專利名稱：集成光電器件和波導(dǎo)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及與半導(dǎo)體器件集成在一起的波導(dǎo)。
背景技術(shù)：
眾所周知，光線是沿著我們所知的射線一樣的直線路徑傳播的。射線在材料界面上會(huì)發(fā)生折射、反射和散射等現(xiàn)象。在一個(gè)非傳導(dǎo)性的波導(dǎo)中，采用一種低指數(shù)的包層包裹著一種高指數(shù)的芯，這樣射線會(huì)通過包層和芯的界面上全內(nèi)反射限制于高指數(shù)芯區(qū)。所反射的射線相互干擾，在波導(dǎo)內(nèi)形成電磁場(chǎng)的模式。這種波導(dǎo)的模式可稱之為場(chǎng)模式，它在芯區(qū)域傳播而不會(huì)發(fā)生散射，即，改變形狀。
對(duì)波導(dǎo)中的光進(jìn)行電檢測(cè)，光須被吸收在檢測(cè)材料中且光生電荷必須被收集。為了提高檢測(cè)的效率，吸收材料一般設(shè)置在與波導(dǎo)相接觸的稱為瞬逝(evanescent)耦合的結(jié)構(gòu)中。檢測(cè)器的耦合效率可以通過在波導(dǎo)芯和吸收檢測(cè)器材料之間增加一個(gè)中間匹配層來提高。但是，這種結(jié)構(gòu)仍然存在著檢測(cè)器材料所產(chǎn)生的散射損耗以及由于在匹配層中模式推斥以及導(dǎo)引所造成的低效率的耦合。
光電檢測(cè)器件的性能受到增益帶寬乘積的限制。高增益的光電檢測(cè)器會(huì)降低頻率響應(yīng)或帶寬，且一個(gè)快速的光電檢測(cè)器會(huì)降低增益或信號(hào)。而光電檢測(cè)器的速度會(huì)受到最慢載流子穿過檢測(cè)器有源區(qū)域的傳輸時(shí)間的限制。
附圖簡(jiǎn)要描述

圖1A、2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、8C、9A、10A和11A是光電晶體管和波導(dǎo)在不同制造步驟中的剖面圖；圖1B、2B、3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B、10B和11B是光電晶體管和波導(dǎo)在不同制造步驟中的俯視圖；圖12A和12C是光電二極管和波導(dǎo)的截面圖；和，
圖12B是光電二極管和波導(dǎo)的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
一個(gè)由光電晶體管或光電二極管與波導(dǎo)相耦合的集成系統(tǒng)可提供一個(gè)相對(duì)較快、結(jié)構(gòu)緊湊且具有增益的集成光檢測(cè)器。光電晶體管或光電二極管可以作為由光來開關(guān)的邏輯電路的元件。與光電晶體管或光電二極管集成的高指數(shù)波導(dǎo)可有效地將將光耦合到有損耗的檢測(cè)器材料中。光在檢測(cè)器材料中被吸收光，該材料將電子空穴對(duì)限制在光電晶體管基極的小區(qū)域或者是限制在光電二極管的本征區(qū)域中。這種結(jié)構(gòu)可以減小基極面積或者本征區(qū)域，并允許具有較快的開關(guān)頻率。此外，它也允許放大所發(fā)射極集電極電流被放大。
把檢測(cè)器的有源材料與入射瞬逝模式的尾隨脈沖(tail)，即沒有限制于波導(dǎo)芯的一部分光模式，相隔離，采用具有低指數(shù)折射的包層材料減小由于輸入檢測(cè)器區(qū)域的反射和衍射所引起的損耗。此外，一個(gè)非傳導(dǎo)性的傾斜鏡面操縱光模式導(dǎo)引通過波導(dǎo)芯進(jìn)入檢測(cè)器材料中，從而通過增加入射在檢測(cè)器材料上的角度來提高進(jìn)入高指數(shù)、高損耗的檢測(cè)器材料的耦合效率。
