專利名稱：噴墨打印機頭的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及壓電方式的噴墨打印機頭。

背景技術：
作為MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)設備的代表，有噴墨打印機頭。 噴墨打印機頭根據墨液的噴出方式，大致分為壓電方式(壓力方式)和熱方式(氣泡方 式)。壓電方式的噴墨打印機頭中，通過硅基板的精細加工，形成加壓室和振動膜 (diaphragm)。振動膜從加壓室的一側面向加壓室。在振動膜的與加壓室相反的一側的面 上配置壓電元件。硅基板與金屬板相接合，使得從與振動膜相反的一側封閉加壓室。在金 屬板上形成與加壓室連通的噴嘴(噴出孔)。若向壓電元件施加電壓，則振動膜與壓電元件 一起變形。因該振動膜的變形，加壓室內的墨液被加壓之后，會從噴嘴噴出墨液。另一方面，在熱方式的噴墨打印機頭中，在墨液流路的中途部分具有加熱墨液用 的加熱器。通過加熱器加熱墨液流路內的墨液，并通過墨液內產生的氣泡的膨脹，從與墨液 流路連通的噴嘴中擠壓出墨液。壓電方式的噴墨打印機頭與熱方式的噴墨打印機頭相比，具有可高速操作的優(yōu) 點，相反具有成本高的缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種可低價制造的壓電方式的噴墨打印機頭。本發(fā)明的上述或進一步的其他目的、特征和效果可通過參考附圖在以下描述的實 施方式的說明來進行明確。本發(fā)明的一個方面的噴墨打印機頭具有半導體基板；振動膜，其設置在所述半 導體基板上，且可沿與所述半導體基板的對置方向振動；壓電元件，其設置在所述振動膜 上；加壓室，其相對于所述振動膜在所述半導體基板側面向所述振動膜而形成，且被填充墨 液；噴嘴，其貫通所述振動膜而形成，并與所述加壓室連通，且噴出從所述加壓室送出的墨 液。若向振動膜上的壓電元件施加電壓，則振動膜與壓電元件一起變形。通過該振動 膜的變形，對填充于加壓室內的墨液進行加壓，并從與加壓室連通的噴嘴噴出墨液。噴嘴作為貫通振動膜的貫通孔而形成。因此，不需要形成有噴嘴的金屬板等。因 此，本發(fā)明的一個方面的噴墨打印機頭與現(xiàn)有的壓電方式的噴墨打印機頭相比，結構簡單， 且可低價制造?？梢岳冒雽w基板來形成半導體元件。進一步，在半導體基板上通過夾持層間 絕緣膜等來形成布線，該布線可通過連接器抽頭(connect plug)等與半導體元件相連。由 此，在噴墨打印機頭中可內置由適當的半導體元件和布線等構成的電路。作為該電路，可例 示控制壓電元件的驅動(墨液的噴出)的控制電路。
振動膜與半導體基板的一面相接，加壓室可以沿厚度方向貫通半導體基板而形 成。該情況下，貯存被填充加壓室的墨液的墨液槽相對半導體基板而設置在與振動膜相反 的一側。加壓室也可形成在半導體基板和振動膜之間。也可在半導體基板上形成與加壓室連通的墨液供給路徑。該情況下，由于墨液供 給路徑向加壓室穩(wěn)定地供給墨液，所以可以穩(wěn)定地維持加壓室中墨液的填充狀態(tài)。墨液供給路徑在平面視圖中，可以形成在與噴嘴不同的位置上。該情況下，在平面 視圖中，可以在墨液供給路徑和噴嘴之間的位置上設置加壓室。另外，也可具有連接加壓室和墨液供給路徑的墨液流路?？梢酝ㄟ^墨液流路，從墨 液供給路徑向加壓室平滑地供給墨液。壓電元件也可以形成為包圍噴嘴的周圍的環(huán)狀。壓電元件可形成在噴嘴的側面。本發(fā)明的另一方面的噴墨打印機頭包括半導體基板；振動膜，將其在所述半導 體基板上相隔間隔而設置，且可沿與所述半導體基板的對置方向振動；壓電元件，其設置在 所述振動膜上；加壓室，其形成在所述半導體基板和所述振動膜之間，且被填充墨液；和噴 嘴，其形成在所述半導體基板和所述振動膜之間，并與所述加壓室連通，且噴出從所述加壓 室送出的墨液。若向振動膜上的壓電元件施加電壓，則振動膜與壓電元件一起變形。通過該振動 膜的變形，對填充在加壓室內的墨液進行加壓，并從與加壓室連通的噴嘴中噴出墨液。噴嘴形成在半導體基板和振動膜之間。因此，不需要形成有噴嘴的金屬板等。因 此，本發(fā)明的另一方面的噴墨打印機頭與現(xiàn)有的壓電方式的噴墨打印機頭相比，結構簡單， 且可以低價制造。在該噴墨打印機頭中，也可利用半導體基板來形成半導體元件，可以內置由適當 的半導體元件和布線等構成的電路。加壓室也可形成在半導體基板和振動膜之間。在前述的一個方面和另一方面的任何一個噴墨打印機頭中，都可以在設置了振動 膜的半導體基板上形成向壓電元件施加電壓的驅動電路。由此，可以通過一個芯片構成噴 墨打印機頭的主體部分及其驅動電路(單芯片化)。


圖1是本發(fā)明的第1實施方式的噴墨打印機頭的示意俯視圖。圖2是圖1所示的截斷線II-II的噴墨打印機頭的示意剖視圖。圖3是圖1所示的電路形成區(qū)域上形成的集成電路的框圖。圖4A 圖4S是說明圖2所示的噴墨打印機頭的制造方法用的示意剖視圖。圖5是本發(fā)明的第2實施方式的噴墨打印機頭的示意俯視圖。圖6是圖5所示的截斷線VI — VI中的噴墨打印機頭的示意剖視圖。圖7(a)是本發(fā)明的第3實施方式的噴墨打印機頭的示意剖視圖；圖7 (b)是第3 實施方式的噴墨打印機的主要部分的示意俯視圖。圖8是本發(fā)明的第4實施方式的噴墨打印機頭的示意俯視圖。
