專利名稱：涂敷、顯影裝置和涂敷、顯影方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對例如半導體晶片或LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板進行抗蝕劑液的涂敷處理和曝光后的顯影處理等的涂敷·顯影裝置和涂敷·顯影方法，更詳細地講，涉及用于在涂敷·顯影裝置中，從夾設在與曝光裝置之間的接口塊向進行顯影處理的區(qū)域交接曝光后的基板的技術。
背景技術：
作為半導體設備和LCD基板的制造工藝之一，有以下一系列的工序在基板上形成抗蝕劑膜，使用光掩模使該抗蝕劑膜曝光后，通過進行顯影處理，獲得所希望的圖形。這樣的處理，一般使用在進行抗蝕劑液的涂敷和顯影的涂敷·顯影裝置上連接有曝光裝置的抗蝕劑圖形形成裝置進行。作為這樣的裝置，已知的是特開2004-193597號公報中所示的裝置。參照圖1、圖2說明該裝置。在該裝置中，如圖1所示，收納有多片晶片W的承載器C被運入承載塊1A的承載臺11，承載器C內(nèi)的晶片由交接臂12(參照圖2)交接至處理塊1B。然后在處理塊1B中由涂敷單元13A等進行用于形成抗蝕劑膜的一系列處理，接下來經(jīng)由接口塊1C運送至曝光裝置1D。
曝光處理后的晶片，再次返回至處理塊1B，并在顯影單元13B中進行顯影處理，然后返回至原來的承載器C內(nèi)。圖1中，14A～14C為具備用于在涂敷單元13A和顯影單元13B的處理前后對晶片進行規(guī)定的加熱處理和冷卻處理的加熱單元、冷卻單元、和交接臺等的擱板單元。在此，晶片W借助設在處理塊1B上的2個主運送機構15A、15B，在涂敷單元13A、顯影單元13B和擱板單元14A～14C的各部分等的、處理塊1B中放置晶片W的模塊間運送。這時，在對晶片W實施上述處理時，對預定處理的全部晶片W，根據(jù)預先分別確定了在什么時刻運送至哪個模塊的運送計劃進行運送。
圖2是表示該系統(tǒng)中的晶片W的運送路線的說明圖。交接臂12具有把載置在承載臺11上的承載器C內(nèi)的處理前的晶片W運送至交接單元(TRS1)，并把結束顯影后放置在冷卻單元(COL4)中的處理后的晶片W運送至上述承載器C的作用。主運送機構15A、15B具有以疏水化處理單元(ADH)、冷卻單元(COL1)、涂敷單元(COT)、加熱單元(PAB)、交接單元(TRS2)的順序運送交接單元(TRS1)上的晶片W，進而以冷卻單元(COL3)、顯影單元(DEV)、加熱單元(POST)、冷卻單元(COL4)的順序運送從接口部1C運出并載置在加熱單元(PEB)內(nèi)的晶片W的作用。
下面關于接口塊1C中的運送機構進行敘述，主運送部18A具備把載置在交接單元(TRS2)上的曝光前的晶片W依次運送至周緣曝光裝置(WEE)、緩沖盒(SBU)、高精度調(diào)溫單元(COL2)，并且借助輔助運送部18B而把載置在交接單元(TRS3)上的曝光后的晶片W運送至加熱單元(PEB)的作用。再者，輔助運送部18B具有把高精度調(diào)溫單元(COL2)內(nèi)的晶片W運送至曝光裝置1D的運入臺16，并把曝光裝置1D的運出臺17上的晶片W運送至交接單元(TRS3)的作用。
另外，雖然為了獲得目標圖形的線寬而預先設定曝光時間、曝光量、進行曝光后烘焙的加熱單元(PEB)(以下稱為曝光后烘焙單元)中的加熱溫度和加熱時間等參數(shù)，但是對于那時曝光后到開始加熱的經(jīng)過時間(曝光后經(jīng)過時間)也要估計預先設定的時間。因此，考慮在圖形微細化，使用化學增幅型的抗蝕劑液的情況下，在曝光后曝光后經(jīng)過時間的長度會影響顯影結果。因此，如果在曝光后曝光后經(jīng)過時間在晶片間不均，則存在今后圖形的線寬微細化時線寬的均一性降低，合格率下降的擔心。
因此為了使曝光后經(jīng)過時間一定而在曝光后烘焙單元(PEB)中調(diào)整晶片的加熱開始時刻。該曝光后烘焙單元(PEB)構成為，設置兼用作在從加熱板橫向離開的區(qū)域和該加熱板之間移動自如的專用運送臂的冷卻板，根據(jù)接口塊1C內(nèi)的主運送部18A和輔助運送部18B的狀態(tài)，估計從把曝光后的晶片交出至曝光裝置的運出臺17到運入曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)的最大時間，從而調(diào)整曝光后烘焙單元(PEB)的上述冷卻板上的待機時間。即，在從把曝光后的晶片交出至運出臺17到運入曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)的時間較長的情況下，立刻從冷卻板交接至加熱板，在上述時間較短的情況下，在冷卻板上待機比設定時間短的那部分時間。
另外，如果使晶片在曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)待機，則從把晶片運送至曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)到運出的晶片停留時間，由于在加熱處理所需的時間上增加了待機時間所以變長。另一方面，由于曝光裝置的生產(chǎn)能力逐漸增高，所以在涂敷、顯影裝置方面也致力于實現(xiàn)生產(chǎn)能力的提高，如果生產(chǎn)能力提高，即增多連接了涂敷、顯影裝置和曝光裝置的圖形形成裝置中的單位時間的晶片處理片數(shù)，則曝光后烘焙單元(PEB)的設置片數(shù)變多。例如把每一個小時的圖形形成裝置的處理片數(shù)取為150片，則變成以24秒間隔(3600秒/150片)運送晶片。
