專(zhuān)利名稱(chēng)：像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤指一種以摻雜半導(dǎo)體材料來(lái)形成像 素電極的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器由于具有輕薄短小、低輻射與低耗電等特性，已取代傳統(tǒng)陰極射線(xiàn) 管顯示器成為顯示器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。一般說(shuō)來(lái)，液晶顯示面板主要包括一薄膜晶體管 的數(shù)組基板、一彩色濾光片基板，以及填充于數(shù)組基板與彩色濾光片基板之間的液晶分 子層。數(shù)組基板包括多個(gè)呈數(shù)組排列的像素，且每一像素是利用多條平行的掃描線(xiàn)與 多條與掃描線(xiàn)垂直的平行數(shù)據(jù)線(xiàn)定義而成，并以薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)元件，利用一像素 電極驅(qū)動(dòng)各像素上方的液晶分子作不同程度的旋轉(zhuǎn)以調(diào)整各像素的亮度，同時(shí)利用彩色 濾光片基板上與各像素對(duì)應(yīng)設(shè)置的紅色、綠色與藍(lán)色濾光片使各像素產(chǎn)生不同亮度的紅 色、綠色與藍(lán)色光線(xiàn)，進(jìn)而輸出高畫(huà)質(zhì)的彩色影像。
現(xiàn)今像素結(jié)構(gòu)中的的薄膜晶體管主要包括一柵極電極、一源極、一漏極以及一 做為晶體管溝道的非晶硅(amorphous silicon)層。然而，隨著顯示裝置朝著大尺寸、高分 辨率以及低動(dòng)態(tài)殘影等方向前進(jìn)，由非晶硅層所構(gòu)成的薄膜晶體管在導(dǎo)電性、穩(wěn)定性、 低漏電、以及透光率等條件上已漸漸無(wú)法滿(mǎn)足目前顯示裝置的要求。其次，像素結(jié)構(gòu)中 的像素電極通常是由氧化銦錫(ITO)等透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成。氧化銦錫中的銦屬稀有金 屬，在長(zhǎng)久使用下容易遭遇原料短缺及價(jià)格高昂的問(wèn)題。此外，以現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)制造過(guò)程 來(lái)制作像素結(jié)構(gòu)時(shí)，通常需要五道以上的光罩來(lái)定義出像素結(jié)構(gòu)中的各元件圖案，包括 柵極、源極/漏極、溝道、像素電極以及接觸洞等，在繁瑣的制造過(guò)程步驟下不但無(wú)法 提升薄膜晶體管的效能，又同時(shí)耗費(fèi)制作成本。發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)上述傳統(tǒng)制造過(guò)程中制作像素結(jié)構(gòu)所遇到的瓶頸，本發(fā)明提 供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
一種制作像素結(jié)構(gòu)的方法，包括有下列步驟。首先提供一基板，且基板上具有 一晶體管區(qū)以及一像素區(qū)。然后形成至少一柵極電極于基板上的晶體管區(qū)，接著形成一 絕緣層于基板上并覆蓋柵極電極，然后形成一圖案化半導(dǎo)體層于絕緣層表面的晶體管區(qū) 及像素區(qū)以及在與柵極電極對(duì)應(yīng)的部分圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化第一保護(hù)層，和 將未被圖案化第一保護(hù)層覆蓋的圖案化半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)換為一具有摻雜的半導(dǎo)體層，具有摻 雜的半導(dǎo)體層分別作為一晶體管的一源極和一像素電極，被圖案化第一保護(hù)層覆蓋的圖 案化半導(dǎo)體層作為源極和像素電極之間的一溝道。
