專利名稱：具有不可見電極的透明基板及結(jié)合其的器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及至少在一面具有透明電極的透明基板，所述電極的結(jié)構(gòu)是這樣，它們的輪廓對(duì)于在可見光波長(zhǎng)范圍內(nèi)的觀察者是不可見的。
本發(fā)明還涉及這樣的器件，一般為電子裝置，包括一個(gè)或多個(gè)具有不可見電極的透明基板，其中，所述電極具有命令器或電能控制器的功能，本發(fā)明尤其涉及一種設(shè)置在電子裝置的顯示器上的器件，在所述裝置上可以從所述顯示器讀取數(shù)據(jù)，而不受所述電極的結(jié)構(gòu)和設(shè)置的干擾。
本發(fā)明還涉及一種方法，用于經(jīng)濟(jì)和高精度地將電極設(shè)置在任何透明電極上，而在電極之間提供光學(xué)補(bǔ)償以使它們的輪廓不可見。
背景技術(shù)：
已經(jīng)提出方案，使由設(shè)置在顯示器和觀察者之間的電極形成的界面保持盡可能地周到，并避免破壞電子裝置的美觀，尤其在鐘表的情況下。例如，公知的是，在手表中，玻璃的內(nèi)面包括電極，所述電極通過電容性或電阻性效應(yīng)可以觸摸控制時(shí)間或跟時(shí)間無關(guān)的功能，如在美國(guó)專利4,228,534和歐洲專利0 674 247、1 207 439中以非限制方式所公開的。所述玻璃還可以用由兩個(gè)具有透明電極的基板形成的單元代替或完成，所述基板之間放置有活性材料，例如以形成光電單元，所述光電單元形成能源，如在WO專利93/19479中所述，或者形成液晶單元，其可以具有透明狀態(tài)、或用于顯示對(duì)在數(shù)字盤上的顯示的補(bǔ)充的數(shù)據(jù)或與其不同的數(shù)據(jù)的狀態(tài)，如在WO專利99/32945中所述。
為形成電極，以已知的方式使用透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，即，在可見范圍中的既是良導(dǎo)體又透明的材料，例如錫和銦的氧化物、摻雜銻的In2O3或SnO2。透明導(dǎo)電聚合物也可以用作構(gòu)成電極的導(dǎo)電膜，所述聚合物是具有共軛雙鍵的有機(jī)組分，其導(dǎo)電性可以通過化學(xué)或電化學(xué)摻雜得到提高。所述聚合物可以是例如聚乙炔或聚苯胺，如Ormecon。這些在50到100nm量級(jí)的膜，通過大量已知技術(shù)，直接設(shè)置在透明基板上或中間層上，所述技術(shù)例如陰極濺鍍、蒸發(fā)、溶膠-凝膠技術(shù)、以及化學(xué)氣相淀積(CVD)，其中激光輔助化學(xué)氣相淀積(LICVD)是受關(guān)注的。
關(guān)于構(gòu)成電極，也有各種已知的方法，所述方法利用至少對(duì)應(yīng)于電極的輪廓的掩模，或者通過用UV激光照射使溶膠-凝較膜局部結(jié)晶而淀積TCO、或者通過在連續(xù)TCO膜上進(jìn)行化學(xué)蝕刻或用具有充分通量的UV激光照射局部消除。所述透明基板、玻璃或塑料的性質(zhì)，從技術(shù)和經(jīng)濟(jì)的觀點(diǎn)來看，對(duì)于將應(yīng)用的工藝的選擇，顯然是決定性的因素。通過UV激光使溶膠-凝較膜局部結(jié)晶很難應(yīng)用在例如塑料基板，如PMMA中，因?yàn)樗鲞^程是光熱反應(yīng)過程。
而且，在選擇性蝕刻方法中使用的腐蝕性很強(qiáng)的化學(xué)組分，將損壞所述基板或夾在所述基板和TCO膜之間的中間層，從而，無論用什么方法填充電極之間的不導(dǎo)電間隔，該不導(dǎo)電間隔仍然可以被肉眼看到，這些不導(dǎo)電間隔可以被肉眼看到的還一個(gè)原因是，如果需要分別為蝕刻和填充使用兩個(gè)互補(bǔ)掩模，則難于在填充所述間隔時(shí)不形成偏移光線的凸起或凹陷。