參考圖1A所示的剖面圖，硅絕緣體基片10在其上表面包含一層薄的硅層12，硅層12設(shè)置在掩埋的二氧化硅層14上。硅層12和掩埋二氧化硅層14都設(shè)置在一個(gè)晶片上，例如，一個(gè)8英寸的硅晶片。一般來說，例如，薄的硅層12的厚度T1為0.5μm(μm)。例如，掩埋的二氧化硅層14的厚度T2為0.3μm。薄硅層12設(shè)置在硅絕緣體基片10的頂層，正如圖1B的俯視圖所示。
參考圖2A所示的剖面圖以及圖2B所示的俯視圖，在硅層12上沉積了一層衰減層18。衰減層18是一層有損耗的材料，也就是說，它能夠吸收光。衰減層18的折射指數(shù)高于硅層的折射指數(shù)。此外，形成衰減層18的材料與硅相匹配，這就使得衰減層18不會(huì)與硅層12分層。例如，衰減層18可以是鍺涂層。衰減層18可以采用諸如化學(xué)蒸汽沉積法(CVD)制成。在采用鍺衰減層18的條件下，可以采用在600攝氏度的鍺氣體和氫載體來沉積。鍺可以在諸如ASM國(guó)際公司(ASM International)生產(chǎn)的Epsilon或應(yīng)用材料公司(Applied Materials)生產(chǎn)的Epi x P Centura的CVD系統(tǒng)中沉積。衰減層18厚度T3為，例如，0.1μm。
參考圖3A所示的剖面圖以及圖3B所示的俯視圖，光阻材料圖形(未顯示)被限定在衰減層18上。沒有覆蓋光阻材料的衰減層18的部分可以通過干蝕刻去除，例如，可以采用氯/溴化氫。去除了衰減層18的部分就露出了下面的薄硅層12的部分。之后，下層的薄硅層的暴露部分可以采用氯/溴化氫試劑以干刻蝕去除，以露出掩埋的二氧化硅層14的部分22a、22b?？涛g到掩模的二氧化硅層14有利于所形成光電晶體管與它在衰減層18下的基極進(jìn)行電和光的絕緣。在刻蝕衰減層18之后，由沒有被刻蝕所去除的衰減層18和硅層12的部分來限定一個(gè)臺(tái)面形區(qū)域20。該臺(tái)面形區(qū)域20所具有的寬度W1為，例如，6μm。這個(gè)最小的寬度W1是由在該臺(tái)面形區(qū)域中20中所建立的光電晶體管的尺寸來確定的(見下面)。
參考圖4A所示的剖面圖以及圖4B所示的俯視圖，在掩埋二氧化硅層14和臺(tái)面形區(qū)域20上沉積一層中間包層24。中間包層24可以是，例如，采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法所沉積的二氧化硅層。沉積后，中間包層24所具有的厚度為，例如，1μm，并且具有諸如1.5相對(duì)較低的折射指數(shù)。中間包層24可采用化學(xué)機(jī)械拋光的方法平面化，使得頂層25基本上平坦。在拋光之后，在掩埋的二氧化硅層14上的中間包層的厚度T4為，例如，0.85μm。中間包層24的厚度T4是這樣選擇的，使得它的厚度等于或厚于沿著構(gòu)筑在中間包層24上的波導(dǎo)而傳輸?shù)膫鬏斈Ｊ降乃彩盼搽S脈沖(見下面)。該模式的瞬逝尾隨脈沖是在波導(dǎo)芯中傳播的部分光線，該光線在波導(dǎo)芯外呈指數(shù)衰減。
參考圖5A所示的剖面圖以及圖5B所示的俯視圖，在中間包層24上進(jìn)行光阻層的圖形化(未顯示)。該光阻層限定了在臺(tái)面形區(qū)域20上的開孔?？梢圆捎酶煽涛g方法在臺(tái)面形區(qū)域20上去除由在光阻層中的開孔所暴露的中間包層24的部分，以形成一個(gè)包層窗口26。包層窗口26可以由中間包層24形成的第一側(cè)壁27a和第二側(cè)壁27b以及臺(tái)面形區(qū)域20的上表面27c來限定。干刻蝕方法可以使用諸如三氟甲烷/氧氣(CHF3/O2)的氣體化合物來進(jìn)行。包層窗口26的寬度W2可以為，例如，5.5μm。包層窗口26的寬度W2小于臺(tái)面形區(qū)域20的W1，從而便于包層窗口26在臺(tái)面形區(qū)域20上的光刻定位。
