專利名稱：薄膜晶體管及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，且特別涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)一般包括柵極、柵絕緣層、通道層與源極/漏極，其通常在顯示器，例如液晶顯示器(LCD)中，作為開(kāi)關(guān)元件之用。通常，薄膜晶體管的形成方法是在基底上依次形成柵極、柵絕緣層、α-Si通道層與源極/漏極。柵極是由鋁、鉻、鎢、鉭、鈦等的單一金屬層或是由多層金屬層所組成。
然而，當(dāng)以單一層的上述金屬形成柵極時(shí)，膜層表面容易被侵蝕，且容易與氧反應(yīng)而形成金屬氧化物，因而導(dǎo)致在后續(xù)的蝕刻制造中無(wú)法有效地進(jìn)行蝕刻。另一方面，當(dāng)柵極是由數(shù)層金屬層所組成時(shí)，例如為鉬(Mo)/鋁/鉬，可以避免氧化和侵蝕的問(wèn)題。但是形成數(shù)層金屬層的制造必定是較為復(fù)雜。因?yàn)榇酥圃煨枰^(guò)一個(gè)以上的濺鍍靶材以及沉積反應(yīng)室。此外，上述問(wèn)題也同樣會(huì)發(fā)生在形成源極/漏極的制造。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管，其具有較低接觸電阻或線電阻的柵極與源極/漏極。
本發(fā)明提出另一種薄膜晶體管的形成方法，其使用抵抗氧化和抗侵蝕的材料來(lái)形成柵極和(或)源極/漏極。
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管，此薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層以及源極/漏極。柵極設(shè)置于基底上，其中，柵極包括至少一層氮化鋁釔合金。柵絕緣層形成于基底上以覆蓋柵極。半導(dǎo)體層設(shè)置于基底上之柵絕緣層上。源極/漏極設(shè)置于半導(dǎo)體層上。
本發(fā)明另提出一種薄膜晶體管，此薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層以及源極/漏極。柵極設(shè)置于基底上。柵絕緣層形成于基底上以覆蓋柵極。半導(dǎo)體層設(shè)置于基底上之柵絕緣層上。源極/漏極設(shè)置于半導(dǎo)體層上，其中，源極/漏極包括至少一層氮化鋁釔合金。
在本發(fā)明實(shí)施例中，上述之柵極由鋁釔合金層與氮化鋁釔合金層所組成。
在本發(fā)明實(shí)施例中，上述之柵極由第一氮化鋁釔合金層、鋁釔合金層與第二氮化鋁釔合金層所組成。
在本發(fā)明實(shí)施例中，上述之源極/漏極由鋁釔合金層與氮化鋁釔合金層所組成。
在本發(fā)明實(shí)施例中，上述之源極/漏極由第一氮化鋁釔合金層、鋁釔合金層與第二氮化鋁釔合金層所組成。
本發(fā)明另提出一種薄膜晶體管的形成方法，此方法先于基底上形成柵極。其中，柵極包括至少一層氮化鋁釔合金。然后，于基底上形成柵絕緣層以覆蓋柵極。之后，于基底上的柵絕緣層上設(shè)置半導(dǎo)體層。接下來(lái)，于半導(dǎo)體層上設(shè)置源極/漏極。
本發(fā)明又提出一種薄膜晶體管的形成方法，此方法先于基底上形成柵極。接著，于基底上形成柵絕緣層以覆蓋柵極。之后，于基底上的柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層。接下來(lái)，于半導(dǎo)體層上形成源極/漏極。其中，源極/漏極包括至少一層氮化鋁釔合金。
在本發(fā)明實(shí)施例中，上述之柵極和(或)源極/漏極是以下述步驟形成。首先于基底上形成鋁釔合金層。并且對(duì)鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟，以形成氮化鋁釔合金層。接著將氮化鋁釔合金層圖案化以形成柵極和(或)源極/漏極。
在本發(fā)明之實(shí)施例中，上述之柵極和(或)源極/漏極以下述之步驟形成。首先于基底上形成第一鋁釔合金層。然后于第一鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層。并且對(duì)第二鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟，以于第一鋁釔合金層上形成氮化鋁釔合金層。之后將氮化鋁釔合金層與第一鋁釔合金層圖案化以形成柵極和(或)源極/漏極。
在本發(fā)明之實(shí)施例中，上述之柵極和(或)源極/漏極以下述之步驟形成。首先，于基底上形成第一鋁釔合金層。并且，對(duì)第一鋁釔合金層進(jìn)行第一氮化步驟，以形成第一氮化鋁釔合金層。接著，于第一氮化鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層。之后，于第二氮化鋁釔合金層上形成第三鋁釔合金層。并且，對(duì)第三鋁釔合金層進(jìn)行第二氮化步驟，以于第二鋁釔合金層上形成第二氮化鋁釔合金層。接著，將第二氮化鋁釔合金層、第二鋁釔合金層與第一氮化鋁釔合金層圖案化，以形成柵極和(或)源極/漏極。
