一個缺陷修正 信息還可以包含多個修正手法。操作員觀察顯示器127所顯示的修正手法，如果判斷其出現(xiàn)問題，例如可以操作 鍵盤、鼠標(biāo)等輸入裝置128 (輸入部)來選擇另外的修正手法，也可以變更修正手法(缺陷 修正信息)的一部分或全部。而且，當(dāng)通過修正方法生成部126從修正手法數(shù)據(jù)庫125讀 取到多個缺陷修正手法時，將其多個缺陷修正手法顯示到顯示器127上來促使操作員進行 選擇。并且，根據(jù)操作員由操作輸入裝置128所選擇的缺陷修正手法來進行缺陷修正。控制部101如果接收到從輸入裝置128輸入的操作信號，則將缺陷修正手法的選 擇及變更的歷史記錄到修正手法數(shù)據(jù)庫125。儲存積累于修正手法數(shù)據(jù)庫125的修正手法 可以在下次以后的缺陷修正中利用。如果決定了缺陷修正手法，則控制部101根據(jù)其缺陷修正手法，將指令輸送至修 正機構(gòu)控制部116，使修正機構(gòu)部104內(nèi)的各單元進行動作，從而進行缺陷的修正。修正機 構(gòu)部104在通過光學(xué)鏡頭114b、114c修正從激光源113照射的激光束后，通過使其透過可 變狹縫112，能夠變更照射尺寸、角度?？勺儶M縫112為，例如被稱之為XY- θ狹縫，且能夠變更長方形的Χ、Υ方向的開口 長度與旋轉(zhuǎn)角θ的狹縫，能夠由來自修正機構(gòu)控制部116的驅(qū)動信號來驅(qū)動。通過可變狹縫112來整形照射形狀的激光束，透過光學(xué)鏡頭114D，被檢流計鏡 IllaUllb反射。檢流計鏡11 la、11 Ib為二維角度可變的反射鏡，通過由修正機構(gòu)控制部 116的控制進行的驅(qū)動，能夠不移動XY載物臺105，而在物鏡108的視野范圍內(nèi)調(diào)整激光束 的光軸，即照射位置。包括這樣的可變狹縫112、檢流計鏡IllaUllb的缺陷修正裝置100，針對缺陷由 于具有充分的位置精度來照射激光束等，所以能夠精度良好地進行構(gòu)圖缺陷的修正。并且，由檢流計鏡IllaUllb反射的激光束透過各種光學(xué)鏡頭114e、114f，并經(jīng)半 反半透鏡115a反射后，經(jīng)由物鏡108照射到基板3，來進行缺陷修正。由于上記缺陷檢查裝置130作為探索缺陷的方法可以使用光學(xué)式檢查機，所以能 夠?qū)ν窢顟B(tài)正常的構(gòu)圖缺陷進行修正。進一步詳細(xì)說明控制部101。圖6是表示控制部101的內(nèi)部的構(gòu)成框圖?？刂撇?01由模板輸出輸入部151、對象物種類判定部152、加工尺寸修正部153、對象物修正方法變更部154、對象物通過路線修 正部155、實施順序并列替換部156及記錄部160構(gòu)成。記錄部160為內(nèi)部儲存裝置，例如 適用半導(dǎo)體儲存裝置等不揮發(fā)性存儲裝置。關(guān)于各處理部見后述。缺陷修正工序關(guān)于缺陷修正裝置100進行的缺陷修正工序，對具有上述構(gòu)成的缺陷修正系統(tǒng)的 一系列動作進行說明。圖7是表示缺陷修正處理的主程序的流程圖。步驟Sll:參數(shù)的設(shè)定在缺陷修正裝置100中設(shè)定參數(shù)。即，在缺陷修正裝置100中設(shè)定用于進行修正 的上述基本信息。具體而言，參數(shù)是成為修正對象的基板3內(nèi)的布線部2的數(shù)量與配置、構(gòu)圖的數(shù)量 與配置、校準(zhǔn)標(biāo)記位置等關(guān)于上記基板3的基礎(chǔ)信息。另外，還有成為自動進行修正的對 象的缺陷大小及條件、在基板3內(nèi)進行修正數(shù)量及優(yōu)先的缺陷的特征等修正條件的設(shè)定信 息、布線構(gòu)圖的形狀與修正手法的數(shù)據(jù)庫(數(shù)據(jù)庫適用于多種不同情況)等。設(shè)定在該缺 陷修正裝置100固有設(shè)定的這些參數(shù)。步驟S12 基板3的搬入與輸入信息的設(shè)定從外部將基板3搬入到缺陷修正裝置100，輸入此基板3的前工序的缺陷信息。將 搬入的基板3的信息、缺陷信息與缺陷修正裝置100內(nèi)設(shè)定的參數(shù)相對照，確定成為修正對 象的基板3的基本信息，進行修正條件的初期設(shè)定(修正處理數(shù)的清除等)。缺陷信息為，在缺陷檢查裝置130上通過光學(xué)式檢查而檢測到的缺陷的數(shù)量與坐 標(biāo)、或通過電動檢查而檢測到的缺陷的像素(Pixel)信息(包含線缺陷，或點缺陷)中的任 一信息?；?，與通過電動檢查而檢測到的缺陷和通過光學(xué)式檢查而檢測到的缺陷相關(guān)的信 肩、ο步驟S13 缺陷信息的設(shè)定從每個上記基板3的缺陷信息來看，通過從目錄表的優(yōu)先順序進行修正、或選擇 特定的缺陷(例如，優(yōu)先線缺陷等)進行排序并且進行修正，或由缺陷修正裝置100的操作 員任意選擇缺陷進行修正中的任一方法，輸入一個缺陷信息。步驟S14 缺陷信息的檢查從輸入的基板3的缺陷信息目錄表確認(rèn)是否能夠自動進行修正。S卩，有僅通過輸 入的缺陷信息無法自動進行修正處理時，就進行該確認(rèn)。例如，沒有進行規(guī)定數(shù)量以上的滅點化(滅點化)處理、或沒有進行規(guī)定數(shù)量以 上的修正處理、或已經(jīng)修正處理過的缺陷等，當(dāng)符合當(dāng)前的基板3的修正條件時，就可能不 會自動修正。另外，當(dāng)輸入的缺陷的坐標(biāo)不確定且明確定義不能通過構(gòu)圖的外部等進行修 正時，就可能不會自動修正。關(guān)于這種條件的詳細(xì)情況，例如在屬于本申請人的日本特開 2008-155263號公報的圖4等有記載。步驟S15 缺陷位置信息的取得只要判斷輸入的缺陷信息是進行修正的缺陷后，就取得缺陷的詳細(xì)坐標(biāo)信息。具 體而言，計算從光學(xué)式檢查結(jié)果的缺陷坐標(biāo)或電動檢查結(jié)果的像素的編號等的缺陷實際存 在的部位。另外，關(guān)于該步驟S5，圖7記載了 “子像素坐標(biāo)取得”。步驟S16 缺陷圖像的撮影
計算了缺陷的詳細(xì)位置后，移動XY載物臺105，攝取缺陷圖像，取得構(gòu)圖內(nèi)的詳細(xì) 缺陷信息。詳細(xì)情況請參照日本特開2007-163892號公報及日本特開2008-159930號公報。 另外，圖7記載了 “復(fù)查信息取得”。步驟S17 缺陷修正手法的取得處理對照從缺陷圖像取得缺陷的詳細(xì)信息與缺陷修正手法，從修正手法數(shù)據(jù)庫125檢 索并對照缺陷的位置信息輸出最佳缺陷修正手法。詳細(xì)情況請參照日本特開2007-163892 號公報等。另外，圖7記載了 “修正手法取得”。步驟S18 缺陷修正手法的最優(yōu)化作為本發(fā)明的特征的處理，根據(jù)缺陷修正裝置，把缺陷修正手法的加工尺寸調(diào)整 為適當(dāng)?shù)拇笮?，并進行選擇缺陷修正的實施順序的排序(并列替換)。此時的修正的實施結(jié) 果另行保存于記錄部160或修正手法數(shù)據(jù)庫125等中。步驟S19:修正實施處理對照實際的缺陷位置來設(shè)定缺陷修正手法，根據(jù)需要進行位置補正后，實施修正。 此時的修正的實施結(jié)果另行保存于記錄部160或修正手法數(shù)據(jù)庫125等中。另外，關(guān)于該 步驟S19，圖7記載了 “修正實施”。步驟S20:修正判定處理修正實施結(jié)束后，根據(jù)與攝取缺陷圖像的位置相同的坐標(biāo)與倍率，攝取修正后的 圖像，通過比較，判定適合的修正是否結(jié)束。步驟S21 修正結(jié)果更新處理更新修正的結(jié)果。更新內(nèi)容為修正是否適當(dāng)進行的判定、修正詳細(xì)內(nèi)容、修正處理 數(shù)量、滅點化修正處理數(shù)量等。修正結(jié)果更新后，再次確認(rèn)缺陷信息一覽表，判定是否存在 未處理的缺陷及修正是否結(jié)束，其次決定是否繼續(xù)進行輸入另外的缺陷信息所進行的修正 處理，或決定是否結(jié)束修正并且搬出基板3。在該步驟S21中，當(dāng)判定存在未處理的缺陷時， 返回步驟S12。步驟S22 搬出基板、設(shè)定修正信息針對輸入的基板3修正所有的缺陷，或這滿足修正的結(jié)束條件后，搬出基板3并將 缺陷的修正信息輸出至缺陷信息管理系統(tǒng)12。修正的結(jié)束條件是指，實施規(guī)定的數(shù)值以上 的修正、進行規(guī)定的數(shù)值以上的滅點修正、或結(jié)束針對特定的缺陷的修正等。步驟S23:更新參數(shù)在上述各處理中，如果需要登錄新的缺陷修正手法、或變更激光的能量及進行修 正的缺陷的條件等，則要更新已設(shè)定的缺陷修正裝置100的修正手法數(shù)據(jù)庫125的參數(shù)信 息，設(shè)定下一個的基板3。這里，圖8表示了在布線基板1的重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域6形成的布線部2 (單位像素)的 簡略構(gòu)成。布線部2分為構(gòu)成單位像素的各色的副像素，例如對應(yīng)三原色RGB的三個區(qū)域 (以下，也稱之為“子區(qū)域”。)2R、2G、2B。三個子區(qū)域2R(2G、2B)因為具有不同的電容器 (電容元件)45R(45G、45B)，所以結(jié)構(gòu)各不相同。在本實施例中，雖然以三個子區(qū)域2R(2G、 2B)的一部分構(gòu)成相互不相同的形狀(結(jié)構(gòu))為例進行了說明，但是它們的子區(qū)域當(dāng)然也可 以是構(gòu)成為相互同樣的形狀(結(jié)構(gòu))。
13
