專利名稱：重新布線圖形的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種重新布線圖形的形成方法。
背景技術(shù)：
在集成電路設(shè)計中，利用3D集成方案，將多層平面型器件芯片進行堆疊，并采用娃通孔(TSV-through silicon via)進行各芯片層間的互連,從而減小芯片面積,縮短整體互連線的長度，降低驅(qū)動信號所需的電功率。娃通孔通常借助于背面后通孔(via last-backside)技術(shù)來制作,該技術(shù)是在芯片制作結(jié)束后在晶圓背面進行制造完成，其制造過程包括硅通孔的隔離和金屬化，背面重布線層(RDL-redistribution layer)和凸點布局等。圖4a為現(xiàn)有技術(shù)中硅通孔內(nèi)填充光刻膠的示意圖。如圖4a所示，提供半導(dǎo)體基 片401，該半導(dǎo)體基片401的背面形成硅通孔402，硅通孔402填充有光刻膠406，半導(dǎo)體基片401的背面還設(shè)置有隔離層403和銅籽晶層404，硅通孔402底部與半導(dǎo)體基片401中的金屬層405接觸，其中半導(dǎo)體基片401可以為集成電路或者其他元件的一部分。圖4b為現(xiàn)有技術(shù)中去除光刻膠后出現(xiàn)光刻膠殘留的示意圖。如圖4b所示，對光刻膠406進行曝光顯影處理形成重新布線圖形407，但是，由于在形成重新布線圖形407的過程中，硅通孔402內(nèi)的光刻膠406在曝光時光化學(xué)反應(yīng)不充分，導(dǎo)致光刻膠406顯影后在通孔底部經(jīng)常出現(xiàn)殘留光刻膠408，從而影響了硅通孔402的性能尤其是金屬化后的導(dǎo)電特性。如果利用干法刻蝕去除通孔底部的殘留光刻膠408會對通孔側(cè)壁和底部造成損傷，同樣會影響使用硅通孔402電特性，如出現(xiàn)漏電等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種重新布線圖形的形成方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中光刻膠殘留影響硅通孔電特性。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種重新布線圖形的形成方法，該方法包括
向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料，所述可顯影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度；
在所述硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料，所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容；
對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。優(yōu)選地，所述可顯影填充材料的填充深度為1/2 2/3的所述硅通孔的深度。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料具體為分次向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料。優(yōu)選地，向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料包括分次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料；
對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理；
使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理；
每次顯影處理后對半導(dǎo)體基片進行沖洗。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，隨著填充 次數(shù)的遞增，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量遞減。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量為10毫升 30毫升。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間隨著分次涂布的可顯影填充的劑量減少而縮短。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間為60秒 120秒。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次對涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度 205攝氏度。優(yōu)選地，所述每次對涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的劑量為30暈升 60暈升。優(yōu)選地，所述每次使用的顯影液的劑量為50毫升。優(yōu)選地，所述顯影液為四甲基氫氧化銨。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為25攝氏度。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，顯影液的浸泡時間隨著顯影次數(shù)的增加而依次遞減。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次顯影液的浸泡時間為2分鐘 6分鐘。優(yōu)選地，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次顯影處理后使用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗。優(yōu)選地，所述每次顯影處理后使用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗，沖洗的時間為25秒 40秒。優(yōu)選地，所述每次顯影處理后使用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗，沖洗的時間為30秒。優(yōu)選地，在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料之后還包括對所述硅通孔中涂布的光刻膠的進行烘烤。優(yōu)選地，在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為2. 5暈升 3. 5暈升。優(yōu)選地，在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為3暈升。優(yōu)選地，對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及對可顯影填充材料進行顯影處理去除硅通孔內(nèi)可顯影填充材料包括
對曝光處理后的光刻膠進行顯影處理，去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖 形；
對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。優(yōu)選地，對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料包括使用顯影液分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。優(yōu)選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為40毫升飛O毫升。優(yōu)選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為50毫升。優(yōu)選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。優(yōu)選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為25攝氏度。優(yōu)選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的浸泡時間為4分鐘I分鐘。優(yōu)選地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，隨著顯影次數(shù)的遞增，每次顯影液的浸泡時間遞減。優(yōu)選地，對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)可顯影填充材料之后包括用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗。優(yōu)選地，所述可顯影填充材料由有機溶劑、抗反射吸收材料、有機酸基團樹脂、有機基團樹脂，以及交聯(lián)樹脂組成，所述有機基團樹脂含氧、氟元素。與現(xiàn)有的方案相比，本發(fā)明中，利用可顯影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻膠進行重新布線層曝光，最后顯影去除曝光后的光刻膠和硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料，從而避免了通常重新布線光刻工藝中利用光刻膠填充硅通孔時產(chǎn)生的通孔內(nèi)光刻膠殘留，最終提高了硅通孔的電學(xué)性能。


圖I為本發(fā)明重新布線圖形的形成方法實施例流程示意 圖2為圖I實施例中填充可顯影材料的流程 圖3a為本發(fā)明處于填充可顯影填充材料后的變化示意圖；圖3b為圖3a之后處于涂布光刻膠過程后的變化示意 圖3c為對光刻膠進行曝光顯影和去除可顯影填充材料過程后的變化示意 圖4a為現(xiàn)有技術(shù)中硅通孔內(nèi)填充光刻膠的示意 圖4b為現(xiàn)有技術(shù)中去除光刻膠后硅通孔內(nèi)出現(xiàn)光刻膠殘留的示意圖。
