專利名稱：用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的裝置。
技術(shù)背景等離子顯示面板通常具有形成在上部基板和下部基板之間的阻擋 條形成單個(gè)放電單元或多個(gè)放電單元的結(jié)構(gòu)。每個(gè)放電單元填充有惰性氣體，其包括主要的放電氣體如氖(Ne)、氦(He)或Ne和He的 化合物和少量的氙(Xe)。當(dāng)通過將高頻電壓施加到單位放電單元使等離 子顯示面板放電時(shí)，惰性氣體生成真空紫外線，從而使得形成在阻擋 條之間的熒光體發(fā)光，以顯示圖像。因?yàn)榈入x子顯示面板可以制造得 薄且輕，故作為下一代顯示裝置引起了重視。以時(shí)分為多個(gè)子場顯示圖像的單位幀驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板。每個(gè) 子場分為其中所有放電單元被初始化的復(fù)位周期、選擇要導(dǎo)通的放電 單元的尋址周期和依照每個(gè)子場的灰度權(quán)重在選擇的放電單元中生成 維持放電的維持周期。在尋址周期，響應(yīng)于要顯示的數(shù)據(jù)施加數(shù)據(jù)信號到要導(dǎo)通的放電 單元的尋址電極。然而，因?yàn)閿?shù)據(jù)量大施加數(shù)據(jù)信號消耗很多的能量。發(fā)明內(nèi)容因此，該發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的裝置，其在 驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板期間具有執(zhí)行高速尋址且降低顯示數(shù)據(jù)的能耗。一方面，提供一種用于將數(shù)據(jù)信號施加到等離子顯示面板的多個(gè) 尋址電極中每一個(gè)尋址電極的驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置包括多個(gè)數(shù)據(jù) 集成電路(IC)，其依據(jù)輸入數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極；以及 多個(gè)能量回收電路，其回收施加到尋址電極的電壓且充電至回收的電 壓，其中依據(jù)輸入到連接至能量回收電路的數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)的變化，充 電到該多個(gè)能量回收電路的電壓是不同的。實(shí)施方案可以包括一個(gè)或多個(gè)下述特征。例如，多個(gè)數(shù)據(jù)IC分為 包括一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)IC組，并且多個(gè)能量回收電路分別連接到數(shù)據(jù)ic組。數(shù)據(jù)變化可以表示從數(shù)據(jù)信號的高電平到低電平的變化量或從數(shù) 據(jù)信號的低電平到高電平的變化量。隨著輸入到數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)變化的減少，連接到數(shù)據(jù)IC的能量回 收電路充電電壓增加。另一方面，本發(fā)明提供一種用于將數(shù)據(jù)信號施加到等離子顯示面 板的多個(gè)尋址電極的每個(gè)尋址電極的驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置包括多 個(gè)數(shù)據(jù)IC，其依據(jù)輸入數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極；以及多個(gè)能 量回收電路，其回收施加到尋址電極的電壓且充電至回收的電壓，其 中依據(jù)輸入到連接于能量回收電路的數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)的變化，充電到該 多個(gè)能量回收電路的電壓是不同的，該能量回收電路包括回收施加到 尋址電極的電壓的第一開關(guān)，充電至從尋址電極回收的電壓的能量回 收電容器，連接到數(shù)據(jù)IC的電感器，此電感器和等離子顯示面板形成 諧振電路，和連接在尋址電壓源和數(shù)據(jù)IC之間的第二開關(guān)。實(shí)施方案可以包括一個(gè)或多個(gè)下述特征。例如，第一開關(guān)可以位 于從尋址電極回收電壓的路徑上和從能量回收電容器回收電壓且將回 收的電壓提供到等離子顯示面板的路徑上。第一開關(guān)的一端可以連接到能量回收電容器，而另一端接地。
可以理解，前述一般性描述和以下的詳細(xì)描述是示例性的和解釋 性的，且用于提供對如所附權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，且合并于此構(gòu)成說明書的一部 分，

了本發(fā)明的實(shí)施例且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原 理。