各子區(qū)域2R (2G、2B)形成大致形同的大小。在布線基板1設(shè)置的掃描布線41上構(gòu) 成為，經(jīng)由層間絕緣膜(圖示略)在與該掃描布線41垂直交叉的方向上延伸配置信號布線 42R(42G、42B)、電位供給布線43R(43G、43B)、接地電極(圖示略)。信號布線42R(42G、42B) 構(gòu)成為經(jīng)由TFT元件44R(44G，44B)的柵與連接于接地電極的未圖示的電容器45R(45G， 45B)相對。另外，圖8所示的布線部2的布線構(gòu)圖只不過模式化表現(xiàn)了實際的東西，因此需要 注意與實際的布線構(gòu)圖不同之處。如圖8所示，在具有重復(fù)構(gòu)圖的布線構(gòu)圖(布線部2)中，當(dāng)根據(jù)像素內(nèi)缺陷位置 將其修正構(gòu)圖分為多個時，我們認(rèn)為根據(jù)其條件不同，修正手法也是不同的。在這種情況 下，將針對哪種條件的缺陷、使用怎樣的缺陷修正手法等信息作為模板預(yù)先登錄到修正手 法數(shù)據(jù)庫125中。模板是指將缺陷修正信息(修正方法信息)即缺陷修正手法對象物化 (可視化)的東西。并且，通過輸入缺陷位置與重復(fù)構(gòu)圖(布線部2)的標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)，從修正手法數(shù)據(jù)庫 125檢索最佳缺陷修正手法，與缺陷圖像重合適用的手法等是有效的。作為使用該模板的缺 陷修正方法，能夠適用例如日本特開2007-163892號公報記載的技術(shù)。圖9表示布線部分存在短路缺陷的缺陷圖像的例子。該缺陷圖像內(nèi)的缺陷50是布線部分(電位供給布線43G、43B)的短路缺陷的一個 示例。首先，在詳細(xì)位置信息提取部121中，檢測到在布線部2的任意一角設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo) 51與重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域52。然后，通過距離標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)51的相對位置，限定重復(fù)構(gòu)圖上的缺陷50 的位置與條件。并且，控制部101從修正手法數(shù)據(jù)庫125選擇符合缺陷50的條件的登錄模 板。模板包括模擬缺陷的“缺陷對象物”與表示對應(yīng)布線部上的缺陷對象物的位置及 其特征實施修正處理的部分的“修正對象物”。缺陷對象物是指表示該缺陷對象物的位置及 所屬區(qū)域、規(guī)模、形狀、該缺陷對象物所在位置的電路等的內(nèi)容。另外，修正對象物是指表示 對應(yīng)其缺陷的激光照射的位置、輸出等。在該例中，作為對應(yīng)在布線間產(chǎn)生短路(short)的缺陷50的缺陷修正手法，即關(guān) 于缺陷對象物50a、50b、50c，分別將最佳模板(1) (3)登錄到修正手法數(shù)據(jù)庫125。S卩，作為對應(yīng)缺陷50的位置的缺陷修正手法，模板(1) (3)被登錄到修正手法 數(shù)據(jù)庫125，從模板(1) (3)的中選擇最適合缺陷50的修正的模板。模板(1)包括針對具有與缺陷50大致相同的位置及大小等條件的缺陷對象物50a 的修正對象物60a。另外，模板(2)包括針對位于比缺陷50稍稍靠下方位置的缺陷對象物 50b的修正對象物60b。而且，模板(3)包括針對位于比缺陷50更靠下方位置的缺陷對象 物50c的修正對象物60。這里，具有位置及大小等條件與缺陷50相近的50a的模板(1)被選擇作為修正缺 陷50的最佳模板。并且，讀取到控制部101的模板(1)顯示在顯示器127上。此時，以缺陷圖像(布 線構(gòu)圖)的標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)61為原點對該模板(1)的標(biāo)準(zhǔn)坐標(biāo)61進行坐標(biāo)變換，使修正對象物 60a與缺陷圖像的缺陷50重疊吻合。關(guān)于坐標(biāo)變換方法，詳細(xì)記載于日本特開2008-159930 號公報。
14
根據(jù)在這樣的重復(fù)構(gòu)圖區(qū)域上的缺陷修正方法，依據(jù)缺陷部位的重復(fù)構(gòu)圖(布線 部)內(nèi)的位置及大小、種類，能夠選擇最佳模板。由此，根據(jù)對應(yīng)位置關(guān)系而選擇的缺陷修 正手法的讀取，能夠?qū)崿F(xiàn)缺陷修正工序的自動化，從而能夠回避人工進行區(qū)別的繁瑣。另外，在從修正手法數(shù)據(jù)庫125讀取修正順序時，針對作為對象的缺陷，當(dāng)沒有合 適的缺陷修正手法(模板)情況下，根據(jù)規(guī)定的優(yōu)先度等選擇次優(yōu)的模板。自動選擇優(yōu)先度 最高的，例如使用頻率高的缺陷修正手法的模板或修正難易度低缺陷修正手法的模板等， 并顯示在顯示器127上。并且，自動實施所顯示的模板的修正手法，或操作員目視確認(rèn)后實 施。另外，針對作為對象的缺陷，在沒有合適的加工設(shè)定文件(模板)情況下，操作員 可以操作輸入裝置128并且人工設(shè)定激光加工條件，而且也可以在修正手法數(shù)據(jù)庫125中 追加其設(shè)定文件。頭信息及對象物信息在本實施例中作為模板顯示的缺陷修正手法為包括頭信息與同該頭信息相關(guān)的 對象物信息的數(shù)據(jù)文件(參照日本特開2007-163892號公報)。另外，該也可以將缺陷修正 手法稱為“缺陷修正信息(修正方法信息)”。頭信息包含“缺陷修正手法的方法名(或方法編號)”、表示缺陷存在的子區(qū)域(區(qū) 域)的“區(qū)域編號”、表示子區(qū)域的“副區(qū)域編號”、表示基板3上的基準(zhǔn)像素的位置的“基準(zhǔn) 像素編號”、表示其基準(zhǔn)像素的上下、左右的接近像素的有無與其位置的“接近像素編號”， 以及表示方法登錄的缺陷及缺陷修正手法修正對象物的“對象物數(shù)量”。對象物信息包含模擬缺陷的缺陷對象物與表示根據(jù)布線部2上的缺陷對象物的 位置及其特征實施修正處理的部分的修正對象物。S卩，對象物信息是指按照登錄在頭信息中的對象物數(shù)量登錄與缺陷對象物和修正 對象物相關(guān)聯(lián)的信息。另外，單指“登錄”時，意思是針對上記修正手法數(shù)據(jù)庫125的登錄。上記的對象物信息包含用于對照方法頭的“方法名(或方法編號)”、表示布線部 2內(nèi)的對象物的位置的“坐標(biāo)”、“對象物的形狀”、“角度”、“位置修正信息”的基本信息。其 基本信息包括關(guān)于缺陷對象物及修正對象物的雙方的信息。另外，“修正信息”是用于通過與實際的缺陷圖像的缺陷位置相比較的位置修正的 信息，另外，“角度”是指從上記XY載物臺105上的缺陷的標(biāo)準(zhǔn)的位置得到的旋轉(zhuǎn)角度。本發(fā)明中，根據(jù)重復(fù)構(gòu)圖(布線部2)內(nèi)的缺陷存在的位置及大小、種類，將登錄的 模板內(nèi)的缺陷修正手法(以下，稱之為“對象物”)的尺寸，在實際加工前自動最優(yōu)化為缺陷 修正裝置能夠加工的尺寸。由此，消除由不同的缺陷修正裝置的修正規(guī)范及規(guī)格的不同而 造成的缺陷修正的不良。同時，也能夠通過最優(yōu)化實施缺陷修正時的缺陷修正手法的實施 順序來提高處理速度。另外，通過以圖像方式表示實際的模板最優(yōu)化的情況，從而能夠視覺 檢查模板的登錄錯誤等的檢查。另外，在本發(fā)明中，多用圖像處理的關(guān)系上，以坐標(biāo)系為左上原點，旋轉(zhuǎn)方向為逆 轉(zhuǎn)動，但是并不限于此。以下，詳細(xì)說明對模板內(nèi)的缺陷修正手法的最優(yōu)化。以下，重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)的缺陷存在(或占據(jù))區(qū)域特別稱為“缺陷區(qū)域”或“缺陷范圍”。尺寸的最優(yōu)化Zap對象物及ZapLine對象物的例
圖10是表示Zap對象物例子的圖。Zap對象物201是向設(shè)定并指定“矩形的中心點202 (中心坐標(biāo))”與“寬度”、“高 度”、“旋轉(zhuǎn)角度203”的位置照射指定尺寸的激光的缺陷修正手法(對象物)，主要用于布線 的斷路。設(shè)定圖10所示加工尺寸照射一次激光。能夠加工的尺寸根據(jù)缺陷修正裝置的規(guī) 格等的不同而不同。
Zap 對象物 ·失巨形的中心坐標(biāo)(StartPosX, StartPosY)·加工尺寸=SlitSizeX, SlitSizeY·旋轉(zhuǎn)角度=SlitAngle圖IlA是表示ZapLine對象物例子的圖，圖IlB是用于說明激光照射時的圖。ZapLine對象物210是指由“開始點211S (開始坐標(biāo))”與“結(jié)束點221E(結(jié)束坐 標(biāo))”、“移動時的加工尺寸211 ( —次照射的照射尺寸)”、對象物的中心坐標(biāo)上的“旋轉(zhuǎn)角 度213”構(gòu)成的缺陷修正手法。與Zap對象物201相同，主要用于布線的斷路。如圖IlB所 示，在ZapLine對象物210中，進行加工尺寸211的重復(fù)處理。
ZapLine 對象物 ·開始坐標(biāo)(StartPosX, StartPosY)·結(jié)束坐標(biāo)(EndPosX, EndPosY)·加工尺寸=SlitSizeX, SlitSizeY 旋轉(zhuǎn)角度SlitAngle與ZapLine對象物的Zap對象物不同點是指，如圖IlB所示從開始坐標(biāo)至結(jié)束在 坐標(biāo)保持照射尺寸的同時順序使激光移動并且進行照射，通過以下公式求出激光的實際照 射范圍?！ぬ幚矸秶匦蔚闹行淖鴺?biāo)(Xct, Yet) :Xct = (StartPosX+EndPosX)/2Yct= (StartPosY+EndtPosY)/2· StartPos 至 EndPos 的距離dist = f ((StartPosX-EndPosX) 2+(StartPosY-EndPosY)2)·進行處理的加工范圍矩形的開始坐標(biāo)(Xst，Yst) =Xst = Xct-SlitSizeX/2Yst = Yct-(dist+SlitSizeY)/2·進行處理的加工范圍矩形的結(jié)束坐標(biāo)(Xed，Yed) =Xed = Xct+SlitSizeX/2Yed = Yct+(dist+SlitSizeY)/2雖然ZapLine對象物必須是對于照射尺寸(SlitSizeX，SlitSizeY)利用缺陷修正 裝置能夠加工的大小，但是從開始坐標(biāo)至結(jié)束坐標(biāo)的距離可以任意指定。因此，適用于進行 加工尺寸比Zap對象物大(長)的處理。其中，對于一次加工尺寸小的，處理時間比Zap對 象物費時。優(yōu)選根據(jù)加工尺寸及處理內(nèi)容來替換Zap對象物與ZapLine對象物。例如，預(yù)先以比實際的加工尺寸大的尺寸登錄模板，然后再次分割。S卩，修正對象 的尺寸如果超過該最小單位的加工尺寸，則分割修正對象的尺寸，也可以最優(yōu)化為針對其 一個分割尺寸能夠重復(fù)適用最小單位的加工尺寸。Zap對象物及ZapLine對象物各自具有旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)，以加工范圍矩形的中心點202為 中心能夠使其旋轉(zhuǎn)到任意的角度。圖12是表示Zap對象物201上任意坐標(biāo)的旋轉(zhuǎn)前后的位置關(guān)系的圖。 以如下公式計算當(dāng)分別將矩形的中心坐標(biāo)、開始坐標(biāo)、結(jié)束坐標(biāo)設(shè)為(Xct，Yet)、 (Xst,Yst),(Xed,Yed)時、中心坐標(biāo)(Xct5Yct)逆旋轉(zhuǎn)θ時的加工范圍矩形內(nèi)的任意的點 (X，Y)的移動后的坐標(biāo)(RX，RY)，利用