具體實施例方式以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，藉此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題并達成技術(shù)功效的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。圖I為本發(fā)明重新布線圖形的形成方法實施例流程示意圖。如圖I所示，本實施例中，重新布線圖形的形成方法包括如下步驟 步驟101、向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料，所述可顯影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度。本實施例中，為了避免硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料太厚導(dǎo)致去除可顯影填充材料的時間太長或者太薄可能導(dǎo)致曝光時硅通孔內(nèi)的光刻膠光化學(xué)反應(yīng)不充分，因此，綜合考慮可顯影填充材料的去除時間和光刻膠的充分曝光，所述可顯影填充材料的填充深度可以為1/2 2/3的所述硅通孔的深度，優(yōu)選的，可以為2/3的所述硅通孔的深度。在向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料時可以采用分次向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料，對可顯影填充材料進行多次涂布、每次涂布后即烘烤、多次顯影、沖洗半導(dǎo)體基片，以向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充一定深度的可顯影填充材料。本實施例中，可顯影填充材料可以由有機溶劑、抗反射吸收材料、有機酸基團樹脂、有機基團樹脂和交聯(lián)樹脂組成，有機基團樹脂含氧、氟元素，這種可顯影填充材料可以起到填充通孔和表面平坦化的作用，如果下述步驟中的顯影液選用四甲基氫氧化銨的話，該可顯影填充材料可溶解于四甲基氫氧化銨，因此，這種可顯影填充材料的也就避了干法刻蝕處理。圖2為圖I實施例中填充可顯影材料的流程圖。本實施例中，向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料包括
步驟111、分次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料；
本實施例中，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，隨著填充次數(shù)的遞增，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量可以遞減。之所以要遞減，是考慮到隨著填充的不斷進行，硅通孔的深度越來越小，所需的可顯影填充材料不斷減少，填充精度也越來越高。具體地，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量可以為10毫升 30毫升。步驟121、對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理；
本實施例中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度可以為200攝氏度 205攝氏度，優(yōu)選地，烘烤的溫度為200攝氏度。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可理解，為了兼顧考慮可顯影填充材料中溶劑的揮發(fā)和可顯影填充材料的顯影，太低不利于溶劑揮發(fā)，太高不利于顯影，烘烤的溫度可以不局限于這里的范圍。本實施例中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間隨著分次涂布的可顯影填充的劑量減少而縮短。優(yōu)選地，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間為60秒 120秒。
步驟131、使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理；
在經(jīng)過多次執(zhí)行步驟111和步驟121之后，完成可顯影填充材料的涂布和烘烤后，再對完成烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理。本實施例中，所述顯影液可以但不僅限于為四甲基氫氧化銨。每次對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行顯影處理時，每次使用的顯影液的劑量可以為30毫升飛O毫升，優(yōu)選地，每次使用的顯影液的劑量可以為50毫升。本實施例中，對每次烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度可以為23攝氏度 26攝氏度，優(yōu)選地，每次使用的顯影液的溫度可以為25攝氏度。本實施例中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，顯影液的浸泡時間隨著顯影次數(shù)的增加而依次遞減。優(yōu)選地，每次顯影液的浸泡時 間為2分鐘飛分鐘。步驟141、每次顯影處理后對半導(dǎo)體基片進行沖洗。本實施例中，使用去離子水對顯影處理后的半導(dǎo)基片進行沖洗，具體地，每次沖洗的時間為25秒 40秒，優(yōu)選地，每次沖洗的時間為30秒。此處，只要保證沖洗的效果，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以根據(jù)實際需求，靈活設(shè)置沖洗的時間，以堅固考慮沖洗效果和生產(chǎn)效率(throughput)。步驟102、在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料，所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容。在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量可以為2. 5毫升I. 5毫升，優(yōu)選地，光刻膠材料的劑量為3毫升。此處的涂布可采用常用的涂布工藝，并不做具體限定。所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容是指可顯影填充材料不溶解于所述光刻膠中。本實施例中，在完成光刻膠的涂布后，還可以對光刻膠的進行烘烤處理，可以根據(jù)光刻膠的特性來控制烘烤的時間。步驟103、對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。本實施例中，步驟103包括對曝光處理后的光刻膠進行顯影處理，去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形；以及對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。當可顯影填充材料太厚時，可以多次顯影處理可顯影填充材料的去除，當可顯影填充材料時比較薄時，也可以一次顯影處理完成可顯影填充材料的去除。進一步地，當可顯影填充材料太厚時，以充分去除可顯影填充材料，對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料可以包括使用顯影液分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。具體地，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為40毫升飛O毫升，優(yōu)選為50毫升。本實施例中，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的溫度可以為23攝氏度 26攝氏度，優(yōu)選地，顯影液的溫度為25攝氏度。每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的浸泡時間可以為4分鐘I分鐘。本實施例中，所述分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，隨著顯影次數(shù)的遞增，每次顯影液的浸泡時間遞減。本實施例中，對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)顯影填充材料之后還可以包括用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗。圖3a為本發(fā)明處于填充可顯影填充材料后的變化示意圖。如圖3a所示，某集成電路中提供半導(dǎo)體基片301，該半導(dǎo)體基片301的背面形成有硅通孔302，半導(dǎo)體基片301的背面還設(shè)置有隔離層303和銅籽晶層304，硅通孔底部與半導(dǎo)體基片301中的金屬層305接觸，經(jīng)過多次涂布和烘烤以及最后的多次顯影和沖洗工藝，使可顯影填充材料307填充 硅通孔302深度的2/3。圖3b為圖3a之后處于涂布光刻膠過程后的變化示意圖。如圖3b所示，在可顯影填充材料307之上涂布光刻膠306。圖3c為對光刻膠進行曝光顯影和去除可顯影填充材料過程后的變化示意圖。如圖3c所示，對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠306，以形成重新布線圖形308，以及利用多次顯影工藝去除硅通孔302內(nèi)的可顯影填充材料307。