專利名稱：轉(zhuǎn)移圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種轉(zhuǎn)移圖形的方法，特別是有關(guān)一種利用兩階段曝光的方式將圖形成功地由光罩轉(zhuǎn)移至晶片表面的光阻層上的方法。
背景技術(shù)：
當集成電路(integrated circuit；IC)的密度不斷地擴大時，為使晶片(chip)面積保持一樣，甚至縮小，以持續(xù)降低電路的單位成本，唯一的方法，就是不斷地縮小電路設(shè)計規(guī)格(design rule)。當縮小規(guī)格時，所遭遇的最大瓶頸，即是黃光微影技術(shù)。除非黃光微影成像能逐漸縮小化，否則集成電路技術(shù)的發(fā)展必遭受到停頓的命運。
集成電路制作中的微影成像術(shù)(photolithography)是將為數(shù)眾多的電子零件和線路，一層一層地轉(zhuǎn)換到一個微小的晶片上，每一層均有一片光罩，靠著光學成像原理，光線經(jīng)過光罩、透鏡而成像在晶片表面上，晶片表面必須有如照相底片那樣的物質(zhì)存在，屬于可感光的膠質(zhì)化合物(光阻)，經(jīng)與光線作用和化學作用方式處理后，即可將光罩的圖形一五一十地轉(zhuǎn)移到晶片上，因此在微影成像制程上，光罩、光阻、光阻涂布顯影設(shè)備及對準曝光光學系統(tǒng)等皆為必備的條件。隨著集成電路工業(yè)的進步，晶片內(nèi)需要容納的元件不斷以倍數(shù)成長，造成線寬不斷縮小，使得不停地尋找新材料，突破光學瓶頸的技術(shù)開發(fā)等，成為微影成像所需時時面臨的挑戰(zhàn)。
此外，因為微影成像的光阻材料是對光敏感物質(zhì)，若暴露在一般光線下，將使之產(chǎn)生變化，而無法做好定像的工作，有如處理照相底片那樣，必須在暗房內(nèi)進行，微影成像也需被限定在特殊環(huán)境下，一般皆在黃光下進行，所以通稱為黃光室。由于集成電路線路復雜，寬度皆達到微米(μm；10-6m)以下，所以必須在無塵潔凈室中制造，而在微影成像過程中，對潔凈度的要求更加嚴格，因為任何灰塵微粒，都可能因成像而造成元件缺陷，使電路模糊。
近代次微米集成電路制作技術(shù)，對線寬控制有著極為嚴苛的需求，若以更微觀的角度或是更嚴密的定義看，線寬控制的需求應推廣至對晶片內(nèi)任一圖形及圖形的任一角落的尺寸大小要求，也即考慮到晶片圖形對于光罩的相對應圖形的「傳真度」(Fidelity)由于光罩圖形是以光為介質(zhì)通過光學透鏡轉(zhuǎn)送至晶片上，光在進入光阻層前的「影像分布」(aerial image)通常已不似光罩上的圖形那樣「完美」。此項缺陷一般稱為光學近似效應(optical proximity effect；OPE)。圖形與圖形間因光線繞射而互相影響，除了讓圖形失真外，也同時讓加工空間(process window)變小，如果圖形失真已是無可避免，為求晶片上的圖形合乎設(shè)計者需求，則可考慮先將光罩圖形依某種規(guī)則進行圖形修正以額外的圖形來補償或削減所述圖形失真之處，此項技術(shù)稱為光學近似效應修正技術(shù)(optical proximity correction；OPC)。
參照圖1所示，此為光學近似效應的示意圖。雖然微影技術(shù)已進入深次微米領(lǐng)域，但面對類似一微米見方方塊圖形10的處理時，難免在最終光阻圖形的角落出現(xiàn)圓角(round corner)的現(xiàn)象，而使得此微米見方方塊圖形10在進行傳統(tǒng)的曝光及顯影加工后，容易因為光學近似效應而失真變成一圓形15。此微米見方方塊圖形10其尺寸大約小于或等于1微米見方。這是由于X方向邊緣及Y方向邊緣的繞射光線于此交會的結(jié)果，隨著尺寸漸趨微小，角落與邊緣的曝光比例也相對增加，圓角也趨明顯。為解決此一問題，最單純的解決方式即將角落遮光圖形往外「推出」(參照圖2所示)，即將微米見方方塊遮光圖形的角落向外延伸，以減少角落曝光過度的現(xiàn)象，或也可單純以圖形「補償」的觀念來予以想象，也即已知結(jié)果為圓角，故預先放置額外的凸出圖形20(通常為更微小的方塊)予以補償，以使此微米見方方塊圖形10在進行傳統(tǒng)的曝光及顯影的加工后，依舊是形成一方形的圖形25。放置的補償圖形又稱為「飾紋」(serif)，其大小及位置的決定則需視加工的參數(shù)而決定。