· RX = (X-Xct) *cos ( θ ) - (Y-Yct) *sin( θ ) +Xct· RY = (X-Xct) *sin ( θ ) + (Y-Yct) *cos ( θ ) +Yct 來求出。上述Zap對象物及ZapLine對象物的加工尺寸同時超過激光照射的可能范圍情況 下，缺陷修正裝置會產(chǎn)生動作不良。以下，對由于配置了不合適的加工尺寸的Zap對象物的 模板而產(chǎn)生的不良進行說明。圖13是配置了不合適加工尺寸的Zap對象物的模板的例子的圖。圖13的圖像70 示例了可能出現(xiàn)的兩個不良。第1，虛線221。虛線221表示Zap對象物的加工寬SlitSizeX(或加工高 SlitSizeY)登錄為0 μ m，實際上模板存在沒有描繪或描繪非常細(xì)小的Zap對象物。這樣的 Zap對象物在登錄到模板時不能通過目視檢查來判定，存在忽略登錄錯誤的可能性。并且， 在實際缺陷修正時的動作中，由于設(shè)定Ομπι為加工尺寸，會存在缺陷修正裝置出現(xiàn)不良、 進行激光以能夠照射的最小加工尺寸照射等的不能予期的加工的可能性。另外，即使不是 Oy m，如果以比最小加工尺寸小的尺寸登錄到Zap對象物，由于實際加工以最小加工尺寸 處理，所以激光會照射予期不到區(qū)域。至少激光頭會移動至該虛線221的位置。第2，登錄比缺陷修正裝置能夠處理的尺寸大的Zap對象物，實際缺陷修正是以 能夠處理的最大加工尺寸進行處理的情況。即，如圖13所示，Zap對象物220的加工高 SlitSizeY比缺陷修正裝置能夠處理的最大加工尺寸ZapHMax大時。這樣的情況下，登錄的 Zap對象物的范圍全部不進行處理，會出現(xiàn)未處理的殘留范圍。為了解決這些問題，分別將比缺陷修正裝置的最小加工尺寸小的Zap對象物自動 調(diào)整表示尺寸為最小加工尺寸，將比缺陷修正裝置的最大加工尺寸大的Zap對象物自動調(diào) 整表示尺寸為最大加工尺寸。即，如圖14所示，實際加工時表示進行何種處理，有效使視覺 上登錄錯誤及實際的加工區(qū)域一目了然。在圖14的例中，在圖13的虛線221表示的部位顯示Zap對象物221A。這樣，通過 以最小加工尺寸處理時的區(qū)域，能夠事先知曉實際予期不到部位的斷路。另外，顯示將圖13的Zap對象物220變更為最大加工尺寸的Zap對象物220A。這 樣，通過顯示以最大加工尺寸處理時的區(qū)域，實際進行加工的范圍與不能加工而未處理的 存留范圍(未處理部222U，222D)在視覺上一目了然。另外，在圖14的例中，用虛線表示以 便用戶容易目視辨別，當(dāng)然也可以不表示。而且，如Zap對象物220 (圖13參照)那樣，當(dāng)檢測到比最大加工尺寸大的Zap對 象物時，如圖15的所示替換為ZapLine對象物225也是有效的。這樣，通過當(dāng)檢測到比最大加工尺寸大的Zap對象物時替換為ZapLine對象物，從 而能夠?qū)τ诔^最大加工尺寸而進行登錄的所有區(qū)域進行加工。進行從Zap對象物向ZapLine對象物的替換如下所示。將Zap 對象物的中心坐標(biāo) StartPosXY ^ (Xct, Yct)、加工尺寸(SlitSizeX， SlitSizeY)設(shè)為(ZapSizeX，ZapSizeY)。另外，將 ZapLine 對象物的加工尺寸(SlitSizeX,SlitSizeY)設(shè)為(ZapLineSizeX, ZapLineSizeY)。此時，ZapLine 對象物的開始坐標(biāo) (StartPosX, StartPosY)與結(jié)束坐標(biāo)(EndPosX，EndPosY)表示如下?！ら_始坐標(biāo)(StartPosX, StartPosY)StartPosX = Xct_ZapSizeX/2+ZapLineSizeX/2StartPosY = Yct_ZapSizeY/2+ZapLineSizeY/2·結(jié)束坐標(biāo)(EndPosX, EndPosY)EndPosX = Xct+ZapSizeX/2_ZapLineSizeX/2EndPosY = Yct+ZapSizeY/2_ZapLineSizeY/2這里，ZapLine對象物的加工尺寸(ZapLineSizeX，ZapLineSizeY)可以設(shè)定在缺 陷修正裝置能夠加工的尺寸(Zap麗in，ZapHMin) (ZapWMax，ZapHMax)的范圍內(nèi)。可以舉出繼續(xù)保持Zap對象物的加工尺寸保持不變，而對將在能夠加工的范圍以 外來說，修正為能夠加工的尺寸的最大尺寸或最小尺寸、或?qū)⒓庸こ叽绻潭ㄔ谌我庵档鹊?手法。通常，Zap對象物的加工尺寸SlitSizeX如果處于加工范圍內(nèi)，則將其值保持不變設(shè) 定為ZapLine對象物的加工尺寸SlitSizeX。另外，關(guān)于加工區(qū)域可變的ZapLine對象物的 加工尺寸SlitSizeY，進行任意設(shè)定最佳尺寸、或以SlitSizeX/2的值來設(shè)定等處理。另外，缺陷修正裝置不對應(yīng)以如ZapLine對象物那樣的單位加工尺寸連續(xù)進行處 理的隨動型的缺陷修正時，將Zap對象物分割為能夠進行缺陷修正的尺寸是有效的。在該 情況下，在實施缺陷修正時，如果連續(xù)實施的Zap對象物的加工尺寸與角度相同，不需要重 復(fù)設(shè)定加工尺寸，所以可以縮短處理時間。但是，如果加工區(qū)域彼此之間接近，則存在根據(jù)缺陷修正裝置的加工精度在接近 區(qū)域之間不照射激光而布線完全不斷路的可能性。因此，為形成良好的通路，需要給予一定 的充分重疊量。但是，給予超出需要的重疊量會在基板增加數(shù)次激光照射的區(qū)域，所以這并 不理想。重疊量優(yōu)選考慮利用缺陷修正裝置能夠?qū)?yīng)的激光加工精度的誤差的最小的尺 寸。最佳值是根據(jù)材料不同而變化的，但在本例中，從經(jīng)驗上來說優(yōu)選1 2μΜ。圖16Α是表示分割前的Zap對象物例子的圖，圖16B是表示分割后的Zap對象物 例子的圖。圖16A表示具有中心坐標(biāo)230S的Zap對象物230的Y方向(高方向)的加工 尺寸比缺陷修正裝置能夠處理的高方向的尺寸ZapHMax大的例。圖16B表示分割Zap對象 物230的Y方向(高方向)的加工尺寸的例。在該例中，考慮重疊量的同時，分割為相同尺 寸、角度的三個Zap對象物231、232、233。將分割前Zap對象物的高方向尺寸設(shè)為“SlitSizeY”、將能夠加工的高方向最大 尺寸設(shè)為“ZapHMax”、將重疊(overwrap)量設(shè)為“overlap”、將分割后的Zap對象物的高方 向尺寸設(shè)為“SplitLen”、將Zap對象物的分割數(shù)設(shè)為“SplitNum”。以如下分割公式計算分 割后的Zap對象物231 233各自的高方向的尺寸SplitLen?！じ叻较虺叽?SplitLen = (SlitSizeY+(SplitNum-I)^overlap)/SplitNum因此，滿足SplitLen < ZapHMax的最小SplitNum成為能夠分割的最小的處理次 數(shù)。在圖16A、B 的例中，設(shè)定 SlitSizeY = 80 μ m, ZapHMax = 30ym,overlap = 2ym 時，SplitNum的處理次數(shù)變?yōu)樽钚〉?，其加工尺寸的高方向以如下公式求出。SplitLen = (80+(Sp IitNum-1) *2)/SplitNum
18
= (80+(3-1) *2)/3= 28ym以如下公式求出Zap對象物231 233各自的中心坐標(biāo)231S、232S、233S與各高 方向的尺寸SplitLen。當(dāng)設(shè)定·分割前的狹縫尺寸SlitSizeX，SlitSizeY·分割前的對象物的中心坐標(biāo)(StartPosX，StartPosY)·分割后的Zap對象物的新狹縫尺寸NewSlitX = SlitSizeX, NewSlitY = SplitLen 時，成為分割前的Zap對象物230的分割方向的最小值的坐標(biāo)Xmin，Ymin為· Xmin = StartPosX· Ymin = StartPosY-SlitSizeY/2成為Zap對象物230的分割方向的最大值的坐標(biāo)Xmax，Ymax為· Xmax = StartPosX· Ymax = StartPosY+SlitSizeY/2。分割后的Zap對象物231的中心坐標(biāo)231S(StartPoslX，StartPoslY)為· StartPoslX = Xmin· StartPoslY = Ymin+(SplitLen/2. 0)。如果進一步考慮到旋轉(zhuǎn)角度r，則· RadlX = StartPosIX-StartPosX· RadlY = StartPosIY-StartPosY· StartPoslX = RadlX*cos (r) -RadlY*sin (r) +StartPosX· StartPoslY = RadlX*sin (r)+RadlY*cos (r)+StartPosY0分割后的Zap對象物232的中心坐標(biāo)232S (StartPos2X, StartPos2Y)為· StartPos2X = Xmin· StartPos2Y = St￡irtPoslY+SplitLeri_overl￡ip+SplitLeri/2。如果進一步考慮到旋轉(zhuǎn)角度R，則· Rad2X = StartPos2X_StartPosX· Rad2Y = StartPos2Y_StartPosY· StartPos2X = Rad2X*cos (r) -Rad2Y*sin (r) +StartPosX· StartPos2Y = Rad2X*sin (r) +Rad2Y*cos (r) +StartPosY。分割后的Zap對象物233的中心坐標(biāo)233S (StartPos3X, StartPos3Y)為· StartPos3X = Xmin· StartPos3Y = StartPos2Y+SplitLen-overlap+SplitLen/2或· StartPos3Y = Ymax-(SplitLen/2. 0)。如果進一步考慮到旋轉(zhuǎn)角度r，則· Rad3X = StartPos3X_StartPosX· Rad3Y = StartPos3Y_StartPosY