另一方面，如果曝光后烘焙單元(PEB)中的加熱處理需要的時間為例如120秒(加熱90秒+冷卻12秒+運送18秒)，則如果對其增加4秒作為待機時間，那么曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)的晶片停留時間成為124秒。這樣在晶片的運送循環(huán)時間為24秒的情況下，由于124秒÷24＝5.17，所以所需的曝光后烘焙單元(PEB)的臺數(shù)為6臺。然而，顯影處理前的曝光后烘焙單元(PEB)由于內(nèi)設兼用作專用運送臂的冷卻板等而極其昂貴，所以其臺數(shù)多會成為阻礙裝置價格低廉化的主要原因。
在特開2001-77014號公報中，記載了在接口塊內(nèi)的運送臂上進行已述的曝光后經(jīng)過時間的調(diào)整的方法，但是該方法在生產(chǎn)能力高的裝置中，由于該運送臂的運送能力降低所以實際上難以應用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種涂敷·顯影裝置和涂敷·顯影方法，以使從基板曝光到加熱處理開始的曝光后經(jīng)過時間恒定為前提，可以確保較高的生產(chǎn)能力，同時可以抑制曝光后對基板進行加熱處理的加熱單元的臺數(shù)。
再者，另一目的在于提供一種用于執(zhí)行這樣的涂敷·顯影裝置中的處理且計算機可以讀取的存儲介質(zhì)和計算機程序。
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點，提供一種涂敷·顯影裝置，具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；
交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；和控制部，控制基板的運送，在上述處理塊中對基板形成涂敷膜后，將上述基板經(jīng)由上述接口塊運送至上述曝光裝置，并使曝光后的基板經(jīng)由上述接口塊返回上述處理塊，在處理塊中進行曝光后加熱，然后進行顯影處理，其中，上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，并進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，并進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，上述控制部調(diào)整在由上述接口塊運送機構把曝光后的基板運送至上述交接臺時，由上述顯影處理用單位塊運送機構進行該基板的接取的時刻，以使從該基板曝光到在上述曝光后加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
在這樣的涂敷·顯影裝置中，可以設計成，上述顯影處理用單位塊具有包含上述多個處理單元的作為多個基板載置部分的多個模塊，上述顯影處理用單位塊運送機構至少包括2個臂，上述控制部如下進行控制通過以將放置在上述各模塊中的基板逐片地移至按順序的后一個模塊中的方式依次運送來執(zhí)行一個運送循環(huán)，在該一個運送循環(huán)結束后，移至下一個運送循環(huán)。
另外，還可以設計成，上述控制部中的從基板曝光到在上述曝光后加熱單元中開始加熱的設定時間設定為，估計從把曝光后的基板運出至曝光裝置中的運出臺起，到上述接口塊運送機構從該運出臺接取基板的時刻中最遲的時刻所得的最大時間，上述控制部，對應于接口用塊運送機構從上述運出臺接取曝光后的基板的時刻，調(diào)整上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻。
進而，優(yōu)選地，上述涂敷膜形成用單位塊和上述顯影處理用單位塊層疊。
根據(jù)本發(fā)明的第2觀點，提供一種涂敷·顯影方法，其使用涂敷·顯影裝置進行涂敷·顯影處理，該涂敷·顯影裝置具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，并進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，并進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，其中，該方法包括在上述處理塊的涂敷膜形成用單位塊中在基板上形成涂敷膜；由上述接口塊運送機構將形成有涂敷膜的基板運送至上述曝光裝置；由上述接口塊運送機構將曝光后的基板運送至上述交接臺；由上述顯影處理用單位塊運送機構向上述顯影處理用單位塊內(nèi)的上述曝光后加熱單元運送上述交接臺上的曝光后的基板；由曝光后加熱單元對曝光后的基板實施加熱處理；
接下來在上述顯影處理用單位塊內(nèi)的顯影液涂敷單元中進行顯影處理；和調(diào)整由上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻，以使從該基板被曝光后到在加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
根據(jù)本發(fā)明的第3觀點，提供一種存儲介質(zhì)，其可以由計算機讀取，存儲有控制程序，該控制程序包含使計算機控制下述涂敷·顯影裝置的軟件，該涂敷·顯影裝置具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，并進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，并進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，其中，上述軟件在執(zhí)行時控制上述涂敷·顯影裝置以實施下述涂敷·顯影方法，該方法包括在上述處理塊的涂敷膜形成用單位塊中在基板上形成涂敷膜；由上述接口塊運送機構將形成有涂敷膜的基板運送至上述曝光裝置；
