專利名稱：電致發(fā)光器件及其方法
背景技術(shù)：
在電致發(fā)光器件的生產(chǎn)中，形成圖形化發(fā)光層是重要但困難的步驟。例如，在生產(chǎn)電致發(fā)光全色顯示器中，通常需要形成獨(dú)立的紅光、綠光及藍(lán)光的圖形化發(fā)光體層。真空蒸發(fā)法(例如，使用陰影掩模)是形成各個圖形化層的最常用技術(shù)。由于這種技術(shù)的復(fù)雜性及成本較高，特別是對用于制造大型顯示器來說，在本領(lǐng)域中就需要其它形成圖形化層的方法。特別合意的是基于從溶液沉積材料的方法，因?yàn)檫@類方法與大尺寸器件的制造具有預(yù)期的相容性。
已經(jīng)有人提出了使用噴墨打印技術(shù)來制造圖形化發(fā)光體層。通過噴墨打印沉積兩色圖形化發(fā)光體前體、隨后通過溶液技術(shù)沉積第三色發(fā)光體的方法已有報(bào)道。然而，能沉積圖形化層的噴墨打印技術(shù)的使用受到一些因素的限制，這些因素包括沉積在噴墨介質(zhì)中的材料的溶解性、潤濕性及均勻性。
發(fā)明概述一方面，本發(fā)明提供了一種制造電致發(fā)光器件的方法。在一個實(shí)施方案中，所述方法包括以下步驟向受體上選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第一發(fā)光體的部分轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述受體上的包含所述第一發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層，可任選的是，所述受體易受溶劑影響；并且在所述圖形化發(fā)光體層及所述受體上設(shè)置包含第二發(fā)光體的層，以形成包含所述第二發(fā)光體的非圖形化的發(fā)光體層?？扇芜x的是，所述方法還包括以下步驟在形成所述非圖形化的發(fā)光體層之前，向所述受體上選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第三發(fā)光體的部分第二轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述受體上的包含所述第三發(fā)光體的第二圖形化發(fā)光體層。優(yōu)選的是，所述受體為陽極、空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層、介質(zhì)層、鈍化層、基板或其組合。優(yōu)選的是，所述非圖形化的發(fā)光體層為無摻雜的電子傳輸層、摻雜的電子傳輸層、無摻雜的空穴阻擋層、摻雜的空穴阻擋層或其組合。在一些實(shí)施方案中，所述受體為空穴傳輸層并與陽極相連，在這種情況下，所述器件可任選地具有設(shè)置在所述空穴傳輸層及陽極之間的空穴注入層?？扇芜x的是，所述方法還包括在所述非圖形化的發(fā)光體層上設(shè)置陰極的步驟。
在另一個實(shí)施方案中，制造電致發(fā)光器件的方法包括以下步驟提供包含第一發(fā)光體的非圖形化的層；并且向所述非圖形化的發(fā)光體層上選擇性地轉(zhuǎn)印包含第二發(fā)光體的部分轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述非圖形化的發(fā)光體層上的包含所述第二發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層，可任選的是，所述非圖形化的發(fā)光體層易受溶劑影響。可任選的是，所述方法還包括以下步驟向所述非圖形化的發(fā)光體層上選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第三發(fā)光體的部分第二轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述非圖形化的發(fā)光體層上的包含所述第三發(fā)光體的第二圖形化發(fā)光體層。