圖9A是圖8所示的截斷線A-A的噴墨打印機頭的示意剖視圖。圖9B是圖8所示的截斷線B-B的噴墨打印機頭的示意剖視圖。圖IOA 圖IOM是說明圖9A所示的噴墨打印機頭的制造工序用的示意剖視圖，與 圖9A的情形相同，表示用截斷線A-A截斷時的剖面。圖IlA 圖IlE是說明圖9B所示的噴墨打印機頭的制造工序用的示意剖視圖；與 圖9B的情形相同，表示用截斷線B-B截斷時的剖面。圖12(a)是本發(fā)明的第5實施方式的噴墨打印機頭的示意剖視圖；圖12(b)是第 5實施方式的噴墨打印機頭的主要部分的示意俯視圖。圖13A 圖13H是說明圖12所示的噴墨打印機頭的制造方法用的示意剖視圖。
具體實施例方式下面，參考附圖來詳細說明本發(fā)明的實施方式。圖1是本發(fā)明的第1實施方式的噴墨打印機頭的示意俯視圖。圖2是圖1所示的 截斷線II-II的噴墨打印機頭的示意剖視圖。在圖2中，僅對由導體構成的部分添加陰影， 而省略對其他部分的陰影的添加。噴墨打印機頭1包括硅基板2。硅基板2上設置有噴嘴形成區(qū)域3和電路形成區(qū) 域4。在噴嘴形成區(qū)域3中，如圖2所示，在硅基板2的表面上的整個區(qū)域上形成振動膜 5。振動膜5由SiO2 (氧化硅)構成。振動膜5的厚度例如是0. 5 2 μ m。如圖1所示，在振動膜5上，多個壓電元件6在行方向和列方向上按等間隔隔開的 矩陣狀排列配置。壓電元件6包括下部電極7、在下部電極7上形成的壓電體8和在壓電體 8上形成的上部電極9。換言之，壓電元件6通過由上部電極9和下部電極7從上下夾持壓 電體8而形成。壓電元件6上，貫通孔10沿厚度方向貫通形成。下部電極7 —體具有在俯視時為圓環(huán)狀的主體部11和從主體部11的周邊延伸為 直線狀的延長部12。下部電極7具有從振動膜5側開始依次層疊了 Ti (鈦)層和Pt (鉬)
層的雙層結構。壓電體8按照俯視時具有與下部電極7的主體部11相同的形狀的圓環(huán)板形成。壓 電體8由PZT (鈦酸鋯酸鉛=Pb (Zr，Ti) O3)構成。上部電極9按照俯視時具有與壓電體8相同的形狀的圓環(huán)狀形成。上部電極9具 有從壓電體8側依次層疊了 Ir02(氧化銥)層和Ir (銥)層的雙層結構。在噴嘴形成區(qū)域3中，通過氫絕緣(barrier)膜13覆蓋振動膜5和壓電元件6的 表面。氫絕緣膜13由A1203(氧化鋁)構成。由此，可以防止因壓電體8的氫還原造成的 特性劣化。在氫絕緣膜13上層疊層間絕緣膜14。層間絕緣膜14由Si02構成。在層間絕緣膜14上形成有布線15，16。布線15，16由包含Al (鋁)的金屬材料構 成。布線15的一端部配置在下部電極7的延長部12的前端部上方。在布線15的一 端部和延長部12之間，形成有連續(xù)貫通氫絕緣膜13和層間絕緣膜14的貫通孔17。布線 15的一端部進入貫通孔17內，并在貫通孔17內與延長部12相連。
布線16的一端部配置在上部電極9的周邊部的上方。在布線16的一端部和上部 電極9之間，形成有連續(xù)貫通氫絕緣膜13和層間絕緣膜14的貫通孔18。布線16的一端部 進入貫通孔18內，且在貫通孔18內與上部電極9相連。布線15，16的另一端部與后述的驅動器72 (參考圖3)相連。在電路形成區(qū)域4 上形成有包括例如 N 溝道 MOSFET (Negative-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 21 禾口 P 溝道MOSFET (Positive-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 22 的集成電路。在電路形成區(qū)域4中，形成N溝道M0SFET21的NMOS區(qū)域23與形成P溝道M0SFET22 的PMOS區(qū)域24通過元件分離部25分別與周圍絕緣分離。元件分離部25包括在從硅基 板2的表面較淺挖下去的溝(例如深度0. 2 0. 5 μ m的淺溝)26的內表面上形成的熱氧 化膜27;和完全嵌到熱氧化膜27的內側的絕緣體28。絕緣體28例如由Si02構成。絕緣 體28的表面與硅基板2的表面成齊平面。在NMOS區(qū)域23上形成有P型阱(well) 31。P型阱31的深度比溝26的深度還大。 在P型阱31的表層部，通過夾持溝道區(qū)域32來形成N型的源極區(qū)域33和漏極區(qū)域34。源 極區(qū)域33和漏極區(qū)域34的溝道區(qū)域32側的端部中，其深度和不純物濃度較小。S卩，N溝 道 M0SFET21 中適用 LDD(Lightly Doped Drain)結構。在溝道區(qū)域32上形成有柵極絕緣膜35。柵極絕緣膜35由SiO2構成。在柵極絕緣膜35上形成有柵極電極36。柵極電極36由N型多晶硅構成。在柵極絕緣膜35和柵極電極36的周圍形成有側壁37。側壁37由SiN構成。在源極區(qū)域33、漏極區(qū)域34和柵極電極36的表面上分別形成有硅化物38、39、 40。在PMOS區(qū)域24上形成有N型阱41。N型阱41的深度比溝26的深度還大。N型阱 41的表層部上通過夾持溝道區(qū)域42而形成有P型的源極區(qū)域43和漏極區(qū)域44。源極區(qū)域 43和漏極區(qū)域44的溝道區(qū)域42側的端部其深度和不純物濃度較小。即，P溝道M0SFET22 中適用LDD結構。在溝道區(qū)域42上形成有柵極絕緣膜45。柵極絕緣膜45由SiO2構成。在柵極絕緣膜45上形成有柵極電極46。柵極電極46由P型多晶硅構成。在柵極絕緣膜45和柵極電極46的周圍形成有側壁47。側壁47由SiN構成。在源極區(qū)域43、漏極區(qū)域44和柵極電極46的表面上分別形成由硅化物48、49、 50。在電路形成區(qū)域4中，在硅基板2的表面上形成有層間絕緣膜51。層間絕緣膜51 由SiO2構成。在層間絕緣膜51上形成有布線52、53、54。布線52、53、54由包含Al的金屬材料 構成。