附圖中-圖1示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板結(jié)構(gòu)的剖視圖； 圖2示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的電極排列； 圖3示出定時(shí)驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的方法，其中幀分為多個(gè)子場； 圖4示出依據(jù)示例性實(shí)施例驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)信號的時(shí)序圖；圖5a和5b示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū)動(dòng) 電路的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例；圖6示出圖5a和5b的開關(guān)的導(dǎo)通/截至?xí)r序和施加到依據(jù)示例性 實(shí)施例的等離子顯示面板上的數(shù)據(jù)信號的波形；圖7示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū)動(dòng)電路的 結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的電路圖；圖8a和8b示出提供到尋址電極線的數(shù)據(jù)；圖9a到9c示出數(shù)據(jù)變化和充電到能量回收電路的電壓之間的關(guān)系圖；圖10示意性地示出依據(jù)示例性實(shí)施例的尋址驅(qū)動(dòng)電路生成的數(shù) 據(jù)信號的形式；圖lla和llb示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū) 動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例；圖12示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板上的尋址驅(qū)動(dòng)電 路的結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的電路圖；以及圖13示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板上的尋址驅(qū)動(dòng)電 路的結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例的電路圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述附圖中示出的本發(fā)明的示例性實(shí)施例。圖1示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖1所示，等離子顯示面板包括上部基板10和下部基板20。 掃描電極11和維持電極12形成在上部基板10上，且形成多個(gè)維持電極對。尋址電極22形成在下部基板20上。維持電極對11和12每一個(gè)包括通常由銦錫氧化物(ITO)制成的 透明電極lla和12a和總線電極llb和12b?？偩€電極lib和12b可以 由金屬例如銀(Ag)和鉻(Cr)制成，或通過堆疊Cr、銅(Cu)和 Cr或者Cr、鋁(Al)和Cr來形成。總線電極lib和12b形成在透明 電極lla和12a上以減小具有高阻抗的透明電極lla和12 a的電壓降。維持電極對11和12可以每一個(gè)僅包括總線電極lib和12b。在 該情形中，因?yàn)闆]有使用透明電極lla和12a,降低了等離子顯示面板 的生產(chǎn)成本。此外，總線電極llb和12b由除了上述的材料以外的多 種材料制成，例如光敏材料。黑矩陣排列在透明電極lla和12a和總線電極lib和12b之間。 黑矩陣通過吸收上部基板IO外部生成的外部光實(shí)現(xiàn)遮光功能，改善上 部基板10的純度和對比度。黑矩陣形成在上部基板10上。黑矩陣包括位于上部基板10上與 阻擋條21重疊的第一黑矩陣15、和形成在透明電極lla和12a和總線 電極llb和12b之間的第二黑矩陣llc和12c。第二黑矩陣llc和12c 稱為黑層或黑電極層。因?yàn)榈谝缓诰仃?5和第二黑矩陣llc和12c可 以同時(shí)形成，第一黑矩陣15和第二黑矩陣llc和12c能彼此物理連接。
另外，因?yàn)榈谝缓诰仃?5和第二黑矩陣llc和12C能單獨(dú)形成，第一黑矩陣15和第二黑矩陣llc和12c不能彼此物理連接。在第一黑矩陣15和第二黑矩陣llc和12c彼此物理連接的情形中， 第一黑矩陣15和第二黑矩陣llc和12c由相同的材料制成。在第一黑 矩陣15和第二黑矩陣llc和12c不是彼此物理連接的情形中，第一黑 矩陣15和第二黑矩陣llc和12c由不同的材料制成。上部的電介質(zhì)層13和保護(hù)層14堆疊在其上平行地形成掃描電極 11和維持電極12的上部基板10。通過放電生成的電荷微粒累積在上 部電介質(zhì)層13上以保護(hù)維持電極對。保護(hù)層14保護(hù)上部電介質(zhì)層13 免于由氣體放電生成的電荷微粒的濺射，增加了二次電子發(fā)射效率。形成尋址電極22以與掃描電極ll和維持電極12交叉。下部電介 質(zhì)層23和阻擋條21形成在其上形成尋址電極22的下部基板20上。熒光體層形成在下部電介質(zhì)層23和阻擋條21的表面上。阻擋條 21包括封閉型縱向阻擋條21a和橫向阻擋條21b。阻擋條21物理上隔 開放電單元，且防止由于放電而產(chǎn)生的紫外線和可見光泄露進(jìn)入鄰近 放電單元。依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板具有多種阻擋條結(jié)構(gòu)，以及 圖1中示出的阻擋條21的結(jié)構(gòu)。例如，阻擋條21具有其中縱向阻擋 條21a的高度和橫向阻擋條21b的高度彼此不同的差別類型的阻擋條結(jié) 構(gòu)，其中在縱向阻擋條21a或橫向阻擋條21b的至少一個(gè)上形成可用作 排出路徑的溝道的溝道型阻擋條結(jié)構(gòu)，其中在縱向阻擋條21a或橫向阻 擋條21b的至少一個(gè)上形成中空的中空型阻擋條結(jié)構(gòu)等。在差別類型的阻擋條結(jié)構(gòu)中，橫向阻擋條21b的高度比縱向阻擋 條21a的高度高。另外，在溝道型或中空型阻擋條結(jié)構(gòu)中，溝道或中空