優(yōu)選的是，所述非圖形化的發(fā)光體層為無摻雜的電子傳輸層、摻雜的電子傳輸層、無摻雜的空穴阻擋層、摻雜的空穴阻擋層、無摻雜的電子注入層、摻雜的電子注入層或其組合。在一些實(shí)施方案中，所述方法還包括以下步驟在所述圖形化發(fā)光體層及所述非圖形化的發(fā)光體層上設(shè)置陽極?？扇芜x的是，可將空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層或其組合設(shè)置在所述發(fā)光體層及所述陽極之間?？扇芜x的是，所述非圖形化的發(fā)光體層的與所述圖形化發(fā)光體層相背對的一側(cè)與陰極相連。
在另一個實(shí)施方案中，制造電致發(fā)光器件的方法包括以下步驟提供易受溶劑影響的層；在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第一發(fā)光體及非揮發(fā)性組分的圖形化層，所述非揮發(fā)性組分與所述第一發(fā)光體相同或不同；并且在所述圖形化層及所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第二發(fā)光體的層，以形成包含所述第二發(fā)光體的非圖形化的發(fā)光體層。優(yōu)選的是，設(shè)置所述圖形化層的步驟包括選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含所述第一發(fā)光體及所述非揮發(fā)性組分的部分轉(zhuǎn)印層?？扇芜x的是，在形成所述非圖形化的發(fā)光體層之前，在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第三發(fā)光體的第二圖形化層，優(yōu)選通過熱轉(zhuǎn)印包含所述第三發(fā)光體(和可任選的非揮發(fā)性組分)的部分第二轉(zhuǎn)印層。
在另一個實(shí)施方案中，制造電致發(fā)光器件的方法包括以下步驟提供包含第一發(fā)光體的易受溶劑影響的非圖形化的層；并且在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第二發(fā)光體及非揮發(fā)性組分的圖形化層，所述非揮發(fā)性組分與所述第二發(fā)光體相同或不同。優(yōu)選的是，設(shè)置所述圖形化層的步驟包括選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含所述第二發(fā)光體及所述非揮發(fā)性組分的部分轉(zhuǎn)印層?？扇芜x的是，所述方法還包括以下步驟在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第三發(fā)光體(和可任選的非揮發(fā)性組分)的第二圖形化層，這優(yōu)選通過熱轉(zhuǎn)印包含所述第三發(fā)光體的部分第二轉(zhuǎn)印層進(jìn)行。
另一方面，本發(fā)明提供了一種電致發(fā)光器件。所述電致發(fā)光器件具有易受溶劑影響的層；在所述易受溶劑影響的層上的圖形化層，其中所述圖形化層包含第一發(fā)光體及非揮發(fā)性組分，所述非揮發(fā)性組分與所述第一發(fā)光體相同或不同；以及設(shè)置在所述圖形化發(fā)光體層及所述易受溶劑影響的層上的包含第二發(fā)光體的非圖形化的層?？扇芜x的是，所述圖形化層還包含第三發(fā)光體?；蛘?，可任選的是，可將第二圖形化層設(shè)置在所述易受溶劑影響的層上，其中所述第二圖形化層包含第三發(fā)光體。優(yōu)選的是，所述易受溶劑影響的層為空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層、介質(zhì)層、鈍化層或其組合。