由上述接口塊運送機構將曝光后的基板運送至上述交接臺；由上述顯影處理用單位塊運送機構向上述顯影處理用單位塊內(nèi)的上述曝光后加熱單元運送上述交接臺上的曝光后的基板；由曝光后加熱單元對曝光后的基板實施加熱處理；接下來在上述顯影處理用單位塊內(nèi)的顯影液涂敷單元中進行顯影處理；和調(diào)整由上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻，以使從該基板曝光到在加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
根據(jù)本發(fā)明的第4觀點，提供一種計算機控制程序，其包含使計算機控制下述涂敷·顯影裝置的軟件，該涂敷·顯影裝置具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，并進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，并進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，其中，上述軟件在執(zhí)行時使計算機控制上述涂敷·顯影裝置以實施下述涂敷·顯影方法，該方法包括
在上述處理塊的涂敷膜形成用單位塊中在基板上形成涂敷膜；由上述接口塊運送機構將形成有涂敷膜的基板運送至上述曝光裝置；由上述接口塊運送機構將曝光后的基板運送至上述交接臺；由上述顯影處理用單位塊運送機構向上述顯影處理用單位塊內(nèi)的上述曝光后加熱單元運送上述交接臺上的曝光后的基板；由曝光后加熱單元對曝光后的基板實施加熱處理；接下來在上述顯影處理用單位塊內(nèi)的顯影液涂敷單元中進行顯影處理；和調(diào)整由上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻，以使從該基板曝光到在加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
對于處理塊，使涂敷膜形成用單位塊和顯影處理用單位塊分離，并設置涂敷膜形成用單位塊運送機構，在涂敷膜形成用單位塊內(nèi)的用于形成涂敷膜(抗蝕劑膜)的單元間運送；和顯影處理用單位塊運送機構，在顯影處理用單位塊內(nèi)的用于進行顯影處理的單元間運送，由此，即使使顯影處理用單位塊運送機構待機也可以避免生產(chǎn)能力的下降。因此，在本發(fā)明中，以這樣的涂敷·顯影裝置為前提，調(diào)整在從接口塊運送機構把曝光后的基板運送至交接臺后，由顯影處理用單位塊運送機構進行的該基板的接取的時刻，以使從該基板曝光到在加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。例如，在向交接臺運送曝光后的基板的時刻較早的情況下，使顯影處理用單位塊運送機構從這里運出基板的時間延遲。由于在交接臺而不是曝光后的加熱單元內(nèi)進行這樣的時間調(diào)整，所以即使單位時間的處理片數(shù)增多即基板的運送循環(huán)加快，也可以抑制所需加熱單元臺數(shù)的增加。
圖1是表示現(xiàn)有的涂敷、顯影裝置的俯視圖。
圖2是表示現(xiàn)有的涂敷、顯影裝置中基板的路徑和運送機構的動作的說明圖。
圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式的涂敷·顯影裝置的俯視圖。
圖4是表示圖3的涂敷·顯影裝置的立體圖。
圖5是表示圖3的涂敷·顯影裝置的概略垂直剖視圖。
圖6是表示圖3的涂敷·顯影裝置中第4單位塊(COT層)的立體圖。
圖7是表示圖3的涂敷·顯影裝置中第1單位塊(DEV層)的擱板單元U1～U4的示意圖。
圖8A是表示搭載在圖3的涂敷·顯影裝置上的加熱·冷卻單元(CHP)的橫剖俯視圖。
圖8B是其縱剖側視圖。
圖9是表示圖3的涂敷·顯影裝置中的接口塊的概略垂直剖視圖。
圖10是用來說明上述涂敷·顯影裝置中的晶片的路徑和各運送機構的運送區(qū)域以及控制部的示意圖。
圖11是表示顯影用單位塊中的晶片的運送計劃的的一個例子的說明圖。
圖12是表示在經(jīng)由接口把曝光后的晶片運出至交接臺后，到運送至曝光后烘焙單元(PEB)的控制流程的流程圖。
圖13A是表示處于下述狀態(tài)時的情況的說明圖，即、在經(jīng)由接口把曝光后的晶片運入交接臺時晶片在交接臺上待機，從曝光裝置發(fā)出運出準備完成信號時，接口塊運送機構立刻朝向運出臺。
圖13B是表示處于下述狀態(tài)時的情況的說明圖，即、在經(jīng)由接口把曝光后的晶片運入交接臺時晶片在交接臺上待機，從曝光裝置發(fā)出運出準備完成信號時，接口塊運送機構剛剛開始其他運送動作。
具體實施例方式
以下，參照
本發(fā)明的實施方式。
圖3是表示具備本發(fā)明的一個實施方式的涂敷·顯影裝置的抗蝕劑圖形形成裝置的俯視圖，圖4是上述涂敷·顯影裝置的概略立體圖，圖5是上述涂敷·顯影裝置的概略垂直剖視圖。涂敷·顯影裝置具備用于運入運出密閉收納有例如13片作為基板的晶片W的承載器20的承載塊S1；具備與承載塊S1鄰接設置的5個單位塊B1～B5的處理塊S2；和在處理塊S2的承載塊S1的相反側鄰接設置的接口塊S3。另外，以曝光裝置S4連接在接口塊S3上的狀態(tài)構成抗蝕劑圖形形成裝置。由計算機構成的控制裝置6控制該抗蝕劑圖形形成裝置的動作。
承載塊S1具有可以載置多個承載器20的載置臺21；從該載置臺21看設在前方壁面上的開閉部22；和用于經(jīng)由開閉部22將晶片W從承載器20取出的承載塊運送機構C。該承載塊運送機構C構成為，進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉自如、在承載器20的排列方向上移動自如。
上述處理塊S2，連接在承載塊S1上，并被筐體24包圍周圍。處理塊S2為多層結構，下層側的2層為用于進行顯影處理的第1和第2單位塊(DEV層)B1、B2，在其上方依次形成用于進行形成在抗蝕劑膜的上層側的反射防止膜(以下稱為第2反射防止膜)的形成處理的第3單位塊(TCT層)B3；用于進行抗蝕劑液的涂敷處理的第4單位塊(COT層)B4；和用于進行形成在抗蝕劑膜的下層側的反射防止膜(以下稱為第1反射防止膜)的形成處理的第5單位塊(BCT層)B5。在此，DEV層B1、B2相當于顯影處理用的單位塊，TCT層B3、COT層B4和BCT層B5相當于涂敷膜形成用的單位塊。