形成在橫向阻擋條21b上。盡管依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板己經(jīng)被說明和描述為具有排列在同一條線上的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)放電單元，但也 能以不同的模式排列它們。例如，可以采用其中R、 G和B放電單元 以三角形狀排列的三角形排列。另外，放電單元可以具有多種多邊形 狀例如五邊形、六邊形和矩形。由于氣體放電生成的紫外線，熒光體層發(fā)光，且發(fā)出R、 G和B 可見光之一。在上部基板和下部基板10和20和阻擋條21之間的放電 空間填充有如He-Xe、 Ne-Xe和He- Ne -Xe的惰性氣體混合物。圖2示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的電極排列。如圖 2所示，等離子顯示面板的多個(gè)放電單元以矩陣形式排列。多個(gè)放電單 元配置在掃描電極線Yl到Y(jié)m、維持電極線Zl到Zm和尋址電極線 XI到Xn的每個(gè)交叉部分。可以順序地或同時(shí)驅(qū)動(dòng)掃描電極線Yl到 Ym。可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)維持電極線Z1到Zm?？梢皂樞虻仳?qū)動(dòng)尋址電極線 Xl到Xn。而且，可以將尋址電極線X1到Xn分為偶數(shù)編號的尋址電 極線和奇數(shù)編號的尋址電極線，來驅(qū)動(dòng)尋址電極線XI到Xn。盡管圖2僅示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的電極排列 的例子，本發(fā)明不限于此。例如，可以采用其中同時(shí)掃描掃描電極線 Yl到Y(jié)m的兩個(gè)掃描電極線的雙重掃描型。另外，可以將尋址電極線 XI到Xn相對于尋址電極線XI到Xn的中心劃分為上部尋址電極線組 和下部尋址電極線組，來驅(qū)動(dòng)尋址電極線X1到Xn。圖3示出定時(shí)驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的方法，其中幀分為多個(gè)子場。 單位幀可以分為預(yù)定數(shù)量子場，例如8個(gè)子場SF1到SF8，以獲得時(shí) 分灰度級。子場SF1到SF8分別細(xì)分為復(fù)位周期(未示出)、尋址周 期Al到A8和維持周期Sl到S8。 在該多個(gè)子場的至少一個(gè)子場中可以省略復(fù)位周期。例如，可以 僅在第一子場中，或僅在第一子場中和中間子場中，存在復(fù)位周期。在每個(gè)尋址周期Al到A8期間，顯示數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極X, 并將對應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)信號的掃描脈沖順序施加到每個(gè)掃描電極Y。在每個(gè)維持周期Sl到S8期間，將維持脈沖交替地施加到掃描電 極Y和維持電極Z，以在具有在每個(gè)尋址周期Al到A8期間產(chǎn)生的壁 電荷的放電單元中產(chǎn)生維持放電。等離子顯示面板的亮度與在單位幀的維持周期Sl到S8期間生成 的維持脈沖的數(shù)量成比例。在顯示一幅畫面的一幀由8個(gè)子場和256 級灰度級表示的情形下，可以將以l、 2、 4、 8、 16、 32、 64和128的 比例的不同數(shù)量的維持脈沖按順序分配在8個(gè)子場的每一個(gè)。為了獲 得133級灰度級的亮度，通過在子場SF1、 SF3和SF8期間尋址放電單 元，執(zhí)行維持放電。根據(jù)自動(dòng)能量控制(APC)級，可以根據(jù)子場的灰度權(quán)重不同地 確定分配到每個(gè)子場的維持放電的數(shù)量。換言之，盡管圖3示出一幀 分為8個(gè)子場的情況作為示例，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)面板設(shè)計(jì)的 規(guī)格構(gòu)成一幀的子場的數(shù)量可以改變。例如， 一幀可以包括12或16 個(gè)子場?？紤]到伽馬特性或面板特性，分配到每個(gè)子場的維持放電的數(shù)量 可以變化。例如，分配給子場SF4的灰度級從8減到6，分配給子場 SF6的灰度級從32增加到34。圖4示出依據(jù)示例性實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)信 號的時(shí)序圖。 子場包括預(yù)復(fù)位周期、復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。在預(yù)復(fù) 位周期期間，正的壁電荷形成在掃描電極Y上，而負(fù)的壁電荷形成在 維持電極Z上。在復(fù)位周期期間，采用在預(yù)復(fù)位周期期間形成的壁電 荷分布，將整個(gè)屏幕的放電單元初始化。在尋址周期期間，選擇放電 的單元。在維持周期期間，維持選擇的放電單元的放電。復(fù)位周期包括建立周期和撤除周期。在建立周期期間，上升波形 同時(shí)施加到所有的掃描電極Y，從而在整個(gè)屏幕的放電單元內(nèi)生成微 小的放電(即建立放電)。這使得形成壁電荷。在撤除周期期間，將 從比上升波形的峰值電壓低的正電壓下降的下降波形同時(shí)施加到所有 的掃描電極Y,從而在全部放電單元內(nèi)生成擦除放電(即撤除放電)。 由于該擦除放電，擦除了由建立放電所生成的壁電荷和空間電荷中的 不必要的電荷。在尋址周期期間，將負(fù)極性的掃描信號順序施加到掃描電極Y，同時(shí)，有選擇地將正極性的數(shù)據(jù)脈沖與掃描信號同步地施加到尋址電極X。掃描信號和數(shù)據(jù)信號之間的電壓差被加到在復(fù)位周期期間生成的壁電壓上，在向其施加了數(shù)據(jù)信號的放電單元中生成尋址放電。在 撤除周期和尋址周期周期期間將保持在維持電壓電平的信號施加到維持電極z。在維持周期期間，維持信號交替地施加到掃描電極Y和維持電極 Z。