參考圖6A所示的剖面圖以及圖6B所示的俯視圖，在中間包層24上形成波導(dǎo)層28。波導(dǎo)層28可以是，例如，采用硅烷原始物質(zhì)(precursor)和氮?dú)庖訮ECVD的工藝沉積而成的氮化硅層。波導(dǎo)層28可以具有一個(gè)相對(duì)較高的折射指數(shù)，該指數(shù)可以高于中間包層24的折射指數(shù)。因此，波導(dǎo)層28的折射指數(shù)大于1.5，且在一些實(shí)施例中，可以大于1.9。在使用中，波導(dǎo)層28的相對(duì)高折射指數(shù)與包層24相對(duì)低折射指數(shù)之間的高反差有助于限制光在波導(dǎo)層28中傳輸。此外，波導(dǎo)層28在完工的器件的工作的波長(zhǎng)區(qū)域中在光學(xué)上是透明的，例如，對(duì)于波長(zhǎng)850納米的光是光學(xué)透明的。
波導(dǎo)層28覆蓋在中間包層24和臺(tái)面形區(qū)域20上，其在中間包層24上的厚度T5為0.3μm。波導(dǎo)層28的上表面30限定了一個(gè)角度，該角度是沿著在中間包層24之上的波導(dǎo)上表面30中的線A和在包層窗口26中的第一側(cè)壁27a之上的波導(dǎo)上表面30中的線B之間延伸的。包層窗口26的波導(dǎo)上表面30的斜率限定了一個(gè)傾斜的鏡面31。角度是這樣選擇的，從而在使用中，使通過波導(dǎo)層28所傳輸?shù)哪Ｊ浇?jīng)歷偏離傾斜鏡面31的全內(nèi)反射，并且通過衰減層28引導(dǎo)到薄的硅層12中。入射的臨界角θC都可定義為θC＝sin-1(n2/n1)式中n1等于光穿過諸如波導(dǎo)層28的介質(zhì)的折射指數(shù)；n2等于諸如直接包層24的最接近媒介的折射指數(shù)。角度是，例如，25。那么，任何大于25的角度都會(huì)引起全內(nèi)反射且傳播的光都將限制在波導(dǎo)層28中。
參考圖7A所示的剖面圖以及圖7B所示的俯視圖，在波導(dǎo)層28上沉積光阻層(未顯示)并且進(jìn)行圖形化。沒有被光阻層所覆蓋的波導(dǎo)層28部分可以采用諸如干刻蝕方法予以去除。在波導(dǎo)層28是氮化硅層的情況下，干刻蝕方法可以采用二氟甲烷/氧氣(CH2F2/O2)的混合氣體來進(jìn)行。被光阻層所覆蓋的波導(dǎo)層28部分就不會(huì)被刻蝕掉，因而形成了波導(dǎo)芯32。波導(dǎo)芯所具有的寬度W3為，例如，0.3μm。波導(dǎo)芯32延伸在中間包層24上延伸且與臺(tái)面形區(qū)域20相接觸。
波導(dǎo)芯32的厚度T5和寬度W3是由使用時(shí)經(jīng)波導(dǎo)層28所傳輸?shù)哪Ｊ筋愋退鶝Q定的。對(duì)于單模的傳輸來說，這些尺寸需要低于第一模式下的截止頻率以及高于第二模式下的截止頻率。波導(dǎo)芯的厚度T5和寬度W3要遠(yuǎn)小于光的自由空間波長(zhǎng)，具有最大值約為0.35μm。