布線52形成在源極區(qū)域33的上方。在布線52和源極區(qū)域33之間，在層間絕緣 膜51上貫通設置用于電連接布線52和源極區(qū)域33的連接器抽頭55。連接器抽頭55由 W(鎢)構成。布線53在漏極區(qū)域34和漏極區(qū)域44的上方，形成為跨過這些區(qū)域。在布線53 和漏極區(qū)域34之間，在層間絕緣膜51上貫通設置有用于電連接布線53和漏極區(qū)域34的連接器抽頭56。在布線53和漏極區(qū)域44之間，在層間絕緣膜51上貫通設置有用于電連接 布線53和漏極區(qū)域44的連接器抽頭57。連接器抽頭56、57由W構成。布線54形成在源極區(qū)域43的上方。在布線54和源極區(qū)域43之間，在層間絕緣 膜51上貫通設置有電連接布線54和源極區(qū)域43的連接器抽頭58。連接器抽頭58由W構 成。在噴墨打印機頭1的最表面上形成有表面保護膜61。表面保護膜61由SiN構成。 通過表面保護膜61覆蓋層間絕緣膜14、51和布線15、16、52、53、54。硅基板2上，在與各壓電元件6對置的位置上沿厚度方向貫通形成有加壓室62。 加壓室62例如形成為按照越向硅基板2的表面?zhèn)葎t寬度(開口面積)越小的、剖面為大致 半圓的形狀。在硅基板2的里面安裝有貯存墨液的墨液槽(未圖示)。向加壓室62填充從 墨液槽供給的墨液。振動膜5上，在面向各加壓室62的位置上沿厚度方向貫通形成有連通室63。振動 膜5的連通室63的周圍部分5A形成有振動部分，該振動部分面向加壓室62，且可沿其對置 方向振動，而且具有可彎曲性。并且，在各壓電元件6的貫通孔10的內側，貫通氫絕緣膜13、層間絕緣膜14和表 面保護膜61來形成噴嘴64。換言之，壓電元件6除下部電極7的延長部12之外，形成為包 圍貫通氫絕緣膜13、層間絕緣膜14和表面保護膜61而形成的噴嘴64的周圍的環(huán)狀。壓電 元件6配置在噴嘴64的側面，且形成為包圍噴嘴64的周圍的環(huán)狀。所謂側面是指與硅基 板2的表面平行的方向上的側面。噴嘴64經連通室63與加壓室62連通。圖3是在圖1所示的電路形成區(qū)域上形成的集成電路的框圖。作為電路形成區(qū)域4上形成的集成電路，例示控制壓電元件6的驅動(墨液的噴 出)的控制電路71。該控制電路71包括分別與各壓電元件6連接的驅動器(驅動電路)72、 和連接了多個驅動器72的串聯(lián)輸入并聯(lián)輸出型移位寄存器73。圖2所示的N溝道M0SFET21 和P溝道M0SFET22例如用于驅動器72。各驅動器72與電源電壓VDD和地GND相連。移位寄存器73與電源電壓VDD和地GND相連。移位寄存器73中具有時鐘端子和 數據端子。向時鐘端子輸入時鐘CLK。向數據端子輸入應在紙張上形成的圖像的數據DATA。 在移位寄存器73中，每次從時鐘端子輸入時鐘CLK時，在各觸發(fā)器之間移位(傳送)從數 據端子輸入的數據DATA?；谝莆患拇嫫?3中保持的數據DATA，從驅動器72向壓電元件6施加電壓。若 從驅動器72向壓電元件6施加電壓，則振動膜5的振動部分5A與壓電元件6 —起變形。通 過該變形，對加壓室62內的墨液進行加壓，從而從噴嘴64噴出墨液。圖4A 4S是依次表示圖2所示的噴墨打印機頭的制造工序的示意剖視圖。在圖 4A 4S中，僅對由導體構成的部分添加陰影，而省略對其他部分的陰影添加。在噴墨打印機頭1的制造工序中，首先，如圖4A所示，通過熱氧化法或 CVD(Chemical Vapor Deposition 化學氣相沉積)法，在硅基板2的表面上形成由SiO2構 成的氧化膜81。接著，通過CVD法，形成由SiN(氮化硅)構成的氮化膜82。通過光電平版 印刷(photo lithography)，在氮化膜82上形成抗蝕圖案83。抗蝕圖案83僅使硅基板2 中要形成溝26的部分露出，而遮蓋其他部分。
接著，如圖4B所示，通過將抗蝕圖案83作為掩模的蝕刻，依次選擇性地除去氮化膜82、氧化膜81和硅基板2的表層部。取結果，在硅基板2的表層部形成溝26。在形成溝 26后，除去抗蝕圖案83。之后，如圖4C所示，通過熱氧化法，在溝26的內表面形成熱氧化膜27。接著，通 過CVD法，在熱氧化膜27和氮化膜82上堆積絕緣體28的材料。并且，通過CMP (Chemical Mechanical Polishing 化學機械研磨)法，研磨該堆積后的材料和氮化膜82。一直進行 該研磨，直到露出氧化膜81的表面為止。其結果，在熱氧化膜27上獲得絕緣體28。在該時 刻，絕緣體28與氧化膜81的表面呈齊平面。之后，通過光電平版印刷，在絕緣體28和氧化膜81上形成抗蝕圖案84?？刮g圖案 84形成在絕緣體28和氧化膜81上的除PMOS區(qū)域24之外的整個區(qū)域上。并且，通過離子 注入法，將抗蝕圖案84作為掩模，并向PMOS區(qū)域24注入N型不純物(例如P (磷))。其結 果，如圖4D所示，在PMOS區(qū)域24中形成N型阱41。在注入N型不純物之后，除去抗蝕圖案84。接著，通過光電平版印刷，在絕緣體28和氧化膜81上形成抗蝕圖案85?？刮g圖案 85形成在絕緣體28和氧化膜81上的除NMOS區(qū)域23之外的整個區(qū)域上。并且，通過離子 注入法，將抗蝕圖案85作為掩模，并向NMOS區(qū)域23注入P型不純物(例如B (硼))。其結 果，如圖4E所示，在NMOS區(qū)域23中形成P型阱31。在注入P型不純物之后，除去抗蝕圖案85。之后，通過濕蝕(wetting)方法，除去氧化膜81。這時，還蝕刻絕緣體28的上端 部，絕緣體28與硅基板2的表面大致呈齊平面。