每次施加維持信號時(shí)，在掃描電極Y和維持電極Z之間生成表面放 電型的維持放電。因?yàn)閳D4中示出的驅(qū)動(dòng)波形僅是依據(jù)示例性實(shí)施例用于驅(qū)動(dòng)等離 子顯示面板的信號的第一實(shí)施例，本發(fā)明不限于此。例如，可以省略 預(yù)復(fù)位周期，圖4中示出的驅(qū)動(dòng)信號的極性和電壓電平可以改變，并 且在生成維持放電之后，可以將用于擦除壁電荷的擦除信號施加到維 持電極。此外，可以以通過將維持信號施加到掃描電極Y或維持電極 Z生成維持放電的信號維持型，驅(qū)動(dòng)依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面 板。圖5a和5b示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū)動(dòng) 電路結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例。尋址驅(qū)動(dòng)電路包括能量回收電路500和尋址 驅(qū)動(dòng)器510。如圖5a所示，能量回收電路50O包括連接在尋址驅(qū)動(dòng)器510和能 量回收電容器Cs之間的電感器L、并聯(lián)連接在能量回收電容器Cs和 電感器L之間的第一和第三開關(guān)Sl和S3、連接在電感器L和尋址驅(qū) 動(dòng)器510之間的第二開關(guān)S2。尋址驅(qū)動(dòng)器510包括連接在能量回收電 路500和面板電容器Cp之間的第四和第五開關(guān)S4和S5。面板電容器 Cp等效地表示形成在尋址電極線X之間的電容。第二開關(guān)S2連接到 電壓源(Va)，第五開關(guān)S5連接到地電平電壓源(GND)。能量回收 電容器Cs回收在尋址放電產(chǎn)生期間充電到面板電容器Cp的電壓，充 電到回收的電壓，并再將充電的電壓施加到面板電容器Cp。根據(jù)輸入 到尋址驅(qū)動(dòng)器510的數(shù)據(jù)改變充電到能量回收電容器Cs的電壓。更具 體的，根據(jù)輸入到尋址驅(qū)動(dòng)器510的數(shù)據(jù)集成電路(IC)的數(shù)據(jù)的變 化，改變充電給能量回收電容器Cs的電壓。數(shù)據(jù)變化表示數(shù)據(jù)信號的髙平電壓到低平電壓的變化量或從數(shù)據(jù) 信號的低平電壓到高平電壓的變化。而且，數(shù)據(jù)變化可以表示用于將數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極的開關(guān) 操作數(shù)量。電感器L和面板電容器Cp形成諧振電路。當(dāng)施加數(shù)據(jù)信號時(shí)(即 輸入數(shù)據(jù)被導(dǎo)通)，尋址驅(qū)動(dòng)器510的第四開關(guān)S4導(dǎo)通。當(dāng)不施加數(shù) 據(jù)信號時(shí)(即輸入數(shù)據(jù)斷開)，第四開關(guān)S4斷開。當(dāng)關(guān)斷輸入數(shù)據(jù)時(shí)，
尋址驅(qū)動(dòng)器510的第五開關(guān)S5導(dǎo)通。當(dāng)輸入數(shù)據(jù)導(dǎo)通時(shí)，第五開關(guān)S5關(guān)斷。依據(jù)圖5b示出的示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū)動(dòng)電 路的結(jié)構(gòu)與圖5a示出的尋址驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)基本相同，除了將二極管 D附加到圖5a的尋址驅(qū)動(dòng)電路。二極管D的一端連接到電感器L和第 二開關(guān)S2的公共端且另一端接地，以便于在等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)期 間電感器L和第二開關(guān)S2的公共端的電壓不降低到等于或小于地電平 電壓。在該情形中，二極管D的陰極連接到電感器L和第二開關(guān)S2 的公共端，且陽極接地。圖6示出圖5a和5b的開關(guān)的導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)間和施加到依據(jù)示例性 實(shí)施例的等離子顯示面板上的數(shù)據(jù)信號的波形。參考圖6詳細(xì)描述圖 5a和5b的尋址驅(qū)動(dòng)電路的操作。假設(shè)，在T1間隔前，在尋址電極線X之間的充電電壓(即充電 給面板電容器Cp的電壓)是OV且向能量回收電容器Cs的充預(yù)定電壓。 在T1間隔，第一和第四開關(guān)S1和S4導(dǎo)通。此時(shí)，如果沒有選擇放電 單元(即，沒有將數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極線X)，第四開關(guān)S4保持 在關(guān)斷狀態(tài)，形成從能量回收電容器Cs通過第一開關(guān)Sl、電感器L 和第四開關(guān)S4到面板電容器Cp的電流路徑，電感器L和面板電容器 Cp形成諧振電路。結(jié)果，通過該電流路徑將尋址電壓Va施加到面板 電容器Cp。在T2間隔，第二開關(guān)S2導(dǎo)通。結(jié)果，將尋址電壓Va施加到尋 址電極線X，以便于面板電容器Cp的電壓比尋址電壓Va大。這形成 穩(wěn)定的尋址放電。在T3間隔，第一開關(guān)S1關(guān)斷，使得施加到尋址電 極線X的電壓保持在尋址電壓Va。在T4間隔，關(guān)斷第二開關(guān)S2且導(dǎo)通第三開關(guān)S3。結(jié)果，形成從