· StartPos3X = Rad3X*cos (r) -Rad3Y*sin (r) +StartPosX· StartPos3Y = Rad3X*sin (r) +Rad3Y*cos (r) +StartPosY。同樣，當(dāng)Zap對象物的X方向的加工尺寸比缺陷修正裝置能夠處理的寬度方向的 尺寸大時，可以對X方向的坐標(biāo)進行同樣的分割。CVD對象物的例圖17是表示CVD對象物例子的圖。CVD對象物飲是通過CVD激光法進行制膜的缺陷修正手法(對象物)，分為“接 觸孔生成部”與“制膜部”。在圖17的CVD對象物中，首先，為了通過接觸孔生成部240cl， 240c2除去覆蓋基板上部的薄膜，而生成兩處(接觸孔生成坐標(biāo)1、2)的接觸孔。并且，假定 以通過制膜部240生成的兩個的接觸孔的坐標(biāo)為開始點241與結(jié)束點242進行制膜并進行 連接的工序。旋轉(zhuǎn)角度243表示以制膜開始坐標(biāo)為中心的旋轉(zhuǎn)角度。^CVD 對象物 -接觸孔生成部_·接觸孑L生成坐標(biāo) 1 (ContactPosIX，ContactPoslY)·接觸孔生成坐標(biāo) 2 (ContactPos2X, ContactPos2Y)·接觸孑L尺寸ContactSizeX, ContactSizeY-制膜部-·制膜開始坐標(biāo)(CVDStartX, CVDStartY)
·制膜結(jié)束坐標(biāo)(CVDEndX，CVDEndY)·處理尺寸CVDSizeX，CVDSizeY·以制膜開始坐標(biāo)為中心的旋轉(zhuǎn)角度=SlitAngle激光照射區(qū)域為與ZapLine對象物(圖11參照)相同，以規(guī)定的處理尺寸 (CVDSizeX, CVDSizeY)從開始點 241 (CVDStartX，CVDStartY)移動至結(jié)束點 242 (CVDEndX, CVDEndY)的區(qū)域。設(shè)定作為此前工序用于生成兩個的接觸孔的接觸孔生成坐標(biāo) 1 (ContactPoslX, ContactPoslY)、接觸孑L生成坐標(biāo) 2 (ContactPos2X，ContactPos2Y)、接觸 孔尺寸(ContactSizeXY)的參數(shù)。另外，制膜的開始坐標(biāo)與結(jié)束坐標(biāo)通常等于接觸孔生成坐標(biāo)1、2。也就是說，· ContactPoslX = CVDStartX· ContactPoslY = CVDStartY· ContactPos2X = CVDEndX'ContactPosZY = CVDEndY0而且，CVD對象物與Zap對象物及ZapLine對象物不同，在任意連接另外的制膜處 及沒有薄膜的區(qū)域時使用，存在沒有接觸孔CVD對象物及只有一方的CVD對象物。圖18A 的CVD對象物中，不生成接觸孔而沿制膜部250從制膜開始坐標(biāo)到結(jié)束坐標(biāo)(圖示略)以 一定的處理尺寸進行制膜。圖18B的CVD對象物中，通過接觸孔生成部260cl生成一個接 觸孔后，沿制膜部260從制膜開始坐標(biāo)到結(jié)束坐標(biāo)(圖示略)以一定的處理尺寸進行制膜。然而，如果在制膜開始坐標(biāo)與結(jié)束坐標(biāo)之間存在另外的CVD對象物及沒有薄膜的 區(qū)域、或由于異物及激光的照射而使特性變化的區(qū)域等，則存在發(fā)生不良的可能性。例如， 出現(xiàn)導(dǎo)通予期不到之處、電路的性能發(fā)生變化、產(chǎn)生超過設(shè)計值的厚度而影響此后的工序、去除異物而發(fā)生斷路等情況。因此，為回避這樣的不良需要用于繞開不想使激光照射到的 部分的CVD對象物。圖19A、B表示具有除CVD對象物的開始坐標(biāo)與結(jié)束坐標(biāo)之間的中心坐標(biāo)以外其他 的通過地點的CVD對象物。圖19A是表示通過地點為1處的CVD對象物例子的圖，圖19B 是表示通過地點為2處的CVD對象物的圖。圖19A的CVD對象物由接觸孔生成部270cl、270c2及鉤狀的制膜部270構(gòu)成。并 且，設(shè)定制膜的開始點271、結(jié)束點273、中繼地點272、旋轉(zhuǎn)角度274，且繞開矩形的激光非 照射區(qū)域270X。圖19B的CVD對象物由接觸孔生成部280cl、280c2及二形狀的制膜部280構(gòu)成。 并且，設(shè)定制膜的開始點281、結(jié)束點284、兩個中轉(zhuǎn)地點282、283、旋轉(zhuǎn)角度285，且繞開矩 形的激光非照射區(qū)域280X。一個CVD對象物所具有的通過地點的數(shù)為N個(N 自然數(shù))時，以下表示通過地 點的坐標(biāo)。第1 通過地點的坐標(biāo)(CVDTurnlX，CVDTurnlY).·.·第 N 通過地點的坐標(biāo)(CVDTurnNX, CVDTurnNY)即使組合不具有圖18A、B所示的通過地點的CVD對象物也可以進行與圖19AB的 例同等的處理，但是所需的CVD對象物的數(shù)增加，激光的照射路徑被分?jǐn)唷Ｗ詈貌环謹(jǐn)嗉す?的照射徑路以使制膜后的布線電阻的品質(zhì)良好，并且具有加工處理時間短等優(yōu)點，另外由 于切斷路徑，能夠消除使出現(xiàn)制膜部不導(dǎo)通等的不良的可能性。因此，繞開特定的區(qū)域時， 優(yōu)選以盡量少的制膜處理來進行缺陷修正。當(dāng)一次制膜不能完成任意布線的布線構(gòu)圖時， 假定適用具有通過地點的CVD對象物如圖18A所示不具有接觸孔生成部、或如圖18B的所 示只具有一方的對象物?；蛞部梢允遣痪哂薪佑|孔生成部的CVD對象物(圖示略)。圖20A是表示布線構(gòu)圖例子的圖，假定全部導(dǎo)通斜線部表示的區(qū)域291、292、293。 在該情況下，如圖20B所示，我們認(rèn)為適用組合由接觸孔生成部280cl、280c2及制膜部280 構(gòu)成的CVD對象物與由接觸孔生成部295cl及制膜部295構(gòu)成的CVD對象物。另外，作為 其他方法，也可以考慮使用縮短制膜部295的距離并在其縮短的部分不具有接觸孔生成部 的僅制膜部296的CVD對象物。伴隨制膜的缺陷修正中，需要比斷路更嚴(yán)格的加工精度。一種缺陷修正裝置中的 最佳模板的對象物尺寸有不適合其他的缺陷修正裝置的情況。因此，激光能夠照射的區(qū)域 自不必說，其缺陷修正裝置需要沿最佳接觸孔的加工尺寸及制膜時的加工寬度進行缺陷修 正。圖21表示由于配置了缺陷修正裝置超過了能夠加工的尺寸或不是合適尺寸的 CVD對象物的模板而產(chǎn)生不良例子的圖。圖21的例中，在圖像70左側(cè)配置的CVD對象物(接觸孔生成部300cl、300c2、制 膜部300)比合適的加工尺寸小。在這樣的CVD對象物的情況下，會出現(xiàn)在薄膜的除去及制膜中不能充分照射激光、不能生成接觸孔、由于布線太細(xì)而布線電阻變大而不能導(dǎo)通等不
良ο另外，圖像70中央的CVD對象物(接觸孔生成部305cl、305c2、制膜部305)超過 合適的加工尺寸。在這樣的CVD對象物的情況下，在不同的層或電路上予期不到的地方會 照射不合適的激光，其結(jié)果則是對電路及其他缺陷修正造成影響。在該例中，會出現(xiàn)例如對 于相鄰的子區(qū)域的電位供給布線43B等進行薄膜除去、制膜，或者，通過電位供給布線43G 的Zap對象物303、304在斷路部分進行制膜而再次導(dǎo)通等不良。尤其是，在模板登錄時不能假定如圖像70左側(cè)的CVD對象物那樣僅憑目視觀察模 板所觀察不到的如影響電路那樣的不良。因此也需要個別設(shè)定缺陷修正裝置的最佳尺寸， 而不是能夠加工的尺寸。另外，即使CVD對象物具有在接觸孔的生成上、制膜上不存在問題 的尺寸，也可以假定由于進行缺陷修正的基板的布線間的寬度非常狹窄等、電路的形狀及 形態(tài)而發(fā)生不良的情況。因此，根據(jù)每個基板的品種不同其最佳加工尺寸也會發(fā)生變化。圖22A、圖22B分別表示在圖21所示的最佳加工尺寸以外的CVD對象物。圖23A、 B分別表示修正圖22A、B的CVD對象物的加工尺寸后的CVD對象物。圖23A的CVD對象物(接觸孔生成部300Acl、300Ac2、制膜部300A)將圖22A的 CVD對象物的加工尺寸變換為大尺寸以使缺陷修正裝置成為最佳尺寸。另外，圖23B的CVD 對象物(接觸孔生成部305Acl、305Ac2、制膜部305A)將圖22B的CVD對象物的加工尺寸變 換為小尺寸以使缺陷修正裝置成為最佳尺寸。-尺寸變換-·最佳的高方向的接觸孔生成尺寸一ContactSizeY·最佳的寬度方向的接觸孔生成尺寸一ContactSizeX·最佳的高方向的CVD加工尺寸一CVDSizeY·最佳的寬度方向的CVD加工尺寸一CVDSizeXCVD對象物的加工尺寸的最優(yōu)化，可以首先按照不同的缺陷修正裝置及基板取得 不限于最佳加工尺寸的任意參數(shù)，將其變換為最佳標(biāo)準(zhǔn)值。在該尺寸的最優(yōu)化前后，接觸孔 的生成坐標(biāo)及成為CVD的徑路的坐標(biāo)不發(fā)生變化。另外，作為修正在最佳加工尺寸以外的CVD對象物的工序，有兩種方法。第1，當(dāng)包 含非最佳模板對象物時，加工尺寸修正部153根據(jù)布線構(gòu)圖及層結(jié)構(gòu)等自動判斷進行修正 的方法。第2，當(dāng)缺陷修正裝置的系統(tǒng)整體最佳值變更時，根據(jù)最佳值的變更程度，總體修正 加工尺寸的方法。圖24表示使圖21的模板內(nèi)的各CVD對象物進行最優(yōu)化后的CVD對象物的子(參 照圖 23A、B)。圖像70左側(cè)的CVD對象物(接觸孔生成部300Acl、300Ac2、制膜部300A)變?yōu)?最佳加工尺寸，所以適當(dāng)進行缺陷修正。另外圖像70中央的CVD對象物(接觸孔生成部 305Acl、305Ac2、制膜部305A)也變?yōu)樽罴鸭庸こ叽?，所以不會產(chǎn)生對其他部位的電路及缺 陷修正的影響。對Zap對象物303、304造成的斷路部分也沒有影響。CVD對象物的最優(yōu)化中，接觸孔的生成坐標(biāo)及成為CVD的徑路的坐標(biāo)不變化，如果 知道最佳加工尺寸，與Zap對象物相比能夠比較容易地進行最優(yōu)化。CVD對象物的重合的例