本發(fā)明之薄膜晶體管的電極(柵極和(或)源極/漏極)包括至少一層氮化鋁釔合金，因?yàn)樵阡X釔合金的表面上有一層氮化物保護(hù)薄膜，所以與公知技術(shù)中使用的金屬合金比較起來(lái)，較為穩(wěn)定，以致于電極對(duì)于氧化與侵蝕具有較佳的抵抗性。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為依照本發(fā)明較佳實(shí)施例之薄膜晶體管的剖面示意圖。
圖2A為依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管的雙層?xùn)艠O的剖面示意圖。
圖2B為依照本發(fā)明再一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管的雙層源極/漏極的剖面示意圖。
圖3A為依照本發(fā)明又一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管的三層?xùn)艠O的剖面示意圖。
圖3B為依照本發(fā)明又一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管的三層源極/漏極的剖面示意圖。
主要元件標(biāo)記說(shuō)明100基底102柵極102a、102d、110a、110d鋁釔合金層102b、102c、102e、110b、110c、110e氮化鋁釔合金層104柵絕緣層105半導(dǎo)體層106通道層108歐姆接觸層110源極/漏極具體實(shí)施方式
圖1為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，薄膜晶體管包括柵極102、柵絕緣層104、半導(dǎo)體層105以及源極/漏極110。柵極102設(shè)置于基底100上，而柵絕緣層104設(shè)置于基底100上方以覆蓋柵極102。柵絕緣層104例如是由氧化硅層、氮化硅層或氧化硅層與氮化硅層的組合層所構(gòu)成。半導(dǎo)體層105設(shè)置于柵極102上方的柵絕緣層104上。源極/漏極110設(shè)置于半導(dǎo)體層105上。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層105例如包括形成于柵絕緣層104上的通道層106與形成于通道層106和源極/漏極110之間的歐姆接觸層108。
特別是，依照本發(fā)明之較佳實(shí)施例，柵極102包括至少一層氮化鋁釔合金。換句話說(shuō)，柵極102可以是單層的氮化鋁釔合金或包括至少一層氮化鋁釔合金的復(fù)合層。若柵極102為單層，則柵極102由氮化鋁釔合金層所組成。在本實(shí)施例中，形成單層之柵極102的方法如以下步驟。首先，在濺鍍室、蒸鍍室或其它公知的沉積室中，于基底100上形成一層鋁釔合金層。并且，對(duì)鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟，以形成氮化鋁釔合金層。其中，上述之氮化步驟例如是在形成鋁釔合金層之后，于沉積室中通入氮?dú)饧纯?。或者是，于形成鋁釔合金層的同時(shí)通入氮?dú)庵脸练e室中，以形成氮化鋁釔合金層。之后，利用光刻工藝與蝕刻工藝將氮化鋁釔合金層圖案化，以形成柵極102。
若柵極102為雙層結(jié)構(gòu)，則柵極102由鋁釔合金層102a與氮化鋁釔合金層102b所組成。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，在本例中，形成雙層?xùn)艠O102的方法如以下步驟。首先，于基底100上形成第一鋁釔合金層102a。然后，于第一鋁釔合金層102a上形成第二鋁釔合金層(圖中未示)。并且，對(duì)第二鋁釔合金層進(jìn)行氮化反應(yīng)步驟，以形成氮化鋁釔合金層102b。之后，將氮化鋁釔合金層102b與第一鋁釔合金層102a圖案化，以形成柵極102。第一鋁釔合金層102a與第二鋁釔合金層以先前所述的方法所形成，而氮化反應(yīng)步驟也是以先前所述的相同方法進(jìn)行。
若柵極102為三層結(jié)構(gòu)，則柵極102由第一氮化鋁釔合金層102c、鋁釔合金層102d以及第二氮化鋁釔合金層102e所組成，請(qǐng)參照?qǐng)D3A。在本實(shí)施例中，形成三層之柵極102的方法如以下步驟。首先，于基底100上形成第一鋁釔合金層(圖中未示)。并且，對(duì)第一鋁釔合金層進(jìn)行如上述之氮化步驟，以形成第一氮化鋁釔合金層102c。然后，于第一氮化鋁釔合金層102c上形成第二鋁釔合金層102d。接著，于第二鋁釔合金層102d上形成第三鋁釔合金層(圖中未示)。并且，對(duì)第三鋁釔合金層進(jìn)行如上述之氮化步驟，以形成第二氮化鋁釔合金層102e。然后，將第二氮化鋁釔合金層102e、第二鋁釔合金層102d以及第一氮化鋁釔合金層102c圖案化，以形成柵極102。
在另一實(shí)施例中，源極/漏極110包括至少一層氮化鋁釔合金，請(qǐng)參照?qǐng)D1。換句話說(shuō)，源極/漏極110可以是單層的氮化鋁釔合金或包括至少一層氮化鋁釔合金的復(fù)合層。若源極/漏極110為單層，則源極/漏極110由氮化鋁釔合金層所組成。同樣地，形成單層源極/漏極110的方法如以下步驟。首先，在濺鍍室、蒸鍍室或其它公知的沉積室中，于柵絕緣層104上形成鋁釔合金層，以覆蓋半導(dǎo)體層105。并且，對(duì)鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟，以形成氮化鋁釔合金層，其中，上述之氮化步驟例如是在形成鋁釔合金層之后，于沉積室中通入氮?dú)饧纯?。或者是，于形成鋁釔合金層的同時(shí)通入氮?dú)庵脸练e室中，以形成氮化鋁釔合金層。之后，將氮化鋁釔合金層圖案化，以形成源極/漏極110。