參考圖8A所示的剖面圖，圖8B所示的俯視圖以及圖8c所示的部分截面圖，發(fā)射極34和集電極36形成在最接近波導(dǎo)芯32的薄的硅層12上。發(fā)射極34和集電極36可以采用離子注入方式來制成，它使用波導(dǎo)芯32作為掩模，通過衰減層18注入離子。在P型薄的硅層12的情況下，可以注入n型離子，例如，磷離子，劑量為每平方厘米10E14原子(atoms/cm2)并且具有有20千電子伏特的能量，以形成發(fā)射極34和集電極36，各自的結(jié)深度D1為，例如，0.3μm。這樣形成了橫向光電晶體管40，該晶體管是由一個(gè)n型發(fā)射極34，一個(gè)n型集電極36，以及一個(gè)由薄硅層12所定義的p型基極38所構(gòu)成。P型基極38的長(zhǎng)度L1為，例如，5.5μm。
正如以上參考圖4A和圖4B所提到的，中間包層24的厚度T4是這樣選擇的，使得中間包層24的厚度等于或厚于沿著構(gòu)筑在中間包層24上的波導(dǎo)芯32傳輸?shù)哪Ｊ降乃彩盼搽S脈沖。中間包層24可防止瞬逝尾隨脈沖到達(dá)由有損耗的衰減材料所構(gòu)成的衰減層18和由損耗檢測(cè)器材料所構(gòu)成的薄硅層12。這種偏置通過減少背景噪聲量和使得光電晶體管更加健全來提高光電晶體管40的速度。阻止瞬逝尾隨脈沖到達(dá)薄硅層12可以減少從薄硅層12反射出的光干擾，從而減少了導(dǎo)通晶體管所必需的光量，以及減少了可能影響其它晶體管散射光量。
波導(dǎo)芯32可以與臺(tái)面形區(qū)域20偏置一個(gè)偏置距離D2。偏置距離D2是，例如，0.3μm。偏置距離D2可以減少來自衰減層18和薄硅層12的反射和散射。
參考圖9A所示的剖面圖以及圖9B所示的俯視圖，在波導(dǎo)32、中間包層24和衰減層18暴露的部分之上沉積一上包層50。上包層50可采用諸如PECVD工藝來沉積二氧化硅。沉積后，在中間包層24上的上包層50的厚度為，例如，1μm。上包層50可以采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝來平面化，使得在中間包層之上的上包層50的厚度T6為0.85μm。
參考圖10A所示的剖面圖以及圖10B所示的俯視圖，在上包層50的上表面52上沉積一光阻材料層(未顯示)且進(jìn)行圖形化。該光阻材料層限定了在發(fā)射極34和集電極36上的開孔。由光阻材料層所限定的開孔所露出的上包層50部分可以采用諸如CHF3/O2等離子體干刻蝕方法去除。去除的上包層部分形成了在發(fā)射極34之上的第一接觸孔60和集電極36之上的第二接觸孔62。第一和第二接觸孔60，62的寬度W4為，例如，0.2μm至0.3μm，深度D3可為，例如，0.85μm。在刻蝕之后，剝離光阻材料層。
參考圖11A所示的剖面圖以及圖11B所示的俯視圖，采用CVD工藝在第一接觸孔60和第二接觸孔62的底部沉積一粘結(jié)層70。粘結(jié)層70的材料是諸如氮化鈦之類的材料，這種材料可以提供很好的粘結(jié)力和低的接觸電阻。隨后，在第一和第二孔60和62上的粘結(jié)層70上沉積一層金屬72。該金屬72是，例如，采用CVD工藝沉積的鎢。采用拋光的方式去除在上包層50上表面52上的過量的金屬72。在光電晶體管40的基極38上沒有金屬觸點(diǎn)。因此，該基極38是懸浮著的。
在使用中，衰減層18衰減由波導(dǎo)芯32所傳播的模式，且將光高效地耦合到基極38的薄硅層12中。該薄硅層12是一個(gè)有損耗的檢測(cè)器，并限定了一個(gè)在臺(tái)面形區(qū)域20下的多模腔體。衰減層18也是一種能夠很好吸收光的有損耗材料。在衰減層18是由鍺制成的情況下，它的消光系數(shù)大約是硅的消光系數(shù)40倍，消光系數(shù)是光散射和吸收的部分損耗光。因此，衰減層18有利于減少吸收和限制由波導(dǎo)芯32傳輸光所需的基極區(qū)域38的長(zhǎng)度L1。