當然在實際上集成電路光罩圖形并不全然如此單純。一般的光罩圖形包含重復性圖形(存儲器類產(chǎn)品)與任意圖形(周邊電路或邏輯產(chǎn)品)等兩類圖形的光學特性不同，但基本進行光學近似效應修正時，應有兩項需要考慮(1)兩鄰近不同圖形(各點)間的距離；(2)圖形的區(qū)域性密度(local area density)。尤其是在考慮圖形的區(qū)域性密度時，應該同時考慮當對微影成像與等離子體蝕刻兩者的影響。因此使用光學近似效應修正的方法，會使微影加工更為復雜化而降低加工運作的效率。而使用光學近似效應修正法時，必須在光罩上增加針對角落所延伸出的圖形，容易增加制作成本。使用光學近似效應修正法必須經(jīng)過相當復雜的考慮與步驟，雖然此改善方法已修正了光學近似效應，但是仍無法精確地顯示出所要成形的圖形，因此圖形轉(zhuǎn)換后的尺寸精度無法符合在半導體制作線寬日益縮小下的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的是提供一利用兩階段曝光的方式將圖形成功地由光罩轉(zhuǎn)移至晶片表面的光阻層上的方法，以提高圖形轉(zhuǎn)移時圖形尺寸的精準度、簡化制作所需的步驟、加速加工運作的效率及降低制作運作的生產(chǎn)成本。
為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明一方面的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特點是包括下列步驟提供一晶片，該晶片包含一光阻層；使用一第一光源能量及一第一光罩照射部分的該光阻層，其中所述的第一光罩包含一第一透光區(qū)且該第一光源能量小于該光阻層的一顯影臨界值；以及使用一第二光源能量及一第二光罩照射部分的該光阻層，其中所述的第二光罩包含一第二透光區(qū)，部分的該第二透光區(qū)與部分的該第一透光區(qū)相互重疊，該第二光源能量小于該光阻層的該顯影臨界值，且該第一光源能量加上該第二光源能量的數(shù)值達到該光阻層的該顯影臨界值以上。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的轉(zhuǎn)移圖形的的方法，其特點是包括下列步驟提供一晶片，該晶片包含一光阻層；安裝該晶片于一曝光機上，該曝光機包含一光源；使用一第一光源能量及一第一光罩照射部分的該光阻層，所述的第一光罩包含一第一透光區(qū)且該第一光源能量小于該光阻層的一顯影臨界值；使用一第二光源能量及一第二光罩照射部分的該光阻層，所述的第二光罩包含一第二透光區(qū)，部分的該第二透光區(qū)與部分的該第一透光區(qū)相互重疊，該第二光源能量小于該光阻層的該顯影臨界值且該第二光源能量加上該第一光源能量的數(shù)值達到該光阻層的該顯影臨界值以上；以及移除部分的該光阻層以在該晶片上利用部分的該光阻層形成一所需的圖形。
根據(jù)本發(fā)明又一方面的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特點是該方法包含提供一晶片，該晶片包含一光阻層；安裝該晶片于一曝光機上，其中該曝光機包含一光源；安裝一第一光罩于該曝光機上，其中所述的第一光罩包含一第一透光區(qū)與一第一圖形，該第一圖形的一范圍大于所欲在該光阻層上形成一所需的圖形的一范圍；使用一第一光源能量照射部分的該光阻層以進行一第一階段曝光制程；取下該第一光罩；安裝一第二光罩于曝光機上，其中所述的第二光罩包含一第二透光區(qū)與一第二圖形，該第二圖形為一不均勻分布的圖形且該第二圖形的范圍大于所欲在該光阻層上形成該所需的圖形的該范圍，部分的該第二透光區(qū)與部分的該第一透光區(qū)相互重疊；使用一第二光源能量照射部分的該光阻層，其中所述的第二光源能量加上該第一光源能量的數(shù)值達到該光阻層的該顯影臨界值以上；以及移除部分的該光阻層以在該晶片上利用部分的該光阻層形成該所需的圖形。
本發(fā)明可提高圖形轉(zhuǎn)移時圖形尺寸的精準度并簡化制作所需的步驟，還可加速加工運作的效率，并可降低加工運作的生產(chǎn)成本。