再者，處理塊S2在其承載塊S1側部分具有貫通單位塊B1～B5地層疊多個交接臺而構成的擱板單元U5，再者，在接口塊S3側部分具有貫通單位塊B1～B5地層疊多個交接臺而構成的擱板單元U6。
接下來，關于第1～第5單位塊B1～B5的構成進行說明。
這些各單位塊B1～B5具備用于對晶片W涂敷藥液的液體處理單元；和用于進行在液體處理單元中進行的處理的前處理和后處理的各種加熱·冷卻類的多個處理單元。另外，第1～第5單位塊B1～B5分別具備用于在上述液體處理單元和加熱·冷卻類的處理單元之間進行晶片W的交接的專用主運送臂A1～A5。
這些單位塊B1～B5，由于由大致同樣的布局構成，所以以圖3所示的第4單位塊(COT層)B4為例進行說明。
在該COT層B4的大致中央，從承載塊S1側至接口塊S3側沿圖中Y方向形成晶片W的運送區(qū)域R1。在該運送區(qū)域R1的從承載塊S1側觀看時的右側，設置有具備用于進行抗蝕劑的涂敷處理的多個(圖中為3個)涂敷部30、和收納涂敷部30的筐體32的涂敷單元34作為上述液體處理單元。涂敷部30具備保持晶片并使其旋轉的晶片保持部(未圖示)、和包圍該晶片保持部的罩部33，通過使用噴嘴等將抗蝕劑液供給至晶片的中心部，并使晶片旋轉來擴散抗蝕劑液，從而形成抗蝕劑膜。此外，如圖6所示，在與涂敷部30對應的位置上設置有3個晶片W的運入運出口35。
再者，在運送區(qū)域R1的從承載塊S1側觀看時的左側設置有加熱冷卻部分54。加熱冷卻部分54，具有從承載塊S1側按順序設置的將加熱·冷卻類的單元多層化的4個擱板單元U1、U2、U3、U4。這些擱板單元U1、U2、U3、U4為，把用于進行在涂敷單元34中進行的處理的前處理或后處理的各種單元層疊為多層，例如2層的構成。
構成上述加熱冷卻部分54的用于進行前處理和后處理的多個處理單元，如圖6所示，包括用于在抗蝕劑液涂敷前將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻單元(COL)；用于在抗蝕劑液涂敷后進行晶片W的加熱處理的稱為預烘焙單元等的加熱單元(CHP)；進行用于提高抗蝕劑液和晶片W的密貼性的疏水化處理的疏水化處理單元(ADH)；和用于選擇性地只使晶片W的緣部曝光的周緣曝光裝置(WEE)。再者這些冷卻單元(COL)和加熱單元(CHP)等處理單元，分別收納在處理容器501內(nèi)，擱板單元U1～U4構成為處理容器501疊層為2層，在各處理容器501的朝向運送區(qū)域R1的面上形成晶片運入運出口502。此外，疏水化處理單元(ADH)在HMDS氣氛中進行氣體處理，不一定非要設置在單位塊(COT層)B4上，可以設置在涂敷膜形成用的單位塊B3～B5的任一個上。
在上述運送區(qū)域R1上設置上述主運送機構A4。該主運送機構A4構成為在該第4單位塊(COT層)B4內(nèi)的全部模塊(放置晶片W的位置)，例如擱板單元U1～U4的多個處理單元、涂敷單元34的多個涂敷部、收納單元4的各載置臺、擱板單元U5和擱板單元U6的各交接臺之間進行晶片的交接，因此構成為進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉自如、在Y軸方向上移動自如。
主運送機構A4，例如如圖6所示，具備用于支承晶片W的背面?zhèn)戎芫墔^(qū)域的2根臂101、102；進退自如地支承這些臂101、102的基臺103；使基臺103繞鉛直軸旋轉的旋轉機構104；使基臺103在運送區(qū)域的Y軸方向和上下方向上移動的移動機構105；Y軸軌道107，在支承擱板單元U1～U4的臺部106的朝向運送區(qū)域的面上沿Y軸方向設置，且沿Y軸方向引導基臺103；和沿上下方向引導基臺103的升降軌道108。利用這樣的構成，臂101、102進退自如，在Y軸方向上移動自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉自如，并可以在擱板單元U5、U6的交接臺、擱板單元U1～U4的處理單元、和液體處理單元34之間進行晶片W的交接。此外，其他單位塊的主運送機構A1、A2、A3、A5具有完全同樣的構成。
運送區(qū)域R1的與承載塊S1鄰接的區(qū)域，成為第1晶片交接區(qū)域R2。如圖3和圖5所示，在該區(qū)域R2的承載塊運送機構C和主運送機構A4可以訪問的位置設置上述擱板單元U5。再者，用于相對于擱板單元U5進行晶片W的交接的第1交接機構41可以通過區(qū)域R2。第1交接機構41可以沿擱板單元U5，貫通第1～第5單位塊B1～B5地上下移動。
運送區(qū)域R1的與接口塊S3鄰接的區(qū)域，成為第2晶片交接區(qū)域R3。如圖3和圖5所示，在該區(qū)域R3的主運送機構A4可以訪問的位置設置上述擱板單元U6。再者，用于相對于擱板單元U6進行晶片W的交接的第2交接機構42可以通過區(qū)域R3。第2運送機構42可以沿擱板單元U6，貫通第1～第5單位塊B1～B5地上下移動。
上述擱板單元U5，如圖5所示，在與各單位塊B1～B5對應的位置上分別具有2個第1交接臺TRS1～TRS5。這些第1交接臺TRS1～TRS5分別與單位塊B1～B5的主運送機構A1～A5之間進行晶片W的交接。再者上述第1交接機構41構成為進退自如和升降自如，以便可以相對于第1交接臺TRS1～TRS5進行晶片W的交接。此外，雖然在該例中，分別設置了2個第1交接臺TRS1～TRS5，但是也可以分別為1個或3個以上。
上述第1和第2單位塊B1和B2的第1交接臺TRS1和TRS2構成為與承載塊S1的承載塊運送機構C之間進行晶片W的交接。再者，擱板單元U5在與第2單位塊B2對應的部分，還具備2個交接臺TRS-F，該交接臺TRS-F，作為用于由承載塊運送機構C將晶片W運入處理塊S2中的專用交接臺使用。該交接臺TRS-F可以設置在第1單位塊B1上，也可以不另外設置該交接臺TRS-F，在將晶片W從承載塊運送機構C運入處理塊S2中時，使用交接臺TRS1和TRS2進行。