然而，也會存在非但沒有使對象物進行最優(yōu)化反而發(fā)生不良的情況。以下，說明由 于將CVD對象物修正到最佳加工尺寸而產(chǎn)生的不良的事例。圖25A表示兩個CVD對象物(接觸孔生成部310cl、310c2、制膜部310)(接觸孔生 成部313cl、制膜部313)的最優(yōu)化前例子的圖。圖25B表示兩個CVD對象物(接觸孔生成 部310Acl、310Ac2、制膜部310A)(接觸孔生成部313Acl、制膜部313A)的最優(yōu)化后例子的圖。圖25A的例中，使制膜部310與制膜部313的區(qū)域一部重疊導(dǎo)通。另一方面，圖 25B的例中，通過使加工尺寸變小，導(dǎo)通部分分離。這是因為缺陷修正裝置的最佳加工尺寸 比模板的CVD寬度狹窄，所以如果試著變更為最佳加工尺寸，則重疊區(qū)域分離。為了消除這樣的不良，當(dāng)?shù)卿浀侥０逯械腃VD加工區(qū)域多個重疊時，修正成為CVD 對象物的加工徑路(也稱之為“通過路線”)的坐標(biāo)是有效的。以下，說明加工徑路的最優(yōu) 化。不具有通過地點的情況例不旋轉(zhuǎn)例圖26A、B是表示CVD對象物的加工區(qū)域的計算方法的圖，A表示CVD對象物不旋 轉(zhuǎn)的情況，B表示CVD對象物旋轉(zhuǎn)的情況。首先，計算登錄到模板的CVD對象物的加工區(qū)域。不具有通過坐標(biāo)時，如圖26A所 示，能夠計算CVD對象物的加工區(qū)域(矩形)。圖26A的CVD對象物由接觸孔生成部320cl、 320c2、制膜部320構(gòu)成。在圖26A中，對于成為CVD區(qū)域的加工區(qū)域的矩形，如果將中心點322的坐標(biāo)設(shè)定 為(Xct，Yct)，則變?yōu)椤?Xct = (CVDStartX+CVDEndX)/2· Yct = (CVDStartY+CVDEndY)/2 另外，將開始點321 (CVDStartX, CVDStartY)至結(jié)束點 323 (CVDEndX, CVDEndY)的 距離作為dist時，.dist = V ((CVDStartX-CVDEndX) 2+ (CVDStartY-CVDEndY) 2)。另外，如果將矩形的四個頂點分別設(shè)定為320tl(Xst，Yst)、320t2 (Xed，Yst)、 320t3(Xed，Yed)、320t4(Xst，Yed)，則開始坐標(biāo)(Xst，Yst)及結(jié)束坐標(biāo)(Xst，Yed)可以表 示為Xst = Xct-CVDSizeX/2, Yst = Yct-(dist+CVDSizeY)/2Xed = Xct+CVDSizeX/2, Yed = Yst+(dist+CVDSizeY)/^2。旋轉(zhuǎn)例在圖26B中，當(dāng)CVD對象物(制膜部320)旋轉(zhuǎn)時，通過從中心點322的坐 標(biāo)(Xct，Yct)與開始點32IR的坐標(biāo)(CVDStartX, CVDStartY)、結(jié)束點323R的坐標(biāo) (CVDEndX, CVDEndY)、旋轉(zhuǎn)角度(SlitAngle)來計算以中心點322為中心只進行旋轉(zhuǎn)角度 (-SlitAngle)的逆旋轉(zhuǎn)時的開始點321的坐標(biāo)(CVDStartX，CVDStartY)與結(jié)束點323的坐 標(biāo)(CVDEndX，CVDEndY)，可以計算旋轉(zhuǎn)為0°時的制膜部320的矩形坐標(biāo)。其后，將開始坐 標(biāo)、結(jié)束坐標(biāo)再次變換為原來的坐標(biāo)值時，對于至圖26A中取得的矩形的四個頂點320tl 320t4的坐標(biāo)也可以進行同樣的坐標(biāo)變換。
與到接觸孔的區(qū)域嚴(yán)密取得時也是同樣的，首先求出對于中心點322的坐標(biāo)計算 以將角度變換為0°的接觸孔生成坐標(biāo)1 (ContactPoslX，ContactPoslY)、接觸孔生成坐標(biāo) 2(ContactPos2X，ContactPo2Y)為中心的接觸孔生成部320cl、320c2的區(qū)域的尺寸，然后 取得計算再次旋轉(zhuǎn)后的坐標(biāo)。關(guān)于接觸孔生成部，如果需要請參照圖17。另外，設(shè)定SlitAngle = θ時，以制膜部320的開始點321 (CVDStartX， CVDStartY)為中心旋轉(zhuǎn)θ度時的制膜部320的矩形內(nèi)的任意的點(Χ，Υ)的移動后的坐標(biāo) (RX，RY)表示為· RX = (X-Xct) *cos ( θ ) - (Y-Yct) *sin ( θ ) +Xct· RY = (X-Xct)*sin( θ ) + (Y-Yct)*cos( θ )+Yct。具有通過地點情況的例因為存在CVD對象物具有多個通過地點的情況，取得這種CVD對象物的加工區(qū)域 時，將通過地點(迂回次數(shù))設(shè)定為N，將CVD對象物的區(qū)域分割為N+1的矩形區(qū)域。圖27表示將二形狀的CVD對象物分割為三個矩形區(qū)域例子的圖。在圖27的例中，CVD對象物由接觸孔生成部340c l、340c2、制膜部340構(gòu)成。該制 將膜部340分割為三個矩形340-1、340-2、340-3。第1矩形340-1從開始點341至通過地 點343具有中心點342。第2矩形340-2從通過地點343至通過地點345具有中心點344。 第3矩形340-3通過地點345至結(jié)束點347具有中心點346。將開始點341的坐標(biāo)設(shè)定為(CVDStartX，CVDStartY)、將通過地點343的坐標(biāo) (CVDTurnlX, CVDTurnlY)設(shè)定為時，第1矩形340-1的中心點342的坐標(biāo)(Xct, Yct)變?yōu)椤?Xct = (CVDStartX+CVDTurnlX)/2· Yct = (CVDStartY+CVDTurnlY)/2。另外，將通過地點343設(shè)定為第1矩形340-1的結(jié)束點(CVDEndX，CVDEndY)時，從 開始點341至結(jié)束點的距離dist為· dist= V" ((CVDStartX-CVDTurn 1X) 2+(CVDStartY - CVDTurn 1 Y)2)。從通過地點343的坐標(biāo)(CVDTurnlX，CVDTurnlY)及通過地點345的坐標(biāo) (CVDTurn2X, CVDTurn2Y)得到第2矩形340-2的中心點344的坐標(biāo)(Xct, Yct)為· Xct = (CVDTurnlX+CVDTurn2X)/2· Yct = (CVDTurnlY+CVDTurn2Y)/2。另外，將通過地點345設(shè)定為第2矩形340-2的結(jié)束點(CVDEndX，CVDEndY)時，從 通過地點343至結(jié)束點的距離dist為
dist= ^ ((CVDTurnlX -CVDTurn2X) 2+( CVDTurnlY -CVDTurn2X) 2)。通過地點345的坐標(biāo)(CVDTurn2X，CVDTurn2Y)及結(jié)束點347的坐標(biāo)(CVDEndX， CVDEndY)得到第3矩形340-3的中心點346的坐標(biāo)(Xct, Yct)為· Xct = (CVDTurn2X+CVDEndX)/2· Yct = (CVDTurn2X+CVDEndY)/2 另外，從通過地點345至結(jié)束點347的距離dist為· dist= ^ ((CVDTurn2X -CVDEndX) 2+( CVDTurn2X -CVDEndY) 2)。
取得各自的通過路線的中心點的坐標(biāo)后，帶有角度時(在第1通過地點(Xa，Ya) 至第2通過地點(Xb，Yb)的路線中，Xa ^ Xb Λ Ya ^ Yb成立時)，對其通過路線進行坐標(biāo)變換。以· θ = Tan-I (Yct/Xct)來計算旋轉(zhuǎn)角度θ，與圖26Β同樣以(Xct，Yet)為中心逆旋轉(zhuǎn)θ，計算當(dāng)旋轉(zhuǎn)角 度為0°時的開始點的X，Y坐標(biāo)(CVDStart，CVDEnd)。并且，在變換后的坐標(biāo)中取得變?yōu)?CVD加工區(qū)域(制膜部)的矩形的四個頂點，再次進行坐標(biāo)變換，來求出具有本來的開始點 的坐標(biāo)(CVDStart，CVDEnd)的加工區(qū)域的矩形。如果求出全部模板內(nèi)的CVD對象物的加工區(qū)域，則在多個CVD對象物中不同加 工區(qū)域重疊時，其模板的CVD對象物通過CVD處理以使多個部位導(dǎo)通的意圖來進行登 錄。具體而言，兩個中的一個CVD對象物的矩形的頂點(TopLeft、TopRight, BottomLeft, BottomRight4點的坐標(biāo))的任一個，存在于另外的CVD對象物的加工區(qū)域內(nèi)時，視為重疊。圖28是表示分別計算兩個CVD對象物的分割矩形的情況例子的圖。在圖28的例中，將構(gòu)成第ICVD對象物的二形狀的制膜部340 (對象物A)分割為如 圖27所示的矩形340-1、340-2、340-3的區(qū)域。第1矩形340-1從開始點341至通過地點 343具有中心點342。第2矩形340-2從通過地點343至通過地點345具有中心點344。第 3矩形340-3從通過地點345至結(jié)束點347具有中心點346。該例中，第3矩形340-3由四 ^vTg 340tl(TopLeftA)>340t2(TopRightA)>340t3(BottomRightA)>340t4(BottomLeftA) 形成。第2CVD對象物由接觸孔生成部350cl與鉤狀的制膜部350 (對象物B)構(gòu)成。將制 膜部350分割為兩個矩形350-1、350-2的區(qū)域。第1矩形350-1是從開始點至通過地點，第2 矩形350-2是從通過地點至結(jié)束點。該例中，第1矩形350-1由四個頂點350tl (TopLeftB)、 350t2 (TopRightB)、350t3 (BottomRightB)、350t4 (BottomLeftB)形成。制膜部350 (對象物 B)的矩形的頂點 350tl (TopLeftB)、350t2 (TopRightB)的坐 標(biāo)中的任一個如果滿足以下公式的關(guān)系的坐標(biāo)X，Y，則對象物B處于制膜部340 (對象物A) 的區(qū)域內(nèi)。· (TopLeftA. X < Χ) Λ (TopRightA. X > Χ) Λ (BottomLeftA. X < Χ) Λ (BottomRightA. X > Χ) Λ (TopLeftA. Y < Y) Λ (TopRightA. Y < Y) Λ (BottomLeftA. Y > Y) Λ (BottomRightA. Y > Y)由圖28可知，制膜部350 (對象物B)的矩形的頂點350tl (TopLeftB)、 350t2 (TopRightB)的坐標(biāo)都滿足上記公式。因此，制膜部350 (對象物B)可以視為處于由 制膜部 340(對象物 A)的四個頂點 340tl 340t4(TopLeftA、TopRightA、BottomLeftA、 BottomRightA)形成的第3矩形340-3的區(qū)域內(nèi)。被視為加工區(qū)域重疊的制膜部340與制膜部350的各自的CVD通過路線如圖29A 所示。圖29A的例中，作為最接近制膜部350(對象物B)的第1矩形350_1的頂點 350tl (TopLeftB)及頂點350t2 (TopRightB)的通過路線的開始點(或結(jié)束點)的制膜部 350的開始點351 (CVDStart、CVDEnd)不與連接制膜部340 (對象物A)的通過地點345和
