一種azo導(dǎo)電玻璃以及觸控裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于導(dǎo)電玻璃技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種AZO導(dǎo)電玻璃及觸控裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]AZO玻璃，即摻雜鋁的氧化鋅透明導(dǎo)電玻璃，是TCO玻璃的一種，和ITO等TCO玻璃一樣也具有透明和導(dǎo)電的特點，可用于生產(chǎn)觸摸屏器件。傳統(tǒng)的AZO玻璃在與ITO具有相同導(dǎo)電性的情況下，刻蝕紋明顯，顯示效果欠佳。并且在大尺寸觸摸屏的應(yīng)用中，由AZO膜層形成的觸控結(jié)構(gòu)層容易受到液晶顯示結(jié)構(gòu)層的電磁干擾，影響觸摸檢測精度和響應(yīng)速度。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種AZO導(dǎo)電玻璃，旨在消除刻蝕紋并提高其抗電磁干擾能力。
[0004]本實用新型是這樣實現(xiàn)的，一種AZO導(dǎo)電玻璃，包括玻璃基片、鍍制于所述玻璃基片一表面的消影層以及鍍制在所述消影層表面的第一 AZO導(dǎo)電層，還包括鍍制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二 AZO導(dǎo)電層。
[0005]進一步的，所述第一 AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層的厚度各為50?300nm，對550nm的折射率為1.80?1.95，電阻率為5 X 10_4 Ω/cm。
[0006]所述第一 AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層的材料為2%摻雜的氧化鋅鋁。
[0007]所述消影層包括自所述玻璃基片表面依次層疊的五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，所述五氧化二銀膜層的厚度為5?50nm，所述二氧化娃膜層的厚度為10?60nm ;所述五氧化二鈮膜層對550nm的折射率為2.20?2.40，所述二氧化硅膜層對550nm的折射率為1.40 ?1.50。
[0008]本實用新型的另一目的在于提供一種觸控裝置，包括觸控模塊和顯示模塊，所述觸控模塊包括所述的AZO導(dǎo)電玻璃，所述第一 AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層蝕刻成觸控電極。
[0009]該所述第二 AZO導(dǎo)電層還用于屏蔽所述顯示模塊對所述觸控模塊的電磁干擾。
[0010]本實用新型所述的AZO導(dǎo)電玻璃中，第二 AZO導(dǎo)電層與消影層和第一 AZO導(dǎo)電層設(shè)置于玻璃基片的異側(cè)，在觸控裝置的應(yīng)用中，第二 AZO導(dǎo)電層下方通常設(shè)有液晶顯示模塊，由于其顯示驅(qū)動電極的存在，通常對上方的觸控結(jié)構(gòu)產(chǎn)生電磁干擾，本實施例中的第二AZO導(dǎo)電層可作為液晶顯示結(jié)構(gòu)與觸控結(jié)構(gòu)之間的屏蔽層，防止觸控結(jié)構(gòu)受到電磁干擾，提高下游顯示產(chǎn)品的顯示效果。并且通過對AZO材料的應(yīng)用，使在電子顯示領(lǐng)域替代ITO應(yīng)用成為可能，可以解決ITO儲量有限，價格昂貴等問題。
【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型實施例提供的AZO導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實用新型實施例提供的AZO導(dǎo)電玻璃的制作流程圖。
【具體實施方式】
[0013]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0014]以下結(jié)合具體實施例對本實用新型的具體實現(xiàn)進行詳細描述:
[0015]請參考圖1，本實用新型實施例提供一種AZO導(dǎo)電玻璃，包括玻璃基片01、鍍制于玻璃基片01 —表面的消影層02以及鍍制在所述消影層02表面的第一 AZO導(dǎo)電層03，還包括鍍制于所述玻璃基片01的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二 AZO導(dǎo)電層04。該AZO導(dǎo)電玻璃可用于觸控顯示裝置中作為觸控電極結(jié)構(gòu)層，其中的第一 AZO導(dǎo)電層03和第二AZO導(dǎo)電層04蝕刻成觸控電極。其中，消影層02位于第一 AZO導(dǎo)電層03和玻璃基片01之間，可見光在第一 AZO導(dǎo)電層03表面和未被第一 AZO導(dǎo)電層03覆蓋的基材表面上發(fā)生相消干涉從而可以消除刻蝕紋，可以大幅減輕刻蝕紋的干擾，顯示清晰細膩的畫面。第二 AZO導(dǎo)電層04則可以在起到觸控功能的同時提高觸摸屏的抗干擾能力。