優(yōu)選的是，所述非圖形化的發(fā)光體層為無摻雜的電子傳輸層、摻雜的電子傳輸層、無摻雜的空穴阻擋層、摻雜的空穴阻擋層、無摻雜的電子注入層、摻雜的電子注入層或其組合。在一些實(shí)施方案中，陽極可與所述易受溶劑影響的層相連，陰極可與所述非圖形化的發(fā)光體層相連?？扇芜x的是，可將空穴注入層、電子阻擋層或其組合設(shè)置在所述陽極及所述易受溶劑影響的層之間。在一個實(shí)施方案中，所述陰極是不透明的，所述陽極是透明的，并且所述器件可通過所述透明的陽極發(fā)射光。在另一個實(shí)施方案中，所述陰極是透明的，所述陽極是不透明的，并且所述器件可通過所述透明的陰極發(fā)射光。在又一個實(shí)施方案中，所述陰極是透明的，所述器件還具有與所述陽極相連的不透明的基板，并且所述器件可通過所述透明的陰極發(fā)射光。在再一個實(shí)施方案中，所述陰極是透明的，所述陽極是透明的，并且所述器件可通過所述透明的陰極及所述透明的陽極發(fā)射光?？扇芜x的是，所述非圖形化的發(fā)光體層易受溶劑影響。
另一方面，本發(fā)明提供了一種產(chǎn)生光的方法。所述方法包括以下步驟提供如本文所述的電致發(fā)光器件；以及向所述陽極及所述陰極提供信號，其中所述信號可以尋址到發(fā)光體，隨后所述發(fā)光體發(fā)光。優(yōu)選的是，所述器件為有源尋址器件或無源尋址器件。優(yōu)選的是，所述器件為全色顯示器或可調(diào)諧發(fā)光器件。
可通過控制或限制電子及空穴復(fù)合出現(xiàn)的區(qū)域而改變多層化OLED器件的發(fā)光特性。對于具有能有效發(fā)出熒光或磷光的單一一層的器件，當(dāng)所述的復(fù)合區(qū)域位于發(fā)光體層內(nèi)時，就會產(chǎn)生最佳的器件性能。對于具有多個發(fā)光體層(例如，紅光圖形化發(fā)光體層及藍(lán)光非圖形化的發(fā)光體層)的器件，可獲得主要來自單層(例如，紅光圖形化發(fā)光體層)的發(fā)光。因此，可通過(例如)用紅光及綠光發(fā)光區(qū)域使基板圖形化并提供非圖形化的藍(lán)光發(fā)光體層的方法來構(gòu)建全色OLED顯示器。如果適當(dāng)控制所述復(fù)合區(qū)域，那么紅光及綠光的發(fā)光區(qū)域不會發(fā)出明顯的藍(lán)光。對于顯示器件的應(yīng)用，所述顯示器件優(yōu)選具有能發(fā)出飽和紅光、綠光及藍(lán)光的顯示亞像素。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方案中，通過選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印部分發(fā)光體層來形成圖形化發(fā)光體層，這樣可通過使用少于“n”步的熱轉(zhuǎn)印步驟(例如，兩個選擇性熱轉(zhuǎn)印步驟)來制備“n”色器件(例如，三色器件)。
在一些實(shí)施方案中，可以(或者有時優(yōu)選)通過改變工作電壓或工作電流密度來改變來自多層器件的不同層的發(fā)光量。這種所謂的“調(diào)色”對用于照明應(yīng)用的OLED是有用的。
定義本文所用的“層”是指設(shè)置在其它材料上的不連續(xù)的(例如，圖形化層)或連續(xù)的(例如，非圖形化的)材料。
本文所用的“圖形化層”是指不連續(xù)的層，其中圖形化層的材料僅被設(shè)置在另一種材料的所選部分上。
本文所用的“非圖形化的層”是指連續(xù)的層，其中非圖形化的層的材料被設(shè)置在另一種材料的所有部分上。
本文所用的“易受溶劑影響的”層是這樣的層，如果將經(jīng)溶劑涂覆的層直接涂覆在這種易受溶劑影響的層上，則這種層在溶劑的存在下會被溶解、被化學(xué)侵蝕、被滲透并且/或者被致使不能達(dá)到預(yù)期效果。
本文所用的用于經(jīng)溶劑涂覆的層的“溶劑”是指有機(jī)溶劑或含水溶劑，該有機(jī)溶劑或含水溶劑能夠溶解、分散或懸浮適于形成電致發(fā)光器件的層的有機(jī)聚合物或樹脂。