上述擱板單元U6，如圖5和圖9所示，在與各單位塊B1～B5對應的位置上分別具有2個第2交接臺TRS6～TRS10。這些第2交接臺TRS6～TRS10分別與單位塊B1～B5的主運送機構A1～A5之間進行晶片W的交接。再者上述第2交接機構42構成為進退自如和升降自如，以便可以相對于第2交接臺TRS6～TRS10進行晶片W的交接。此外，雖然在該例中，分別設置了2個第2交接臺TRS6～TRS10，但是也可以分別為1個或3個以上。
接下來，就其他單位塊進行說明，TCT層B3和BCT層B5除液體處理單元中的藥液代替抗蝕劑液而為反射防止膜用藥液以外，實質(zhì)上與COT層B4的構成相同，分別設置有在加熱單元、冷卻單元和各單元間運送基板的主運送機構A3和A5。
再者，DEV層B1，作為液體處理單元，設置用于對晶片W進行顯影處理的顯影單元，如圖7所示，除了在擱板單元U1～U4上，具備作為對曝光后的晶片W進行加熱處理的加熱單元的曝光后烘焙單元(PEB)；用于在該曝光后烘焙單元(PEB)中的處理后將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻單元(COL)；和為了蒸發(fā)水分而對顯影處理后的晶片W進行加熱處理的稱為后烘焙單元等的加熱單元(POST)以外，與COT層B4同樣地構成。再者，DEV層B2，雖然為與DEV層B1大致相同的構成，但是如后邊說明的那樣，在本實施方式中，由于可以一共設置5個曝光后烘焙單元(PEB)，所以在DEV層B2中，曝光后烘焙單元(PEB)可以為2個。此外顯影單元將晶片保持在用罩部包圍的晶片保持部上，從藥液噴嘴漏下顯影液進行顯影，其后用清洗液清洗晶片表面，并使晶片保持部旋轉而干燥，其構成與圖3的涂敷單元大致相同。
另外在這些DEV層B1、B2中，分別由主運送機構A1、A2相對于第1交接臺TRS1、TRS2、TRS-F、第2交接臺TRS6、TRS7；顯影單元；擱板單元U1～U4的各處理單元進行晶片W的交接。
接下來，就晶片的上述加熱單元(CHP、POST、PEB)進行說明。這些加熱單元，如圖8A、8B所示，具備加熱板63、和兼用作運送臂的冷卻板64，具有用冷卻板64進行在主運送機構A1～A5和加熱板63之間的晶片W的交接，且可以在一個單元中進行加熱冷卻的構成。在圖8A、8B中，附圖標記65、66表示用于進行各晶片的交接的升降柱，附圖標記67表示用于使升降柱65、66通過冷卻板64的缺口。
接下來，說明上述接口塊S3。上述接口塊S3具備用于相對于處理塊S2的擱板單元U6和曝光裝置S4進行晶片W的交接的接口塊運送機構43；和冷卻晶片W的冷卻單元44。冷卻單元44用于預先將晶片W高精度地調(diào)節(jié)至曝光裝置S4內(nèi)的溫度。
上述接口塊運送機構43，成為夾設在處理塊S2、曝光裝置S4和冷卻單元44之間的晶片W的運送機構(接口用運送機構)，在該例中，構成為進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉自如，以便相對于第1～第4單位塊B1～B4的第2交接臺TRS6～TRS9進行晶片W的交接。再者，上述接口塊運送機構43也可以構成為相對于全部單位塊B1～B5的第2交接臺TRS6～TRS10進行晶片W的交接。
接下來詳細說明晶片的運送。
圖10是表示處理塊S2中用于形成抗蝕劑膜的單位塊(COT層)B4、用于進行顯影的單位塊(DEV層)B1、接口塊S3、和曝光裝置S4中的晶片W的運送順序、以及控制裝置6的構成的圖。如該圖所示，曝光裝置S4具備運入臺45和運出臺46?？刂蒲b置6控制涂敷、顯影裝置的整個運送系統(tǒng)，但是在圖10中只表示與該實施方式的主要部分相關聯(lián)的部位?？刂蒲b置6具有主運送機構控制程序71、運送計劃存儲部72、曝光后經(jīng)過時間管理部73、和接口塊運送機構控制程序74。
主運送機構控制程序71為，參照存儲在運送計劃存儲部72中的運送計劃控制涂敷膜形成用的單位塊B1～B3的主運送機構A1～A3，并且除了參照運送計劃之外，還讀取曝光經(jīng)過時間管理部73內(nèi)的數(shù)據(jù)來控制顯影處理用單位塊B1、B2的主運送機構A1、A2的程序。
存儲在運送計劃存儲部72中的運送計劃，如果將放置晶片W的位置稱為模塊，則為以時間序列表示各模塊和晶片W的對應關系的計劃。圖11表示運送計劃的一部分，階段1、2......表示某一運送循環(huán)中的模塊和晶片W(A01～A10)的對應關系，在頂行中表示各模塊的排列。橫向排列的模塊為處理單元和交接臺的某一個，為配置在顯影用單位塊B1內(nèi)的PEB(曝光后加熱單元)、COL(冷卻單元)、DEV(顯影單元)、LHP(顯影后加熱單元)、COL(冷卻單元)、和TRS1(交接臺)。此外，省略交接臺TRS6。該模塊的排列為晶片路徑的順序，和圖10的模塊的排列相對應。
例如階段1表示作為一批的先頭的晶片的第1片晶片A01位于PEB。再者，階段6表示晶片A06、A02～A05分別位于5臺PEB上，晶片A01位于COL。主運送機構控制程序71按順序讀取該運送計劃的階段(phase)，進行晶片的運送以便成為對應于讀取的階段的狀態(tài)。因此，如果按順序讀取階段來進行晶片的運送，則依次運送使晶片逐片地移至順序中的后一個模塊中。不過，關于PEB內(nèi)的晶片，只停留5個階段(在運送循環(huán)中為5個循環(huán))。