因此，經(jīng)波導(dǎo)芯32至基極38傳輸模式的有效耦合可減小基極38的所需長(zhǎng)度L1。從薄硅層12的波導(dǎo)芯12的偏置距離D1和由傾斜的鏡面31將模式引導(dǎo)到基極38都可以提高耦合的效率。傾斜的鏡面將模式限制于波導(dǎo)芯32中且將它導(dǎo)向基極38。在光電晶體管40之下的掩埋氧化層14有助于將光限制于光電晶體管40的基極區(qū)域內(nèi)。
在工作過程中，光電晶體管40放大感生的光電流。由波導(dǎo)芯傳輸?shù)墓獗晃沼诨鶚O38，形成電子空穴對(duì)。集電極36具有正偏置，因此，在基極38光生的電子被掃描進(jìn)集電極36。在基極38形成空穴后，電子被阻止穿過基極38和進(jìn)入到發(fā)射極34。這些空穴對(duì)最接近于發(fā)射極34的基極38進(jìn)行充電，這樣，就降低了發(fā)射極-基極的勢(shì)壘，也就是降低了電子由發(fā)射極發(fā)射到基極38的勢(shì)壘。因此，光電晶體管40就可以切換成導(dǎo)通，且在發(fā)射極34和集電極36之間具有大的電流，并且測(cè)量到的光電流被有效地放大。發(fā)射極34/集電極36的電流等于感生光電流乘以光電晶體管40的增益。相對(duì)小尺寸的基極38和發(fā)射極34導(dǎo)致較快的響應(yīng)時(shí)間。
在另一選擇實(shí)施例中，參考圖12A所示的剖面圖以及圖12B所示的俯視圖，SOI基片10可采用上述參考圖1A-7B所提及的工藝加以處理。在該實(shí)施例中，薄硅層12是本征不摻雜的硅。在最接近波導(dǎo)芯32的薄硅層12中形成一個(gè)n型區(qū)域100和一個(gè)p型區(qū)域102。n型區(qū)域100和p型區(qū)域102可以采用離子注入的方法利用波導(dǎo)芯32作為掩模通過衰減層18進(jìn)行注入。采用兩個(gè)分離的光阻材料的掩模(未顯示)來分別限定n型區(qū)域100和p型區(qū)域102。為了形成n形區(qū)域100，可以注入n型離子，例如，劑量為每平方厘米4×10E14(atoms/cm2)且具有30KeV的二氟化硼(BF2)。同樣，也可以注入p型離子，例如，劑量為每平方厘米4×10E14(atoms/cm2)且具有30KeV的磷離子，以形成p形區(qū)域102。n形區(qū)域100和p形區(qū)域102都有一個(gè)諸如0.3μm的深度D4。從而，就制成了一個(gè)橫向p-i-n的光電二極管104，它是由n形區(qū)域100，p形區(qū)域102和在n形區(qū)域100和p形區(qū)域102之間的本征硅區(qū)域106所組成。SOI基極10和橫向p-i-n的光電二極管104可以采用參考圖9A-11B所討論的方法進(jìn)一步來加工。
本申請(qǐng)并不限制于以上所提及的特定實(shí)施例。例如，掩模二氧化硅層14所具有的厚度可達(dá)幾個(gè)μm。衰減層18部分也可以采用濕刻蝕的方法去除。光敏元件可以不需衰減層18來制成。薄層12可以不是硅，而如鍺的其它材料。最接近于臺(tái)面形區(qū)域的薄硅層12部分可以不被刻蝕掉。中間包層24可以薄于經(jīng)波導(dǎo)芯32傳輸?shù)乃彩盼搽S脈沖。包層24部分也可以采用濕刻蝕的工藝去除，例如，可以采用只刻蝕氧原子而不刻蝕鍺原子的氫氟酸來刻蝕。波導(dǎo)層28可以不是氮化硅，而是氧氮化硅的材料。發(fā)射極34和集電極36可以采用光阻材料作掩模的方法來注入。發(fā)射極34和集電極36也可以注入其它n型離子，例如，劑量為每平方厘米粒子10E14(atoms/cm2)且具有80-100KeV的砷離子。另外，當(dāng)薄硅層12是n型時(shí)，發(fā)射極34和集電極36可以注入p型的攙雜劑。單一的光阻材料層可以用來限定橫向p-i-n二極管104中的n型100和p型102區(qū)域，而波導(dǎo)芯32作為掩模使得本征硅區(qū)域106不被注入。上包層50也可以采用其它沉積方式來沉積，例如，高濃度的等離子體(HDP)沉積方法。
