專利名稱：液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板及其像素結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種設(shè)置有配向 電極的多區(qū)域垂直配向型液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
液晶顯示器已被廣泛地應(yīng)用在各式電子產(chǎn)品，如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理及 筆記本電腦等，而且隨著大尺寸薄型平面電視的快速發(fā)展，具有輕薄短小特
性的液晶電視更是扮演著相當(dāng)重要的角色，進(jìn)而逐漸取代陰極射線管(CRT) 電視成為薄型平面電視的主流。然而由于液晶顯示面板具有視角狹窄的先天 缺點(diǎn)，成為其發(fā)展上的限制條件，因此具有廣視角的多區(qū)域垂直配向型 (multi-domain vertical alignment, MVA)液晶顯示面板便)頓應(yīng)而生。
請(qǐng)參考圖1。圖1為公知多區(qū)域垂直配向型液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的 示意圖。如圖1所示，公知多區(qū)域垂直配向型液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)10 包括第一基板12、第二基板14與液晶層16，其中液晶層16填充于第一基 板12與第二基板14之間。第一基板12上設(shè)置有像素電極18，而第二基板 14上則設(shè)置有彩色濾光片20、共通電極22與配向凸塊24。液晶層16借由 配向凸塊24的設(shè)置而形成多區(qū)域配向。另外，第二基板14對(duì)應(yīng)于配向凸塊 24的位置還設(shè)置有黑色遮光圖案26，借此遮蔽配向凸塊24周圍的漏光。
公知利用配向凸塊24進(jìn)行配向的像素結(jié)構(gòu)10具有如下缺點(diǎn)首先，制 作配向凸塊24必須增加第二基板14的制造工藝，會(huì)增加制造工藝成本；其 次，配向凸塊24的周圍會(huì)產(chǎn)生漏光，而必須設(shè)置黑色遮光圖案26進(jìn)行遮光， 而為了有效遮蔽漏光，黑色遮光圖案26的尺寸必須大于配向凸塊24的尺寸， 因此造成開口率下降；另外，配向凸塊24的制作受限于制造工藝極限而具 有最小尺寸，因此在高解析度的液晶顯示面板內(nèi)，配向凸塊24的存在也會(huì) 造成開口率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種多區(qū)域垂直配向型液晶顯示面板的像 素結(jié)構(gòu)，以提高多區(qū)域配向能力并提高開口率。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置在一基板上，像素結(jié)構(gòu) 包括至少一像素電極、至少一共通電極與至少一配向電極。像素電極設(shè)于基 板上，且像素電極具有一中心開口。共通電極設(shè)于基板的像素電極的周圍。 配向電極設(shè)于像素電極與基板之間，其包括一配向部設(shè)于中心開口下方并對(duì) 應(yīng)中心開口 。配向電極的配向電壓大于該像素電極的像素電壓。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置在一基板上，像素結(jié)構(gòu) 包括至少一像素電極與至少一配向電極。像素電極設(shè)于基板上，且像素電極 具有一中心開口。配向電極設(shè)于像素電極與基板之間，其包括一配向部設(shè)于 中心開口下方并對(duì)應(yīng)中心開口。配向電極的配向電壓大于像素電極的像素電 壓。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其包括 一第一基板，
包括一第一基板、 一第二基板與一液晶層。第一基板包括至少一像素電極、
至少一第一共通電極與至少一配向電極。像素電極設(shè)于第一基板上，且像素
電極具有一中心開口。第一共通電極設(shè)于第一基板的像素電極的周圍。配向
電極設(shè)于像素電極與第一基板之間，其包括一配向部設(shè)于中心開口下方并對(duì)
應(yīng)中心開口。配向電極的配向電壓大于像素電極的像素電壓。第二基板與第
一基板相對(duì)設(shè)置，其包括一第二共通電極，對(duì)應(yīng)像素電極。液晶層設(shè)于第一 基板與第二基板之間。
本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用配向電極進(jìn)行多區(qū)域配向，因此 不需設(shè)置配向凸塊。另外，像素結(jié)構(gòu)利用第一共通電極進(jìn)行像素結(jié)構(gòu)邊緣的 配向，因此具有較佳的整體配向效果以及較快速的反應(yīng)時(shí)間，并且第一共通 電極的設(shè)置可縮小配向電極的尺寸，提高像素結(jié)構(gòu)的開口率。此外，配向電 極與像素電極的制造工藝極限較配向凸塊的制造工藝極限為高，因此將配向 電極設(shè)置于高解析度的液晶顯示面板時(shí)不會(huì)影響解析度。


圖1為公知多區(qū)域垂直配向型液晶顯示面板。頁
圖2與圖3為本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的第一優(yōu)選實(shí)施例的示 意圖。