一種像素結(jié)構(gòu)，其包括一基板，具有一晶體管區(qū)以及一像素區(qū)；至少一柵極 電極設(shè)于基板上的晶體管區(qū)；一絕緣層設(shè)于柵極電極與基板上；以及一半導(dǎo)體層設(shè)于晶 體管區(qū)及像素區(qū)的絕緣層上，其中像素區(qū)的半導(dǎo)體層具有摻雜以用來(lái)作為一像素電極，部分的晶體管區(qū)的半導(dǎo)體層具有摻雜以用來(lái)作為一源極，部分的晶體管區(qū)的半導(dǎo)體層不 具有摻雜以用來(lái)作為源極和像素電極之間的一溝道。
根據(jù)本發(fā)明所揭露的一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，可同時(shí)在像素結(jié)構(gòu)的晶體管 區(qū)及像素區(qū)制作出所需的晶體管溝道及像素電極，而不需分別制作出晶體管區(qū)的溝道及 像素區(qū)的像素電極，在制造過(guò)程上不但可簡(jiǎn)化制造過(guò)程步驟，又可達(dá)到降低材料成本的 功效。


圖1 圖5是本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施方式的制造方法的主要步驟示意圖。
圖6是圖5所示像素結(jié)構(gòu)的掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)交界處的示意圖。
圖7是本發(fā)明另一實(shí)施方式像素結(jié)構(gòu)的掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)交界處的示意圖。
圖8是圖7沿切線(xiàn)BB’的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖5，圖1至圖5為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施例的制造方法的主 要步驟的示意圖。如圖1所示，首先提供一基板12，基板12可包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材 料，例如玻璃、石英、塑料、樹(shù)脂、壓克力等材質(zhì)，且基板12上具有一晶體管區(qū)14、一 像素區(qū)16以及一導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18。然后形成多個(gè)柵極電極20于基板12上的晶體管區(qū)14以及多 個(gè)導(dǎo)電圖案60于基板12上的導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18。其中，柵極電極20及導(dǎo)電圖案60的制作方式 可先形成一由金屬所構(gòu)成的導(dǎo)電材料層(圖未示)在基板12上，此金屬材料可包括鎢、 鉬、鎢鉬合金、鋁鉬合金、鋁鈦合金等材料，然后搭配進(jìn)行一微影暨刻蝕制造過(guò)程，去 除部分的導(dǎo)電材料層(圖未示)，以于基板12上形成多條掃描線(xiàn)(圖未示)與多個(gè)薄膜晶 體管的柵極電極20及導(dǎo)電圖案60。
接著如圖2至圖3所示，形成一做為薄膜晶體管的柵極絕緣層的絕緣層22于基 板12上并覆蓋各柵極電極20及各導(dǎo)電圖案60，且絕緣層22較佳由氧化硅所構(gòu)成。然后 依序沉積一透明的半導(dǎo)體層M與一第一保護(hù)層沈在絕緣層22上，并對(duì)半導(dǎo)體層M及第 一保護(hù)層26進(jìn)行一圖案轉(zhuǎn)移制造過(guò)程，以于絕緣層22上形成一圖案化半導(dǎo)體層34與圖 案化第一保護(hù)層36。其中，半導(dǎo)體層M主要由銦鎵鋅氧化物CtnGaZnO)所構(gòu)成，而第 一保護(hù)層沈則可由氧化硅所構(gòu)成。