一般來說，一層“設(shè)置在”另一層上或一層與另一層“相連”應(yīng)當(dāng)廣義地解釋為在這兩層之間可任選地具有一個或多個附加層。
本文所用的“在易受溶劑影響的層上”或“設(shè)置在易受溶劑影響的層上”的層應(yīng)當(dāng)包括與易受溶劑影響的層直接接觸的層或通過一個或多個附加層與易受溶劑影響的層隔開的層，其條件為“在易受溶劑影響的層上”或“設(shè)置在易受溶劑影響的層上”的層中的溶劑能夠與該易受溶劑影響的層相接觸(例如，通過蒸發(fā)、擴(kuò)散或其它經(jīng)附加層傳輸溶劑的方法接觸)。優(yōu)選的是，“在易受溶劑影響的層上”或“設(shè)置在易受溶劑影響的層上”的層與該易受溶劑影響的層直接接觸。
本文所用的“透明的”電極是指基本上透過可見光的導(dǎo)電元件?；旧贤高^可見光的元件優(yōu)選至少透過50％、更優(yōu)選至少透過80％的垂直入射到該元件表面的入射可見光，特別是與器件發(fā)射峰對應(yīng)的波長的入射可見光。
本文所用的“不透明的”電極是指基本上吸收或反射可見光的導(dǎo)電元件?；旧衔栈蚍瓷淇梢姽獾脑?yōu)選至少吸收或反射90％的垂直入射到該元件表面的入射可見光，特別是與器件發(fā)射峰對應(yīng)的波長的入射可見光。
本文所用的“有源尋址”器件是指具有用于驅(qū)動像素或亞像素陣列的電路的器件，其中通過分立電路對每個像素或亞像素進(jìn)行尋址。通常，分立電路與像素或亞像素相鄰，并且位于器件內(nèi)部。
本文所用的“無源尋址”器件是指具有用于驅(qū)動像素或亞像素陣列的電路的器件，其中通過具有行電極及列電極的電子線路對每個像素或亞像素進(jìn)行尋址。通常，電子線路在器件外部。
本文所用的“可調(diào)諧照明”器件是指能夠根據(jù)不同驅(qū)動條件(例如，電壓、電流密度等)發(fā)射不同顏色的光的器件。
本文所用的“全彩顯示”器件是指具有像素或亞像素陣列的電子元件，該陣列能夠顯示這樣的圖像，該圖像具有適于描繪彩色照片及彩色影像的色域(例如，由美國國家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會(NTSC)定義的色域)。
本文所用的“非揮發(fā)性組分”是指在通常用于真空蒸發(fā)或真空升華的條件下具有可忽略的蒸氣壓的組分。通常，在低于材料分解溫度的溫度下，不能以至少0.1埃/秒的速度沉積的材料被視為是非揮發(fā)性的。
附圖簡要說明

圖1A至圖1C為示意性剖視圖，圖示了組裝具有“底部陽極”結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的電致發(fā)光器件的示例性方法。通過簡化方式闡明了圖示于圖1A至圖1C的方法，以作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的例子。在特定器件的結(jié)構(gòu)中可能需要包括一個或多個附加層，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，本文圖示說明的方法及器件不應(yīng)當(dāng)只被局限于本文描述的特定層，而應(yīng)當(dāng)廣義地理解為包括所需的附加層。
圖2A至圖2C為示意性剖視圖，圖示了組裝具有“頂部陽極”結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的電致發(fā)光器件的示例性方法。通過簡化方式闡明了圖示于圖2A至圖2C的方法，以作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的例子。在特定器件的結(jié)構(gòu)中可能需要包括一個或多個附加層，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，本文圖示說明的方法及器件不應(yīng)當(dāng)只被局限于本文描述的特定層，而應(yīng)當(dāng)廣義地理解為包括所需的附加層。