之后，通過熱氧化法或CVD法，在硅基板2 的表面整個區(qū)域上形成氧化硅膜86。接著，如圖4F所示，通過CVD法，在氧化硅膜86上形成多晶硅層87。之后，如圖4G所示，通過光電平版印刷，在多晶硅層87上形成抗蝕圖案88。抗蝕 圖案88僅覆蓋多晶硅層87中的要作為柵極電極36、46的部分。并且，通過將抗蝕圖案88作為掩模的蝕刻，圖案形成多晶硅層87。由此，如圖4H 所示，形成柵極電極36、46。在多晶硅層87的圖案形成后，除去抗蝕圖案88。之后，通過離 子注入法，向P型阱31的表層部和柵極電極36注入N型不純物。另外，通過離子注入法， 向N型阱41的表層部和柵極電極46注入P型不純物。接著，如圖41所示，通過將柵極電極36、46作為掩模的蝕刻，有選擇地除去氧化硅 膜86，并在硅基板2上得到柵極絕緣膜35、45。之后，通過CVD法，在硅基板2上的整個區(qū) 域上堆積SiN。并且，通過蝕刻該SiN的堆積層，形成側壁37、47。在形成側壁37、47之后，如圖4J所示，通過離子注入法，在P型阱31的表層部中， 將N型不純物注入到比之前注入的N型不純物還深的位置處，從而形成源極區(qū)域33和漏極 區(qū)域34。另外，通過離子注入法。在N型阱41的表層部中，將P型不純物注入到比之前注 入的P型不純物還深的位置處，從而形成源極區(qū)域43和漏極區(qū)域44。之后，形成硅化物38、 39、40、48、49、50。接著，如圖4K所示，通過CVD法，形成振動膜5和層間絕緣膜51。之后，如圖4L所示，通過濺射法，在振動膜5和層間絕緣膜51上的整個區(qū)域上 形成層疊結構與下部電極7相同的膜89。另外，通過濺射法或溶膠-凝膠法(sol-gelprocess)，在膜89的整個區(qū)域上，形成材料與壓電體8相同的膜90。進一步，通過濺射法， 在膜90的整個區(qū)域上，形成層疊結構與上部電極9相同的膜91。接著，如圖4M所示，通過光電平版印刷，在膜91上形成為抗蝕圖案92覆蓋作為 膜91的上部電極9的部分。之后，如圖4N所示，通過將抗蝕圖案92作為掩模的蝕刻，圖案形成膜91，從而形成 上部電極9。接著，通過蝕刻，圖案形成膜90，從而形成壓電體8。在形成壓電體8之后，除 去抗蝕圖案92。接著，通過光電平版印刷，在膜89上將新的抗蝕圖案(未圖示)形成為覆 蓋作為膜89的下部電極7的部分。并且通過將新的抗蝕圖案作為掩模的蝕刻，圖案形成膜 89，從而形成下部電極7。在形成下部電極7之后，除去抗蝕圖案。之后，通過光電平版印刷和蝕刻，在層間絕緣膜51的與源極30區(qū)域33、43和漏極 區(qū)域34，44對置的部分形成沿厚度方向貫通層間絕緣膜51的貫通孔。并且通過CVD法，向 各貫通孔內供給W，并用W填滿各貫通孔。由此，如圖40所示，形成連接器抽頭55 58。之 后，通過濺射法，在硅基板2上的整個區(qū)域上形成氧化鋁膜93。進一步，通過CVD法，在氧化 鋁膜93上的整個區(qū)域上形成氧化硅膜94。接著，如圖4P所示，通過光電平版印刷和蝕刻，從電路形成區(qū)域4上除去氧化硅膜 94和氧化鋁膜93，并且還從下部電極7的延長部12上和上部電極9上有選擇地除去。由 此，氧化鋁膜93和氧化硅膜94分別成為氫絕緣膜13和層間絕緣膜14，且形成連續(xù)貫通該 氫絕緣膜13和層間絕緣膜14的貫通孔17、18。之后，通過濺射法，在層間絕緣膜14、51上形成Al膜。并且，通過光電平版印刷和 蝕刻，圖案形成Al膜，并如圖4Q所示，形成布線15、16、52、53、54。之后，如圖4R所示，通過CVD法，在層間絕緣膜14、51上形成表面保護膜61。在形成表面保護膜61之后，通過光電平版印刷，在硅基板2的內面上形成抗蝕圖 案(未圖示)。該抗蝕圖案使作為硅基板2的加壓室62的部分露出，并覆蓋其他部分。并 且，如圖4S所示，通過將抗蝕圖案作為掩模的濕蝕，在硅基板2上形成加壓室62。進一步， 通過將可蝕刻Si02的蝕刻液經加壓室62供給振動膜5，從而在振動膜5上形成連通室63。 之后，若通過來自硅基板2的表面?zhèn)鹊母墒轿g刻(dry etching)，貫通氫絕緣膜13、層間絕 緣膜14和表面保護膜61而形成噴嘴64，則可得到如圖2所示的噴墨打印機頭1。如上所述，若向振動膜5上的壓電元件6施加電壓，則振動膜5與壓電元件6 —起 變形。通過該振動膜5的變形，加壓在加壓室62內填充的墨液，從與加壓室62連通的噴嘴 64中噴出墨液。噴嘴64作為貫通振動膜5的貫通孔形成。因此，不需要形成噴嘴的金屬板等。因 此，噴墨打印機頭1與現(xiàn)有的壓電方式的噴墨打印機頭相比，其結構簡單，可以低價制造?？梢岳霉杌?，形成N溝道M0SFET21和P溝道M0SFET22等半導體元件。通 過在硅基板2上夾持層間絕緣膜51而形成布線52、53、54，該布線52、53、54經連接器抽頭 55 58與N溝道M0SFET21和P溝道M0SFET22相連，從而噴墨打印機頭1可以具有集成電 路(控制電路71)。由于將向壓電元件6施加電壓的驅動電路72形成在設置有振動膜5的硅基板2 上，所以可以用一個芯片構成噴墨打印機頭1的主體部分及其驅動電路72 (單芯片化)。圖5是本發(fā)明的第2實施方式的噴墨打印機頭的示意俯視圖。圖6是圖5所示的