在本實(shí)施例中，形成圖案化半導(dǎo)體層34及圖案化第一保護(hù)層36的較佳步驟是先 以一半透型(half-tone)光罩(圖未示)形成一具有不同厚度的第一圖案化光致抗蝕劑層 28在第一保護(hù)層沈上，其中第一圖案化光致抗蝕劑層觀的第一部位30相對(duì)應(yīng)設(shè)于晶體 管區(qū)14內(nèi)的柵極電極20上方，而第一圖案化光致抗蝕劑層觀的第二部位32則分別設(shè)于 像素區(qū)16與晶體管區(qū)14內(nèi)源極/漏極的預(yù)定位置，且第一圖案化光致抗蝕劑層觀的第 一部位30的厚度大于第二部位32的厚度。然后進(jìn)行一刻蝕制造過(guò)程，例如一干刻蝕或 濕刻蝕制造過(guò)程，利用第一圖案化光致抗蝕劑層觀去除晶體管區(qū)14及像素區(qū)16以外的 第一保護(hù)層沈及半導(dǎo)體層M，并使剩余的半導(dǎo)體層M形成圖案化半導(dǎo)體層34。隨后利 用灰化(ashing)制造過(guò)程以非等向性縮減第一圖案化光致抗蝕劑層觀的厚度，亦即去除 第一圖案化光致抗蝕劑層觀設(shè)于晶體管區(qū)14及像素區(qū)16中的第二部位32，并縮減第一5圖案化光致抗蝕劑層觀的第一部位30的厚度。之后，再利用第一圖案化光致抗蝕劑層 28剩余在晶體管區(qū)14的柵極電極20上方的第一部位30當(dāng)作刻蝕屏蔽，去除晶體管區(qū)14 以外的第一保護(hù)層26，以形成一圖案化第一保護(hù)層36，并通過(guò)圖案化第一保護(hù)層36于晶 體管區(qū)14內(nèi)的圖案化半導(dǎo)體層34中定義出一溝道區(qū)38。然后完全去除剩余的第一圖案 化光致抗蝕劑層28。
值得注意的是，本實(shí)施例是采用半透型光罩來(lái)形成具有不同厚度的第一圖案化 光致抗蝕劑層觀，然后再以此第一圖案化光致抗蝕劑層觀來(lái)進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移并形成圖案化 半導(dǎo)體層34與圖案化第一保護(hù)層36。換句話(huà)說(shuō)，本發(fā)明僅需一道半透型光罩便可將半導(dǎo) 體層M與第一保護(hù)層沈進(jìn)行圖案化，以制作出所需的圖案化半導(dǎo)體層34及圖案化第一 保護(hù)層36。但不局限于此，本發(fā)明的其它實(shí)施例又可依照傳統(tǒng)制造過(guò)程以?xún)傻拦庹值姆?式來(lái)分別形成圖案化半導(dǎo)體層34與設(shè)于其上的圖案化第一保護(hù)層36，此作法也屬本發(fā)明 所涵蓋的范圍。
然后如圖4所示，進(jìn)行一化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)制造過(guò)程以于基板12上全面性形成一第二保護(hù)層40并覆蓋圖案化第一保護(hù)層36、圖案化半導(dǎo)體 層34及絕緣層22。依據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，第二保護(hù)層40包括氮化硅，且覆蓋第二 保護(hù)層40于圖案化半導(dǎo)體層34上的時(shí)候，較佳是在化學(xué)氣相沉積制造過(guò)程中引入一含有 氫原子的氣體，使氫原子植入未覆蓋圖案化第一保護(hù)層36的圖案化半導(dǎo)體層34中以形成 具有摻雜的半導(dǎo)體層。
在本實(shí)施例中，由于圖案化第一保護(hù)層36所覆蓋的圖案化半導(dǎo)體層34在上述 第二保護(hù)層40沉積的過(guò)程中并不會(huì)被植入摻雜，因此較佳做為本發(fā)明薄膜晶體管的溝道 42，而晶體管區(qū)14及像素區(qū)16中未覆蓋有圖案化第一保護(hù)層36的部分圖案化半導(dǎo)體層 34則較佳分別做為薄膜晶體管的源極44以及像素區(qū)16的像素電極46。換句話(huà)說(shuō)，本發(fā) 明利用圖案化第一保護(hù)層36的遮蔽，可在沉積第二保護(hù)層40的過(guò)程中將原本的圖案化半 導(dǎo)體層34同時(shí)制作出薄膜晶體管的源極44與溝道42以及一像素電極46。此外，本發(fā)明 亦可利用圖案化第一保護(hù)層36的遮蔽，直接實(shí)施一離子注入制造過(guò)程或高濃度等離子摻 雜制造過(guò)程，以對(duì)未覆蓋有圖案化第一保護(hù)層36的部分圖案化半導(dǎo)體層34進(jìn)行摻雜，而 形成薄膜晶體管的源極44以及像素區(qū)16的像素電極46，之后再沉積第二保護(hù)層40，此 等作法同屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