接口塊運送機構控制程序74用于控制接口塊運送機構43。該接口塊運送機構控制程序74如下進行控制如果將曝光后的晶片放置在曝光裝置S4的運出臺46上，則最優(yōu)先將該晶片運送至交接臺TRS6，再者，在將曝光后的晶片放置在運出臺46上時，在接口塊運送機構43已經(jīng)移至其他運送動作的情況下，其運送動作結束后，在接取時使曝光后的晶片朝向運出臺46。例如在為了將晶片從冷卻單元44運送至曝光裝置S4的運入臺45上而使接口塊運送機構43朝向該冷卻單元44的階段，進行控制以使在將晶片運送至運入臺45的動作結束后，在接取時使曝光后的晶片朝向運出臺46。
使如已經(jīng)說明的那樣將各晶片曝光后，到在曝光后烘焙單元(PEB)中開始加熱的經(jīng)過時間(曝光后經(jīng)過時間)一定比較重要。因此在該例中，為了在剛剛把晶片放置在曝光裝置S4的運出臺46上后馬上將該晶片運送至交接臺TRS6的時間、和在把晶片放置在運出臺46上后經(jīng)過少量時間將該晶片運送至交接臺TRS6的時間之間使曝光后經(jīng)過時間為一定，在前者的情況下，在把曝光后的晶片運送至交接臺TRS6后，DEV層的主運送機構A1在交接臺TRS6前稍微待機后，將該晶片從交接臺TRS6運送至PEB內(nèi)的冷卻單元64(參照圖8A、8B)，在后者的情況下，主運送機構A1立刻將晶片從交接臺TRS6運送至PEB。
曝光后經(jīng)過時間的設定時間設定為，在把曝光后的晶片運送至曝光裝置S4中的運出臺46后，估計接口塊運送機構43接取該運出臺46的晶片的時刻中最遲的時刻而得到的最大時間。該最大時間發(fā)生的時刻，是把曝光后的晶片放置在運出臺46上時的時刻與接口塊運送機構43剛剛開始其他運送動作時的時刻重疊的時刻，對于任一片晶片，都調(diào)整各晶片在交接臺TRS6中的停留時間，換言之，調(diào)整主運送機構A1將晶片從交接臺TRS6取出的時刻，使得曝光后經(jīng)過時間為該最大時間。因此，主運送機構A1去接取交接臺TRS6的晶片的時刻，由從把曝光后的晶片放置在運出臺46上的時刻起到放置在交接臺TRS6上的時間Te決定，在曝光后經(jīng)過時間管理部73中進行控制，在下述時刻，即、與從把曝光后的晶片放置在運出臺46上的時刻到放置在交接臺TRS6上的最大時間Tm減去Te后所得的時間相對應的時刻，主運送機構A1去交接臺TRS6取晶片。后邊將對這點進行更具體的說明。
控制裝置6存儲有控制包含以上動作的、整個裝置的處理所必需的控制程序、和用于對應于處理條件在各構成部執(zhí)行處理的程序即方法。方法(recipe)可以存儲在硬盤或半導體存儲器中，也可以以收納在CDROM、DVD等可搬運性的存儲介質(zhì)中的狀態(tài)設置在規(guī)定位置。進而，可以從其它裝置經(jīng)由例如專用線路適當傳送方法。
接下來，就如上所述構成的抗蝕劑圖形形成裝置中的動作進行說明。
在該裝置中，可以進行在抗蝕劑膜上下分別形成反射防止膜；只在抗蝕劑膜的上下方之一形成反射防止膜；或在不形成反射防止膜的情況下形成抗蝕劑膜這些處理中的任一個處理，但是在此為了盡可能簡單地說明，關于只使用第4單位塊B4即COT層形成抗蝕劑膜，然后使用第1單位塊B1即DEV層進行顯影處理的情況進行敘述。
首先，說明晶片W的整體路徑。最初，從外部向承載塊21運入承載器20。然后，利用承載塊運送機構C從該承載器20內(nèi)取出一片晶片W。然后，晶片W被交接至第2單位塊B2的擱板單元U5的第1交接臺TRS-F。接下來，晶片W由第1交接臂41交接至第1交接臺TRS4，然后交接至COT層B4的主運送機構A4。另外在COT層B4中，如圖10所示，借助主運送機構A4，以疏水化處理單元(ADH)→冷卻單元(COL)→COT(涂敷單元31)→加熱單元(CHP)→周緣曝光裝置(WEE)→擱板單元U6的交接臺TRS9的順序依次運送，形成化學增幅型的抗蝕劑膜。
接下來，由接口塊運送機構43將交接臺TRS9的晶片W經(jīng)由冷卻單元(COL)44運送至曝光裝置S4的運入臺45，在曝光裝置S4中進行曝光處理。此外，可以將交接臺TRS9多層化并將該臺組作為緩沖載置部，或者在接口塊S3內(nèi)設置緩沖盒，在運入曝光裝置S4之前暫時把晶片載置在該緩沖盒中。
曝光處理后的晶片W，運送至運出臺46，由接口塊運送機構43運送至DEV層B1的交接臺TRS6。然后該臺TRS6上的晶片W，被接取至DEV層B1的主運送機構A1，并以加熱單元(PEB1)→冷卻單元(COL)→顯影單元(DEV)→加熱單元(POST)→冷卻單元(COL)→交接臺TRS1的順序運送，進行規(guī)定的顯影處理。這樣進行了顯影處理的晶片W，由承載塊運送機構C從交接臺TRS1返回至載置在承載塊S1中的原來的承載器20上。
關于處理塊S2中晶片的運送，如以DEV層為例參照圖11已經(jīng)說明的那樣，在COT層中也同樣，依照運送計劃依次運送而將晶片逐片地移至按順序的后一個模塊中。
接下來，關于把曝光后的晶片運送至DEV層的曝光后烘焙單元(PEB)的情況進行詳細說明。
把在曝光裝置S4中曝光了的晶片放置在圖10所示的運出臺46上。這時把運出準備完成信號從曝光裝置S4送至控制裝置6，接口塊運送機構控制程序74基于該信號指示接口塊運送機構43去運出臺46取曝光后的晶片，但是如果接口塊運送機構43已經(jīng)開始其他運送動作，則該指示待該運送動作結束之后輸出。在此所說的運送動作，意思是從開始朝向作為模塊的處理單元例如冷卻單元(COL)起到將晶片交接至作為下一個模塊的運入臺45之間的動作。
然后，曝光后經(jīng)過時間管理部73，在接收到上述運出準備完成信號時使計時器動作來測定到接口塊運送機構43將運出臺46上的晶片交接至交接臺TRS6的時刻的時間Te，在下述時刻，即、與從把曝光后的晶片放置在運出臺46上的時刻到放置在交接臺TRS6上的最大時間Tm減去Te而得的時間相對應的時刻，向主運送機構A1指示運出準備完成的意思。
一邊參照圖12所示的根據(jù)主運送機構A1的控制程序的流程圖一邊說明那時的控制動作。