優(yōu)選實(shí)施方案詳述本發(fā)明提供了電致發(fā)光器件及其制造和使用方法。電致發(fā)光器件在本領(lǐng)域中是眾所周知的，電致發(fā)光器件包括(例如)有機(jī)電致發(fā)光(OEL)器件。例如，參考Salbeck，Ber.Bunsenges.Phys.Chem.，100(10)1667(1996)；Y.Sato，″Organic LED System Considerations″inSemiconductors and Semimetals(由G.Meuller編著)，第64卷第209頁(2000)；Kido，Bulletin of Electrochemistry，10(1)1(1994)；F.So等人，International Journal of High Speed Electronics and Systems，8(2)247(1997)；Baldo等人，Pure Appl.Chem.，71(11)2095(1999)。本文所用的“電致發(fā)光器件”是指包括整個器件及部分器件(例如，器件元件)。類似的是，制造電致發(fā)光器件的方法是指包括形成或部分形成器件或器件元件的方法。
電致發(fā)光器件的一層或多層可通過從熱轉(zhuǎn)印供體元件熱轉(zhuǎn)印一層或多層而形成。作為具體的例子，可形成熱轉(zhuǎn)印元件來制造(或至少部分地制造)OEL顯示器或器件陣列以及用于OEL顯示器的組件。這可以通過(例如)將熱轉(zhuǎn)印元件的單組分或多組分的轉(zhuǎn)印單元熱轉(zhuǎn)印來實(shí)現(xiàn)。應(yīng)該知道，單層及多層轉(zhuǎn)印可用于形成其它器件及物體。通過討論下文提供的實(shí)施例，可獲得對本發(fā)明各個方面的理解，盡管本發(fā)明并不局限于此。
可通過從一個或多個熱轉(zhuǎn)印元件選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印材料而使該材料圖形化地形成在基板上?？赏ㄟ^在熱轉(zhuǎn)印元件的所選部分上實(shí)施定向加熱，對熱轉(zhuǎn)印元件進(jìn)行加熱。可使用加熱元件(例如，電阻加熱元件)、將輻射能(例如，光束)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮懿⑶?或者向熱轉(zhuǎn)印元件層施加電流來產(chǎn)生熱量。在很多情況下，使用來自(例如)燈或激光器的光進(jìn)行熱轉(zhuǎn)印是有利的，因?yàn)檫@樣通?？蛇_(dá)到一定的準(zhǔn)確度及精度?？赏ㄟ^(例如)選擇光束的大小、光束的曝光圖形、定向光束與熱轉(zhuǎn)印元件接觸的持續(xù)時間以及熱轉(zhuǎn)印元件的材料來控制轉(zhuǎn)印圖形的尺寸及形狀(例如，直線、圓形、正方形或其它形狀)。
熱轉(zhuǎn)印元件可包括這樣一種轉(zhuǎn)印層，該轉(zhuǎn)印層可用于形成各種不同的元件及器件或其部分。示例性的材料及轉(zhuǎn)印層包括那些可用來形成元件、器件及其部分的材料及轉(zhuǎn)印層，所述元件和器件及其部分可用于電子顯示器。盡管本發(fā)明中所用的例子更經(jīng)常地集中在OEL器件及顯示器上，但來自熱轉(zhuǎn)印元件的材料的轉(zhuǎn)印也可用于形成(至少部分地形成)電子線路及光電元件，諸如電阻器、電容器、二極管、整流器、電致發(fā)光燈、存儲元件、場效應(yīng)晶體管、雙極性晶體管、單結(jié)晶體管、MOS晶體管、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體晶體管、有機(jī)晶體管、電荷耦合器件、絕緣體-金屬-絕緣體疊堆、有機(jī)導(dǎo)體-金屬-有機(jī)導(dǎo)體疊堆、集成電路、光電探測器、激光器、透鏡、波導(dǎo)管、光柵、全息元件、濾波器(例如，插分濾波器(add-drop filter)、增益平坦濾波器、截止濾波器等)、反射鏡、分光器、耦合器、組合器、調(diào)制器、傳感器(例如，迅衰傳感器、相位調(diào)制傳感器、干涉型傳感器等)、光學(xué)共振腔、壓電器件、鐵電器件、薄膜電池或其組合，例如場效應(yīng)晶體管和有機(jī)電致發(fā)光燈的組合作為有源矩陣陣列用于光顯示器。通過轉(zhuǎn)印多組分轉(zhuǎn)印單元及/或單層可形成其它物品。