然后如圖4至圖5所示，對(duì)第二保護(hù)層40進(jìn)行一微影暨刻蝕制造過(guò)程，以于第 二保護(hù)層40中形成多個(gè)接觸洞48，隨后再形成一金屬層(圖未示)于第二保護(hù)層40上并 同時(shí)填入該金屬層于各接觸洞48中，所述的金屬層可由鎢、鉬、鎢鉬合金、鋁鉬合金、 鋁鈦合金等金屬材料所構(gòu)成，隨后再對(duì)該金屬層進(jìn)行一微影暨刻蝕制造過(guò)程，以于晶體 管區(qū)14的接觸洞48中與晶體管區(qū)14外的第二保護(hù)層40上形成一導(dǎo)線(xiàn)50，例如為信號(hào)線(xiàn) (data or signal line)，以及于導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18的接觸洞48中與導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18外的第二保護(hù)層40上形 成另一導(dǎo)線(xiàn)52，用來(lái)當(dāng)作與驅(qū)動(dòng)集成電路(driving IC)或軟性印刷電路版(Flexible Printed Circuit, FPC)等互相電性連接以對(duì)外提供信號(hào)的輸入以及輸出的接觸墊結(jié)構(gòu)，或者是傳 輸共通參考電壓(Vcom)的導(dǎo)線(xiàn)，隨后并搭配進(jìn)行一熱處理制造過(guò)程，例如一升溫退火 (anneal)制造過(guò)程。此外，本發(fā)明在形成上述導(dǎo)線(xiàn)50與導(dǎo)線(xiàn)52時(shí)同時(shí)在掃描線(xiàn)62及數(shù) 據(jù)線(xiàn)64交界處形成一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，如圖6所示。圖6為本發(fā)明上述實(shí)施例于掃描線(xiàn)62與數(shù)據(jù)線(xiàn)64交界處的示意圖，其中掃描線(xiàn)62具有一突出部，用來(lái)當(dāng)作柵極電極20，而圖5 的晶體管區(qū)14與像素區(qū)16所揭露的結(jié)構(gòu)即為圖6中沿著切線(xiàn)AA’的剖面示意圖。
在本實(shí)施例中，形成接觸洞48、導(dǎo)線(xiàn)50與導(dǎo)線(xiàn)52的制造過(guò)程，如圖4、圖5及 圖6所示，可以一半透型光罩來(lái)形成一具有不同厚度的第二圖案化光致抗蝕劑層M在第 二保護(hù)層40上并定義出一接觸洞區(qū)(如圖6中接觸洞區(qū)48)，其中接觸洞區(qū)也可以是兩 個(gè)或兩個(gè)以上。第二圖案化光致抗蝕劑層M的第三部位58設(shè)于數(shù)據(jù)線(xiàn)64的第二保護(hù)層 40上，第二圖案化光致抗蝕劑層M的第四部位56設(shè)于接觸洞區(qū)48及數(shù)據(jù)線(xiàn)64以外的第 二保護(hù)層40上，其中第二圖案化光致抗蝕劑層M的第四部位56的厚度大于第三部位58 的厚度。然后進(jìn)行一刻蝕制造過(guò)程，例如一干刻蝕或濕刻蝕制造過(guò)程，利用第二圖案化 光致抗蝕劑層M當(dāng)作屏蔽去除晶體管區(qū)14的部分第二保護(hù)層40及導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18的部分第二 保護(hù)層40及絕緣層22以形成多個(gè)接觸洞48。隨后利用灰化制造過(guò)程縮減第二圖案化光 致抗蝕劑層M的厚度以及去除第二圖案化光致抗蝕劑層M的第三部位58，并沉積一金屬 層(圖未示)在接觸洞48中、第二保護(hù)層40上及第二圖案化光致抗蝕劑層M上。接著 利用剝離(lift-off)技術(shù)一起去除第二圖案化光致抗蝕劑層M及設(shè)于第二圖案化光致抗蝕 劑層M上的部分金屬層，并搭配進(jìn)行一熱處理制造過(guò)程，例如一升溫退火制造過(guò)程，以 于晶體管區(qū)14及導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18分別形成一導(dǎo)線(xiàn)50與導(dǎo)線(xiàn)52，以及第二保護(hù)層上形成一數(shù)據(jù) 線(xiàn)64圖案。本實(shí)施例僅需一道半透型光罩便可將第二保護(hù)層40與金屬層進(jìn)行圖案化， 以制作出所需的接觸洞48、導(dǎo)線(xiàn)50、導(dǎo)線(xiàn)52及數(shù)據(jù)線(xiàn)64。