圖4與圖5為本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的第二優(yōu)選實(shí)施例的示 意圖。
圖6與圖7為本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的第三優(yōu)選實(shí)施例的示 意圖。
圖8與圖9為本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的第四優(yōu)選實(shí)施例的示 意圖。
圖IOA為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)處于開啟狀態(tài)時(shí)亮度分布圖。
圖10B為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)處于開啟狀態(tài)時(shí)等電位線的分布與液晶分
子的排列的示意圖。
圖IIA本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)亮度分布圖。
圖11B為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)等電位線的分布與液晶分
子的排列的示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
10像素結(jié)構(gòu)12第一基板
14第二基板16液晶層
18像素電極20彩色濾光片
22共通電極24配向凸塊
26黑色遮光圖案30像素結(jié)構(gòu)
32第一基板34第二基板
36液晶層38像素電極
38a中心開口38b條狀開口
40第一共通電極42配向電極
42a配向部44介電層
46第二共通電極50像素結(jié)構(gòu)
60像素結(jié)構(gòu)70像素結(jié)構(gòu)
具體實(shí)施例方式
為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，
下文特列舉本發(fā)明的數(shù)個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的 構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的效果。
請(qǐng)參考圖2與圖3。圖2與圖3為本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的 第一優(yōu)選實(shí)施例的示意圖，其中圖2為一俯視圖，圖3為沿圖2的切線33' 的一剖面示意圖，且為清楚顯示本發(fā)明的特色，圖示中僅繪示出液晶顯示面 板的單一像素結(jié)構(gòu)，且下文的說明以單一像素結(jié)構(gòu)加以描述。如圖2與圖3 所示，本實(shí)施例的液晶顯示面板為一多區(qū)域垂直配向型液晶顯示面板，其像 素結(jié)構(gòu)30包括第一基板32、第二基板34與液晶層36，其中第一基板32與 第二基板34為相對(duì)設(shè)置，而液晶層36則設(shè)置于第一基板32與第二基板34 之間。第一基板32與第二基板34兩者均為透光基板，例如玻璃基板、石英 基板或塑膠基板。第一基板32(也可稱為例如陣列基板或薄膜晶體管基板)上 包括至少一像素電極38、至少一第一共通電極40與至少一配向電極42，其 中像素電極38的材料包括透光導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)，而第一共通 電極40與配向電極42的材料包括不透光導(dǎo)電材料，例如金屬，但不以此限。 像素電極38具有至少一中心開口 38a，其可為圓形開口但不以此為限；第一 共通電極40設(shè)罝于像素電極38的周圍并可環(huán)狀包圍像素電極38，且第一共 通電極40設(shè)置于像素電極38的下方而像素電極38并未與第一共通電極40 重疊；配向電極42設(shè)置于像素電極38與第一基板32之間，且其包括一配 向部42a設(shè)于像素電極38的中心開口 38a下方并對(duì)應(yīng)中心開口 38a。
在本實(shí)施例中，配向電極42的配向部42a具有一圓形圖案，且配向部 42a的尺寸略大于像素電極38的中心開口 38a的尺寸，借此可增加制造工藝 上對(duì)位的寬容度，且配向電極42的配向部42a在此也具有遮蔽漏光的作用。 像素電極38與配向電極42之間設(shè)置有至少一介電層44，借此像素電極38 與配向電極42可保持電性分離。像素電極38與薄膜晶體管的漏極(圖未示) 電性連接，并可接受薄膜晶體管傳送的像素電壓、第一共通電極40具有共 通電壓，而配向電極42則具有配向電壓，且三者彼此電性分離，其中像素 電壓可驅(qū)動(dòng)液晶分子使其傾倒，借以控制顯示灰階；配向電極42的配向電 壓則用來配向，借此在不需設(shè)置配向凸塊的狀況下，即可使液晶層36產(chǎn)生 多區(qū)域配向的效果；第一共通電極40的共通電壓可對(duì)像素結(jié)構(gòu)30邊緣的液 晶分子進(jìn)行配向，使得配向電極42的尺寸縮小，且第一共通電極40的設(shè)置
也可加快液晶分子反應(yīng)速度。