圖1為光學近似效應的示意圖；圖2為光學近似效應修正法的示意圖；圖3為一半導體元件的俯視圖；圖4為欲在光阻層上形成的不規(guī)則圖形的示意圖；圖5為第一光罩的示意圖；圖6為第二光罩的示意圖；圖7為第一光罩與第二光罩重疊的示意圖；及圖8為利用本發(fā)明的曝光方法，在晶片上形成光阻層的示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的一些實施例詳細描述如下。然而，除了詳細描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其他的實施例施行，且本發(fā)明的范圍不受其限定，而是以權(quán)利要求書所限定的專利范圍為準。
參照圖3所示，此為一半導體元件的俯視圖。此半導體元件包含數(shù)條字符線(word line)100與數(shù)條位元線(bit line)110。為了要使此半導體元件產(chǎn)生「0」與「1」的信號，通常是利用微影及蝕刻的方式移除數(shù)條字符線100的某些區(qū)域120，使字符線發(fā)生斷路的現(xiàn)象以達到此半導體元件功能上的需求。若是在微影加工中，無法精準地定位數(shù)條字符線100上所需移除的位置，則在后續(xù)蝕刻的過程中，可能無法完全移除所欲移除的字符線上所欲移除的部分，或是蝕刻至位元線，而影響半導體元件的性能與品質(zhì)。
對于一般的微影加工而言，若在光罩上的透光區(qū)與不透光區(qū)的距離相等，且光罩上透光區(qū)或是不透光區(qū)的區(qū)域性密度較為一致，則在曝光后，圖形由光罩上轉(zhuǎn)移至光阻層上的精準度較高。但是隨著半導體元件的體積越來越小，加工寬度也越來越小，而半導體元件本身的功能越來越多，因此在半導體元件內(nèi)的線路也變得越來越復雜，而光罩上的圖形也隨的變得復雜化，因而導致光罩上透光區(qū)與不透光區(qū)的區(qū)域性密度差異性非常大。
本發(fā)明的方法可用來將光罩上的圖形順利地轉(zhuǎn)移至光阻層上，以避免光學近似效應的發(fā)生。因此光罩上的圖形可為一規(guī)則分布的圖形，也可為一不規(guī)則分布的圖形。以下所述僅為本發(fā)明的一實施例，它是針對不規(guī)則分布的圖形進行圖形轉(zhuǎn)移，但并不限制本發(fā)明的范圍。參照圖4所示，此為一光罩上的圖形分布情形。此光罩200為用來在數(shù)條位元線與數(shù)條字符線的部分區(qū)域上形成光阻層，以在后續(xù)蝕刻的過程中移除數(shù)條位元線上的部分區(qū)域，使半導體元件產(chǎn)生「0」與「1」的信號。因此此光罩200包含數(shù)個透光區(qū)210與不透光區(qū)，這些透光區(qū)域210若對應到晶片上，則表示數(shù)條位元線上的部分欲移除的區(qū)域。因半導體元件的功能趨于復雜化，因此光罩200上的透光區(qū)域210相對也隨之復雜，而成為不規(guī)則形狀的分布圖形。
此區(qū)域性密度差異很大的不規(guī)則分布圖形，若采用傳統(tǒng)一次曝光的方式是相當難成功地將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移至光阻層上。若將曝光儀器的參數(shù)針對區(qū)域性密度較小的區(qū)域進行調(diào)整，則在經(jīng)過曝光及顯影的過程后，光罩上區(qū)域性密度較小的圖形將能成功地轉(zhuǎn)移至光阻層上。但是對于光罩上區(qū)域性密度較大的圖形而言，將會在曝光的過程中，因為光學近似效應的缺陷或是過度曝光而在經(jīng)過顯影的過程后，所有的圖形將會糾結(jié)在一起而無法成功由光罩上轉(zhuǎn)移所需的圖形至光阻層上。若將曝光儀器的參數(shù)針對區(qū)域性密度較大的區(qū)域進行調(diào)整，則在經(jīng)過曝光及顯影的過程后，光罩上區(qū)域性密度較大的圖形將能成功地轉(zhuǎn)移至光阻層上。但是對于光罩上區(qū)域性密度較小的圖形而言，將會在曝光的過程中，因為曝光不足而在經(jīng)過顯影的過程后，區(qū)域性密度較小的圖形將無法順利在光阻層上成形，而使光罩上的圖形無法成功地全部轉(zhuǎn)移至光阻層上。