請(qǐng)接著參照?qǐng)D7，圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例于掃描線(xiàn)62與數(shù)據(jù)線(xiàn)64交界處形成 一導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的示意圖，其中圖8的晶體管區(qū)14與像素區(qū)16所揭露的結(jié)構(gòu)即為圖7中沿著 切線(xiàn)BB’的剖面示意圖。
在本實(shí)施例中，如圖8所示，本發(fā)明又可用一道一般光罩來(lái)將第二保護(hù)層40與 金屬層進(jìn)行圖案化，以制作出所需的接觸洞48、導(dǎo)線(xiàn)50、導(dǎo)線(xiàn)52及數(shù)據(jù)線(xiàn)64，并制作出 埋藏于第二保護(hù)層40中的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，可先利用一般光罩形成一圖案化光致抗 蝕劑層(圖未示)在第二保護(hù)層40上，接著直接進(jìn)行一刻蝕制造過(guò)程，例如一干刻蝕或 濕刻蝕制造過(guò)程，利用圖案化光致抗蝕劑層(圖未示)當(dāng)作屏蔽去除晶體管區(qū)14的部分 第二保護(hù)層40、接觸洞區(qū)(如圖7中接觸洞區(qū)48)的部分第二保護(hù)層40與絕緣層22以及 導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18的部分第二保護(hù)層40與絕緣層22以形成多個(gè)接觸洞48。然后沉積一金屬層 (圖未示)在接觸洞48中及圖案化光致抗蝕劑層(圖未示)上并以剝離(lift-off)技術(shù)一 起去除圖案化光致抗蝕劑層(圖未示)及設(shè)于圖案化光致抗蝕劑層(圖未示)上的部分金 屬層(圖未示)，隨后并搭配進(jìn)行一熱處理制造過(guò)程，例如一升溫退火制造過(guò)程，以于晶 體管區(qū)14及導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18分別形成一導(dǎo)線(xiàn)50與導(dǎo)線(xiàn)52，以及于接觸洞區(qū)形成一設(shè)于接觸洞 48中的數(shù)據(jù)線(xiàn)64圖案。
在本實(shí)施例中，掃描線(xiàn)62與數(shù)據(jù)線(xiàn)64交界處的數(shù)據(jù)線(xiàn)64與絕緣層22之間雖設(shè) 有一具有摻雜的圖案化半導(dǎo)體層；34當(dāng)作阻隔，但不局限這個(gè)設(shè)計(jì)，又可由一個(gè)不具有摻 雜的圖案化半導(dǎo)體層34取代具有摻雜的圖案化半導(dǎo)體層34，此設(shè)計(jì)也屬本發(fā)明所涵蓋的 范圍。
如圖5所示，本發(fā)明另揭露一種像素結(jié)構(gòu)，其包括一具有晶體管區(qū)14、像素區(qū) 16以及導(dǎo)線(xiàn)區(qū)18的基板12、至少一柵極電極20設(shè)于基板12上的晶體管區(qū)14、一絕緣層22設(shè)于柵極電極20與基板12上、一圖案化半導(dǎo)體層34設(shè)于晶體管區(qū)14及像素區(qū)16的 絕緣層22上、一圖案化第一保護(hù)層36設(shè)于晶體管區(qū)14的圖案化半導(dǎo)體層34上以及一第 二保護(hù)層40設(shè)于圖案化第一保護(hù)層36、圖案化半導(dǎo)體層34及絕緣層22上。其中，圖案 化半導(dǎo)體層34主要由銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)所構(gòu)成、圖案化第一保護(hù)層36是由氧化 硅所構(gòu)成而第二保護(hù)層40則由氮化硅所構(gòu)成。另外在本實(shí)施例中，由圖案化第一保護(hù)層 36所遮蔽的部分圖案化半導(dǎo)體層34較佳定義出一薄膜晶體管的溝道42，且此溝道42是 為一不具有摻雜的半導(dǎo)體層。部分晶體管區(qū)14及像素區(qū)16的圖案化半導(dǎo)體層34則具有 摻雜，分別作為薄膜晶體管的源極44與一像素電極46。