本文未討論的其它實(shí)施例也包含在以下權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種波導(dǎo)，其特征在于，它包括具有限定一個(gè)角度的上表面的波導(dǎo)芯。
2.如權(quán)利要求1所述波導(dǎo)，其特征在于，所述角度至少等于所述波導(dǎo)芯的總的內(nèi)反射的角度。
3.如權(quán)利要求1所述波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)芯限定一傾斜的鏡面。
4.如權(quán)利要求1所述波導(dǎo)，其特征在于，還包括具有基極的光電晶體管，其中，所述波導(dǎo)芯與光電晶體管的基極相耦合。
5.如權(quán)利要求4所述波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)芯限定一傾斜的鏡面。
6.如權(quán)利要求5所述波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)芯設(shè)置在基片上，所述傾斜的鏡面引導(dǎo)通過波導(dǎo)芯傳播輸?shù)哪Ｊ竭M(jìn)入基片。
7.如權(quán)利要求1所述波導(dǎo)，其特征在于，還包括具有n型區(qū)域、本征層區(qū)域、p型區(qū)域的光電二極管；其中，所述波導(dǎo)芯與光電二極管的本征層區(qū)域相耦合。
8.如權(quán)利要求7所述波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)芯限定一傾斜的鏡面。
9.如權(quán)利要求8所述波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)芯設(shè)置在基片上，所述傾斜的鏡面引導(dǎo)通過波導(dǎo)芯所傳播的模式進(jìn)入基片。
10.一種波導(dǎo)，其特征在于，它包括設(shè)置在基片之上的波導(dǎo)芯；以及，設(shè)置在所述波導(dǎo)芯和所述基片之間的包層，其中，所述波導(dǎo)通過所述包層偏離所述基片。
11.如權(quán)利要求10所述波導(dǎo)，其特征在于，所述波導(dǎo)芯的折射指數(shù)高于所述包層的折射指數(shù)。
12.如權(quán)利要求10所述波導(dǎo)，其特征在于，還包括設(shè)置在基片之上的檢測(cè)器材料，其中，至少去除最接近于所述波導(dǎo)芯的檢測(cè)器材料部分。
13.一種光電晶體管，其特征在于，它包括形成在所述基片中的發(fā)射極；形成在所述基片中的集電極；和，形成在所述發(fā)射極和所述集電極之間的基片中的基極，其中，所述發(fā)射極，所述集電極和所述基極在所述基片上是橫向?qū)?zhǔn)的。
14.如權(quán)利要求13所述光電晶體管，其特征在于，所述基極由有損耗的材料組成。
15.如權(quán)利要求13所述光電晶體管，其特征在于，還包括波導(dǎo)芯。
16.如權(quán)利要求15所述光電晶體管，其特征在于，所述波導(dǎo)芯構(gòu)造成將模式傳播到所述基極。