25結(jié)束點357的直線(通過路線)相交。因此，當(dāng)使模板的CVD的處理尺寸進行最優(yōu)化時，最 優(yōu)化后的CVD的處理寬度比原來的CVD的處理寬度小時，會出現(xiàn)如圖25B所示的不良。為消除該不良，如圖29B所示，可以修正使制膜部350的開始點351的坐標(biāo)為相對 連接制膜部 340 的通過地點 345(CVDTurn2X，CVDTurn2Y)和結(jié)束點 347 (CVDEndX，CVDEndY) 的直線(通過路線)的交點的坐標(biāo)。另外，將開始點或結(jié)束點的坐標(biāo)作為能夠修正的CVD對象物的條件，在得到移動 前后的CVD對象物的差分時，優(yōu)先使其變化量向少的一方移動，對開始點、結(jié)束點、通過地 點中的任一個坐標(biāo)進行變更。因此，圖29B的例中，使移動的坐標(biāo)成為制膜部350的開始點 351。圖30A表示將制膜部350的開始點351修正為使導(dǎo)通的CVD對象物(制膜部340) 的通過路線的交點后的制膜部350A及其開始點351A。這樣，通過最優(yōu)化CVD對象物，如圖 30B所示即使進一步最優(yōu)化CVD加工尺寸使其變小，因為從通過路線上的開始點351A開始 進行CVD處理，所以最優(yōu)化后的兩個CVD對象物(制膜部340A及制膜部350B)通常不發(fā)生
重疊不良。如圖25B所示，如果檢測到脫離的CVD對象物(制膜部)，延長修正CVD對象物(制 膜部)的尺寸直至連接。其次，與圖25A、B的例相反，對缺陷修正裝置的最佳加工尺寸比模板的CVD對象物 的加工寬度寬的情況下發(fā)生的不良進行說明。圖31A是表示最優(yōu)化前的兩個CVD對象物例子的圖，圖31B表示最優(yōu)化后的兩個 CVD對象物例子的圖。圖3IA的例中，兩個制膜部360與制膜部370配置在各自獨立分離的 位置。另一方面，圖31B的例中，由于缺陷修正裝置的最佳加工尺寸比模板的CVD對象物的 加工寬度寬，所以變更加工尺寸而增大加工寬度，制膜部360A與制膜部370A重疊而使布線 發(fā)生短路(short)。在制作模板時無法確定依存于這樣的缺陷修正裝置的尺寸調(diào)整后的不良，所以使 尺寸進行最優(yōu)化后，與圖28的例同樣，需要判定區(qū)域是否重疊。其結(jié)果則是，在產(chǎn)生圖31B 的那樣的不良時，不利用使用該對象物的模板，而需要使用其他模板。圖32表示對模板的對象物尺寸進行最優(yōu)化處理的流程圖。參照圖32，來說明由控 制部101進行的上述模板的對象物尺寸的最優(yōu)化處理。首先，在步驟Sl中，控制部101的模板輸出輸入部151根據(jù)缺陷的種類、形狀等從 修正手法數(shù)據(jù)庫125取得模板。另外，該模板內(nèi)的實施順序取得起始對象物的信息(頭信 息等)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S2。在步驟S2中，控制部101的對象物種類判定部152判定配置在取得的模板上的對 象物的種類。判定的結(jié)果為Zap對象物及ZapLine對象物(圖10，圖11參照)時，進入到 步驟S3。另一方面，判定為CVD對象物(圖17參照)時進入到步驟S10。步驟S3中，加工尺寸修正部153判定對象物尺寸的短徑。短徑不滿足缺陷修正裝 置的最小加工寬度、或不適合時進入到步驟S4。另一方面，短徑比最小加工寬度大，或合適 時進入到步驟S5。在步驟S4中，加工尺寸修正部153修正對象物的短徑的最小加工寬度(參照圖 13、圖14)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S5。
在步驟S5中，對象物種類判定部152判定對象物的種類。判定的結(jié)果為ZapLine 對象物時進入到步驟S17。另一方面，判定的結(jié)果為Zap對象物時進入到步驟S6。在步驟S6中，對象物修正方法變更部154判定對象物尺寸的任一個是否超過缺陷 修正裝置的最大加工寬度(參照圖13、圖14)。判定的結(jié)果為超過時進入到步驟S7。另一 方面，判定的結(jié)果為不超過時進入到步驟S17。在步驟S7中，對象物修正方法變更部154選擇合適的修正方法。缺陷修正方法進 行分割時，進入到步驟S8。另一方面，將缺陷修正方法從Zap對象物變更為ZapLine對象物 時進入到步驟S9。在步驟S8中，對象物修正方法變更部154進行從Zap對象物變更為ZapLine對象 物的修正(圖15參照)。該處理完成后，進入到步驟S17。另外，在步驟S9中，對象物修正方法變更部154進行等分割Zap對象物的修正(參 照圖16A、B)。該處理完成后，進入到步驟S17。在步驟SlO中，加工尺寸修正部153判定是否完成CVD對象物尺寸的最優(yōu)化。最 優(yōu)化完成時進入到步驟S20。另一方面，最優(yōu)化沒有完成時進入到步驟S11。在步驟Sll中，加工尺寸修正部153判定關(guān)注的CVD對象物是否與其他CVD對象 物重疊(參照圖28、圖29A)。重疊時進入到步驟S12。不重疊時進入到步驟S15。在步驟S12中，對象物通過路線修正部155取得重疊的CVD對象物的通過路線(參 照圖26A，B、圖27)。該處理完成后，進入到步驟S13。在步驟S13中，對象物通過路線修正部155判定一方的CVD對象物的開始點、結(jié)束 點或通過地點是否處于另一方的CVD對象物的通過路線上(參照圖28、圖29A)。處于通過 路線上時進入到步驟S15。不處于通過路線上時進入到步驟S14。在步驟S14中，對象物通過路線修正部155將一方的CVD對象物的開始點、結(jié)束點 或通過地點修正為與另一方的CVD對象物的通過路線的交點坐標(biāo)(參照圖29B)。該處理結(jié) 束后，進入到步驟S15。在步驟S15中，加工尺寸修正部153將接觸孔生成部與制膜部的處理尺寸修正到 最佳加工寬度(參照圖30B)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S16。在步驟S16中，加工尺寸修正部153判定修正結(jié)果、該CVD對象物修正的CVD對象 物是否與另外的CVD對象物重疊(參照圖31、圖32)。不重疊時進入到步驟S17。另一方 面，重疊時進入到步驟S21。在步驟S17中，加工尺寸修正部153判定所有的對象物尺寸調(diào)整是否結(jié)束。結(jié)束 時進入到步驟S18。沒有結(jié)束時進入到步驟S20。在步驟S18中，控制部101結(jié)束尺寸的最優(yōu)化處理。并且，在步驟S19中，模板輸 出輸入部151將包含最優(yōu)化后的對象物的模板輸出至缺陷修正部102。另外，輸出至修正手 法數(shù)據(jù)庫125并且登錄作為新的模板。在步驟S20中，移動到該模板內(nèi)的下一個對象物。并且，返回步驟S2，根據(jù)其對象 物的信息進行最優(yōu)化處理。在步驟S21中，控制部101判定模板輸出輸入部151是否取得其他的模板?？梢?取得時進入到步驟Si，取得起始的對象物的信息來進行最優(yōu)化處理。在步驟S22中，控制部101在不能取得其他模板時，關(guān)于既存的模板判斷為不能進行最優(yōu)化。并且，在步驟S23中，例如，操作員觀察顯示器127的同時操作輸入裝置128通 過手動來實施缺陷修正。實施順序的最優(yōu)化其次，說明模板內(nèi)的對象物的實施順序的最優(yōu)化。圖33表示模板內(nèi)的對象物的實施順序的子。在圖33中，括弧內(nèi)的數(shù)字表示缺陷 修正的實施順序。以下，表示對象物的實施順序與其詳細(xì)情況。(I)Zap對象物401
對象物尺寸2. 12X12. 7μπι
(2) (3) CVD對象物用接觸孔生成部402，403
接觸孔生成部尺寸2. 12 X 2. 12 μ m
(4) CVD對象物用制膜部404
從開始點(CVDStart)至結(jié)束點(CVDEnd)的CVD通過路線長度76. 18 μ m
(5) Zap對象物405
對象物尺寸3. 12X14. 82 μ m
(6) (7) CVD對象物用接觸孔生成部406，407
接觸尺寸4. 23X4. 23 μ m
(8) CVD對象物用制膜部408
從開始點(CVDStart)至結(jié)束點(CVDEnd)的CVD通過路線長度78. 31 μ m
(9) Zap對象物409
對象物尺寸2. 12X12. 7 μ m，旋轉(zhuǎn)角度2°
(10) Zap 對象物 410
對象物尺寸2. 12X12. 7μπι
※另外Zap對象物410 (虛線部)稍微傾斜，但在畫面上看起來水平而很可能被忽
視。實際上由于傾斜會導(dǎo)致另外花費加工時間。本例中，CVD對象物首先處理接觸孔兩處，其后進行CVD處理。另外，在缺陷修正 裝置中，根據(jù)缺陷修正的內(nèi)容，假定要花費以下工作間歇時間(處理時間)。-對象物的實施順序與其詳細(xì)情況_I(A)對象物的替換，實施準(zhǔn)備(Zap) :5sec2⑶對象物的替換，實施準(zhǔn)備(CVD) :15sec3 (C) Zap (CVD接觸孔)的狹縫尺寸設(shè)定2seC4 (D) CVD的狹縫尺寸設(shè)定2sec5 (E) Zap (CVD 接觸孔)每次的發(fā)射=2OOmsec6 (F) CVD 的制膜處理5 μ m/sec此時，除去激光頭移動至對象物的時間情況下的圖33的模板的缺陷修正的間歇 時間變?yōu)椋?1)的處理時間[(A) — (C) — (E)] = 5+2+0. 2 = 7. 2sec(2)的處理時間[(C) — (E)] = 2+0. 2 = 2. 2sec(3)的處理時間[(E)] = 0. 2sec(4)的處理時間[(2) — (4) — (6)] = 15+2+15. 236 = 32. 236sec
28