為了克服上述缺點(diǎn)，在本申請(qǐng)人的歐洲專利申請(qǐng)03005615.4中提出了一種方法，其在此引用作為參考，所述方法是使用應(yīng)用激光照射的單個(gè)掩模，所述激光照射的特征(通量、脈沖數(shù)、頻率)根據(jù)用于兩個(gè)連續(xù)步驟的兩個(gè)不同模式進(jìn)行調(diào)節(jié)。第一步是完全消除在不導(dǎo)電間隔中的TCO，第二步是在所述間隔中淀積具有合適的折射率和厚度的材料。實(shí)際上，明顯地，只有通過除去在隔離兩個(gè)電極的間隔中的任何導(dǎo)電材料，才可以使靠近的兩個(gè)電極電絕緣。
然而，意外的是，已發(fā)現(xiàn)在不除去TCO的情況下，可以使導(dǎo)電性降低到足以使兩個(gè)靠近的電極能夠電絕緣的程度，這樣可以保持初始的光學(xué)性質(zhì)，從而無論從哪個(gè)角度觀測(cè)由透明基板承載的所述電極，都可以使所述電極的輪廓不可見。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明因此涉及具有不可見電極的透明基板，包括其上淀積有透明導(dǎo)電膜的透明支持物，其中電極的結(jié)構(gòu)是，具有被不導(dǎo)電間隔隔開的輪廓。所述基板的特征在于，位于所述不導(dǎo)電間隔上的導(dǎo)電膜包括納米裂紋或裂縫，大部分裂紋穿過導(dǎo)電膜的整個(gè)厚度，斷開相鄰電極之間的導(dǎo)電性，而不以肉眼可見的方式改變光學(xué)路徑。這些裂紋或裂縫的邊緣最多分開幾微米，而不會(huì)被觀察者看到，所述觀察者在近距離觀測(cè)下(20-30cm)，其視覺靈敏度不能使其分辨出小于1/10毫米的物體。
所述導(dǎo)電膜可以是透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，還可以是透明導(dǎo)電聚合物。然而，在下文中將主要參考TCO，這是用于制造透明電極的最常見的產(chǎn)品。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，優(yōu)選地，一旦淀積TCO膜，所述透明支持物則覆蓋上硬透明不導(dǎo)電材料(硬涂層)的膜，該膜有助于形成納米裂紋。
根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，在構(gòu)成電極后，基板的全部表面，即，電極和不導(dǎo)電間隔，可以除電極的接觸區(qū)以外，都覆蓋上保護(hù)膜，所述膜還可以具有增透性，該膜有助于長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)固納米裂紋。
通過激光源的UV照射獲得TCO膜中的納米裂紋。為了實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)，所述方法包括以下步驟將所述基板放置到具有進(jìn)氣管和泵排氣管的密封室中，所述基板由支持物和TCO膜形成，所述TCO膜可以淀積在中間層上；在UV照射源和所述基板之間插入包括對(duì)UV照射透明的窗口的掩模，所述窗口模擬了希望的所述不導(dǎo)電間隔的輪廓；以及根據(jù)用于形成基板的材料、所述材料的厚度以及對(duì)發(fā)光源的選擇的作用，調(diào)節(jié)照射的特征，在TCO膜上形成納米裂紋而不除去物質(zhì)。
關(guān)于所述源的選擇，優(yōu)選地使用脈沖受激準(zhǔn)分子激光器，其主要在紫外范圍發(fā)光，其作用已知為進(jìn)行光致消除或標(biāo)記。其可以是例如具有短脈沖(20ns)的受激準(zhǔn)分子KrF(λ＝248nm)，或者是具有長(zhǎng)脈沖(250ns)的受激準(zhǔn)分子XeF(λ＝308nm)?！罢丈涮卣鳌敝竿俊⒚}沖數(shù)及其頻率。
必須在下限和上限之間對(duì)這些特征進(jìn)行調(diào)節(jié)，其中，在所述下限，可以觀測(cè)到裂紋，但是沒有充分的降低導(dǎo)電性，在所述上限，導(dǎo)致對(duì)TCO膜的消除，使電極的輪廓可見，假設(shè)電極之間的通常的絕緣間隔是幾十毫米的量級(jí)。顯然，如上述歐洲專利申請(qǐng)03005615.4所述，可以用透明電介質(zhì)材料填充這些間隔，從而可以獲得光學(xué)補(bǔ)償。