若要將區(qū)域密度較大的區(qū)域與區(qū)域密度較小的區(qū)域分成兩步驟曝光，首先會碰到的難題為要如何限定區(qū)域密度的大小，接下來則是此兩種光罩的定位精度要求非常高，容易因光罩定位的問題而導致微影加工的失敗。因此必須采用光學近似效應修正法，以使光罩上的圖形完整地轉(zhuǎn)移至光阻層上。然而光學近似效應修正法容易使加工復雜化并容易降低加工運作效率且提高加工運作的成本。因此必須采用本發(fā)明的方法利用兩階段曝光的方式以成功且精準地將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移至光阻層上。
若微影加工欲將一不規(guī)則分布的圖形(參照圖4所示)由光罩轉(zhuǎn)移至光阻層，以在后續(xù)蝕刻過程移除數(shù)字符線的部分區(qū)域，使半導體元件產(chǎn)生「0」與「1」的信號時，首先必須提供一晶片，該晶片上至少包含字符線與位元線，且字符線與位元線上均包含一光阻層，此光阻層為著加工的需求不同而不同，在此制程中采用正光阻層。接下來將晶片固定在曝光機上，并將第一光罩300(參照圖5所示)安裝在曝光機上，經(jīng)過定位及校正的手續(xù)后，使用第一光源能量對晶片上的光阻層進行第一階段的曝光加工。第一光罩至少包含第一透光區(qū)310與第一不透光區(qū)。第一光罩上的第一透光區(qū)310為半導體元件上的字符線的區(qū)域。第一光源能量小于光阻層顯影的臨界值。通常第一透光區(qū)310的范圍均大于欲在光阻層上所形成的圖形的范圍。
接下來將第一光罩300由曝光機上取下，并將第二光罩400(參照圖6所示)安裝在曝光機上，經(jīng)過定位及校正的手續(xù)后，使用第二光源能量對晶片上的光阻層進行第二階段的曝光加工。第二光罩包含第二透光區(qū)410與第二不透光區(qū)。第二光罩上的第二透光區(qū)410為欲在光阻層上形成的不規(guī)則分布圖形。通常第二透光區(qū)410的范圍均大于欲在光阻層上所形成的圖形的范圍。但是為了配合加工的運作與提高加工的運作效率，通常第二光罩所包含的不規(guī)則分布圖形為近似在光阻層上所欲形成的不規(guī)則分布圖形，兩者的圖形并不一定要完全相同。第二光源能量小于光阻層顯影的臨界值。而第一光源能量加上第二光源能量則需大于或等于光阻層顯影的臨界值。在本發(fā)明中第一光源能量及第二光源能量所采用的光源種類并不限制，通常是加工的需求而決定所采用的光源種類，諸如偶極光(dipole ray)、深紫外光(deepultra-violet ray)、或是偏軸光等。通常第一光源能量均大于第二光源能量，以獲得較佳的圖形轉(zhuǎn)移結(jié)果。但是隨著加工需求的不同，有時第一光源能量也會小于第二光源能量以符合加工上的要求。
最后將晶片由曝光機取下，并利用顯影劑移去不必要的光阻層，而將所需要的圖形留在晶片表面上以進行后續(xù)加工步驟。光阻層為一化學薄膜，其特性為曝光后會產(chǎn)生化學變化。若光阻層為一正光阻層，則經(jīng)過曝光的部分正光阻層在后續(xù)顯影的加工時會被顯影劑所移除而留下部分未曝光的正光阻層。若光阻層為一負光阻層，則未經(jīng)過曝光的部分負光阻層在后續(xù)顯影的加工時會被顯影劑所移除而留下部分曝光的正光阻層。光阻層在曝光的過程中，所使用的光線能量必須到達一數(shù)值以上時，光阻層才會在經(jīng)過曝光及顯影的過程后，顯現(xiàn)出光罩上所欲呈現(xiàn)的圖形。當曝光的過程中，所使用的光線能量低于一數(shù)值時，雖然光阻層曾經(jīng)過曝光的制程，但在顯影后，光阻層仍無法顯現(xiàn)出光罩上所欲呈現(xiàn)的圖形。此一數(shù)值通常稱為光阻層顯影的臨界值。不同材料的光阻層，其顯影的臨界值均不相同。