首先，主運送機構A1停在交接臺TRS6前(步驟P1)。然后曝光后經(jīng)過時間管理部73，針對運入交接臺TRS6的晶片，測定從曝光裝置S4發(fā)出運出臺46的運出準備完成信號后經(jīng)過的時間Te，并判定該經(jīng)過時間Te是否達到預先設定的最大時間Tm(步驟P2)。然后，在判定經(jīng)過時間Te達到最大時間Tm時，輸出運出準備完成信號(步驟P3)。結果，主運送機構A1接取交接臺TRS6內(nèi)的該晶片，并和曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)的加熱處理結束后的晶片調(diào)換(步驟P4)。此外，無論在曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)是否存在先前的晶片都進行晶片的調(diào)換動作。運送至曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)的晶片經(jīng)由冷卻板64運送至加熱板63并接受加熱處理(步驟P5)。
圖13A、13B是表示上述經(jīng)過時間Te和晶片運送的關系的圖，從左邊依次表示曝光裝置S4、交接臺TRS6和曝光后烘焙單元(PEB)中的晶片狀態(tài)，左端的數(shù)字表示從把晶片運送至曝光裝置S4的運出臺46起的經(jīng)過時間。
其中，圖13A表示在將晶片運送至運出臺46且從曝光裝置S4發(fā)出運出準備完成信號時，接口塊運送機構43立刻成為朝向運出臺46的狀態(tài)的情況。由于這時的晶片從運入交接臺TRS6至到達上述最大時間Tm的時間比較寬裕，所以指示可以從該交接臺TRS6運出的意思的運出準備完成信號在待機5秒后，在控制裝置6中輸出。
其后，主運送機構A1從交接臺TRS6接取晶片并將其運送至曝光前加熱單元(PEB)。即，主運送機構A1在交接臺TRS6前待機，使從發(fā)出運出臺46中的準備完成信號至從交接臺TRS6運出晶片的時間成為例如17秒。這時，晶片在交接臺TRS6內(nèi)待機。由于從由主運送機構A1運出晶片到在加熱單元(PEB)內(nèi)進行加熱處理的時間始終保持一定，所以通過管理該17秒的時間，來管理晶片的曝光后經(jīng)過時間。
另一方面，圖13B表示在從曝光裝置S4發(fā)出運出準備完成信號時，接口塊運送機構43剛剛開始其他運送動作的情況。因此，從運出臺46運出晶片的時刻比發(fā)出晶片運出準備完成信號晚4秒。因此，關于該晶片交接臺TRS6中的待機時間比圖13A的情況短4秒，成為1秒。由此，始終維持曝光后經(jīng)過時間一定(恒定)。
根據(jù)本實施方式，使涂敷膜形成用的單位塊B3～B5和顯影處理用的單位塊B1、B2分離，并使在用于形成抗蝕劑膜的單元間運送的運送機構即主運送機構A3～A5獨立于在用于進行顯影處理的單元間運送的主運送機構A1、A2。因此，即使使DEV層B1內(nèi)的主運送機構A1、或DEV層B2內(nèi)的主運送機構A2待機，也不會給涂敷膜形成用的單位塊B3～B5中的晶片的運送帶來影響，可以避免生產(chǎn)能力的下降。
另外著眼于這點，為了使各曝光后經(jīng)過時間統(tǒng)一而調(diào)整交接臺TRS6中的晶片的待機時間，因此在上述例子中使DEV層B1的主運送機構A1在交接臺TRS6前待機。
通過這樣不在加熱單元(曝光后烘焙單元(PEB))內(nèi)而在交接臺TRS6內(nèi)進行各曝光后經(jīng)過時間的調(diào)整，可以抑制伴隨生產(chǎn)能力提高而產(chǎn)生的加熱單元(曝光后烘焙單元(PEB))的臺數(shù)增加。
如上所述，如果例如把每一個小時的圖形形成裝置的處理片數(shù)取為150片，則以24秒間隔(3600秒/150片)運送晶片。在該情況下，如果曝光后烘焙單元(PEB)中的加熱處理需要的時間為例如120秒(加熱90秒+冷卻12秒+運送18秒)，則由于對曝光后烘焙單元(PEB)不增加4秒作為待機時間，所以曝光后烘焙單元(PEB)內(nèi)的晶片停留時間成為120秒(如果在PEB中待機則成為120秒+4秒＝124秒)。這樣在晶片的運送循環(huán)時間為24秒的情況下，由于120秒÷24＝5，所以需要曝光后烘焙單元(PEB)的臺數(shù)夠5臺就行了，與在PEB內(nèi)待機的情況相比少1臺。如已經(jīng)說明的那樣，由于加熱單元(PEB)相當昂貴，所以通過采用本實施方式有助于裝置的成本降低。
此外，以上說明的實施方式，最終旨在明確本發(fā)明的技術內(nèi)容，本發(fā)明解釋不僅限于這樣的具體例，在本發(fā)明的精神和權利要求書所述的范圍內(nèi)，可以實施各種變更。
例如，雖然在上述實施方式中，通過使涂敷膜形成用的單位塊B3～B5和顯影處理用的單位塊B1、B2相互層疊而進行分離，但是彼此橫向排列例如并列配置來分離的情況也能獲得同樣的效果。
權利要求
1.一種涂敷·顯影裝置，具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；和控制部，控制基板的運送，在上述處理塊中對基板形成涂敷膜后，將上述基板經(jīng)由上述接口塊運送至上述曝光裝置，并使曝光后的基板經(jīng)由上述接口塊返回上述處理塊，在處理塊中進行曝光后加熱，然后進行顯影處理，其特征在于，上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，上述控制部調(diào)整在由上述接口塊運送機構把曝光后的基板運送至上述交接臺時，由上述顯影處理用單位塊運送機構進行該基板的接取的時刻，以使從該基板曝光后到在上述曝光后加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
2.如權利要求1所述的涂敷·顯影裝置，其特征在于，上述顯影處理用單位塊具有包含上述多個處理單元的作為多個基板載置部分的多個模塊，上述顯影處理用單位塊運送機構至少包括2個臂，上述控制部如下進行控制通過以將放置在上述各模塊中的基板逐片地移至按順序的后一個模塊中的方式依次運送來執(zhí)行一個運送循環(huán)，在該一個運送循環(huán)結束后，移至下一個運送循環(huán)。