綜上所述，本發(fā)明所揭露的像素結(jié)構(gòu)較佳以銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)所構(gòu)成 的透明半導(dǎo)體材料來(lái)取代原本作為薄膜晶體管溝道的非晶硅層以及在像素區(qū)用來(lái)作為 像素電極的氧化銦錫(ITO)材料，并通過(guò)特殊的半導(dǎo)體材料層來(lái)提升薄膜晶體管的充 電能力及降低漏電。此外，依據(jù)上述制造過(guò)程，本發(fā)明可在一道微影暨刻蝕制造過(guò)程 (photo-etching process, PEP)下就同時(shí)在像素結(jié)構(gòu)的晶體管區(qū)及像素區(qū)制作出所需的薄 膜晶體管溝道及像素電極，而不需分別以非晶硅及氧化銦錫等材料來(lái)制作出薄膜晶體管 的溝道及像素區(qū)的像素電極，且在搭配半透式光罩的應(yīng)用下可僅用三道光罩就完成整個(gè) 像素結(jié)構(gòu)的制作，在制造過(guò)程上不但可簡(jiǎn)化制造過(guò)程步驟，又可降低材料成本。最后， 由于本發(fā)明所揭露的銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體材料屬于一透明材料層，又可與柵極絕緣層與 門(mén)極電極等元件一同構(gòu)成一儲(chǔ)存電容，并可在不影響開(kāi)口率的情況下提供良好的儲(chǔ)存電 容能力并提升面板效能。
權(quán)利要求
1.一種制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其包括提供一基板，該基板上具有一晶體管區(qū)以及一像素區(qū)； 形成至少一柵極電極于該基板上的該晶體管區(qū)； 形成一絕緣層于該基板上并覆蓋該柵極電極； 形成一圖案化半導(dǎo)體層于該絕緣層表面的該晶體管區(qū)及該像素區(qū)； 在與該柵極電極對(duì)應(yīng)的部分該圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化第一保護(hù)層；和 將未被該圖案化第一保護(hù)層覆蓋的該圖案化半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)換為一具有摻雜的半導(dǎo)體 層，該具有摻雜的半導(dǎo)體層分別作為一晶體管的一源極和一像素電極，被該圖案化第一 保護(hù)層覆蓋的該圖案化半導(dǎo)體層作為該源極和該像素電極之間的一溝道。
2.如權(quán)利要求1所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于該圖案化半導(dǎo)體層包括 銦鎵鋅氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于將未被該圖案化第一保 護(hù)層覆蓋的該圖案化半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)換為該具有摻雜的半導(dǎo)體層的步驟具體包括進(jìn)行一化 學(xué)氣相沉積制造過(guò)程于該基板上形成一第二保護(hù)層并覆蓋該第一保護(hù)層、該半導(dǎo)體層及 該絕緣層，且在該化學(xué)氣相沉積制造過(guò)程中引入一含有氫原子的氣體，使該氫原子植入 未覆蓋該圖案化第一保護(hù)層的該半導(dǎo)體層中。
4.如權(quán)利要求1所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于形成一圖案化半導(dǎo)體層 于該絕緣層表面的該晶體管區(qū)及該像素區(qū)的步驟具體包括形成一半導(dǎo)體層于該絕緣層表面； 覆蓋一第一保護(hù)層于該半導(dǎo)體層上；形成一具有不同厚度的第一圖案化光致抗蝕劑層于該第一保護(hù)層上，其中該第一圖 案化光致抗蝕劑層的一第一部位設(shè)于該晶體管區(qū)內(nèi)，而該第一圖案化光致抗蝕劑層的一 第二部位設(shè)于該像素電極區(qū)，且該第一圖案化光致抗蝕劑層的該第一部位的厚度大于該 第二部位的厚度；進(jìn)行一刻蝕制造過(guò)程，利用該第一圖案化光致抗蝕劑層去除該晶體管區(qū)及該像素區(qū) 以外的該第一保護(hù)層及該半導(dǎo)體層，使剩余的該半導(dǎo)體層形成該圖案化半導(dǎo)體層； 去除該第一圖案化光致抗蝕劑層設(shè)于該像素區(qū)的該第二部位； 利用該第一圖案化光致抗蝕劑層設(shè)于該晶體管區(qū)的該第一部位去除該晶體管區(qū)以外 的該第一保護(hù)層，以形成該圖案化第一保護(hù)層并于該晶體管區(qū)內(nèi)的該半導(dǎo)體層中定義出 一溝道區(qū)；以及完全去除該第一圖案化光致抗蝕劑層。