本發(fā)明的上述實施例中，利用可顯影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻膠進行重新布線層曝光，最后顯影去除曝光后的光刻膠和硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料，從而避免了通常重新布線光刻工藝中利用光刻膠填充硅通孔時產(chǎn)生的通孔內(nèi)光刻膠殘留，最終提高了硅通孔的電學(xué)性能。上述說明示出并描述了本發(fā)明的若干優(yōu)選實施例，但如前所述，應(yīng)當理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進行改動。而本領(lǐng)域人員所進行的改動和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種重新布線圖形的制造方法，其特征在于，包括 向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料，所述可顯影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度； 在所述硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料，所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容； 去除所述光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述可顯影填充材料的填充深度為1/2^2/3的所述硅通孔的深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充 顯影填充材料具體為分次向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料包括 分次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料； 對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理； 使用顯影液對經(jīng)過烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理； 每次顯影處理后對半導(dǎo)體基片進行沖洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，隨著填充次數(shù)的遞增，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量遞減。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量為10暈升 30暈升。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間隨著分次涂布的可顯影填充的劑量減少而縮短。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間為60秒 120秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次對涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度 205攝氏度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述每次對涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的劑量為30毫升飛O毫升。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述每次使用的顯影液的劑量為50暈升。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述顯影液為四甲基氫氧化銨。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為25攝氏度。
16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，顯影液的浸泡時間隨著顯影次數(shù)的增加而依次遞減。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次顯影液的浸泡時間為2分鐘飛分鐘。
18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次顯影處理后使用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述每次顯影處理后使用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗，沖洗的時間為25秒 40秒。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，所述每次顯影處理后使用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗，沖洗的時間為30秒。
21.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料之后還包括對所述硅通孔中涂布的光刻膠的進行烘烤。
22.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為2. 5暈升 3. 5暈升。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于，在所述硅通孔中的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料時，光刻膠材料的劑量為3毫升。
24.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造方法，其特征在于，對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料包括 對曝光處理后的光刻膠進行顯影處理，去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形； 對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其特征在于，對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料包括 使用顯影液分次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為40毫升飛O毫升。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的制造方法，其特征在于，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的劑量為50毫升。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為23攝氏度 26攝氏度。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的制造方法，其特征在于，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的溫度為25攝氏度。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，顯影液的浸泡時間為4分鐘I分鐘。
32.根據(jù)權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于，每次對可顯影填充材料進行顯影處理以去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料時，隨著顯影次數(shù)的遞增，每次顯影液的浸泡時間遞減。
33.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，對所述光刻膠進行曝光并去除曝光處理后的光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)可顯影填充材料之后包括用去離子水對半導(dǎo)體基片進行沖洗。
34.根據(jù)權(quán)利要求1-33任意所述的制造方法，其特征在于，所述可顯影填充材料由有機溶劑、抗反射吸收材料、有機酸基團樹脂、有機基團樹脂，以及交聯(lián)樹脂組成，所述有機基團樹脂含氧、氟元素。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種重新布線圖形的形成方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料，可顯影填充材料的填充深度小于硅通孔的深度；在硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料，光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容；以及去除光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。本發(fā)明中，利用可顯影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻膠進行重新布線層曝光，最后顯影去除曝光后的光刻膠和硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料，從而避免了通常重新布線光刻工藝中利用光刻膠填充硅通孔時產(chǎn)生的通孔內(nèi)光刻膠殘留，最終提高了硅通孔的電學(xué)性能。
文檔編號H01L21/768GK102881642SQ201210353208
公開日2013年1月16日 申請日期2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月20日
發(fā)明者胡紅梅 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司