3.如權利要求1所述的涂敷·顯影裝置，其特征在于，上述控制部中的從基板曝光后到在上述曝光后加熱單元中開始加熱的設定時間設定為，估計從把曝光后的基板運出至曝光裝置中的運出臺后、到上述接口塊運送機構從該運出臺接取基板的時刻中最遲的時刻所得的最大時間，上述控制部，對應于接口用塊運送機構從上述運出臺接取曝光后的基板的時刻，調(diào)整上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻。
4.如權利要求1所述的涂敷·顯影裝置，其特征在于，上述涂敷膜形成用單位塊和上述顯影處理用單位塊層疊。
5.一種涂敷·顯影方法，使用涂敷·顯影裝置進行涂敷·顯影處理，該涂敷·顯影裝置具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，其特征在于，該方法包括在上述處理塊的涂敷膜形成用單位塊中在基板上形成涂敷膜；由上述接口塊運送機構將形成有涂敷膜的基板運送至上述曝光裝置；由上述接口塊運送機構將曝光后的基板運送至上述交接臺；由上述顯影處理用單位塊運送機構向上述顯影處理用單位塊內(nèi)的上述曝光后加熱單元運送上述交接臺上的曝光后的基板；由曝光后加熱單元對曝光后的基板實施加熱處理；接下來在上述顯影處理用單位塊內(nèi)的顯影液涂敷單元中進行顯影處理；和調(diào)整由上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻，以使從該基板曝光后到在加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
6.一種存儲介質(zhì)，可以由計算機讀取，存儲有控制程序，該控制程序包含使計算機控制涂敷·顯影裝置的軟件，該涂敷·顯影裝置具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，其特征在于，上述軟件在執(zhí)行時控制上述涂敷·顯影裝置以實施下述涂敷·顯影方法，該方法包括在上述處理塊的涂敷膜形成用單位塊中在基板上形成涂敷膜；由上述接口塊運送機構將形成有涂敷膜的基板運送至上述曝光裝置；由上述接口塊運送機構將曝光后的基板運送至上述交接臺；由上述顯影處理用單位塊運送機構向上述顯影處理用單位塊內(nèi)的上述曝光后加熱單元運送上述交接臺上的曝光后的基板；由曝光后加熱單元對曝光后的基板實施加熱處理；接下來在上述顯影處理用單位塊內(nèi)的顯影液涂敷單元中進行顯影處理；和調(diào)整由上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻，以使從該基板曝光后到在加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
7.一種計算機控制程序，包含使計算機控制下述涂敷·顯影裝置的軟件，該涂敷·顯影裝置具備處理塊，對基板進行包含抗蝕劑膜的涂敷膜的形成、對其涂敷膜實施的曝光后的顯影、和這些處理附帶的熱處理；接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的涂敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，在它們之間運送基板；交接臺，用于在從上述接口塊將曝光后的基板交接至上述處理塊時暫時載置基板；上述處理塊具有涂敷膜形成用單位塊，具備多個處理單元，包括用于在基板上涂敷涂敷液的涂敷處理單元和加熱涂敷有涂敷液的基板的加熱單元，進行用于涂敷處理的一系列處理；和涂敷膜形成用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板；和顯影處理用單位塊，具備多個處理單元，包括用于對曝光了的基板進行加熱處理的曝光后加熱單元和曝光后在加熱了的基板上涂敷顯影液的顯影液涂敷單元，進行用于顯影處理的一系列處理；和顯影處理用單位塊運送機構，在這多個處理單元之間運送基板，上述接口塊具有用于在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板交接的接口塊運送機構，其特征在于，上述軟件在執(zhí)行時使計算機控制上述涂敷·顯影裝置以實施下述涂敷·顯影方法，該方法包括在上述處理塊的涂敷膜形成用單位塊中在基板上形成涂敷膜；由上述接口塊運送機構將形成有涂敷膜的基板運送至上述曝光裝置；由上述接口塊運送機構將曝光后的基板運送至上述交接臺；由上述顯影處理用單位塊運送機構向上述顯影處理用單位塊內(nèi)的上述曝光后加熱單元運送上述交接臺上的曝光后的基板；由曝光后加熱單元對曝光后的基板實施加熱處理；接下來在上述顯影處理用單位塊內(nèi)的顯影液涂敷單元中進行顯影處理；和調(diào)整由上述顯影處理用單位塊運送機構從上述交接臺接取基板的時刻，以使從該基板曝光后到在加熱單元中開始加熱的時間為預先設定的時間。
全文摘要
涂敷·顯影裝置具備處理塊，在晶片上形成抗蝕劑膜后將其運送至曝光裝置，并對曝光后的基板進行顯影處理；和接口運送機構，設在處理塊和曝光裝置之間，上述處理塊具有涂敷抗蝕劑的涂敷膜形成用單位塊、和進行顯影處理的顯影處理用單位塊，并另外設置有涂敷膜形成用單位塊運送機構和顯影處理用單位塊運送機構。另外，調(diào)整把曝光后的基板從接口塊運送機構交接至交接臺后，由顯影處理用單位塊運送機構接取該基板的時刻，以使從該基板曝光到運入加熱單元的時間為預先設定的時間。
文檔編號G03F7/32GK1831649SQ200610007088
公開日2006年9月13日 申請日期2006年2月14日 優(yōu)先權日2005年2月14日
發(fā)明者林田安, 原圭孝 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社