10截斷線VI-VI的噴墨打印機頭的示意剖視圖。在圖5、6中，對分別與圖1、2所示的各部相 當的部分添加與在這些部分上添加的附圖標記相同的附圖標記。下面，對于圖5、6所示的 結構，僅說明與圖1、2所示的結構的不同點，省略添加了同樣的附圖標記的各部分的說明。 在圖6中，僅對由導體構成的部分添加陰影，省略對其他部分的陰影的添加。在圖1、2所示的噴墨打印機頭1中，將壓電元件6形成為包圍噴嘴64的周圍的環(huán) 狀。與此相對，圖5、6所示的噴墨打印機頭101中，壓電元件102在噴嘴64的周圍的一部 分中形成為在平面視圖中是大致四邊形的形狀。詳細而言，壓電元件102形成在與硅基板 2的表面平行的方向上的噴嘴64的側方。壓電元件102包括下部電極103、在下部電極103上形成的壓電體104以及在壓電 體104上形成的上部電極105。下部電極103 —體具有平面視圖中為四邊形的主體部106和從主體部106的周邊 延伸為直線狀的延長部107。下部電極103具有從振動膜5側依次層疊了 Ti層和Pt層的
雙層結構。壓電體104形成為在平面視圖中與下部電極103的主體部106相同的形狀。壓電 體104由PZT構成。上部電極105形成為在平面視圖中與壓電體104相同的形狀。上部電極105具有 從壓電體104側依次層疊了 IrO2層和Ir層的雙層結構。上部電極105上，在圖6的剖面未示的部分，經連續(xù)貫通氫絕緣膜13和層間絕緣 膜14的貫通孔，連接有布線(相當于圖2所示的布線16)。通過噴墨打印機頭101的結構，也可以實現(xiàn)與圖1、2所示的噴墨打印機頭1的結 構相同的作用效果。圖7(a)是本發(fā)明的第3實施方式的噴墨打印機頭的示意剖視圖，圖7(b)是第3 實施方式的噴墨打印機頭的主要部分的示意俯視圖。圖7(a)中，對與圖2所示的各部分相 當的部分添加與對這些部分添加的附圖標記相同的附圖標記。下面，對于圖7(a)所示的結 構，僅說明與圖2所示的結構的不同點，省略添加了同樣的附圖標記的各部分的說明。圖 7 (a)中，僅對由導體構成的部分添加陰影，省略對其他部分的陰影的添加。圖7(a)所示的噴墨打印機頭111中，在噴嘴形成區(qū)域3的整個區(qū)域中，在硅基板 2的表面上形成保護膜112。保護膜112由SiO2構成。在保護膜112上形成替代層113。替代層113由對保護膜112和后述的振動膜117 具有適當的蝕刻選擇比的材料例如SiN或多晶硅構成。在替代層113上形成多個墨液流路114。各墨液流路114從噴嘴形成區(qū)域3的 中央部向與路形成區(qū)域4相反的一側延伸為直線狀，并在替代層113的側面打開(參考圖 7(b))。等間隔設置墨液流路114(參考圖7(b))。在各墨液流路114的中途部分形成有按 照在平面視圖中寬度比其他部分寬的方式形成的加壓室115。各墨液流路114中，比加壓室 115更靠替代層113的側面?zhèn)鹊牟糠中纬捎杏糜趪姵瞿旱膰娮?16。在替代層113上形成有振動膜117。振動膜117由SiO2構成。振動膜117的厚度 例如是0. 5 2 μ m。加壓室115位于硅基板2和振動膜117之間。在振動膜117上配置有多個壓電元件118配置。更具體而言，在振動膜117上，在 與各加壓室115對置的位置上配置1個壓電元件118 (參考圖7 (b))。壓電元件118包括下部電極119、在下部電極119上形成的壓電體120和在壓電體120上形成的上部電極121。下部電極119 一體具有平面視圖中為四邊形的主體部和從主體部的周邊延伸為 直線狀的延長部(未圖示)。下部電極119具有從振動膜117側依次層疊了 Ti層和Pt層 的雙層結構。壓電體120形成為與下部電極119的主體部在平面視圖中相同的形狀。壓電體 120由PZT構成。上部電極121形成為在平面視圖中與壓電體120相同的形狀。上部電極121具有 從壓電體120側起依次層疊了 IrO2層和Ir層的雙層結構。與圖2所示的結構同樣地，由氫絕緣膜13覆蓋振動膜117和壓電元件118的表面。 在氫絕緣膜13上層疊有層間絕緣膜14。進一步，在下部電極119的延長部上，在圖7(a)的 剖面未示的部分，經連續(xù)貫通氫絕緣膜13和層間絕緣膜14的貫通孔而連接有布線(相當 于圖2所示的布線15)。上部電極121上，在圖7(a)的剖面未示的部分，經連續(xù)貫通氫絕緣 膜13和層間絕緣膜14的貫通孔而連接有布線(相當于圖2所示的布線16)。在噴墨打印 機頭111的最表面上形成有表面保護膜61。并且，在比各墨液流路114的加壓室115更靠墨液流通方向的上流側的部分上，貫 通氫絕緣膜13、層間絕緣膜14和表面保護膜61形成墨液供給路徑122。在表面保護膜61 上安裝貯存墨液的墨液槽(未圖示)，并從該墨液槽經墨液供給路徑122向墨液流路114供 給墨液。若向壓電元件118施加電壓，則振動膜117的面向加壓室115的部分與壓電元件 118 一起變形。通過該變形，對加壓室115內的墨液進行加壓，從而從噴嘴116噴出墨液。這樣，在硅基板2上的保護膜112和振動膜117間形成噴嘴116。因此，不需要形 成噴嘴的金屬板等。因此，圖7 (a)所示的噴墨打印機頭111與現(xiàn)有的壓電方式的噴墨打印 機頭相比，其結構簡單，且可低價制造。與圖2所示的噴墨打印機頭1同樣地，也可利用硅基板2，形成N溝道M0SFET21和 P溝道M0SFET22等半導體元件，也可形成包含該半導體元件和布線52 54等的集成電路 (控制電路71)。圖8是本發(fā)明的第4實施方式的噴墨打印機頭的示意俯視圖。圖9A是圖8所示的 截斷線A-A的噴墨打印機頭的示意剖視圖。圖9B是圖8所示的截斷線B-B的噴墨打印機 頭的示意剖視圖。在圖8、9A、9B中，分別對與圖1、2所示的各部分相當的部分添加與對這 些部分添加的附圖標記相同的附圖標記。下面，對于圖8、9A、9B所示的結構，僅說明與圖1、 2所示的結構的不同點，省略對于添加了同樣的附圖標記的各部分的說明。在圖9A、9B中， 僅對由導體構成的部分添加陰影，省略對其他部分的陰影的添加。在圖1，2所示的噴墨打印機頭1中，壓電元件6形成為包圍噴嘴64的周圍的環(huán)狀。 