若源極/漏極110為雙層結(jié)構(gòu)，則源極/漏極110由鋁釔合金層110a與氮化鋁釔合金層110b所組成，請(qǐng)參照?qǐng)D2B。同樣地，形成雙層之源極/漏極110的方法如以下步驟。首先，于柵絕緣層104上形成第一鋁釔合金層110a，以覆蓋半導(dǎo)體層105。然后，于第一鋁釔合金層110a上形成第二鋁釔合金層(圖中未示)。并且，對(duì)第二鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟，以形成氮化鋁釔合金層110b。之后，將氮化鋁釔合金層110b與第一鋁釔合金層110a圖案化，以形成源極/漏極110。第一鋁釔合金層110a與第二鋁釔合金層以先前所述的方法所形成，而氮化步驟也是以先前所述的相同方法進(jìn)行。
當(dāng)源極/漏極110為三層結(jié)構(gòu)，則源極/漏極110由第一氮化鋁釔合金層110c、鋁釔合金層110d以及第二氮化鋁釔合金層110e所組成，請(qǐng)參照?qǐng)D3B。相同地，形成三層之源極/漏極110的方法如以下步驟。首先，于柵絕緣層104上形成第一鋁釔合金層(圖中未示)，以覆蓋半導(dǎo)體層105。并且，對(duì)第一鋁釔合金層進(jìn)行如上述之氮化步驟，以形成第一氮化鋁釔合金層110c。然后，于第一氮化鋁釔合金層110c上形成第二鋁釔合金層110d。接著，于第二鋁釔合金層110d上形成第三鋁釔合金層(圖中未示)。并且，對(duì)第三鋁釔合金層進(jìn)行如上述之氮化步驟，以形成第二氮化鋁釔合金層110e。然后，將第二氮化鋁釔合金層110e、第二鋁釔合金層110d以及第一氮化鋁釔合金層110c圖案化，以形成源極/漏極110。
在另一實(shí)施例中，柵極102與源極/漏極110皆包括至少一層氮化鋁釔合金層。換句話說(shuō)，柵極102與源極/漏極110皆可以是單層的氮化鋁釔合金或包括至少一層氮化鋁釔合金的復(fù)合層。上述包括至少一層氮化鋁釔合金層的復(fù)合層，可以是雙層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參照?qǐng)D2A、圖2B、圖3A以及圖2B。
值得注意的是，因?yàn)樵阡X釔合金的表面上有一層氮化物保護(hù)薄膜，所以氮化鋁釔合金層與公知技術(shù)中的金屬合金比較起來(lái)更為穩(wěn)定，以致于氮化鋁釔合金層對(duì)于氧化與侵蝕具有較佳的抵抗性。換句話說(shuō)，包括至少一層氮化鋁釔合金層的薄膜晶體管的電極對(duì)于氧化與侵蝕具有較佳的抵抗性。特別是，若形成三層的柵極或三層的源極/漏極時(shí)，鋁釔合金層會(huì)夾在二層氮化鋁釔合金層中間，以避免鋁釔合金層被氧化與侵蝕。
另外，鋁釔合金層的沉積工藝以及氮化反應(yīng)步驟，可以在相同的反應(yīng)室(原位)中進(jìn)行。若形成雙層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)時(shí)，也可以在相同的反應(yīng)室(原位)中進(jìn)行。因此，本發(fā)明的柵極與(或)源極/漏極的制造并不復(fù)雜，因而能提高制造工藝的生產(chǎn)力。
值得注意的是，若本發(fā)明之薄膜晶體管是作為液晶顯示器的開(kāi)關(guān)元件時(shí)，且應(yīng)當(dāng)使用雙層或三層的源極/漏極時(shí)，在后續(xù)各像素結(jié)構(gòu)的接觸窗開(kāi)口的蝕刻制造中，上層氮化鋁釔合金層表面的氮化物薄膜還可以當(dāng)作蝕刻終止層。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之修改與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其特征在于包括柵極，置于基底上，其中該柵極包括至少一層氮化鋁釔(Al-Y)合金；柵絕緣層，形成于該基底上，以覆蓋該柵極；半導(dǎo)體層，設(shè)置于該柵極上之該柵絕緣層上；以及源極/漏極，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管，其特征在于該柵極包括鋁釔合金層；以及氮化鋁釔合金層，設(shè)置于該鋁釔合金層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管，其特征在于該柵極包括第一氮化鋁釔合金層；鋁釔合金層，設(shè)置于該第一氮化鋁釔合金層上；以及第二氮化鋁釔合金層，設(shè)置于該鋁釔合金層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管，其特征在于該源極/漏極包括至少一層氮化鋁釔合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述之薄膜晶體管，其特征在于該源極/漏極包括鋁釔合金層；以及氮化鋁釔合金層，設(shè)置于該鋁釔合金層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述之薄膜晶體管，其特征在于該源極/漏極包括第一氮化鋁釔合金層；鋁釔合金層，設(shè)置于該第一氮化鋁釔合金層上；以及第二氮化鋁釔合金層，設(shè)置于該鋁釔合金層上。