根據(jù)本發(fā)明的方法則具有不需要上述步驟的優(yōu)點(diǎn)，從而更經(jīng)濟(jì)。所述方法也不需要在給定所述TCO膜的特定特征(折射率和厚度)的情況下，困難地選擇具有適于獲得滿意的光學(xué)補(bǔ)償?shù)恼凵渎屎秃穸鹊碾娊橘|(zhì)材料。
在構(gòu)成電極后，有利的是，仍然將基板放置在密封室中，用另一個(gè)掩模代替上述掩模，通過在所述密封室中引入前體氣體，所述另一個(gè)掩模的UV透明窗口可以在整個(gè)基板上淀積透明保護(hù)膜，即，電極和不導(dǎo)電間隔，可以除電極的接觸區(qū)以外。優(yōu)選地，使用性質(zhì)和厚度可以產(chǎn)生增透性的材料形成保護(hù)膜。該膜還具有長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)固所述納米裂紋的優(yōu)點(diǎn)。
從而，可以在上文提到的所有應(yīng)用中使用具有不可見電極的透明基板，所述透明基板對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的已知產(chǎn)品提供較高質(zhì)量的透明性和均勻性。


下面參考附圖，通過對(duì)說明性的和非限制性的示例的描述，將會(huì)看到本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是獲得根據(jù)本發(fā)明的具有不可見電極的透明基板的器件的示意圖；圖2和3示出了第一實(shí)施例的制造步驟；圖4、5和6示出了第二實(shí)施例的制造步驟；圖7示出了用于進(jìn)行電測(cè)量的裝配圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的具有納米裂紋的電介質(zhì)區(qū)；
圖9對(duì)應(yīng)于圖8中在UV照射特征不充分時(shí)的情況；圖10對(duì)應(yīng)于圖8中在UV照射特征相反地過剩時(shí)的情況；圖11是參考圖8的納米裂紋的AFM圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意地示出了這樣的器件，它主要包括由激光源形成的UV照射源14、一種光學(xué)系統(tǒng)，包括用于減少激光束的截面以增加其通量的凸透鏡16和凹透鏡18、包括UV照射透明區(qū)12的掩模10、以及密封室2。密封室2包括對(duì)UV照射透明的窗口8、進(jìn)氣管4以及泵排氣管6。密封室2還可以包括對(duì)前體氣體的媒介氣體(vector gas)的附加的進(jìn)氣管(未示出)。密封室2中放置有基板，在該示例中，所述基板包括已經(jīng)覆蓋有TCO膜5的透明基底。當(dāng)然也可以直接在密封室2中形成TCO膜，例如通過LICVD，但由于其能量損耗將增大到100倍，其在經(jīng)濟(jì)上受到較少關(guān)注，。
UV照射源由受激準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生，例如具有長(zhǎng)脈沖(250ns)的XeF激光器(308nm)，其提供的最大能量是150mJ/脈沖，矩形光束為1.9×2.5cm2；或者具有短脈沖(20ns)的KrF激光器(280nm)，其提供的最大能量是180mJ/脈沖，矩形光束為1.5×4cm2。當(dāng)然還可以使用其它激光器，例如三倍頻或四倍頻Nd:YAG激光器，如果他們的特征能適合所希望的目的。