與此相對，在圖8、9A、9B所示的噴墨打印機頭131中，壓電元件132配置在噴嘴64的側方， 形成為包圍噴嘴64的周圍的C字狀(大致環(huán)狀)。壓電元件132包括下部電極133、在下部電極133上形成的壓電體134和在壓電體 134上形成的上部電極135。下部電極133 —體具有平面視圖中為C字狀的主體部和從主體部的周邊延伸為直 線狀的延長部(未圖示)。下部電極133具有從振動膜5側依次層疊了 Ti層和Pt層的雙層結構。壓電體134形成為在平面視圖中與下部電極133的主體部相同的形狀。壓電體 134由PZT構成。上部電極135形成為在平面視圖中與壓電體134相同的形狀。上部電極135具有 從壓電體134側依次層疊了 IrO2層和Ir層的雙層結構。下部電極的延長部上，在圖9A的剖面未示的部分中，經連續(xù)貫通氫絕緣膜13和層 間絕緣膜14的貫通孔而連接有布線(相當于圖2所示的布線15)。上部電極135上，在圖 9A的剖面未示的部分中，經連續(xù)貫通氫絕緣膜13和層間絕緣膜14的貫通孔而連接有布線 (相當于圖2所示的布線16)。如圖9A所示，在硅基板2上，與各壓電元件132對置的位置上，沿厚度方向貫通形 成有加壓室136。各加壓室136在平面視圖中形成與各壓電元件132大致相同的形狀。振動膜5上，與C字狀的各加壓室136的中央部分在上下方向相置的位置上，沿厚 度方向貫通形成連通室137。具體上，連通室137形成為其外側的周邊部與加壓室136的內 側的周邊部在上下方向上重合。由此，連通加壓室136和連通室137。在硅基板2的里面設置平板狀的封閉板145。通過該封閉板145，從硅基板2的里 面?zhèn)确忾]各加壓室136。如圖9B所示，在硅基板2上形成從安裝在封閉板145的里面的墨液槽(未圖示) 向噴嘴64供給墨液用的墨液流路138。墨液流路138形成為從噴嘴64 (連通室137)向壓 電元件132的C字狀的打開方向延伸，并向下方彎曲而沿厚度方向貫通硅基板2。墨液流路 138中，貫通硅基板2之后與墨液槽(未圖示)連接的部分是墨液供給路徑170。墨液供給 路徑170在平面視圖(從硅基板2的厚度方向看的情況)中，形成在與噴嘴64不同的位置 上。墨液流路138 (除去墨液供給路徑170的部分)連接加壓室136和墨液供給路徑 170。墨液供給路徑170經墨液流路138 (除去墨液供給路徑170的部分)，與加壓室136連 通。在封閉板145上，在與墨液流路138 (墨液供給路徑170)對置的部分形成開口 146。經 該開口 146，從墨液槽向墨液流路138供給墨液。向墨液流路138供給的墨液經連通室137，填充在加壓室136內?？梢酝ㄟ^墨液 流路138，從墨液供給路徑170向加壓室136進行平滑的墨液供給。由于墨液供給路徑170 經墨液流路138向加壓室136穩(wěn)定地供給墨液，所以可以穩(wěn)定地維持加壓室136的墨液的 填充狀態(tài)。并且，若向振動膜5上的壓電元件132施加電壓，則振動膜5與壓電元件132 — 起變形。通過該振動膜5的變形，加壓填充在加壓室136內的墨液，并從加壓室136經連通 室137和噴嘴64噴出墨液。圖IOA IOM是按順序表示圖9A所示的噴墨打印機頭的制造工序的示意剖視圖， 表示與圖9A的情形同樣地用截斷線A-A截斷時的剖面。圖IlA IlE是按順序表示該噴 墨打印機頭的制造工序的一部分的示意剖視圖，表示與圖9B的情形同樣地用截斷線B-B截 斷時的剖面。在圖IOA IOM和圖IlA IlE中，僅對由導體構成的部分添加陰影，省略對 其他部分的陰影的添加。首先，通過圖4A 4E所示的工序，如圖IOA和圖IlA所示，在硅基板2的表面整 個區(qū)域上形成氧化硅膜86。
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接著，如圖IOB和圖IlB所示，通過CVD法，在氧化硅膜86上形成多晶硅層87。之后，如圖IOC和圖IlC所示，通過光電平版印刷，在多晶硅層87上形成抗蝕圖案 88?？刮g圖案88覆蓋多晶硅層87中的應作為柵極電極36、46的部分、連通室137以及應 作為墨液流路138的部分。并且，通過將抗蝕圖案88作為掩模的蝕刻，圖案形成多晶硅層87。由此，如圖IOD 所示，形成柵極電極36、46，并且如圖IlD所示，在應形成連通室137以及墨液流路138的部 分形成替代層139。在圖案形成多晶硅層87之后，除去抗蝕圖案88。之后，通過離子注入 法，向P型阱31的表層部和柵極電極36注入N型不純物。另外，通過離子注入法，向N型 阱41的表層部和柵極電極46注入P型不純物。之后，通過執(zhí)行圖4I、4J所示的工序，在電路形成區(qū)域4上形成柵極絕緣膜35、45、 側壁37、47、和硅化物38、39、40、48、49、50。通過執(zhí)行圖4K所示的工序，如圖IOE和圖IlE 所示，形成振動膜5和層間絕緣膜51。之后，如圖IOF所示，通過濺射法，在振動膜5上的整個區(qū)域上形成層疊結構與下 部電極133相同的膜89。另外，通過濺射法或溶膠_凝膠法，在膜89的整個區(qū)域上形成材 料與壓電體134相同的膜90。進一步，通過濺射法，在膜90的整個區(qū)域上形成層疊結構與 上部電極135相同的膜91。接著，如圖IOG所示，通過光電平版印刷，在膜91上，抗蝕圖案92形成為覆蓋膜91 的作為上部電極135的部分。之后，如圖IOH所示，通過將抗蝕圖案92作為掩模的蝕刻，圖案形成膜91，從而形 成上部電極135。接著，通過蝕刻，圖案形成膜90，從而形成壓電體134。進一步，通過蝕刻， 圖案形成膜89，從而形成下部電極133。