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一種抗卷曲熱升華轉印膜的制作方法

文檔序號:12152995閱讀:343來源:國知局
本發(fā)明涉及熱升華轉印膜制備
技術領域
,具體為一種抗卷曲熱升華轉印膜。
背景技術
:熱轉印膜是熱轉印工藝的一種介質(zhì)材料;熱轉印工藝是通過熱轉印膜一次性加熱,將熱轉印上的裝飾圖案轉印于承印物上,形成優(yōu)質(zhì)飾面膜的過程,現(xiàn)有的熱升華轉印膜一般只在一面涂覆涂層材料,容易使基膜產(chǎn)生彎曲形變,影響熱轉印質(zhì)量。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種抗卷曲熱升華轉印膜,以解決上述
背景技術
中提出的問題。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術方案:一種抗卷曲熱升華轉印膜,包括基膜,所述基膜正面涂覆有第一涂層,所述基膜反面涂覆有第二涂層,所述第一涂層按重量份數(shù)包括淀粉2-10份、纖維素10-20份、聚乙烯醇2-8份、甘油4-12份、二氧化硅8-15份、硫酸鋇8-16份、氧化鋁7-20份、二氧化鈦8-18份、碳酸鈣10-25份以及聚氯乙烯樹脂4-15份;所述第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉10-20份、二氧化鈦10-18份、膨潤土粉末4-10份以及納米銀離子粉末1-4份。優(yōu)選的,所述基膜厚度為30-60μm,所述第一涂層的厚度為4-6μm;所述第二涂層厚度為2-3μm。優(yōu)選的,所述第一涂層優(yōu)選的成分配比為:淀粉6份、纖維素15份、聚乙烯醇5份、甘油8份、二氧化硅12份、硫酸鋇12份、氧化鋁14份、二氧化鈦13份、碳酸鈣18份以及聚氯乙烯樹脂10份;所述第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉15份、二氧化鈦14份、膨潤土粉末7份以及納米銀離子粉末3份。優(yōu)選的,其特征在于:其制備方法包括以下步驟:A、將淀粉、纖維素、聚乙烯醇、甘油、二氧化硅、硫酸鋇、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣以及聚氯乙烯樹脂混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入高速攪拌機中攪拌,得到第一涂層;將淀粉、二氧化鈦、膨潤土粉末以及納米銀離子粉末混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入低速攪拌機中攪拌,得到第二涂層;B、在基膜正面涂覆第一涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為65℃,干燥時間為20min;C、在步驟B得到的基膜反面涂覆第二涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為85℃,干燥時間為30min,取出冷卻至常溫即可。與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的有益效果是:(1)本發(fā)明制備工藝新穎,制備過程環(huán)保無污染,制得的轉印膜抗卷曲性能強,能夠提高轉移效率。(2)本發(fā)明采用先在基膜正面涂覆第一涂層,干燥后再在基膜反面涂覆第二涂層,能夠防止基膜卷曲,影響轉印質(zhì)量,能夠進一步提高了轉印的清晰度。具體實施方式下面對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明提供一種技術方案:一種抗卷曲熱升華轉印膜,包括基膜,所述基膜正面涂覆有第一涂層,所述基膜反面涂覆有第二涂層,所述第一涂層按重量份數(shù)包括淀粉2-10份、纖維素10-20份、聚乙烯醇2-8份、甘油4-12份、二氧化硅8-15份、硫酸鋇8-16份、氧化鋁7-20份、二氧化鈦8-18份、碳酸鈣10-25份以及聚氯乙烯樹脂4-15份;所述第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉10-20份、二氧化鈦10-18份、膨潤土粉末4-10份以及納米銀離子粉末1-4份。實施例一:基膜厚度為30μm,第一涂層的厚度為4μm;第二涂層厚度為2μm。本實施例中,第一涂層按重量份數(shù)包括淀粉2份、纖維素10份、聚乙烯醇2份、甘油4份、二氧化硅8份、硫酸鋇8份、氧化鋁7份、二氧化鈦8份、碳酸鈣10份以及聚氯乙烯樹脂4份;第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉10份、二氧化鈦10份、膨潤土粉末4份以及納米銀離子粉末1份。本實施例的制備方法包括以下步驟:A、將淀粉、纖維素、聚乙烯醇、甘油、二氧化硅、硫酸鋇、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣以及聚氯乙烯樹脂混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入高速攪拌機中攪拌,得到第一涂層;將淀粉、二氧化鈦、膨潤土粉末以及納米銀離子粉末混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入低速攪拌機中攪拌,得到第二涂層;B、在基膜正面涂覆第一涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為65℃,干燥時間為20min;C、在步驟B得到的基膜反面涂覆第二涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為85℃,干燥時間為30min,取出冷卻至常溫即可。實施例二:基膜厚度為60μm,第一涂層的厚度為6μm;第二涂層厚度為3μm。本實施例中,第一涂層按重量份數(shù)包括淀粉10份、纖維素20份、聚乙烯醇8份、甘油12份、二氧化硅15份、硫酸鋇16份、氧化鋁20份、二氧化鈦18份、碳酸鈣25份以及聚氯乙烯樹脂15份;第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉20份、二氧化鈦18份、膨潤土粉末10份以及納米銀離子粉末4份。