本發(fā)明的液晶顯示面板為垂直配向型，其中配向電極42的配向電壓可 為固定電壓，或是與像素電極38的像素電壓可具有相同相位(配向電極42 為脈沖電壓，配合像素電極38同步開關(guān)，而同步具有相同的高低電位)，且 配向電極42的配向電壓大于像素電極38的像素電壓，例如配向電極42的 配向電壓的絕對(duì)值大于像素電極38的像素電壓的絕對(duì)值約2V到15V，但并 不以此為限。配向電壓的大小可視介電層44的厚度與介電常數(shù)的不同而加 以調(diào)整，以達(dá)到較佳的配向效果，舉例而言，若介電層44的厚度較薄，則 可使用較低的配向電壓，而若介電層44的厚度較厚，則可使用較高的配向 電壓。另外，第二基板34面對(duì)第一基板32的表面還可設(shè)置有第二共通電極 46。
在本實(shí)施例中，配向電極42與第一共通電極40由不同層導(dǎo)電層所構(gòu)成， 例如配向電極42為第三層金屬層，而第一共通電極40為第四層金屬層，但 不以此為限。舉例而言，配向電極42可由第四層金屬層所構(gòu)成，而第一共 通電極40可由第三層金屬層所構(gòu)成，也或者配向電極42與第一共通電極40 可由同層金屬層所構(gòu)成，而在兩者交叉區(qū)域則可利用其它導(dǎo)電層以跨接方式 使兩者不致電性連接，借此分別接收不同電壓信號(hào)。
本發(fā)明除上述第一優(yōu)選實(shí)施例外，還具有其它優(yōu)選實(shí)施例，將于下文中 依序說明，而為便于比較本發(fā)明各實(shí)施例的異同，下文所述的各實(shí)施例與前 述第一優(yōu)選實(shí)施例使用相同的元件符號(hào)標(biāo)注相同的元件，且不再對(duì)相同元件 作重復(fù)贅述。請(qǐng)參考圖4與圖5。圖4與圖5為本發(fā)明的液晶顯示面板的像 素結(jié)構(gòu)的第二優(yōu)選實(shí)施例的示意圖，其中圖4為一俯視圖，圖5為沿圖4的 切線55，的一剖面示意圖。如圖4與圖5所示，與前述第一實(shí)施例不同之處 在于，本實(shí)施例的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)50的像素電極38還包括至少一 條狀開口 (slitopening) 38b，其中條狀開口 38b的一端鄰近中心開口 38a。 舉例而言，像素電極38較佳可包括多個(gè)該條狀開口 38b，并呈輻射狀分布于 中心開口 38a的周圍。條狀開口 38b的位置無電場產(chǎn)生，而設(shè)置條狀開口 38b 的目的在于進(jìn)一步加強(qiáng)配向效果，并可減少液晶分子的反應(yīng)時(shí)間。條狀開口 38b的形狀、數(shù)目與配置可視配向效果加以變更，而不以圖4所繪示的優(yōu)選 實(shí)施方式為限。
請(qǐng)參考圖6與圖7。圖6與圖7為本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的 第三優(yōu)選實(shí)施例的示意圖，其中圖6 —俯視圖，圖7為沿圖6的切線77，的 一剖面示意圖。如圖6與圖7所示，與前述第一實(shí)施例不同之處在于，本實(shí) 施例的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)60包括多個(gè)高分子聚合配向物(polymer stabilityalignment)62，設(shè)于像素電極38上，而形成輔助配向?qū)樱布聪袼仉?極38面對(duì)第二基板34的一側(cè)，且配向高分子聚合也可設(shè)置于第二基板34 面對(duì)第一基板32的一側(cè)。高分子聚合配向物借由外加固化電壓進(jìn)行配向， 再加上例如紫外光照射單體使單體聚合而成，其具有增加配向能力與減少液 晶反應(yīng)時(shí)間等優(yōu)點(diǎn)。
請(qǐng)參考圖8與圖9。圖8與圖9為本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的 第四優(yōu)選實(shí)施例的示意圖，其中圖8為一俯視圖，圖9為沿圖8的切線99' 的一剖面示意圖。如圖8與圖9所示，本實(shí)施例的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu) 70包括數(shù)個(gè)高分子聚合配向物62，設(shè)于像素電極38面對(duì)第二基板34的一 側(cè)，以及第二基板34面對(duì)第一基板32的一側(cè)，借此增加配向能力。此外， 像素電極38包括多個(gè)該條狀開口 38b，并呈輻射狀分布于中心開口 38a的周 圍，也可進(jìn)一步加強(qiáng)配向效果。
請(qǐng)參考圖IOA、圖IOB、圖IIA與圖IIB。圖IOA為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu) 處于開啟狀態(tài)時(shí)亮度分布圖、圖IOB為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)處于開啟狀態(tài)時(shí)等 電位線的分布與液晶分子的排列的示意圖、圖IIA本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)處于關(guān) 閉狀態(tài)時(shí)亮度分布圖、圖IIB為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)等電位線 的分布與液晶分子的排列的示意圖。