(5)的處理時間[(1) — (3) — (5)] = 5+2+0. 2 = 7. 2sec(6)的處理時間[(3) — (5)] = 2+0. 2 = 2. 2sec(7)的處理時間[(5)] = 0. 2sec(8)的處理時間[(2) — (4) — (6)] = 15+2+15. 662 = 32. 662sec(9)的處理時間[(1) — (3) — (5)] = 5+2+0. 2 = 7. 2sec(10)的處理時間[(3) — (5)] = 2+0. 2 = 2. 2sec，合計間歇時間變?yōu)?3. 498sec。當(dāng)進行缺陷修正時，最費時的處理為CVD制膜，這決定于缺陷修正裝置的性能。即 使進行模板的處理尺寸的最優(yōu)化，因為CVD的通過路線的長度沒有變更，所以模板的最優(yōu) 化處理間歇時間的提高是沒有希望的。另外，Zap及接觸孔的每次噴射的處理時間也決定 于缺陷修正裝置的間歇時間，所以處理時間是一定的。與此相對，在連續(xù)進行相同種類與尺寸的處理時，可以忽略實施的對象物的替換 處理和激光的狹縫尺寸的變更，所以根據(jù)實施的對象物的順序與尺寸的不同間歇時間的變 化改變很大。尤其CVD制膜處理還包含氣體的設(shè)定，所以對象物的替換次數(shù)越少，就對間歇 時間越會有直接影響。根據(jù)以上內(nèi)容，如圖34所示，如果按照對象物的種類替換缺陷修正的實施順序， 則間歇時間的合計值發(fā)生如下所示的變化。(1)的處理時間[(A)--(C) — (5)]=:J. 2sec
⑵的處理時間[(C)--(E)] = 2. 2sec
⑶的處理時間[(C)--(E)] = 2. 2sec
⑷的處理時間[(C)--(E)] = 2. 2sec
(5)的處理時間[(C)--(E)] = 2. 2sec
(6)的處理時間[(E)]=0.2sec
(7)的處理時間[(B)--(D) — (F)] = 32. 236sec
⑶的處理時間[(A)--(C) — (E)]=:J. 2sec
(9)的處理時間[(E)]=0. 2sec
(10)的處理時間[(B)—(D) — (F)]=32.662sec總處理時間為88. 298sec。而且，如圖35所示，最優(yōu)化為缺陷部位理裝置的最佳CVD尺寸，接觸孔生成部的處 理尺寸、Zap對象物的處理中的尺寸和角度相同部分的連續(xù)替換，則間歇時間進一步發(fā)生如 下變化。(1)的處理時間[(A)--(C) — (E)]=⑵的處理時間[(E)]=0. 2sec⑶的處理時間[(C)--(E)] = 2. 2sec⑷的處理時間[(C)--(E)] = 2. 2sec(5)的處理時間[(C)--(E)] = 2. 2sec(6)的處理時間[(E)]=0. 2sec(7)的處理時間[(E)]=0. 2sec(8)的處理時間[(E)]=0. 2sec
(9)的處理時間[(B)] — (D) — (F)] = 32. 236sec(10)的處理時間[(F)] = 15. 662sec總處理時間為62. 498sec。這樣，通過盡可能地連續(xù)處理對象物的實施順序與實施尺寸，進行從圖33的例到 圖35的例的實施順序的最優(yōu)化，能夠縮短31sec的間歇時間。這里，根據(jù)條件能夠進行Zap對象物的最優(yōu)化。圖33登錄的模板中的Zap對象物會稍微有些誤差，但是非常接近處理尺寸的數(shù) 值。圖35的最優(yōu)化模板中，Zap對象物401(1)與409 (2)進行相同尺寸與角度的處理，一次 完成狹縫尺寸的設(shè)定。關(guān)于Zap對象物410 (3)，只有角度不同，如果產(chǎn)生2°角度的誤差， 通過將旋轉(zhuǎn)角度修正為與Zap對象物401(1)及409 (2)相同，即使Zap對象物410 (3)沒有 設(shè)定狹縫尺寸，也可以處理。另外，通過使矩形的短徑方向的狹縫尺寸與CVD同樣符合于所 有相同尺寸，不僅能夠進行可以修正的最小尺寸的修正，而且除此以外的Zap對象物也能 夠符合相同處理尺寸，由此來減少狹縫尺寸的設(shè)定次數(shù)。但是，矩形的長徑的設(shè)定大多決定于布線構(gòu)圖的形狀、形態(tài)，所以不能說與短徑相 同地進行總體設(shè)定就一定是好的。對于一個對象物，取得具有與稱得上誤差的范圍非常接 近的數(shù)值的對象物，優(yōu)選使尺寸與角度一致、平均化、使符合長徑的尺寸等處理。圖36表示將圖35的模板內(nèi)的Zap對象物的加工尺寸變換為一定數(shù)值后的模板的 圖。-變換前的Zap對象物的詳細(xì)-(1)對象物尺寸 2. 12X12. 7μπι(2)對象物尺寸 2. 12 X 12. 7 μ m(3)對象物尺寸2. 12X12. 7μπι旋轉(zhuǎn)角度2°(4)對象物尺寸 3. 12 X 14. 82 μ m四個對象物的處理時間為11. 8sec。將Zap對象物401、409、410、405的處理尺寸設(shè)為一定的數(shù)值，并變換Zap對象物 401A、409A、410A、405A。本例中，短徑固定為3 μ m，使長徑符合最大尺寸的長的Zap對象物 405，將旋轉(zhuǎn)角度2°視為誤差來進行修正。-變換后的Zap對象物的詳細(xì)情況_·所有的Zap對象物的處理尺寸—對象物尺寸3X14. 82 μ m四個對象物的處理時間為7. 8sec0圖36的例中，能夠從圖35的例子進一步縮短4sec。另外，如圖37A、B的Zap對象物421，422所示，乍看為相同處理，但是替換長徑與 短徑的數(shù)值并設(shè)定角度的對象物也可以進行最優(yōu)化。如果保持不變地進行修正處理，則修 正的處理尺寸雖然相同，但進行修正處理時需要進行指定處理尺寸及角度，所以會花費處 理時間?？梢匀我庵付ㄌ鎿Q的對象物的順序，但是只限于設(shè)定接觸孔來進行CVD處理的， 在進行接觸孔的處理前不能進行CVD制膜。另外，推薦的是根據(jù)基板的特性，為了形成接 觸孔，不花費保持除去了薄膜的狀態(tài)的時間，而立即進行CVD工序。此時，伴隨接觸孔的生 成的CVD對象物即使有多個，在CVD制膜近前也具有替換順序以便生成接觸孔的條件。
從圖33至圖35的實施順序的替換例中，替換為“Zap —接觸孔一CVD制膜”的順 序，也存在選擇以“接觸孔一CVD制膜一Zap”的順序進行處理的排序有效時。這樣，實施的 對象物的替換順序利用缺陷修正裝置，可以任意決定。以下舉出能夠?qū)嵤┑奶幚眄樞蚺c不能實施的處理順序的例子。〇表示能夠?qū)嵤┑?處理順序，X表示不能實施的處理順序?！?Zap —接觸孔一CVD制膜〇·接觸孔一Zap — CVD制膜〇·接觸孔一CVD制膜一Zap〇· CVD 制膜一接觸孔一Zap X如果接觸孔與CVD制膜的實施順序無前后之分，則可以任意指定與Zap、ZapLine 的實施順序的替換。但是，模板為了與CVD和接觸孔的生成一樣地修整CVD制膜的上部而 配置了 Zap及ZapLine，如上所示，對于為了特定的目的假定不替換順序來說是不受其限制 的。圖38A D表示指定CVD處理的加工順序的例子。圖38A中，首先，基板上形成接觸孔431、432。其次，進行CVD制膜并形成膜433。 進一步利用Zap對象物434Z、435Z移動(廿” ^ > ^ )膜433的左右來調(diào)整寬度，從而得 到具有接觸孔431、432的膜433A。例如，附近有布線，在要與此布線保持距離時，需要按照 上述順序來進行處理。圖39表示對模板的實施順序進行最優(yōu)化處理例子的流程圖。參照圖39，對由控制 部101實施的使上述模板的對象物的實施順序得到的最優(yōu)化處理進行說明。首先，在步驟S31中，控制部101的模板輸出輸入部151根據(jù)缺陷的種類及形狀等 從修正手法數(shù)據(jù)庫125取得模板。該處理結(jié)束后，進入步驟S32。在步驟S32中，控制部101按照圖32的流程圖進行對象物的加工尺寸的最優(yōu)化。 該處理結(jié)束后，進入步驟S33。在步驟S33中，取得的模板判定是否能夠進行自動修正(自動缺陷修正)。能夠自 動修正的情況下進入到步驟S34。不能進行自動修正的情況下進入到步驟S55，例如，操作 員觀察顯示器127的同時操作輸入裝置128以手動實施缺陷修正。在步驟S34中，模板輸出輸入部151取得該模板內(nèi)的實施順序的起始的對象物、最 佳對象物的實施順序以及對象物的加工尺寸的信息。該處理結(jié)束后，進入到步驟S35。在步驟S35中，對象物種類判定部152判定配置在取得的模板上的對象物的種類。 判定的結(jié)果為Zap對象物及ZapLine對象物(圖10，圖11參照)時，進入到步驟S38。另 一方面，CVD對象物(圖17參照)時，進入到步驟S36。在步驟S36中，實施順序并列替換部156判定是否將CVD對象物的接觸孔與CVD制 膜一起進行處理。一起處理生成的情況下，進入到步驟S37。沒有一起處理生成的情況下， 進入到步驟S50。在步驟S37中，實施順序并列替換部156將生成接觸孔的對象物(接觸孔生成部) 從CVD對象物(制膜部)分割，生成作為個別的對象物(參照圖35)。作為個別的對象物 時，可以只通過接觸孔的處理來整理實施順序。該處理結(jié)束后，進入步驟S50。在步驟S38中，加工尺寸修正部153判定是否將Zap對象物及ZapLine對象物的短徑加工尺寸設(shè)為常數(shù)(參照圖35)。設(shè)為定數(shù)時，進入到步驟S39。沒有設(shè)為常數(shù)時，進 入到步驟S40。在步驟S39中，加工尺寸修正部153將Zap對象物及ZapLine對象物的短徑加工 尺寸變更為常數(shù)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S40。在步驟S40中，對象物種類判定部152判定對象物的種類(參照圖33)。判定的結(jié) 果為ZapLine對象物時，進入到步驟S50。另一方面，判定的結(jié)果為Zap對象物時，進入到步 驟 S41。在步驟S41中，加工尺寸修正部153關(guān)于模板內(nèi)的多個對象物尺寸判定是否進行 過相互檢查。沒有相互檢查時，進入到步驟S42。已經(jīng)進行相互檢查時，關(guān)于Zap對象物，不 希望此種程度以上的最優(yōu)化處理，所以進入到步驟S50。在步驟S42中，加工尺寸修正部153判定是否進行多個Zap對象物尺寸的誤差調(diào) 整，即，是否處于指定的誤差范圍。需要進行誤差調(diào)整時，進入到步驟S43。不需要進行誤差 調(diào)整時，進入到步驟S48。在步驟S43中，加工尺寸修正部153全部取得滿足誤差范圍的Zap對象物(參照 圖36)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S44。在步驟S44中，加工尺寸修正部153判定是否取得了多個Zap對象物(參照圖36)。 取得了時，進入到步驟S45。沒有取得時，進入到步驟S48。在步驟S45中，加工尺寸修正部153判定對象物修正方法是否為任一個，即Zap對 象物尺寸是否被平均化固定。在步驟S46中，加工尺寸修正部153計算多個Zap對象物尺寸的平均值，將各Zap 對象物尺寸修正為該平均值(參照圖36)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S48。