17.一種光電二極管，其特征在于，它包括形成在所述基片中的n型區(qū)域；形成在所述基片中的p型區(qū)域；和，設(shè)置在所述n型區(qū)域和所述p型區(qū)域之間的基片的本征部分。其中，所述n型區(qū)域，所述p型區(qū)域和所述基片的本征部分是橫向?qū)?zhǔn)的。
18.如權(quán)利要求17所述光電二極管，其特征在于，所述基片的本征部份由有損耗的材料組成。
19.如權(quán)利要求17所述光電二極管，其特征在于，還包括波導(dǎo)芯。
20.如權(quán)利要求19所述光電二級(jí)管，其特征在于，所述波導(dǎo)芯可以構(gòu)造成將模式傳播至設(shè)置在所述n型區(qū)域和所述p型區(qū)域之間的基片的本征部分。
21.一種波導(dǎo)，其特征在于，它包括設(shè)置在所述基片上的波導(dǎo)芯；設(shè)置在所述基片上方和在所述波導(dǎo)芯下方的衰減層；和，設(shè)置在所述衰減層和所述基片之間的檢測(cè)器層。
22.如權(quán)利要求21所述波導(dǎo)，其特征在于，所述衰減層由鍺組成。
23.如權(quán)利要求21所述波導(dǎo)，其特征在于，所述檢測(cè)器層由硅組成。
24.一種制作器件的方法，其特征在于，它包括在基片上形成一層包層，而在該部分基片上設(shè)置了一檢測(cè)器層；在所述包層上形成一開孔，以露出部分的檢測(cè)器層；在所述包層和所述孔上形成一波導(dǎo)層；去除一部分的波導(dǎo)層來形成波導(dǎo)芯；和，把第一區(qū)域和第二區(qū)域注入到最接近于所述波導(dǎo)芯的所述檢測(cè)器層的暴露部分。
25.如權(quán)利要求24所述方法，其特征在于，所述注入第一區(qū)域和第二區(qū)域包括注入發(fā)射極和集電極。
26.如權(quán)利要求24所述方法，其特征在于，所述注入第一區(qū)域和第二區(qū)域包括注入n型區(qū)域和p型區(qū)域。
27.如權(quán)利要求24所述方法，其特征在于，所述形成波導(dǎo)層包括通過所述包層使所述波導(dǎo)層偏離所述檢測(cè)器層。
28.如權(quán)利要求24所述方法，其特征在于，在所述包層上形成的波導(dǎo)層包括形成一傾斜的鏡面。
29.如權(quán)利要求25所述方法，其特征在于，所述形成波導(dǎo)層包括通過所述包層使所述波導(dǎo)層偏離所述檢測(cè)器層。
30.如權(quán)利要求25所述方法，其特征在于，在所述包層上形成的波導(dǎo)層包括形成一傾斜的鏡面。
全文摘要
一種波導(dǎo)包括波導(dǎo)芯，該波導(dǎo)芯具有可限定一個(gè)角度的上表面。該波導(dǎo)包括一個(gè)通過包層偏離基片的波導(dǎo)芯。一種光電晶體管包括發(fā)射極，集電極，以及橫向?qū)?zhǔn)的基極。一種光電二極管包括n－和p－型區(qū)域，以及橫向?qū)?zhǔn)的本征基片部分。一種波導(dǎo)包括波導(dǎo)芯，衰減層，以及檢測(cè)器層。一種適用于制造器件的方法包括在基片上形成包層，而該基片具有其表面形成的檢測(cè)器層；在包層中形成開孔，以露出檢測(cè)器層；在包層和開孔上形成波導(dǎo)層；去除部分波導(dǎo)層，以限定波導(dǎo)芯；以及把第一區(qū)域和第二區(qū)域注入到最接近于波導(dǎo)芯的檢測(cè)器層。
文檔編號(hào)G02B6/12GK1639605SQ03804470
公開日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2003年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月26日
發(fā)明者P·戴維茨, M·雷肖克, B·布羅克 申請(qǐng)人:英特爾公司