對于極小的器件(諸如小型光電器件，包括(例如)集成電路的晶體管及其它組件以及用于顯示器的組件(諸如電致發(fā)光燈及控制電路))，使用光進(jìn)行熱轉(zhuǎn)印通常能夠更好地控制精度及質(zhì)量。此外，當(dāng)在比器件尺寸大的區(qū)域中形成多個器件時，使用光進(jìn)行熱轉(zhuǎn)印(至少在某些情況下)可更好地配準(zhǔn)。作為一個例子，使用這種方法可形成具有許多像素的顯示器的組件。
在某些情況下，可使用多個熱轉(zhuǎn)印元件形成器件或其它物體，或者形成相鄰的器件、其它物體或其部分。所述的多個熱轉(zhuǎn)印元件可包括具有多組分轉(zhuǎn)印單元的熱轉(zhuǎn)印元件及能轉(zhuǎn)印單層的熱轉(zhuǎn)印元件。例如，可使用一個或多個具有多組分熱轉(zhuǎn)印單元的熱轉(zhuǎn)印元件以及/或者使用一個或多個每個都能用于轉(zhuǎn)印單層或多層單元的熱轉(zhuǎn)印元件來形成器件或其它物體。
熱轉(zhuǎn)印一層或多層而形成器件或器件陣列的方法同樣可用來(例如)減少或除去一些工藝(諸如光刻法圖形形成工藝或噴墨法圖形形成工藝)中的濕法加工步驟，這些工藝用于形成許多光電器件。從供體元件熱轉(zhuǎn)印而使層形成圖形的方法同樣可用來使形成圖形的步驟與對層涂覆的步驟分離，例如當(dāng)這兩個步驟的組合可能限制層狀結(jié)構(gòu)或相鄰結(jié)構(gòu)(這些結(jié)構(gòu)都可形成圖形)的類型時，可以使用這種方法。在常規(guī)的圖形形成工藝(諸如光刻法、噴墨法、絲網(wǎng)印刷法及各種不同的基于掩模技術(shù))中，在形成圖形時，通常將層直接涂覆到基板上。圖形形成可與涂覆同時進(jìn)行(對于噴墨法、絲網(wǎng)印刷法及一些基于掩模的工藝而言)，或者在涂覆后通過蝕刻法或其它除去技術(shù)形成圖形。這種常規(guī)的方法存在這樣的問題，即用于涂覆材料的溶劑及/或用于使材料形成圖形的刻蝕工藝可損壞、溶解、滲透先前涂覆的或圖形化的層或材料，并且/或者使這些層或材料不能工作。
在本發(fā)明中，可在熱轉(zhuǎn)印供體元件上涂覆材料，以形成供體元件的熱轉(zhuǎn)印層。然后，轉(zhuǎn)印層材料可通過從供體向受體的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形。在供體上進(jìn)行涂覆后再通過選擇性轉(zhuǎn)印形成圖形的方法表示了對層涂覆的步驟與形成圖形的步驟之間的分離。涂覆的步驟與形成圖形之間的步驟分離具有以下優(yōu)點(diǎn)(如果可能的話)可使用常規(guī)的圖形形成工藝來使一些材料在其它難以形成圖形的材料的上面或附近形成圖形。例如，在本發(fā)明的方法中，經(jīng)溶劑涂覆的層可在易受溶劑影響的材料上形成圖形，而如果將經(jīng)溶劑涂覆的層直接涂覆在這種易受溶劑影響的材料上，則這種材料在溶劑的存在下就會被溶解、被化學(xué)侵蝕、被滲透并且/或者被致使不能達(dá)到預(yù)期效果。對與受體上的材料或?qū)余徑?但不一定接觸)的經(jīng)溶劑涂覆的材料進(jìn)行圖形化熱轉(zhuǎn)印來說，這些方法同樣適用，其中所述受體可能與所述溶劑不相容。