在形成下部電極133之后，如圖101所示，除去抗 蝕圖案92。之后，如圖IOJ所示，通過濺射法，在硅基板2上的整個區(qū)域形成氫絕緣膜13。進 一步，通過CVD法，在氫絕緣膜13上的整個區(qū)域形成層間絕緣膜14。之后，通過執(zhí)行圖40、4P、4Q所示的工序，在電路形成區(qū)域4中，形成貫通層間絕緣 膜51的連接器抽頭55 58，并且形成布線52 54。并且，通過執(zhí)行圖4R所示的工程，如 圖IOK所示，在層間絕緣膜14上形成表面保護膜61?？墒贡砻姹Ｗo膜61的上表面平坦化。接著，如圖IOL所示，通過光電平版印刷和蝕刻，從內面?zhèn)任g刻硅基板2，并在在硅 基板2上形成加壓室136。進一步，如圖IOM所示，通過將可蝕刻多晶硅的蝕刻液經加壓室136供給替代層 139 (參考圖11E)，從而除去替代層139，形成連通室137和墨液流路138 (參考圖9B)。之 后，若通過從硅基板2的表面?zhèn)乳_始的干式蝕刻，貫通氫絕緣膜13、層間絕緣膜14和表面保 護膜61而形成噴嘴64，則可得到圖9A，9B所示的噴墨打印機頭131。根據噴墨打印機頭131的結構，也可實現(xiàn)與圖1、2所示的噴墨打印機頭1的結構 相同的作用效果。圖12(a)是本發(fā)明的第5實施方式的噴墨打印機頭的示意剖視圖，圖12 (b)是第5 實施方式的噴墨打印機頭的主要部分的示意俯視圖。圖12(a)中，對與圖2所示的各部分相 當的部分添加與在這些各部分上添加的附圖標記相同的附圖標記。下面，對于圖12(a)所 示的結構，僅說明與圖2所示的結構的不同點，省略添加同樣的附圖標記的各部分的説明。圖12(a)中，僅對由導體構成的部分添加陰影，省略對其他部分的陰影的添加。圖12(a)所示的噴墨打印機頭151中，在噴嘴形成區(qū)域3的整個區(qū)域中，在硅基板 2的表面上形成保護膜152。保護膜152由SiO2構成。在保護膜152上形成替代層163。替代層163由相對保護膜152和后述的振動膜 153具有適當的蝕刻選擇比的材料例如SiN或多晶硅構成。在替代層163上形成多個墨液流路154。各墨液流路154從噴嘴形成區(qū)域3的中 央部沿直線狀延伸(參考圖12(b))。等間隔設置墨液流路154 (參考圖12(b))。在墨液流 路154的途中部形成有在平面視圖中形成為寬度比其他部分寬的加壓室155。在替代層163上形成振動膜153。振動膜153由SiO2構成。振動膜153的厚度例 如是0. 5 2 μ m。加壓室155形成在硅基板2和振動膜15之間。在振動膜153上形成多個壓電元件156。更具體的，在振動膜153上，與各加壓室 155對置的位置上配置1個壓電元件156 (參考圖12 (b))。壓電元件156包括下部電極157、 在下部電極157上形成的壓電體158以及在壓電體158上形成的上部電極159。下部電極157—體具有向墨液流路154延伸方向打開的平面視圖中為C字狀的主 體部和從主體部的周邊延伸為直線狀的延長部(未圖示)。下部電極157具有從振動膜153 側依次層疊了 Ti層和Pt層的雙層結構。壓電體158形成為在平面視圖中與下部電極157的主體部相同的形狀。壓電體 158由PZT構成。上部電極159形成為在平面視圖中與壓電體158相同的形狀。上部電極159具有 從壓電體158側依次層疊了 IrO2層和Ir層的雙層結構。與圖2所示的結構相同，通過氫絕緣膜13覆蓋振動膜153和壓電元件156的表面。 在氫絕緣膜13上層疊有層間絕緣膜14。在下部電極157的延長部中，在圖12(a)的剖面未 示的部分，經連續(xù)貫通氫絕緣膜13和層間絕緣膜14的貫通孔而連接有布線(相當于圖2 所示的布線15)。在上部電極159上，在圖12(a)的剖面未示的部分，經連續(xù)貫通氫絕緣膜 13和層間絕緣膜14的貫通孔而連接有布線(相當于圖2所示的布線16)。進一步，在噴墨 打印機頭151的最表面形成有表面保護膜61。在平面視圖中為C字狀的壓電元件156的中央部形成有噴嘴160。換言之，壓電元 件156配置在噴嘴160的側方，形成為包圍噴嘴160的大致環(huán)狀。噴嘴160沿著這些層疊 方向貫通表面保護膜61、層間絕緣膜14和氫絕緣膜13，并與加壓室155連通。并且，在各墨液流路154的比加壓室155更靠墨液的流通方向的上流側的部分，使 墨液供給路徑161沿厚度方向貫通硅基板2而形成。墨液供給路徑161在平面視圖中，形 成在與噴嘴160不同的位置上。因此，在平面視圖中，可以在墨液供給路徑161和噴嘴160 之間的位置上設置加壓室155。墨液流路154連接加壓室155和墨液供給路徑161。墨液供給路徑161經墨液流 路154與加壓室155連通。在硅基板2的里面安裝貯存墨液的墨液槽(未圖示)，并從該墨 液槽經墨液供給路徑161向墨液流路154供給墨液?？赏ㄟ^墨液流路154，從墨液供給路徑 161向加壓室155進行平滑的墨液供給。并且，由于墨液供給路徑161經墨液流路154向加 壓室155穩(wěn)定地供給墨液，所以可以穩(wěn)定地維持加壓室155的墨液的填充狀態(tài)。若向壓電元件156施加電壓，則振動膜153的面向加壓室155的部分與壓電元件156 一起變形。通過該變形，對加壓室155內的墨液進行加壓，而從噴嘴160噴出墨液。圖13A 13H是依次表示圖12(a)所示的噴墨打印機頭的制造工序的示意剖視 圖。在圖13A 13H中，僅對由導體構成的部分添加陰影，省略對其他部分的陰影的添加。首先，通過執(zhí)行圖4A 4F所示的工序，在氧化硅膜86上形成多晶硅層87后，通 過圖4G、4H所示的工序，圖案形成多晶硅層87。但是，此時，在噴嘴形成區(qū)域3上保留氧化 硅膜86和多晶硅層87，而并不除去。