7.一種薄膜晶體管，其特征在于包括柵極；柵絕緣層，設(shè)置于該基底上，以覆蓋該柵極；半導(dǎo)體層，設(shè)置于該柵極上之該柵絕緣層上；以及源極/漏極，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，其中該源極/漏極包括至少一層氮化鋁釔合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管，其特征在于該源極/漏極包括鋁釔合金層；以及氮化鋁釔合金層，設(shè)置于該鋁釔合金層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管，其特征在于該源極/漏極包括第一氮化鋁釔合金層；鋁釔合金層，設(shè)置于該第一氮化鋁釔合金層上；以及第二氮化鋁釔合金層，設(shè)置于該鋁釔合金層上。
10.一種薄膜晶體管形成方法，其特征在于包括于基底上形成柵極，其中該柵極包括至少一層氮化鋁釔合金；于該基底上形成柵絕緣層以覆蓋該柵極；于該柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；以及于該半導(dǎo)體層上形成源極/漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該柵極的步驟包括于該基底上形成鋁釔合金層；對(duì)該鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟以形成氮化鋁釔合金層，其中該氮化步驟是在形成該鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該氮化鋁釔合金層圖案化以形成該柵極。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該柵極的步驟包括于該基底上形成第一鋁釔合金層；于該第一鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層；對(duì)該第二鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟以于該第一鋁釔合金層上形成氮化鋁釔合金層，其中該氮化步驟是在形成該第二鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第二鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該氮化鋁釔合金層與該第一鋁釔合金層圖案化以形成該柵極。
13.根據(jù)權(quán)利要求10項(xiàng)所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該柵極的步驟包括于該基底上形成第一鋁釔合金層；對(duì)該第一鋁釔合金層進(jìn)行第一氮化步驟以形成第一氮化鋁釔合金層，其中該第一氮化步驟是在形成該第一鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第一鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；于該第一氮化鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層；于該第二鋁釔合金層上形成第三鋁釔合金層；對(duì)該第三鋁釔合金層進(jìn)行第二氮化步驟以于該第二鋁釔合金層上形成第二氮化鋁釔合金層，其中該第二氮化步驟是在形成該第三鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第三鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該第二氮化鋁釔合金層、該第二鋁釔合金層與該第一氮化鋁釔合金層圖案化以形成該柵極。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該源極/漏極的步驟包括于該柵絕緣層上形成鋁釔合金層以覆蓋該半導(dǎo)體層；對(duì)該鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟以形成氮化鋁釔合金層，其中該氮化步驟是在形成該鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該氮化鋁釔合金層圖案化以形成該源極/漏極。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該源極/漏極的步驟包括于該柵絕緣層上形成第一鋁釔合金層以覆蓋該半導(dǎo)體層；于該第一鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層；對(duì)該第二鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟以于該第一鋁釔合金層上形成氮化鋁釔合金層，其中該氮化步驟是在形成該第二鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第二鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該氮化鋁釔合金層與第一鋁釔合金層圖案化以形成該源極/漏極。