圖2和圖3示出了最簡(jiǎn)單的實(shí)施例，其中由透明材料形成的支持物1覆蓋有連續(xù)TCO膜，例如錫和銦的氧化物(ITO)，在該示例中，其厚度為70nm。當(dāng)然可以使用其它TCO，例如摻雜有Sb的In2O3或SnO2，并可以具有不同的厚度，例如可以在50和100nm之間，優(yōu)選地在65和75nm之間。如圖3所示，經(jīng)過密封室2中的UV照射后，納米裂紋11穿過ITO膜，并使電極7和接觸區(qū)15電隔離，從而形成不導(dǎo)電間隔9。為了得到這些裂紋而不消除在這些電間隔9中的ITO，必須將UV照射的特征調(diào)節(jié)到一定范圍內(nèi)，從而納米裂紋的深度可以充分地?cái)嚅_導(dǎo)電性，以使相鄰的電極電絕緣，并不因此導(dǎo)致對(duì)ITO膜的消除，這在對(duì)應(yīng)圖4到6在第二實(shí)施例中將作更詳細(xì)的說明。
圖4示出了由支持物1形成的基板，在該示例中，支持物1由PMMA形成，其上淀積有硬不導(dǎo)電透明材料(硬涂層)的中間層3。該中間層保護(hù)PMMA，并有助于在形成納米裂紋后穩(wěn)固ITO基底，其由例如結(jié)合SiO2的樹脂形成，厚度在20μm的數(shù)量級(jí)上。該基板被放置到密封室2中，然后，通過掩膜10受到來自源14的UV照射。在下文的示例中，所述源由具有長(zhǎng)脈沖(250ns)的XeF受激準(zhǔn)分子激光器(λ＝308nm)形成，其照度特征為5Hz 20個(gè)脈沖，照射面積為3×4nm2，而同時(shí)變化所述通量。
圖5示意性地示出了納米裂紋11的形成，所述納米裂紋產(chǎn)生隔離電極7和接觸區(qū)15的不導(dǎo)電間隔9。
圖6示出一個(gè)可選步驟，其中基板仍保留在密封室2中，但是其中由另一個(gè)掩模代替掩模10，所述另一個(gè)掩模的照射透明窗口限定上述透明基板的有效輪廓。然后，通過進(jìn)氣管4將前體氣體引入密封室，從而在重新調(diào)節(jié)UV照射特征時(shí)淀積保護(hù)膜13。膜13由例如均勻厚度的SiO2和TiO2的淀積形成，其厚度可以改變使其具有增透性。另外，一方面，膜13還可以使納米裂紋11長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)固，另一方面，膜13通過填充納米裂紋之間的間隔使電極更加不可見。
圖7到11以例子示出了如何調(diào)節(jié)UV照射特征。在改變通量時(shí)使用了三個(gè)相同的樣品，所述樣品包括厚度為20μm、其上淀積有70nm厚的ITO膜的中間層，用具有5Hz20個(gè)脈沖的308nm的長(zhǎng)脈沖受激準(zhǔn)分子激光器照射3×4mm的表面。
圖7所示的電路圖示出了用于測(cè)量在照射區(qū)中的樣品的電氣特征的安裝設(shè)置。發(fā)電器17向電路傳輸1.77伏的正弦電壓，所述電路包括串聯(lián)的可以在2.2kΩ和570kΩ之間校準(zhǔn)的電阻器19和樣品部分23，其中通過用伏特表21測(cè)量電阻器19(Rech.＝(Vgen.-V)/I)兩端的電壓，可以導(dǎo)出在0.7mA到0.2μA之間的電流值。如圖8所示，“樣品部分”23取自于分別在納米裂紋的兩側(cè)的、距離為0.3到0.5mm的兩點(diǎn)之間。還可以使用環(huán)形端點(diǎn)(未示出)，即柔化的觸點(diǎn)，以防止端點(diǎn)破壞ITO膜。
當(dāng)樣品還沒有受到UV照射，端點(diǎn)之間的電阻是180Ω，通過樣品的電流是1.5mA，校準(zhǔn)電阻為670Ω。
圖8示出了在受到具有上述特征并且通量為65mJ/cm2的激光束照射后，在放大率大約為15的反射型顯微鏡下觀察到的圖像?？梢钥吹?，納米裂紋的數(shù)量很多。通過進(jìn)行與對(duì)未照射樣品進(jìn)行的相同的電測(cè)量，其中測(cè)量端點(diǎn)之間的距離相同，得出所述交流電不再是可測(cè)的(＜＜0.2μA)，這意味著，位于裂紋11兩側(cè)的ITO點(diǎn)得到了充分的電絕緣。
這由圖11所示的通過納米裂紋的AFM成像證實(shí)?？梢钥吹?，納米裂紋最大的深度為75nm，即，所述裂紋的底部非常輕微地滲入絕緣硬涂層3，從而納米裂紋較深處的兩邊大約電氣分開70nm。還可以看到，在上部，納米裂紋11的最大寬度大約是500nm的量級(jí)，即，肉眼完全觀測(cè)不到的極小寬度。