[0016]本實施例所述的AZO導(dǎo)電玻璃中，第二 AZO導(dǎo)電層04與消影層02和第一 AZO導(dǎo)電層03設(shè)置于玻璃基片01的異側(cè)，在觸控裝置的應(yīng)用中，第二 AZO導(dǎo)電層04下方通常設(shè)有液晶顯示模塊，由于其顯示驅(qū)動電極的存在，通常對上方的觸控結(jié)構(gòu)產(chǎn)生電磁干擾，本實施例中的第二 AZO導(dǎo)電層04可作為液晶顯示結(jié)構(gòu)與觸控結(jié)構(gòu)之間的屏蔽層，防止觸控結(jié)構(gòu)受到電磁干擾，提高下游顯示產(chǎn)品的顯示效果。并且通過對AZO材料的應(yīng)用，使在電子顯示領(lǐng)域替代ITO應(yīng)用成為可能，可以解決ITO儲量有限，價格昂貴等問題。
[0017]在本實施例中，第一 AZO導(dǎo)電層03和第二 AZO導(dǎo)電層04的材料均為2 %摻雜的氧化鋅鋁。第一 AZO導(dǎo)電層03和第二 AZO導(dǎo)電層04的厚度各為50?300nm，對550nm的折射率為1.80?1.95，電阻率為5Χ1(Γ4Ω/οιι。
[0018]在本實施例中，消影層02包括自所述玻璃基片01表面依次層疊的五氧化二鈮膜層021和二氧化娃膜層022，所述五氧化二銀膜層021的厚度為5?50nm，所述二氧化娃膜層022的厚度為10?60nm ;五氧化二鈮膜層021對550nm的折射率為2.20?2.40，二氧化硅膜層022對550nm的折射率為1.40?1.50。僅采用該消影層02時對可見光的反射率和消影層02表面設(shè)有第一 AZO導(dǎo)電層03時對可見光的反射率之差可低于2%，可以很好的消除刻蝕紋。
[0019]該AZO導(dǎo)電玻璃可通過下述方式制作，具體步驟如下:
[0020]在步驟SlOl中，選取玻璃原片并對其進行鍍膜前處理，獲得玻璃基片01 ；
[0021]具體的，可以采用厚度為0.5?2.0mm的鈉鈣硅玻璃、硼硅玻璃或鋁硅玻璃，具體厚度可以為0.5mm, 0.7mm, 1.1mm等。再將所需厚度的電子玻璃原片經(jīng)切割成所需尺寸，再經(jīng)磨邊、研磨、清洗得到鍍膜所需的玻璃基片01。
[0022]在步驟S102中，通過中頻交流磁控濺射法在所述玻璃基片01的一表面鍍制消影層02 ；
[0023]在步驟S103中，通過直流磁控濺射法在所述消影層02的表面鍍制第一 AZO導(dǎo)電層03 ；
[0024]在步驟S104中，通過直流磁控濺射法在所述玻璃基片01的另一表面鍍制第二 AZO導(dǎo)電層04，獲得AZO導(dǎo)電玻璃。
[0025]在上述步驟S102中，將準備好的玻璃基片01放在傳動小車上，設(shè)定傳動小車走速，進入真空鍍膜機，經(jīng)過腔體的加熱段加熱到150°C左右步入五氧化二鈮靶位，優(yōu)選Ar氣量在200SCCm，優(yōu)選O2氣量在lOOsccm，優(yōu)選濺射氣壓在3 X 10 _3，所用靶材為孿生靶，采用中頻交流磁控濺射在玻璃基片01錫面上鍍制五氧化二鈮膜層021，控制膜厚在10nm。在鍍制完五氧化二銀后進入娃革巴革巴位，優(yōu)選Ar氣量在200sccm, O2氣量控制采用PID控制，控制電壓在420V，優(yōu)選濺射氣壓在3 X 1-3,所用靶材為孿生靶，采用中頻交流磁控濺射在五氧化二鈮膜層021上鍍制二氧化硅膜層022，控制膜厚在25nm。
[0026]在本實施例中，采用2%摻雜的AZO且在300?400 °C高溫和4X 10_3?7X 10 _3高濺射氣壓下鍍制AZO膜層，可以獲得低電阻率的第一 AZO導(dǎo)電層03和第二 AZO導(dǎo)電層04，可使其電阻率控制在5 X 1(Γ4Ω/cm左右。
[0027]具體地，在上述步驟S103中，鍍好消影層02的玻璃基片01繼續(xù)經(jīng)過加熱段，在溫度達到350°C左右進入AZO靶位，AZO靶為2%以上摻雜，優(yōu)選Ar氣量在300sccm，優(yōu)選濺射氣壓在5 X 10_3，為高溫高壓濺射工藝，采用直流磁控濺射在二氧化硅膜層022上鍍制第一 AZO導(dǎo)電層03，控制膜厚在220nm。
[0028]在上述步驟S104中，在玻璃基片01的空氣面上鍍制第二 AZO導(dǎo)電層04，具體工藝為玻璃基片01溫度達到350 °C，優(yōu)選Ar氣量在300sCCm，優(yōu)選濺射氣壓在5X 10_3，采用直流磁控濺射鍍制第二 AZO導(dǎo)電層04，控制膜厚在lOOnm。