16.根據(jù)權(quán)利要求10項(xiàng)所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該源極/漏極的步驟包括于該柵絕緣層上形成第一鋁釔合金層以覆蓋該半導(dǎo)體層；對(duì)該第一鋁釔合金層進(jìn)行第一氮化步驟以形成第一氮化鋁釔合金層，其中該第一氮化步驟是在形成該第一鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第一鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；于該第一氮化鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層；于該第二鋁釔合金層上形成第三鋁釔合金層；對(duì)該第三鋁釔合金層進(jìn)行第二氮化步驟以于該第二鋁釔合金層上形成第二氮化鋁釔合金層，其中該第二氮化步驟是在形成該第三鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第三鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該第二氮化鋁釔合金層、該第二鋁釔合金層與該第一氮化鋁釔合金層圖案化以形成該源極/漏極。
17.一種薄膜晶體管形成方法，其特征在于包括于基底上形成柵極；于該基底上形成柵絕緣層以覆蓋該柵極；于該柵極上之該柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；以及于該半導(dǎo)體層上形成源極/漏極，其中該源極/漏極包括至少一層氮化鋁釔合金。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該源極/漏極的步驟包括于該柵絕緣層上形成鋁釔合金層以覆蓋該半導(dǎo)體層；對(duì)該鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟以形成氮化鋁釔合金層，其中該氮化步驟是在形成該鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該氮化鋁釔合金層圖案化以形成該源極/漏極。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該源極/漏極的步驟包括于該柵絕緣層上形成第一鋁釔合金層以覆蓋該半導(dǎo)體層；于該第一鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層；對(duì)該第二鋁釔合金層進(jìn)行氮化步驟以于該第一鋁釔合金層上形成氮化鋁釔合金層，其中該氮化步驟是在形成該第二鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第二鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該氮化鋁釔合金層與第一鋁釔合金層圖案化以形成該源極/漏極。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述之薄膜晶體管形成方法，其特征在于形成該源極/漏極的步驟包括于該柵絕緣層上形成第一鋁釔合金層以覆蓋該半導(dǎo)體層；對(duì)該第一鋁釔合金層進(jìn)行第一氮化步驟以形成第一氮化鋁釔合金層，其中該第一氮化步驟是在形成該第一鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第一鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；于該第一氮化鋁釔合金層上形成第二鋁釔合金層；于該第二鋁釔合金層上形成第三鋁釔合金層；對(duì)該第三鋁釔合金層進(jìn)行第二氮化步驟以于該第二鋁釔合金層上形成第二氮化鋁釔合金層，其中該氮化步驟是在形成該第三鋁釔合金層之后進(jìn)行，或是在沉積該第三鋁釔合金層的時(shí)候進(jìn)行；以及將該第二氮化鋁釔合金層、該第二氮化鋁釔合金層與該第一氮化鋁釔合金層圖案化以形成該源極/漏極。
全文摘要
一種薄膜晶體管，包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層以及源極/漏極。柵極設(shè)置于基底上，其中，柵極包括至少一層氮化鋁釔合金。柵絕緣層形成于基底上以覆蓋柵極。半導(dǎo)體層設(shè)置于基底上之柵絕緣層上。源極/漏極設(shè)置于半導(dǎo)體層上。本發(fā)明之薄膜晶體管具有較低接觸電阻或線電阻的柵極與源極/漏極。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK1858915SQ20051006827
公開(kāi)日2006年11月8日 申請(qǐng)日期2005年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月8日
發(fā)明者曹文光, 許泓譯, 鐘享顯, 陳敏煌 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司