5.如權(quán)利要求4所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于利用一半透型光罩形成 該具有不同厚度的第一圖案化光致抗蝕劑層。
6.如權(quán)利要求3所述的制作像素結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于形成該具有摻雜的半導(dǎo) 體層后進(jìn)一步包括形成一具有不同厚度的第二圖案化光致抗蝕劑層于該第二保護(hù)層上并定義出一接觸 洞區(qū)，其中該第二圖案化光致抗蝕劑層的一第三部位設(shè)于一導(dǎo)線(xiàn)區(qū)，而該第二圖案化光 致抗蝕劑層的一第四部位設(shè)于該接觸洞區(qū)及該導(dǎo)線(xiàn)區(qū)以外的該第二保護(hù)層上，且該第二 圖案化光致抗蝕劑層的該第四部位的厚度大于該第三部位的厚度；利用該第二圖案化光致抗蝕劑層去除部分該第二保護(hù)層及部分該絕緣層以形成一接 觸洞；去除該第二圖案化光致抗蝕劑層的該第三部位；形成一金屬層于該第二圖案化光致抗蝕劑層上、該第二保護(hù)層上及該接觸洞中； 去除該第二圖案化光致抗蝕劑層及設(shè)于該第二圖案化光致抗蝕劑層上的該金屬層；以及進(jìn)行一熱處理。
7.—種像素結(jié)構(gòu)，其包括一基板，具有一晶體管區(qū)以及一像素區(qū)； 至少一柵極電極設(shè)于該基板上的該晶體管區(qū)； 一絕緣層設(shè)于該柵極電極與該基板上；以及一半導(dǎo)體層設(shè)于該晶體管區(qū)及該像素區(qū)的該絕緣層上，其特征在于該像素區(qū)的該 半導(dǎo)體層具有摻雜以用來(lái)作為一像素電極，部分的該晶體管區(qū)的該半導(dǎo)體層具有摻雜以 用來(lái)作為一源極，另一部分的該晶體管區(qū)的該半導(dǎo)體層不具有摻雜以用來(lái)作為該源極和 該像素電極之間的一溝道。
8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該溝道上設(shè)有一第一保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括設(shè)于該第一保護(hù)層、該絕緣 層及該半導(dǎo)體層上的一第二保護(hù)層。
10.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。首先提供一基板，且基板上具有一晶體管區(qū)以及一像素區(qū)。然后形成至少一柵極電極于基板上的晶體管區(qū)、形成一絕緣層于基板上并覆蓋柵極電極、形成一圖案化半導(dǎo)體層于絕緣層表面的晶體管區(qū)及像素區(qū)以及在與柵極電極對(duì)應(yīng)的部分圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化第一保護(hù)層，和將未被圖案化第一保護(hù)層覆蓋的圖案化半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)換為一具有摻雜的半導(dǎo)體層，具有摻雜的半導(dǎo)體層分別作為一晶體管的一源極和一像素電極，被圖案化第一保護(hù)層覆蓋的圖案化半導(dǎo)體層作為源極和像素電極之間的一溝道。于此，本發(fā)明在制造過(guò)程上不但可簡(jiǎn)化制造過(guò)程步驟，又可降低材料成本。
文檔編號(hào)H01L29/24GK102024757SQ200910307438
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月22日
發(fā)明者徐柏清 申請(qǐng)人:群創(chuàng)光電股份有限公司, 群康科技(深圳)有限公司