例如，當(dāng)像素結(jié)構(gòu)處于開啟狀態(tài)時(shí)，施 于像素電極38的像素電極為5V、施于第一共通電極40與第二共通電極46 的共通電壓為0V、施于配向電極42的配向電壓為12V。如圖10B所示，借 由配向電極42與第一共通電極40的設(shè)置，當(dāng)像素結(jié)構(gòu)處于開啟狀態(tài)時(shí)，等 電位線的分布可使液晶分子具有優(yōu)良的多區(qū)域配向效果。當(dāng)像素結(jié)構(gòu)處于開 啟狀態(tài)時(shí)，可發(fā)出分布均勻的光線，如圖10A所示。如圖11B所示，例如， 當(dāng)像素結(jié)構(gòu)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，施于像素電極38的像素電極為0V、施于第一 共通電極40與第二共通電極46的共通電壓為0V、施于配向電極42的配向 電壓為12V。由于對(duì)應(yīng)配向電極42的液晶分子因配向電極42的存在而發(fā)生 傾倒，因此對(duì)應(yīng)配向電極42的液晶分子會(huì)容許些許光線的穿透，但由不透
光材料構(gòu)成的配向電極42會(huì)將光線遮蔽，因此在關(guān)閉狀態(tài)下像素結(jié)構(gòu)不會(huì) 產(chǎn)生漏光問題，如圖11A所示。
綜上所述，本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)具有如下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)利用配向電極進(jìn)行多區(qū)域配向，而不需設(shè)置配向凸 塊，因此可節(jié)省成本。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)利用第一共通電極進(jìn)行像素結(jié)構(gòu)邊緣的配向，因此具 有較佳的整體配向效果以及較快速的反應(yīng)時(shí)間，并且第一共通電極的設(shè)置可 縮小配向電極的尺寸，提高像素結(jié)構(gòu)的開口率。
配向電極與像素電極的制造工藝極限較配向凸塊的制造工藝極限為高， 因此將配向電極設(shè)置于高解析度的液晶顯示面板時(shí)不會(huì)影響解析度。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可設(shè)置高分子聚合配向物，進(jìn)一步加強(qiáng)配向能力與提
高反應(yīng)速度。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依照本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的 均等變化與修改，均應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置在一基板上，該像素結(jié)構(gòu)包括至少一像素電極，設(shè)于該基板上，且該像素電極具有一中心開口；至少一共通電極，設(shè)于該基板的該像素電極的周圍；以及至少一配向電極，設(shè)于該像素電極與該基板之間，其包括一配向部，設(shè)于該中心開口下方并對(duì)應(yīng)該中心開口；其中該配向電極的一配向電壓大于該像素電極的一像素電壓。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該配向電極的該配向電壓的絕對(duì) 值大于該像素電極的該像素電壓的絕對(duì)值約2到15伏特。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該配向電極的該配向電壓與該像 素電極的該像素電壓具有相同相位。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該像素電極還具有至少一條狀開 口，該條狀開口的一端鄰近于該中心開口。
5. 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該像素電極具有多個(gè)該條狀開 口，呈輻射狀分布于該中心開口的周圍。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其還包括多個(gè)高分子聚合配向物，設(shè) 于該像素電極上。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該配向電極設(shè)于該中心開口的該 配向部具有一圓形圖案。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該配向電極包括金屬材料。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該配向電極包括不透光導(dǎo)電材料。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其還包括一介電層，設(shè)于該像素電 極與該配向電極之間。
11. 如權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該共通電極包括金屬材料。
12. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該共通電極環(huán)狀包圍該像素電極。
13. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該像素電極的材料包括透光導(dǎo) 電材料。
14. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該像素電極、該共通電極以及 該配向電極彼此電性分離。
15. —種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置在一基板上，該像素結(jié)構(gòu)包括 至少一像素電極，設(shè)于該基板上，且該像素電極具有一中心開口；以及 至少一配向電極，設(shè)于該像素電極與該基板之間，其包括一配向部設(shè)于該中心開口下方并對(duì)應(yīng)該中心開口；其中該配向電極的一配向電壓大于該像素電極的一像素電壓。
16. —種液晶顯示面板，其包括 一第一基板，包括至少一像素電極，設(shè)于該第一基板上，且該像素電極具有一中心開至少一第一共通電極，設(shè)于該第一基板的該像素電極的周圍；以及 至少一配向電極，設(shè)于該像素電極與該第一基板之間，其包括一配 向部設(shè)于該中心開口下方并對(duì)應(yīng)該中心開口 ，其中該配向電極的一配向電壓 大于該像素電極的一像素電壓；一第二基板，與該第一基板相對(duì)設(shè)置，該第二基板包括一第二共通電極， 對(duì)應(yīng)該像素電極；以及一液晶層，設(shè)于該第一基板與該第二基板之間。
17. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該配向電極的該配向電壓 的絕對(duì)值大于該像素電極的該像素電壓的絕對(duì)值約2到15伏特。
18. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該配向電極的該配向電壓 與該像素電極的該像素電壓具有相同相位。
19. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該像素電極還具有至少一 條狀開口，該條狀開口的一端鄰近于該中心開口。
20. 如權(quán)利要求19所述的液晶顯示面板，其中該像素電極具有多個(gè)該條 狀開口，呈輻射狀分布于該中心開口的周圍。
21. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其還包括多個(gè)高分子聚合配向 物，設(shè)于該像素電極面對(duì)該第二基板的一側(cè)。
22. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該配向電極設(shè)于該中心開 口的該配向部具有一圓形圖案。
23. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該配向電極包括金屬材 料。
24. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該配向電極包括不透光導(dǎo) 電材料。
25. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其還包括一介電層，設(shè)于該像 素電極與該配向電極之間。
26. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該共通電極包括金屬材料。
27. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該共通電極環(huán)狀包圍該像 素電極。
28. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該像素電極的材料包括透 光導(dǎo)電材料。
29. 如權(quán)利要求16所述的液晶顯示面板，其中該像素電極、該共通電極 以及該配向電極彼此相電性分離。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)，包括至少一像素電極與至少一配向電極。像素電極設(shè)于一基板上，且像素電極具有一中心開口。配向電極設(shè)于像素電極與基板之間，其包括一配向部設(shè)于中心開口下方并對(duì)應(yīng)中心開口。配向電極的配向電壓大于像素電極的像素電壓。本發(fā)明的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)利用配向電極進(jìn)行多區(qū)域配向，因此不需設(shè)置配向凸塊。另外，像素結(jié)構(gòu)利用第一共通電極進(jìn)行像素結(jié)構(gòu)邊緣的配向，因此具有較佳的整體配向效果以及較快速的反應(yīng)時(shí)間，并且第一共通電極的設(shè)置可縮小配向電極的尺寸，提高像素結(jié)構(gòu)的開口率。此外，配向電極與像素電極的制造工藝極限較配向凸塊的制造工藝極限為高，因此將配向電極設(shè)置于高解析度的液晶顯示面板時(shí)不會(huì)影響解析度。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101354503SQ20081016103
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2008年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月24日
發(fā)明者劉松高, 林敬桓, 林祥麟, 胡至仁 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司