當使用第一光罩300及第一光源能量對字符線上的光阻層進行第一階段的曝光制程后，雖然所使用的第一光源能量低于光阻層的顯影臨界值，而導致字符線上的光阻層仍無法顯影而成功轉(zhuǎn)移第一光罩的圖形。但是字符線上經(jīng)過曝光的光阻層，其化學性質(zhì)已被第一光源能量所改變。當使用第二光罩400及第二光源能量對字符線上部分的光阻層進行第二階段的曝光后，部分只受到第二光源能量影響的區(qū)域，因第二光源能量小于光阻層顯影的臨界值，因此仍無法顯影而成功轉(zhuǎn)移第二光罩的圖形。由于光源能量在光阻層內(nèi)有累加的作用，因此當?shù)谝还庠茨芰考由系诙庠茨芰看笥诨虻扔诠庾鑼语@影的臨界值，字符線上的部分的光阻層，因同時受到第一光源能量及第二光源能量的影響，而有足夠的動能發(fā)生化學變化。因為在本實施例中所使用的光阻層為正光阻層，因此在經(jīng)過后續(xù)顯影加工后，部分同時經(jīng)過第一光源能量及第二光源能量照射的光阻層將被顯影劑移除，以順利由第二光罩上轉(zhuǎn)移圖形至光阻層。接下來可進行蝕刻加工以移除部分的字符線，使半導體元件完成后可產(chǎn)生「0」與「1」的信號。
參照圖7所示，此為在同一參考點上將第一光罩與第二光罩重疊的示意圖。第一光罩的第一透光區(qū)310與第二光罩的第二透光區(qū)410所相互重疊的部分700，即為在光阻層上同時接受第一光源能量與第二光源能量的區(qū)域。參照圖8所示，此為利用本發(fā)明的曝光方法，在晶片上形成光阻層的示意圖。晶片上包含字符線800與位元線810。為了要達到本發(fā)明的目的以移除數(shù)字符線800的某些部分，因此在本實施例中采用正光阻。在經(jīng)過顯影后，光阻層同時接受第一光源能量與第二光源能量的區(qū)域820將可被精確地被移除，而可順利進行后續(xù)的蝕刻步驟。
在另外一個實施例中，若要在數(shù)字符線及數(shù)位元線的某些部分內(nèi)植入所需的離子，則可采用負光阻層作為光阻層的材質(zhì)。當利用本發(fā)明的曝光方法，分兩階段對光阻層進行曝光并經(jīng)過顯影后，光阻層同時接受第一光源能量與第二光源能量的區(qū)域?qū)⒖杀痪_地留下，而欲植入離子的區(qū)域上的光阻層將可被精確地移除，以順利進行后續(xù)的離子布植的過程。
根據(jù)以上所述的實施例，本發(fā)明提供了一種方法，利用兩階段曝光的方式將圖形由光罩成功地轉(zhuǎn)移至晶片表面的光阻層上。第一階段為對欲形成圖形的區(qū)域上的光阻層，以一第一光源能量及第一光罩(photo mask)進行第一階段的曝光，以改變光阻層的材料性質(zhì)。第一光罩上包含第一圖形。第二階段為使用一含有第二圖形的第二光罩，并使用一第二光源能量對欲形成圖形的區(qū)域上的光阻層進行曝光。第二光罩包含一不規(guī)則分布或一規(guī)則分布的第二圖形。最后進行顯影的步驟后，若使用的光阻層為正光阻層，則經(jīng)過兩次曝光步驟的光阻層將會被移除，若使用的光阻層為負光阻層，則經(jīng)過兩次曝光步驟的光阻層將會遺留下來，而形成所需的圖形，以利后續(xù)進行蝕刻或是摻雜加工。第一光源能量與第二光源能量均小于光阻層的顯影臨界值，且第一光源能量加上第二光源能量必須大于或等于光阻層的顯影臨界值。本發(fā)明可提高圖形轉(zhuǎn)移時圖形尺寸的精準度并簡化制程所需的步驟。本發(fā)明也可加速加工運作的效率，還可降低加工運作的生產(chǎn)成本。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，此實施例僅是用來說明而非用以限定本發(fā)明的申請專利范圍。在不脫離本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容的范疇內(nèi)仍可予以變化而加以實施，此等變化應仍屬本發(fā)明的范圍。因此，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書所界定。
權(quán)利要求
1.一種轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，包括下列步驟提供一晶片，該晶片包含一光阻層；使用一第一光源能量及一第一光罩照射部分的該光阻層，其中所述的第一光罩包含一第一透光區(qū)且該第一光源能量小于該光阻層的一顯影臨界值；以及使用一第二光源能量及一第二光罩照射部分的該光阻層，其中所述的第二光罩包含一第二透光區(qū)，部分的該第二透光區(qū)與部分的該第一透光區(qū)相互重疊，該第二光源能量小于該光阻層的該顯影臨界值，且該第一光源能量加上該第二光源能量的數(shù)值達到該光阻層的該顯影臨界值以上。