使第二樣品受到同樣的、只是通量更低，即60mJ/cm2的照射，也得到了裂紋，如圖9所示，但是在電氣特征方面有些微小變化。初始電阻為670Ω，觀測(cè)到端點(diǎn)間的電阻是800Ω，及電流是1.19mA，意味著，裂紋中仍然存在顯著的導(dǎo)電性。通過AFM成圖(未示出)，可以實(shí)際確定，裂紋的最大深度是66nm，即在裂紋底部仍然保留了導(dǎo)電聯(lián)結(jié)。
相反地，通過參考圖10，可以看到，通過將65mJ/cm2的通量增加到70mJ/cm2，形成其中除去了充分寬度的ITO膜的區(qū)22，從而使隔離所述電極的所述區(qū)變?yōu)槿庋劭梢姷?。電極的導(dǎo)電性顯然得到斷開，但是然后必須進(jìn)行例如根據(jù)在上述歐洲專利03005615.4中提出的方法的補(bǔ)充制造步驟，以獲得光學(xué)補(bǔ)償。
顯而易見，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)TCO膜的性質(zhì)、以及甚至中間層的性質(zhì)及其各自的厚度，根據(jù)所用激光源定義UV照射特征，從而找到在對(duì)導(dǎo)電性的斷開不充分的下限和TCO膜被撕去的上限之間的位置。
從而，當(dāng)照射區(qū)的表面積是1×4mm2、通量是85mJ/cm2時(shí)，可以在與參考圖8所描述的相同的測(cè)量條件下，獲得相同的關(guān)于導(dǎo)電性的結(jié)果。
通過利用248nm短脈沖激光器，也可以獲得與圖8相同的結(jié)果，其中樣品為2×8mm2，所述激光器具有5Hz 50個(gè)脈沖，并且通量為50mJ/cm2。
根據(jù)使用的激光源，不限于受激準(zhǔn)分子激光器，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地通過一些初步的努力，確定用于不除去物質(zhì)、但充分地?cái)嚅_電極間的導(dǎo)電性地形成納米裂紋的最佳條件。
權(quán)利要求
1.具有不可見電極的透明基板，包括透明支持物(1)，其上淀積有透明導(dǎo)電膜(5)，其中電極(7)及其接觸區(qū)(15)的結(jié)構(gòu)為，其輪廓被不導(dǎo)電間隔(9)分開，所述透明基板的特征在于，位于所述不導(dǎo)電間隔(9)的位置上的導(dǎo)電膜(5)包括納米裂紋(11)，用于斷開相鄰電極間的導(dǎo)電性，而不以肉眼可見的方式改變光線路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜(5)是透明導(dǎo)電氧化物，選自于包括錫和銦的氧化物(ITO)、摻雜Sb的In2O3以及SnO2的組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜(5)是選自于聚乙炔和聚苯胺中的具有共軛雙鍵的摻雜導(dǎo)電聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其特征在于，所述支持物(1)和所述導(dǎo)電膜(5)之間夾有由透明不導(dǎo)電硬材料或硬涂層形成的中間層(3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的基板，其特征在于，所述中間層(3)由結(jié)合SiO2的樹脂形成，其厚度至少是20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其特征在于，大部分所述納米裂紋(11)穿過所述整個(gè)導(dǎo)電膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的基板，其特征在于，所述導(dǎo)電膜(5)是厚度在50到100nm之間、優(yōu)選在65到75nm之間的ITO膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其特征在于，所述支持物(1)由選自于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯(PC)的材料形成。