面板電容器Cp通過第四開關(guān)S4、電感器L和第三開關(guān)S3到能量回收 電容器Cs的電流路徑，從而能量回收電容器Cs通過該電流路徑回收 充電到面板電容器Cp的電壓。當(dāng)面板電容器Cp放電時(shí)，面板電容器 Cp的電壓下降，同時(shí)，將預(yù)定電壓充電到能量回收電容器Cs。在T5 間隔，重復(fù)T1間隔的開關(guān)操作，從而將尋址信號施加到尋址電極線X。 事實(shí)上，通過周期性重復(fù)Tl-T4間隔的開關(guān)操作獲得施加到尋址電極 線X的數(shù)據(jù)信號。圖7示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板上的尋址驅(qū)動(dòng)電路 的結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的電路圖。如圖7所示，尋址驅(qū)動(dòng)器710連接到 多個(gè)尋址電極線Xl-Xn的每一個(gè)，以將從能量回收電路700輸出的數(shù) 據(jù)信號施加到多個(gè)尋址電極線Xl-Xn的每一個(gè)。尋址驅(qū)動(dòng)器710可以 包括多個(gè)數(shù)據(jù)IC，每個(gè)將數(shù)據(jù)信號施加到預(yù)定數(shù)量的尋址電極線。例 如，在等離子顯示面板包括3840個(gè)尋址電極線的情形中，可以采用40 個(gè)數(shù)據(jù)IC，每個(gè)將數(shù)據(jù)信號施加到96個(gè)尋址電極線，而將數(shù)據(jù)信號施 加到等離子顯示面板。圖8a和8b示出施加到尋址電極線的數(shù)據(jù)。參考圖8a和8b詳細(xì) 描述圖7的尋址驅(qū)動(dòng)電路的操作。圖8a和8b示出施加到第(n-l)個(gè)和第n個(gè)掃描電極線Yn-l和 Yti的數(shù)據(jù)。如圖8a所示，施加到第(n-l)個(gè)掃描電極線Yn-l的所有 放電單元的數(shù)據(jù)處于導(dǎo)通狀態(tài)。在第n個(gè)掃描電極線Yn中，施加到第 三和第(n-l)個(gè)尋址電極線X3和Xn-l的數(shù)據(jù)處于關(guān)斷狀態(tài)，施加到 剩余放電單元的數(shù)據(jù)處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，圖7的能量回收電容器Cs 通過裝配在尋址驅(qū)動(dòng)器710上的開關(guān)(未示出)的內(nèi)部二極管(未示 出)回收充電到第三和第(n-l)個(gè)尋址電極線X3和Xn-l上的電壓。如圖8b所示，施加到第n個(gè)掃描電極線Yn的所有放電單元的數(shù) 據(jù)處于關(guān)斷狀態(tài)。在該情形中，能量回收電容器Cs回收充電到第一到
第n個(gè)尋址電極線Xl-Xn的電壓。因?yàn)閳D7的能量回收電容器Cs回收充電到圖8a中第三和第(n-l) 個(gè)尋址電極線X3和Xn-l的電壓，并且能量回收電容器Cs回收充電到 圖8b中第一到第n個(gè)尋址電極線Xl-Xn的電壓，能量回收電容器Cs 能夠回收依據(jù)施加到尋址電極線Xl-Xn的數(shù)據(jù)的不同幅值的電壓。圖9a到9c是示出數(shù)據(jù)變化和充電到能量回收電容器Cs的電壓之 間的關(guān)系的圖，例如尋址電壓是60v。圖9a是示出當(dāng)隨著數(shù)據(jù)52以隔行的方式施加到尋址電極線 Xl-Xn，數(shù)據(jù)52以100%的比例變化時(shí)，數(shù)據(jù)52和能量回收電容器Cs 的充電電壓54的示圖。在該情形中，如圖9a所示，與尋址電壓Va的 一半對應(yīng)的大約30V的電壓充電到能量回收電容器Cs。換言之，當(dāng)施 加到尋址電極線X1-Xn的數(shù)據(jù)以100%的比例進(jìn)行變化時(shí)，充電到能量 回收電容器Cs的電壓和從能量回收電容器Cs放電的電壓在30V處均 衡。圖9b是示出施加到尋址電極線Xl-Xn的數(shù)據(jù)56以50%的比例進(jìn) 行變化時(shí)，數(shù)據(jù)56和能量回收電容器Cs的充電電壓58的示圖。在該 情形中，如圖9b所示，大約40V的電壓充電到能量回收電容器Cs。 換言之，因?yàn)閳D9b中的數(shù)據(jù)變化量比圖9a中的數(shù)據(jù)變化量小，能量回 收電容器Cs的充電電壓58的放電數(shù)量減少。因此，圖9b中的能量回 收電容器Cs的充電電壓58比圖9a中的能量回收電容器Cs的充電電 壓54高IOV。圖9c是示出數(shù)據(jù)60處于連續(xù)導(dǎo)通狀態(tài)同時(shí)全白數(shù)據(jù)60施加到尋 址電極線Xl-Xn時(shí)，數(shù)據(jù)60和能量回收電容器Cs的充電電壓62的示 圖。換言之，當(dāng)提供全白數(shù)據(jù)時(shí)，也就是，數(shù)據(jù)沒有變化，接近尋址 電壓Va的大約60V的電壓充電到能量回收電容器Cs。當(dāng)施加到尋址
電極線Xl-Xn的數(shù)據(jù)沒有變化時(shí)，能量回收電容器Cs回收面板電容器Cp的充電電壓，但是能量回收電容器Cs的充電電壓沒有放電到面板 電容器Cp。因此，如9c所示，能量回收電容器Cs的電壓增加到 尋址電壓Va。如上所述，根據(jù)施加到尋址電極線的數(shù)據(jù)確定能量回收電容器Cs 是否操作，且改變能量回收電容器Cs的充電電壓。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)沒有 變化時(shí)，能防止能量回收電路的開關(guān)操作而引起的能耗。圖10示意性地示出依據(jù)示例性實(shí)施例的尋址驅(qū)動(dòng)電路生成的數(shù) 據(jù)信號的形式。如圖10所示，數(shù)據(jù)信號分為其中電壓充電到面板電容 器Cp的Tl間隔、其中尋址電壓Va施加到尋址電極線X的T2間隔、 和其中回收面板電容器Cp的充電電壓且接著將回收的電壓充電到能量 回收電容器Cs的T3間隔。緊接在T3間隔后，Tl間隔順序繼續(xù)。