2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，所述的第一光源能量大于該第二光源能量。
3.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，所述的第二光源能量大于該第一光源能量。
4..一種轉(zhuǎn)移圖形的的方法，其特征在于，包括下列步驟提供一晶片，該晶片包含一光阻層；安裝該晶片于一曝光機上，該曝光機包含一光源；使用一第一光源能量及一第一光罩照射部分的該光阻層，所述的第一光罩包含一第一透光區(qū)且該第一光源能量小于該光阻層的一顯影臨界值；使用一第二光源能量及一第二光罩照射部分的該光阻層，所述的第二光罩包含一第二透光區(qū)，部分的該第二透光區(qū)與部分的該第一透光區(qū)相互重疊，該第二光源能量小于該光阻層的該顯影臨界值且該第二光源能量加上該第一光源能量的數(shù)值達到該光阻層的該顯影臨界值以上；以及移除部分的該光阻層以在該晶片上利用部分的該光阻層形成一所需的圖形。
5.如權(quán)利要求4所述的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，所述的第一光罩包含一第一圖形。
6.如權(quán)利要求5所述的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，所述的第一圖形的范圍大于該所需的圖形。
7.如權(quán)利要求4所述的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，所述的第二光罩包含一第二圖形。
8.如權(quán)利要求7所述的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，所述的第二圖形為一規(guī)則分布的圖形。
9.如權(quán)利要求8所述的轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，所述的第二圖形為一不規(guī)則分布的圖形。
10.一種轉(zhuǎn)移圖形的方法，其特征在于，該方法包含提供一晶片，該晶片包含一光阻層；安裝該晶片于一曝光機上，其中該曝光機包含一光源；安裝一第一光罩于該曝光機上，其中所述的第一光罩包含一第一透光區(qū)與一第一圖形，該第一圖形的一范圍大于所欲在該光阻層上形成一所需的圖形的一范圍；使用一第一光源能量照射部分的該光阻層以進行一第一階段曝光制程；取下該第一光罩；安裝一第二光罩于曝光機上，其中所述的第二光罩包含一第二透光區(qū)與一第二圖形，該第二圖形為一不均勻分布的圖形且該第二圖形的范圍大于所欲在該光阻層上形成該所需的圖形的該范圍，部分的該第二透光區(qū)與部分的該第一透光區(qū)相互重疊；使用一第二光源能量照射部分的該光阻層，其中所述的第二光源能量加上該第一光源能量的數(shù)值達到該光阻層的該顯影臨界值以上；以及移除部分的該光阻層以在該晶片上利用部分的該光阻層形成該所需的圖形。
全文摘要
一種轉(zhuǎn)移圖形的方法,是通過兩階段曝光將圖形由光罩轉(zhuǎn)移至晶片表面的光阻層上。第一階段為對欲形成圖形區(qū)域的光阻層,以一第一光源能量及第一光罩進行第一階段曝光,以改變光阻層的材料性質(zhì)。第一光罩包含第一圖形。第二階段使用一含有第二圖形的第二光罩,并使用一第二光源能量對欲形成圖形區(qū)域上光阻層進行曝光。第二光罩包含不規(guī)則分布或規(guī)則分布的第二圖形。最后進行顯影后,若使用的光阻層為正光阻層,則經(jīng)過兩次曝光的光阻層將被移除,若使用的光阻層為負光阻層,則經(jīng)過兩次曝光的光阻層將保留而形成所需圖形。第一光源能量與第二光源能量均小于光阻層的顯影臨界值,且第一光源能量加上第二光源能量必須大于或等于光阻層的顯影臨界值。
文檔編號G03F7/20GK1423170SQ0114299
公開日2003年6月11日 申請日期2001年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月5日
發(fā)明者洪齊元, 張慶裕 申請人:旺宏電子股份有限公司