[0029]在其他實施例中，以1.0_厚的鈉鈣硅玻璃為玻璃基片01，運用磁控濺射鍍膜機，在選定的玻璃基片01的錫面采用中頻交流磁控濺射鍍制消影層02 (折射率匹配層)，Ar氣量在180sccm，O2氣量在60sccm，保證濺射氣壓在2.5 X 10 _3，所用鈮靶為孿生靶，采用中頻交流磁控濺射在玻璃基片01上鍍制五氧化二鈮膜層021，此工藝鍍出的膜厚大概在9.5nm。隨后在五氧化二鈮膜層021上鍍制25.0nm 二氧化硅膜層022，優(yōu)選Ar氣量在200sccm，O2氣量控制采用PID控制，控制電壓在420V，優(yōu)選濺射氣壓在2.5 X 10_3，所用靶材為孿生靶，采用中頻交流磁控濺射法。鍍好的折射率匹配層的玻璃基片01繼續(xù)經(jīng)過加熱段，在溫度達到350°C左右進入AZO靶位，AZO靶為2%摻雜，優(yōu)選Ar氣量在300sccm，優(yōu)選濺射氣壓在5.5 X 10_3，采用直流磁控濺射在二氧化硅膜層022上鍍制300nm第一 AZO導(dǎo)電層03。
[0030]通過上述方法制作的AZO導(dǎo)電玻璃，通過消影層02消除了第一 AZO導(dǎo)電層03的刻蝕紋，提高了后續(xù)顯示產(chǎn)品的顯示效果。在玻璃基底的空氣面上加鍍一層第二 AZO導(dǎo)電層04，在起到觸膜功能的同時，增加了觸摸屏器件的抗電磁干擾能力，使其抗電磁干擾能力達到20DB，適用于大尺寸觸摸器件。該制作制備方法操作簡單，成本低廉，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。
[0031]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，包括玻璃基片、鍍制于所述玻璃基片一表面的消影層以及鍍制在所述消影層表面的第一 AZO導(dǎo)電層，還包括鍍制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二 AZO導(dǎo)電層。2.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第一AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層的厚度各為50?300nm，對550nm的折射率為1.80?1.95，電阻率為5Χ1(Γ4Ω/αιι03.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第一AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層的材料為2 %摻雜的氧化鋅鋁。4.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述消影層包括自所述玻璃基片表面依次層疊的五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，所述五氧化二鈮膜層的厚度為5?50nm，所述二氧化娃膜層的厚度為10?60nm ;所述五氧化二銀膜層對550nm的折射率為2.20?2.40，所述二氧化硅膜層對550nm的折射率為1.40?1.50。5.一種觸控裝置，包括觸控模塊和顯示模塊，其特征在于，所述觸控模塊包括權(quán)利要求1?4任一項所述的AZO導(dǎo)電玻璃，所述第一 AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層蝕刻成觸控電極。
【專利摘要】本實用新型適用于觸控技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種AZO導(dǎo)電玻璃，包括玻璃基片、鍍制于所述玻璃基片一表面的消影層以及鍍制在所述消影層表面的第一AZO導(dǎo)電層，還包括鍍制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二AZO導(dǎo)電層。本實用新型所述的AZO導(dǎo)電玻璃在其兩側(cè)各設(shè)置一層AZO導(dǎo)電層，在觸控裝置的應(yīng)用中，由于其顯示驅(qū)動電極的存在，通常對上方的觸控結(jié)構(gòu)產(chǎn)生電磁干擾，該第二AZO導(dǎo)電層可作為液晶顯示結(jié)構(gòu)與觸控結(jié)構(gòu)之間的屏蔽層，防止觸控結(jié)構(gòu)受到電磁干擾，提高下游顯示產(chǎn)品的顯示效果。并且通過對AZO材料的應(yīng)用，使在電子顯示領(lǐng)域替代ITO應(yīng)用成為可能，可以解決ITO儲量有限，價格昂貴等問題。本實用新型還提供一種觸控裝置。
【IPC分類】C03C17/34
【公開號】CN204676000
【申請?zhí)枴緾N201520308811
【發(fā)明人】董清世, 邵世強, 李曉東, 王潤, 陳曦
【申請人】信義光伏產(chǎn)業(yè)(安徽)控股有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年5月13日