本實施例的制備方法包括以下步驟:A、將淀粉、纖維素、聚乙烯醇、甘油、二氧化硅、硫酸鋇、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣以及聚氯乙烯樹脂混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入高速攪拌機中攪拌,得到第一涂層;將淀粉、二氧化鈦、膨潤土粉末以及納米銀離子粉末混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入低速攪拌機中攪拌,得到第二涂層;B、在基膜正面涂覆第一涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為65℃,干燥時間為20min;C、在步驟B得到的基膜反面涂覆第二涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為85℃,干燥時間為30min,取出冷卻至常溫即可。實施例三:基膜厚度為35μm,第一涂層的厚度為5μm;第二涂層厚度為2μm。本實施例中,第一涂層按重量份數(shù)包括淀粉4份、纖維素12份、聚乙烯醇3份、甘油6份、二氧化硅9份、硫酸鋇9份、氧化鋁10份、二氧化鈦9份、碳酸鈣13份以及聚氯乙烯樹脂5份;第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉12份、二氧化鈦11份、膨潤土粉末6份以及納米銀離子粉末2份。本實施例的制備方法包括以下步驟:A、將淀粉、纖維素、聚乙烯醇、甘油、二氧化硅、硫酸鋇、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣以及聚氯乙烯樹脂混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入高速攪拌機中攪拌,得到第一涂層;將淀粉、二氧化鈦、膨潤土粉末以及納米銀離子粉末混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入低速攪拌機中攪拌,得到第二涂層;B、在基膜正面涂覆第一涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為65℃,干燥時間為20min;C、在步驟B得到的基膜反面涂覆第二涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為85℃,干燥時間為30min,取出冷卻至常溫即可。實施例四:基膜厚度為55μm,第一涂層的厚度為4μm;第二涂層厚度為3μm。本實施例中,第一涂層按重量份數(shù)包括淀粉8份、纖維素18份、聚乙烯醇7份、甘油10份、二氧化硅14份、硫酸鋇14份、氧化鋁18份、二氧化鈦16份、碳酸鈣22份以及聚氯乙烯樹脂13份;第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉18份、二氧化鈦15份、膨潤土粉末8份以及納米銀離子粉末3份。本實施例的制備方法包括以下步驟:A、將淀粉、纖維素、聚乙烯醇、甘油、二氧化硅、硫酸鋇、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣以及聚氯乙烯樹脂混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入高速攪拌機中攪拌,得到第一涂層;將淀粉、二氧化鈦、膨潤土粉末以及納米銀離子粉末混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入低速攪拌機中攪拌,得到第二涂層;B、在基膜正面涂覆第一涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為65℃,干燥時間為20min;C、在步驟B得到的基膜反面涂覆第二涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為85℃,干燥時間為30min,取出冷卻至常溫即可。實施例五:基膜厚度為45μm,第一涂層的厚度為5μm;第二涂層厚度為2μm。本實施例中,第一涂層按重量份數(shù)包括:淀粉6份、纖維素15份、聚乙烯醇5份、甘油8份、二氧化硅12份、硫酸鋇12份、氧化鋁14份、二氧化鈦13份、碳酸鈣18份以及聚氯乙烯樹脂10份;第二涂層按重量份數(shù)包括淀粉15份、二氧化鈦14份、膨潤土粉末7份以及納米銀離子粉末3份。本實施例的制備方法包括以下步驟:A、將淀粉、纖維素、聚乙烯醇、甘油、二氧化硅、硫酸鋇、氧化鋁、二氧化鈦、碳酸鈣以及聚氯乙烯樹脂混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入高速攪拌機中攪拌,得到第一涂層;將淀粉、二氧化鈦、膨潤土粉末以及納米銀離子粉末混合后加入混煉機中混煉,混煉后加入低速攪拌機中攪拌,得到第二涂層;B、在基膜正面涂覆第一涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為65℃,干燥時間為20min;C、在步驟B得到的基膜反面涂覆第二涂層,之后將基膜放入干燥箱中干燥,干燥箱溫度為85℃,干燥時間為30min,取出冷卻至常溫即可。實驗例:將市面上普通的轉印膜與本發(fā)明各實施例制得轉印膜進行卷曲實驗,得到數(shù)據(jù)如下表:彎曲度(mm/M)普通轉印膜5.8實施例一1.2實施例二1.1實施例三1.3實施例四1.1實施例五0.8由表格中數(shù)據(jù)可知,實施例五制得熱轉印膜能夠達到最佳效果。本發(fā)明制備工藝新穎,制備過程環(huán)保無污染,制得的轉印膜抗卷曲性能強,能夠提高轉移效率;本發(fā)明采用先在基膜正面涂覆第一涂層,干燥后再在基膜反面涂覆第二涂層,能夠防止基膜卷曲,影響轉印質(zhì)量,能夠進一步提高了轉印的清晰度。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例,對于本領域的普通技術人員而言,可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型,本發(fā)明的范圍由所附權利要求及其等同物限定。當前第1頁1 2 3 
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