換 言之，數(shù)據(jù)信號包括在T3間隔逐漸從第一電壓VI降到第二電壓v2的 第一信號，和跟隨第一信號之后的第二信號，其從第二電壓v2逐漸上 升到基本等于第一電壓VI的第三電壓V3。圖lla和llb示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū) 動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例。圖lla和llb的尋址驅(qū)動(dòng)電路每個(gè)包括能 量回收電路1100和尋址驅(qū)動(dòng)器1110。如圖lla所示，能量回收電路1100包括連接在尋址驅(qū)動(dòng)器1110 和能量回收電容器Cs的電感器L、連接在能量回收電容器Cs和電感 器L之間的第一開關(guān)S1，和連接在電感器L和尋址驅(qū)動(dòng)器1110之間 的第二開關(guān)S2。尋址驅(qū)動(dòng)器1110包括連接在能量回收電路1100和面 板電容器Cp之間的第三和第四開關(guān)S3和S4。面板電容器Cp等效地 表示尋址電極線X之間形成的電容。第二開關(guān)S2連接到電壓源(Va)， 第四開關(guān)S4連接到地電平電壓源(GND)。
在圖lla中的能量回收電路1100中，圖5a和5b的能量回收電路 500的第一開關(guān)S1和第二開關(guān)S2集成為一個(gè)開關(guān)(即第一開關(guān)S1)。 因?yàn)橐罁?jù)示例性實(shí)施例的能量回收電路中連續(xù)產(chǎn)生諧振，能量回收電 路不需要包括將能量提供到面板的開關(guān)和從面板回收能量的開關(guān)。如 圖lla所示，通過能量回收/提供開關(guān)Sl的導(dǎo)通操作將能量提供到面板 和從面板回收能量。如圖lib所示，第一開關(guān)Sl的一端可以連接到能量回收電容器 Cs，而另一端可以接地。當(dāng)從面板回收能量時(shí)，圖llb的第一開關(guān)Sl 導(dǎo)通。如上所述，通過每個(gè)連接到預(yù)定數(shù)量的尋址電極線的多個(gè)數(shù)據(jù)Ic， 將數(shù)據(jù)信號提供到每個(gè)尋址電極線Xl-Xn。在該多個(gè)數(shù)據(jù)IC連接到一 個(gè)能量回收電路的情形中，可以根據(jù)提供到大量數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)的變化 來降低少數(shù)數(shù)據(jù)IC的驅(qū)動(dòng)效率。例如，在提供到多個(gè)數(shù)據(jù)ICs之一的 數(shù)據(jù)存在很多變化，而提供到其他數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)幾乎沒有變化的情形 中，根據(jù)提供到大量數(shù)據(jù)IC (即其他數(shù)據(jù)IC)的數(shù)據(jù)的變化，充電到 能量回收電容器Cs的電壓將上升到尋址電壓Va。在該情形中，盡管 提供的數(shù)據(jù)有很多變化的數(shù)據(jù)IC需要能量回收操作，但由于能量回收 電容器Cs的充電電壓上升很難執(zhí)行能量回收操作。因此，降低了提供 的數(shù)據(jù)有很多變化的數(shù)據(jù)IC的驅(qū)動(dòng)效率。因此，通過將用于將數(shù)據(jù)信號提供到每個(gè)尋址電極線Xl-Xn的多 個(gè)數(shù)據(jù)IC連接到兩個(gè)或多個(gè)能量回收電路，能改善數(shù)據(jù)IC的驅(qū)動(dòng)效 率。圖12示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū)動(dòng)電路 的結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的電路圖。在圖12中，多個(gè)數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240 和1250分別連接到多個(gè)能量回收電路1200、 1210和1220，且該多個(gè) 數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240和1250每個(gè)都將數(shù)據(jù)信號提供到預(yù)定數(shù)量的尋址
電極線。充電到能量回收電路1200、 1210和1220的能量回收電容器Csa、 Csb、 Csc的電壓，根據(jù)提供到連接到能量回收電路1200、 1210和1220 的數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240和1250的數(shù)據(jù)變化而不同。換言之，因?yàn)樘峁?到數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240和1250的數(shù)據(jù)變化的增加，充電到能量回收電 容器Csa、 Csb、 Csc的電壓降低。例如，當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)IC 1230中的數(shù)據(jù) 變化比第二數(shù)據(jù)IC 1240中的數(shù)據(jù)變化少時(shí)，充電到連接到第一數(shù)據(jù)IC 1230的能量回收電容器Csa的電壓，比充電到連接到第二數(shù)據(jù)IC 1240 的能量回收電容器Csb的電壓高。因?yàn)橐呀?jīng)參考圖5到IO描述了能量回收電路1200、 1210和1220 的操作、數(shù)據(jù)Icl230、 1240和1250的操作、每個(gè)數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240 和1250的數(shù)據(jù)變化、和充電到能量回收電容器Csa、 Csb、 Csc的電壓 之間的關(guān)系，將省略對其的描述。