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求之一的基板，其特征在于，所述電極(7)和所述不導(dǎo)電間隔(9)上還覆蓋有還可以具有增透性的保護(hù)膜(13)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的基板，其特征在于，所述保護(hù)膜(13)不覆蓋所述電極(7)的所述接觸區(qū)(15)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其特征在于，所述基板形成用于集成電子裝置中的觸摸型控制屏。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的基板，其特征在于，所述基板形成至少一個(gè)閉合板，用于電子裝置的液晶顯示單元或光電單元中。
13.一種制造具有不可見電極的透明基板的方法，所述基板包括透明支持物(1)，其上淀積有透明導(dǎo)電膜(5)，其中，電極(7)的結(jié)構(gòu)為，其輪廓由不導(dǎo)電間隔(9)隔離，由照射源(14)對(duì)所述基板進(jìn)行UV照射，所述方法的特征在于以下步驟將所述基板放置到具有進(jìn)氣管(4)和泵排氣管(6)的密封室(2)中，所述基板由所述支持物(1)和所述導(dǎo)電膜(5)形成，所述導(dǎo)電膜(5)可以淀積在由透明不導(dǎo)電硬材料形成的中間層(3)上；在所述UV照射源(14)和所述基板之間插入包括對(duì)UV照射透明的窗口(12)的掩模(10)，所述窗口對(duì)應(yīng)于不導(dǎo)電介質(zhì)(9)；以及根據(jù)用于所述基板的材料和所述發(fā)光源(14)的選擇，調(diào)節(jié)UV照射的特征，導(dǎo)致在所述照射區(qū)的所述導(dǎo)電膜(5)中產(chǎn)生納米裂紋，而不除去任何物質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于，其還包括用相同的UV源(14)、但是用另一種掩模代替所述掩模(10)從前體氣體淀積可以增透的導(dǎo)電膜(13)的步驟，所述另一種掩模對(duì)應(yīng)透明基板的希望有效的表面，而使所述電極(7)的所述接觸區(qū)(15)可見。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜(5)是選自于包括錫和銦的氧化物(ITO)、摻雜Sb的In2O3以及SnO2的組中的透明導(dǎo)電氧化物(TOC)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于所述透明導(dǎo)電膜(5)是選自于聚乙炔和聚苯胺中的摻雜導(dǎo)電聚合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其特征在于，所述源(14)由選自于XeF長(zhǎng)脈沖激光器和KrF短脈沖激光器中的受激準(zhǔn)分子激光器形成。
全文摘要
一種具有不可見電極的透明基板及結(jié)合其的器件。所述電極(7)和所述接觸區(qū)(15)的結(jié)構(gòu)設(shè)置在透明導(dǎo)電氧化物(TCO)膜中，所述氧化物膜淀積在可以覆蓋有中間膜(3)的透明支持物(1)上，而由電介質(zhì)間隔(9)隔離，所述間隔(9)由通過UV照射獲得的、并穿過所述TCO膜的納米裂紋(11)形成。所述電極(7)和所述電介質(zhì)間隔(9)上可以覆蓋有保護(hù)膜(13)。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK1624609SQ20041009553
公開日2005年6月8日 申請(qǐng)日期2004年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月1日
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