之后，通過執(zhí)行圖41 4K所示的工序，如圖13A所示，在形成振動膜153和層間 絕緣膜51后，在振動膜153上形成下部電極157、壓電體158和上部電極159。在噴嘴形成 區(qū)域3中，不除去而被保留的氧化硅膜86和多晶硅層87分別構成圖12(a)所示的保護膜 152和替代層163。之后，如圖13B所示，通過濺射法，在硅基板2上的整個區(qū)域上形成氧化鋁膜93。 進一步，通過CVD法，在氧化鋁膜93上的整個區(qū)域上形成氧化硅膜94。接著，如圖13C所示，通過光電平版印刷和蝕刻，從電路形成區(qū)域4上除去氧化硅 膜94和氧化鋁膜93。由此，氧化鋁膜93和氧化硅膜9分別構成氫絕緣膜13和層間絕緣膜 14。之后，通過濺射法，在層間絕緣膜51上形成Al膜。并且，通過光電平版印刷和蝕 刻，圖案形成Al膜，且如圖13D所示，形成布線52、53、54。之后，如圖13E所示，通過CVD法，在層間絕緣膜14、51上形成表面保護膜61。在形成表面保護膜61之后，如圖13F所示，通過光電平版印刷，在硅基板2的里面 形成抗蝕圖案162。該抗蝕圖案162使硅基板2的作為墨液供給路徑161的部分露出，并覆 蓋其他部分。通過將抗蝕圖案162作為掩模的濕式蝕刻(wet etching)，如圖13G所示，在硅基 板2上形成墨液供給路徑161。進一步，通過將可蝕刻多晶硅的蝕刻液經墨液供給路徑161 供給多晶硅層87，而如圖13H所示，部分去除多晶硅層87 (替代層163)，從而形成墨液流路 154。之后，若通過從硅基板2的表面?zhèn)乳_始的干式蝕刻，從而貫通氫絕緣膜13、層間絕緣膜 14和表面保護膜61而形成噴嘴160，則可得到圖12所示的噴墨打印機頭151。以上說明了本發(fā)明的五個實施方式，但是本發(fā)明還可通過其他方式來加以實施。例如噴墨打印機頭1、101、111、131、151中，作為半導體基板的一例而使用了硅基 板2，但是也可代替硅基板2而使用由SiC(碳化硅)等硅之外的半導體材料構成的基板。詳細說明了本發(fā)明的實施方式，但是這些不過是為了理解本發(fā)明的技術內容而使 用的具體例，本發(fā)明不應解釋為限于這些具體例，本發(fā)明的精神和范圍僅通過所附加的技 術方案來加以限定。本發(fā)明對應于2009年8月12日向日本國特許廳提出的特愿2009-187485號和 2010年5月26日向日本國特許廳提出的特愿2010-120391號，這些申請的所有公開內容在 這里通過引用來加入。
權利要求
1.一種噴墨打印機頭，其包括 半導體基板；振動膜，其設置在所述半導體基板上，且可沿與所述半導體基板的對置方向振動； 壓電元件，其設置在所述振動膜上；加壓室，其相對所述振動膜在所述半導體基板側面向所述振動膜而形成，且被填充墨 液；禾口噴嘴，其貫通所述振動膜而形成，與所述加壓室連通，且噴出從所述加壓室送出的墨液。
2.根據權利要求1所述的噴墨打印機頭，其中，該噴墨打印機頭還包括半導體元件，該半導體元件形成在所述半導體基板上；和 布線，該布線與所述半導體元件相連。
3.根據權利要求1或2所述的噴墨打印機頭，其中， 所述振動模與所述半導體基板的一面相連，所述加壓室沿厚度方向貫通所述半導體基板而形成。
4.根據權利要求1或2所述的噴墨打印機頭，其中， 所述加壓室形成在所述半導體基板和所述振動膜之間。
5.根據權利要求3或4所述的噴墨打印機頭，其中，與所述加壓室連通的墨液供給路徑形成在所述半導體基板上。
6.根據權利要求5所述的噴墨打印機頭，其中，所述墨液供給路徑在平面視圖中，形成在與所述噴嘴不同的位置上
7.根據權利要求6所述的噴墨打印機頭，其中，具有連接所述加壓室和所述墨液供給路徑的墨液流路
8.根據權利要求1 7的任一項所述的噴墨打印機頭，其中， 所述壓電元件形成為包圍所述噴嘴周圍的環(huán)狀。
9.根據權利要求1 8的任一項所述的噴墨打印機頭，其中， 所述壓電元件形成在所述噴嘴的側方。
10.一種噴墨打印機頭，其包括 半導體基板；振動膜，將其在所述半導體基板上相隔間隔而設置，且可沿與所述半導體基板的對置 方向振動；壓電元件，其設置在所述振動膜上；加壓室，其形成在所述半導體基板和所述振動膜之間，且被填充墨液；和 噴嘴，其形成在所述半導體基板和所述振動膜之間，并與所述加壓室連通，且噴出從所 述加壓室送出的墨液。
11.根據權利要求10所述的噴墨打印機頭，其中，該噴墨打印機頭還包括半導體元件，該半導體元件形成在所述半導體基板上；和 布線，該布線與所述半導體元件相連。
12.根據權利要求10或11所述的噴墨打印機頭，其中， 所述加壓室形成在所述半導體基板和所述振動膜之間。
13.根據權利要求1 12的任一項所述的噴墨打印機頭，其中， 該噴墨打印機頭還包括驅動電路，該驅動電路形成在設置有所述振動膜的所述半導 體基板上，且向所述壓電元件施加電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種噴墨打印機頭，其包括半導體基板；設置在所述半導體基板上，且可沿與所述半導體基板的對置方向振動的振動膜；設置在所述振動膜上的壓電元件；相對所述振動膜在所述半導體基板側面向所述振動膜而形成，且被填充墨液的加壓室；和貫通所述振動膜而形成，且與所述加壓室連通，并噴出從所述加壓室送出的墨液的噴嘴。
文檔編號B41J2/045GK101992597SQ2010102559
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月11日 優(yōu)先權日2009年8月12日
發(fā)明者仲谷吾郎 申請人:羅姆股份有限公司