如圖12所示，因?yàn)槟芰炕厥针娐?200、 1210和1220分別連接到 數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240和1250，充電到能量回收電容器Csa、 Csb、 Csc 的電壓根據(jù)每個(gè)數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240和1250的數(shù)據(jù)變化而不同，進(jìn)一 步改善了數(shù)據(jù)Ic 1230、 1240和1250的驅(qū)動(dòng)效率。圖13示出依據(jù)示例性實(shí)施例的等離子顯示面板的尋址驅(qū)動(dòng)電路 的結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例的電路圖。在圖13中，用于提供數(shù)據(jù)信號到尋址 電極線Xl-Xn的多個(gè)數(shù)據(jù)IC分為兩個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)IC組，屬于每個(gè)數(shù) 據(jù)IC組的數(shù)據(jù)IC連接到一個(gè)能量回收電路。如圖13所示，能量回收電路1300連接到第一、第二和第三數(shù)據(jù) Ic 1320、 1330和1340，能量回收電路1310連接到第(n-l)個(gè)和第n 個(gè)數(shù)據(jù)Ic 1350和1360。因此，根據(jù)提供到第一、第二和第三數(shù)據(jù)Ic 1320、 1330和1340的數(shù)據(jù)變化，使充電到能量回收電路1300的能量
回收電容器Csa電壓不同。另外，根據(jù)提供到第(n-l)個(gè)和第n個(gè)數(shù) 據(jù)Ic 1350和1360的數(shù)據(jù)變化，使得充電到能量回收電路1310的能量 回收電容器Csb電壓不同。根據(jù)數(shù)據(jù)的變化，使充電到能量回收電容 器Csa的電壓不同于充電到能量回收電容器Csb的電壓。因?yàn)榧航?jīng)參考圖5到10描述了能量回收電路1300和1310的操作、 數(shù)據(jù)Icl320、 1330、 1340、 1350和1360的操作、每個(gè)數(shù)據(jù)IC 1320、 1330、 1340、 1350和1360的數(shù)據(jù)變化、和充電到能量回收電容器Csa 和Csb的電壓之間的關(guān)系，將省略對其的描述。能量回收電路的數(shù)量和屬于每個(gè)數(shù)據(jù)IC組的數(shù)據(jù)IC的數(shù)量可以 變化。如上說明了本發(fā)明，顯然本發(fā)明可以多種方式改變。這樣的變化 不認(rèn)為是脫離本發(fā)明的范圍，并且對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的 是，所有這樣的修改都被包括在以下的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于將數(shù)據(jù)信號施加到等離子顯示面板的多個(gè)尋址電極的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置包括多個(gè)數(shù)據(jù)集成電路(IC)，其依據(jù)輸入數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極；多個(gè)能量回收電路，其回收施加到尋址電極上的電壓，且被充電至回收的電壓，其中依據(jù)輸入到連接于能量回收電路的數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)的變化，使充電到該多個(gè)能量回收電路的電壓不同。
2. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該多個(gè)數(shù)據(jù)IC分為包括 一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)IC組，且該多個(gè)能量回收電路分別連接到 數(shù)據(jù)IC組。
3. 如權(quán)利要求l所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該數(shù)據(jù)變化表示從數(shù)據(jù)信號的高電平到低電平的變化量或從數(shù)據(jù)信號的低電平到高電平的變化且 里。
4. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中隨著輸入到數(shù)據(jù)IC的數(shù) 據(jù)變化減少，充電到連接于數(shù)據(jù)IC的能量回收電路的電壓增加。
5. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中當(dāng)在輸入到數(shù)據(jù)IC的數(shù) 據(jù)中存在變化時(shí)，將充電到連接于該數(shù)據(jù)IC的能量回收電路的電壓提 供到尋址電極。
6. 如權(quán)利要求l所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該能量回收電路將從第一 電壓逐漸下降到第二電壓的第一信號、跟隨在該第一信號之后且從第 二電壓逐漸上升到基本等于第一電壓的第三電壓的第二信號提供到數(shù) 據(jù)IC。
7. 如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中當(dāng)在輸入到數(shù)據(jù)IC的數(shù) 據(jù)中不存在變化時(shí)，不將充電到能量回收電路的電壓提供到尋址電極。
