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陣列基板、薄膜晶體管、顯示器件的制作方法、顯示裝置的制造方法

文檔序號:9868309閱讀:628來源:國知局
陣列基板、薄膜晶體管、顯示器件的制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板、薄膜晶體管、顯示器件的制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板是一些顯示產(chǎn)品的重要組成部分。如圖1所示,陣列基板主要可以分為顯示區(qū)域10和非顯示區(qū)域20。未在圖中詳細(xì)示出的是,顯示區(qū)域10內(nèi)設(shè)有橫向排列的柵極信號線和縱向排列的源漏極信號線,柵極信號線和源漏極信號線交叉限定出顯示區(qū)域10內(nèi)的若干個(gè)子像素區(qū)域。每個(gè)子像素區(qū)域內(nèi),配置有主要由薄膜晶體管(Thin FilmTransistohTFT)形成的電路結(jié)構(gòu)。非顯示區(qū)域20主要包括柵極信號驅(qū)動(dòng)區(qū)域201和源極信號驅(qū)動(dòng)區(qū)域202。
[0003]在傳統(tǒng)的底柵結(jié)構(gòu)下,柵極信號線會(huì)與薄膜晶體管的柵電極在第一次金屬的構(gòu)圖工藝中形成,而在形成柵絕緣層之后源漏極信號線則會(huì)與薄膜晶體管的源電極和漏電極在第二次金屬的構(gòu)圖工藝中形成。如圖2所示,基板301上依次形成了柵金屬層304、柵絕緣層203和源漏金屬層303,圖示位置為源漏極信號線與柵極信號線相互交疊的位置。此處,由于柵金屬層304的邊緣處存在坡度角,因而其坡面上形成的源漏金屬層303很容易產(chǎn)生缺陷。具體來說,較大的坡度角容易造成坡面上的感光膠涂覆不均,進(jìn)而在刻蝕形成源漏金屬層303時(shí),未被充分覆蓋的金屬膜層就會(huì)被刻蝕液鉆刻,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致斷路。
[0004]為解決該問題,現(xiàn)有技術(shù)通常會(huì)通過在有柵極信號線和源漏極信號線交疊的部位增加有源層墊片來緩解坡度角的影響,如圖3中設(shè)置在柵金屬層304與源漏金屬層303之間的有源層墊片305。通過這樣的方式,雖然能在一定程度上緩解坡度角帶來源漏金屬層缺陷問題,但其相當(dāng)于向柵極信號線和源漏極信號線之間增設(shè)了介質(zhì)材料,造成耦合電容的增大;不僅會(huì)影響信號線的信號傳輸性能,還會(huì)帶來靜電擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明提供一種陣列基板、薄膜晶體管、顯示器件的制作方法、顯示裝置,可以改善源漏極金屬層中由柵極金屬層邊緣處的坡度角所導(dǎo)致的內(nèi)部缺陷。
[0006]第一方面,本發(fā)明提供了一種陣列基板,包括:基板和依次形成在所述基板上的柵極金屬層、絕緣層和源漏極金屬層;其中,
[0007]所述柵極金屬層由至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層構(gòu)成;
[0008]所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離所述基板的方向逐層增大;
[0009]所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層的膜層面積沿著背離所述基板的方向逐層減小。
[0010]可選地,所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層均采用同一種金屬材料形成;所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層的致密程度沿著背離所述基板的方向逐層減小。
[0011]可選地,所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層在經(jīng)圖案化處理之前,由同一種金屬沉積工藝在不同工藝參數(shù)下逐層形成,使得其在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離所述基板的方向逐層增大。
[0012]可選地,所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層的膜層厚度均相同。
[0013]第二方面,本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管,包括:襯底和依次形成在所述襯底上的柵極金屬層、絕緣層和源漏極金屬層;其中,
[0014]所述柵極金屬層由至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層構(gòu)成;
[0015]所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離所述襯底的方向逐層增大;
[0016]所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層的膜層面積沿著背離所述襯底的方向逐層減小。
[0017]可選地,所述至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層在經(jīng)圖案化處理之前,由同一種金屬沉積工藝在不同工藝參數(shù)下逐層形成,使得其在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離所述襯底的方向逐層增大。
[0018]第三方面,本發(fā)明提供了一種顯示器件的制作方法,包括:
[0019]在基板的一側(cè)形成至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層;所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離所述基板的方向逐層增大;
[0020]通過對所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層進(jìn)行包括使用所述金屬刻蝕液對所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層一起進(jìn)行刻蝕的圖案化處理,以形成由膜層面積沿著背離所述基板的方向逐層減小的至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層構(gòu)成的柵極金屬層;
[0021 ]在所述柵極金屬層和所述基板上形成絕緣層;
[0022]在所述絕緣層上形成包括源漏極金屬層的圖形。
[0023]可選地,所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層均采用同一種金屬材料形成;所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層的致密程度沿著背離所述襯底的方向逐層減小。
[0024]可選地,所述在基板的一側(cè)形成至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層,具體包括:
[0025]采用同一種金屬沉積工藝在不同工藝參數(shù)下逐層形成所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層,使得其在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離所述襯底的方向逐層增大。
[0026]可選地,所述在基板的一側(cè)形成至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層,具體包括:
[0027]采用磁控濺射工藝在不同工藝參數(shù)下逐層形成所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層,使得所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層的致密程度沿著背離所述襯底的方向逐層減小。
[0028]可選地,所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層的膜層厚度均相同。
[0029]第四方面,本發(fā)明提供了一種顯示裝置,包括上述任意一種陣列基板、上述任意一種薄膜晶體管,或者采用上述任意一種顯示器件的制作方法制作形成的顯示器件。
[0030]由上述技術(shù)方案可知,本發(fā)明實(shí)施例中的柵極金屬層由至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層構(gòu)成,其中至少兩個(gè)依次層疊的圖案化金屬膜層在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離基板的方向逐層增大的,且膜層面積沿著背離基板的方向逐層減小,使得源漏極金屬層與柵極金屬層之間的坡度角端差由一個(gè)過大的坡度角端差分散為至少兩個(gè)小的坡度角端差,從而可以改善源漏極金屬層中由柵極金屬層邊緣處的坡度角所導(dǎo)致的內(nèi)部缺陷。
[0031]相對于現(xiàn)有技術(shù)來說,本發(fā)明可以避免現(xiàn)有技術(shù)中通過在柵極信號線和源漏極信號線交疊的部位增加有源層墊片來緩解坡度角的方式對信號線的信號傳輸性能的影響以及其所存在的靜電擊穿風(fēng)險(xiǎn),因而有利于提升良率、降低生產(chǎn)成本。
[0032]而且本發(fā)明采用同一種金屬沉積工藝在不同工藝參數(shù)下逐層形成至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層,使得其在同一種金屬刻蝕液下的刻蝕速率沿著背離襯底的方向逐層增大,并采用磁控濺射工藝在不同工藝參數(shù)下逐層形成至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層,使得所述至少兩個(gè)依次層疊的金屬膜層的致密程度沿著背離襯底的方向逐層減小,實(shí)現(xiàn)將源漏極金屬層與柵極金屬層之間的坡度角端差由一個(gè)過大的坡度角端差分散為至少兩個(gè)小的坡度角端差,從而可以改善源漏極金屬層中由柵極金屬層邊緣處的坡度角所導(dǎo)致的內(nèi)部缺陷,簡化制作工藝、降低生產(chǎn)成本。
[0033]當(dāng)然,實(shí)施本發(fā)明的任一產(chǎn)品或方法并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0034]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本
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