在步驟S47中，加工尺寸修正部153使多個Zap對象物尺寸符合代表的Zap對象 物尺寸等，修正為指定條件的固定值(參照圖36)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S48。在步驟S48中，加工尺寸修正部153判定寬度與高度是否相反，是否存在能夠替換 旋轉(zhuǎn)角度的對象物(參照圖37A、B)。存在能夠替換的Zap對象物時，進入到步驟S49。不 存在能夠替換的Zap對象物時，進入到步驟S50。在步驟S50中，加工尺寸修正部153判定全部的對象物尺寸調(diào)整是否結(jié)束。結(jié)束 的情況下，進入到步驟S51。沒有結(jié)束的情況下，進入到步驟S54。在步驟S51中，實施順序并列替換部156將對象物的實施順序進行排序以使處理 內(nèi)容與尺寸連續(xù)(參照圖34 圖36)。該處理結(jié)束后，進入到步驟S52。在步驟S52中，控制部101結(jié)束實施順序的最優(yōu)化處理。并且，在步驟S53中，模 板輸出輸入部151將包含最優(yōu)化后的對象物的模板輸出至缺陷修正部102。另外，輸出到修 正手法數(shù)據(jù)庫125并登錄作為新的模板。在步驟S54中，移動到該模板內(nèi)的下一個對象物。并且，返回步驟S35，根據(jù)其對象 物的信息進行最優(yōu)化處理。 另外，這些模板的最優(yōu)化手法在登錄到模板時在以下各點中能夠先行進行修正。(1)將Zap對象物、ZapLine對象物的短徑修正為指定值。(2)將CVD對象物的接觸孔的尺寸修正為指定值。(3)將CVD對象物的處理尺寸修正為指定值。
(4)檢索多個CVD對象物的連接、導(dǎo)通之處，修正CVD通過路線的交點。(5)將把Zap對象物、ZapLine對象物設(shè)定在特定的范圍內(nèi)的長徑、短徑、角度的值 修正為指定值。(6)在Zap對象物、ZapLine對象物內(nèi)，檢測到加工尺寸的寬度與高度更替的對象 物，在旋轉(zhuǎn)角度分別滿足士90°的關(guān)系時，將一方的旋轉(zhuǎn)角度和加工尺寸變換為另一方的 設(shè)定值。例如，圖33的模板在模板的登錄及編輯時，設(shè)定最佳短徑加工尺寸、相互檢查時 的誤差范圍、誤差修正時的尺寸修正方法(平均值、最大值、登錄的尺寸是否最多等)、誤差 修正時的角度修正方法、CVD對象物與接觸孔的暫定加工尺寸等。由此，可以事先將模板修 正到圖36的最終輸出狀態(tài)，能夠預(yù)先目視確認(rèn)、更新修正后的模板等。而且，對于特定的缺陷修正裝置及基板，通過輸入最佳加工尺寸及對象物的有效 順序，相對其缺陷修正裝置能夠進行最佳對象物尺寸的變更(Zap對象物的最大加工尺寸 的分割、向ZapLine對象物的變換等)。另外，進行包含CVD制膜與接觸孔生成部的分解的 對象物的實施順序的排序時，可以目視確認(rèn)模板成為何種狀態(tài)，也可以作為特定的缺陷修 正裝置用模板向其他文件輸出。這樣，在模板的登錄、編輯時，通過預(yù)先進行針對特定的裝置的加工尺寸(將長修 正區(qū)域分割為最佳加工尺寸單位)及實施順序的最優(yōu)化，從而能夠在實際的缺陷修正時從 處理流程中省去加工尺寸的最優(yōu)化。但是，只有在一次處理多個模板的情況下，有必要在修 正實施前再次確認(rèn)、排序?qū)ο笪锏膶嵤╉樞蚣癈VD對象物的重疊。如上述所示，涉及本發(fā)明的缺陷修正裝置及方法中，針對登錄的重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)構(gòu)成 的缺陷修正手法，進行符合缺陷修正裝置的加工性能及基板的條件的加工尺寸與修正實施 順序的最優(yōu)化。由此，能夠回避缺陷修正裝置及基板固有的不良，并縮短間歇時間。另外，登錄時，通過目視確認(rèn)以一定條件最優(yōu)化對象物的加工尺寸及實施順序，可 以發(fā)現(xiàn)、修正修正方法登錄時的登錄錯誤。而且，輸入缺陷修正裝置固有的加工尺寸的條件及基板固有的實施順序等，也可 以將與其他缺陷修正裝置共有的修正方法(模板)預(yù)先變換、輸出成為作為目標(biāo)的特定缺 陷修正裝置專用的修正方法。由此，通過省略實際的修正時的加工尺寸的最優(yōu)化工序來進 一步縮短間歇時間。因為以上所述的實施例為用于實施本發(fā)明的合適好實施方式的具體例，所以附帶 了技術(shù)上優(yōu)選的種種限定。但是，在以上的實施例的說明中沒有特別限定本發(fā)明主旨的記 載，所以本發(fā)明并不限定于這些實施例。因此，例如，以上的說明中列舉的使用材料與其使 用量、處理時間、處理順序及各參數(shù)的數(shù)值的條件等只不過是優(yōu)選實施例而已，另外，用于 說明的各圖中的尺寸、形狀及配置關(guān)系等也是表示一實施例的簡略內(nèi)容。本發(fā)明并不限定 于上述實施例，在不脫離本發(fā)明的主旨范圍中，可以允許各種變形、變更。而且，上述實施例中，對進行在平板顯示器的玻璃基板上形成的設(shè)計構(gòu)圖的缺陷 修正的情況做了說明，但是修正對象并不限定于該例。例如，其也可以適用于在修正對象基 板上形成有指定構(gòu)圖的半導(dǎo)體晶片、光掩模、磁盤等。如圖5所示的控制部101通過實施MPU等的運算處理裝置記錄在不揮發(fā)性儲存裝 置的程序，實現(xiàn)目的的功能，但是也可以通過各自的程序來實現(xiàn)同圖所示的各功能模塊。另外，多個功能模塊也可以通過一個程序來實現(xiàn)。另外，也可以通過硬件來實現(xiàn)同圖所示的功 能模塊。 另外，也可以利用以下實施方式。即，修正手法數(shù)據(jù)庫125也可以存儲于遠程服務(wù) 器中而不是缺陷修正裝置100，經(jīng)由LAN、因特網(wǎng)等網(wǎng)絡(luò)存取到該修正手法數(shù)據(jù)庫125，來取 得缺陷修正手法。
權(quán)利要求
一種缺陷修正裝置，包括缺陷檢測部，其用于檢查形成有重復(fù)構(gòu)圖的多層基板，提取所述重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)的缺陷的位置信息及所述缺陷的特征信息；數(shù)據(jù)庫，其登錄有多個缺陷修正手法；缺陷修正部，其利用指定的缺陷修正手法來修正所述多層基板的缺陷；以及控制部，其從所述數(shù)據(jù)庫讀取對應(yīng)由所述缺陷檢測部所檢測到的缺陷的缺陷修正手法，使讀取的缺陷修正手法所含有的對象物尺寸與修正實施順序相對該缺陷修正裝置進行最優(yōu)化，利用該缺陷修正手法來控制用于實施所述缺陷修正的所述缺陷修正部。
2.如權(quán)利要求1所述的缺陷修正裝置，其中，當(dāng)所述缺陷修正手法的對象物尺寸沒有滿足所述缺陷修正裝置能夠處理的加工尺寸 時，所述控制部將所述對象物尺寸修正到滿足所述加工尺寸的范圍內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的缺陷修正裝置，其中，當(dāng)所述缺陷修正手法的對象物尺寸大于該缺陷修正裝置能夠處理的最大加工尺寸時， 所述控制部實施以下任一處理將所述對象物尺寸修正到特定的大小從而使其小于所述最 大加工尺寸，或?qū)⑺鰧ο笪锍叽缙骄指顬槎鄠€區(qū)域從而使所述多個區(qū)域中的一個區(qū)域 小于所述最大加工尺寸，或重復(fù)進行單位尺寸的處理從而修正所述最大加工尺寸。
4.如權(quán)利要求2所述的缺陷修正裝置，其中，當(dāng)所述缺陷修正手法的對象物尺寸小于該缺陷修正裝置能夠處理的最小加工尺寸時， 所述控制部，將所述對象物尺寸修正到所述缺陷修正裝置能夠處理的尺寸。
5.如權(quán)利要求3所述的缺陷修正裝置，其中，所述控制部，以一定的重疊量將所述對象物平均分割的多個區(qū)域彼此進行重合。
6.如權(quán)利要求3或4所述的缺陷修正裝置，其中，當(dāng)所述缺陷修正手法的對象物尺寸大于該缺陷修正裝置能夠處理的最大加工尺寸時， 所述控制部將所述最大加工尺寸與所述修正后的對象物尺寸顯示在顯示部上，另外，當(dāng)所述缺陷修正手法的對象物尺寸小于該缺陷修正裝置能夠處理的最小的加工 尺寸時，所述控制部將修正到所述缺陷修正裝置能夠處理的尺寸的對象物顯示在所述顯示 部上。
7.如權(quán)利要求3或4所述的缺陷修正裝置，其中，將所述缺陷修正手法的對象物尺寸最優(yōu)化之后，所述控制部按照同樣的缺陷修正裝置 和不同尺寸來并列替換所述對象物尺寸和修正實施順序。
8.如權(quán)利要求3或7所述的缺陷修正裝置，其中，通過來自輸入裝置的操作，任意設(shè)定所述缺陷修正手法的對象物的合適尺寸及修正實 施順序。
9.如權(quán)利要求2所述的缺陷修正裝置，其中，當(dāng)所述缺陷修正手法的對象物不是所述缺陷修正裝置能夠處理的加工尺寸而是CVD 對象物時，所述控制部將構(gòu)成所述CVD對象物的接觸孔生成部及制膜部的各個尺寸相對所 述缺陷修正裝置進行最優(yōu)化。
10.如權(quán)利要求2所述的缺陷修正裝置，其中，所述控制部，將從所述數(shù)據(jù)庫讀取的缺陷修正手法中所含有的對象物尺寸與所述多層基板的層結(jié)構(gòu)對照，來判定所述對象物是否合適。
11. 一種缺陷修正方法，包括步驟1，檢查形成有重復(fù)構(gòu)圖的多層基板，提取所述重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)的缺陷的位置信息及所 述缺陷的特征信息；步驟2，從所述數(shù)據(jù)庫讀取對應(yīng)由所述步驟1檢測到的缺陷的缺陷修正手法； 步驟3，使所述步驟2讀取的缺陷修正手法中所含有的對象物尺寸與適用順序相對該 缺陷修正裝置進行最優(yōu)化；步驟4，利用由所述步驟3使尺寸與適用順序進行最優(yōu)化的缺陷修正手法，來控制實施 所述缺陷的修正的缺陷修正部。
全文摘要
一種缺陷修正裝置，該裝置顯著提高缺陷修正工序的作業(yè)效率，同時提高缺陷修正的品質(zhì)。檢查形成有重復(fù)構(gòu)圖的多層基板，提取重復(fù)構(gòu)圖內(nèi)的缺陷的位置信息及所述缺陷的特征信息。接著，從數(shù)據(jù)庫讀取對應(yīng)檢測到的缺陷的缺陷修正手法。然后，使讀取的缺陷修正手法所含有的對象物尺寸與修正實施順序相對該缺陷修正裝置進行最優(yōu)化。并且，利用尺寸與適用順序進行最優(yōu)化的缺陷修正手法來控制用于實施缺陷修正的缺陷修正部。
文檔編號G02F1/1362GK101893794SQ20101018090
公開日2010年11月24日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月20日
發(fā)明者清井清美, 筒井亞希子 申請人:索尼公司