8. 如權(quán)利要求l所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該能量回收電路包括 能量回收電容器，其被充電到從尋址電極回收的電壓； 連接到數(shù)據(jù)IC的電感器，該電感器和等離子顯示面板形成諧振電路；第一和第三開關(guān)，其并聯(lián)連接在能量回收電容器和電感器之間；和第二開關(guān)，其連接在尋址電壓源和數(shù)據(jù)IC之間。
9. 如權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該電感器和第二開關(guān)的公 共端連接到數(shù)據(jù)IC的一端。
10. 如權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該電感器和第二開關(guān)的 公共端連接到二極管的一端，而另一端接地。
11. 一種用于將數(shù)據(jù)信號施加到等離子顯示面板的多個(gè)尋址電極 的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置包括多個(gè)數(shù)據(jù)IC，其依據(jù)輸入數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極； 多個(gè)能量回收電路，其回收施加到尋址電極的電壓，且被充電至 回收的電壓，其中依據(jù)輸入到連接于能量回收電路的數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)中 的變化，充電到該多個(gè)能量回收電路的電壓不同，該能量回收電路包括第一開關(guān)，其回收施加到尋址電極的電壓； 能量回收電容器，其被充電至從尋址電極回收的電壓； 電感器，其連接到數(shù)據(jù)IC，該電感器和等離子顯示面板形成諧振 電路；和第二開關(guān)，其連接在尋址電壓源和數(shù)據(jù)IC之間。
12. 如權(quán)利要求ll所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該第一開關(guān)位于從尋址 電極回收電壓的路徑上，并位于從能量回收電容器回收電壓且將回收 的電壓施加到等離子顯示面板的路徑上。
13. 如權(quán)利要求ll所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該第一開關(guān)的一端連接到能量回收電容器，而另一端接地。
14. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該多個(gè)數(shù)據(jù)IC分為包 括一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)IC組，且該多個(gè)能量回收電路分別連接 到數(shù)據(jù)IC組。
15. 如權(quán)利要求ll所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該數(shù)據(jù)變化表示從數(shù)據(jù) 信號的高電平到低電平的變化量或從數(shù)據(jù)信號的低電平到高電平的變 化量。
16. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中隨著輸入到數(shù)據(jù)IC的 數(shù)據(jù)中變化減少，充電到連接于數(shù)據(jù)IC的能量回收電路的電壓增加。
17. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中當(dāng)在輸入到數(shù)據(jù)IC的 數(shù)據(jù)中存在變化時(shí)，將充電到連接于數(shù)據(jù)IC的能量回收電路的電壓提 供到尋址電極。
18. 如權(quán)利要求ll所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該能量回收電路將從第 一電壓逐漸下降到第二電壓的第一信號、和跟隨在第一信號之后且從 該第二電壓逐漸上升到基本等于施加到數(shù)據(jù)IC上的第一電壓的第三電 壓的第二信號提供到數(shù)據(jù)IC。
19. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中當(dāng)在輸入到數(shù)據(jù)IC的 數(shù)據(jù)中不存在變化時(shí)，不將充電到能量回收電路的電壓提供到尋址電 極。
20.如權(quán)利要求ll所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其中該電感器和第二開關(guān)的 公共端連接到二極管的一端，而另一端接地。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于將數(shù)據(jù)信號施加到等離子顯示面板的多個(gè)尋址電極的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)裝置。該驅(qū)動(dòng)裝置包括依據(jù)輸入數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極的多個(gè)數(shù)據(jù)集成電路(IC)，回收施加到尋址電極上的電壓且被充電至回收的電壓的多個(gè)能量回收電路。依據(jù)輸入到連接于能量回收電路的數(shù)據(jù)IC的數(shù)據(jù)的變化，充電到該多個(gè)能量回收電路的電壓是不同的。
文檔編號G09G3/291GK101101726SQ200710142118
公開日2008年1月9日 申請日期2007年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月4日
發(fā)明者崔正泌 申請人:Lg電子株式會(huì)社