“易受溶劑影響的”層是這樣一種層，如果將經(jīng)溶劑涂覆的層直接涂覆在這種易受溶劑影響的層上，則這種層在溶劑的存在下會被溶解、被化學(xué)侵蝕、被滲透并且/或者被致使不能達(dá)到預(yù)期效果。受溶劑影響性的簡單測試通過以下步驟進(jìn)行用第一溶劑旋涂第一層，干燥該溶劑，然后在經(jīng)涂覆的第一層的上面旋涂第二溶劑。如果經(jīng)涂覆的第一層被第二溶劑溶解、化學(xué)侵蝕或滲透，那么經(jīng)涂覆的第一層就被視為易受溶劑影響的層?；蛘?，當(dāng)通過真空蒸發(fā)法沉積經(jīng)涂覆的第一層時，也可進(jìn)行類似的測試。
“第二溶劑”優(yōu)選為能夠溶解、分散或懸浮有機(jī)聚合物或樹脂的有機(jī)溶劑，其中有機(jī)聚合物或樹脂適于形成電致發(fā)光器件的層。例如，可在I.M.Smallwood編著的《有機(jī)溶劑性質(zhì)手冊》(Arnold/Halsted出版社1996出版)中找到合適的溶劑。
在本發(fā)明的一些實(shí)施方案中，轉(zhuǎn)印層將包含非揮發(fā)性組分。非揮發(fā)性組分是在通常用于真空蒸發(fā)或真空升華的條件下具有可忽略的蒸氣壓的化合物。確定化合物是否是非揮發(fā)性的簡單試驗(yàn)為在該組分的真空沉積條件下試驗(yàn)升華該化合物。在當(dāng)前可用的真空沉積系統(tǒng)中，非揮發(fā)性化合物一般分解(例如，燒焦、降解等)或不能以足以實(shí)行真空沉積的速度進(jìn)行升華。通常，在低于材料分解溫度的溫度下，不能以至少0.1埃/秒的速度沉積的這些材料被視為是非揮發(fā)性的。非揮發(fā)性組分的常見例子包括聚合物、低聚物、樹枝狀大分子、分子量大的物質(zhì)、陶瓷等。
如下文將更詳細(xì)討論的那樣，OEL器件的形成提供了特別適當(dāng)?shù)睦印＠?，在美國專利No.6,410,201(Wolk等人)中披露了示例性的供體元件、熱轉(zhuǎn)印法及由熱轉(zhuǎn)印法制造的器件。
對于使用輻射(例如，光)進(jìn)行的熱轉(zhuǎn)印，在本發(fā)明中可使用各種輻射發(fā)射源。對于模擬技術(shù)(例如，經(jīng)掩模的曝光)，大功率光源(例如，氙氣閃光燈及激光器)是可用的。對于數(shù)碼成像技術(shù)，紅外、可見及紫外激光器是特別有用的。合適的激光器包括(例如)大功率(≥100毫瓦(mW))的單模激光二極管、光纖耦合激光二極管及二極管抽運(yùn)固體激光器(例如，Nd:YAG及Nd:YLF)。激光照射的停留時間可在(例如)0.1至100微秒的范圍內(nèi)，并且激光能量密度可在(例如)0.01至1焦耳/平方厘米(J/cm2)的范圍內(nèi)。
當(dāng)在較大的基板區(qū)域上(例如，對于高信息全色顯示器的應(yīng)用)需要較高的點(diǎn)定位精度時，激光器特別適合用作輻射源。激光源適合于較大的剛性基板(如1m×1m×1.1mm的玻璃)及連續(xù)的或片狀的膜式基板(如100微米的聚酰亞胺片)。
電阻熱打印頭或陣列可與(例如)簡化的供體膜結(jié)構(gòu)一起使用，其中所述結(jié)構(gòu)可以沒有光至熱轉(zhuǎn)化(LTHC)層或輻射吸收體。這特別適用于較小的基板尺寸(例如，在任意維度上均小于約30cm)或用于較大的圖形(如字母數(shù)字分段顯示所需的圖形)。
在成像過程中，熱轉(zhuǎn)印元件通常與受體緊密接觸。至少在某些情況下，使用壓力或真空來使熱轉(zhuǎn)印元件保持與受體緊密接觸。隨后，使用輻射源以成像方式(例如，以數(shù)字式或通過掩模的模擬曝光)加熱LTHC層(及/或含輻射吸收體的其它層)，以根據(jù)圖形完成轉(zhuǎn)印層從熱轉(zhuǎn)印元件到受體的成像轉(zhuǎn)印。
或者，可使用加熱元件(諸如電阻加熱元件)來使轉(zhuǎn)印單元轉(zhuǎn)印。熱轉(zhuǎn)印元件與加熱元件選擇性地接觸，以根據(jù)圖形使部分轉(zhuǎn)印層發(fā)生熱轉(zhuǎn)印。在另一個實(shí)施方案中，熱轉(zhuǎn)印元件可包括能將施加給該層的電流轉(zhuǎn)換為熱量的層。
通常，轉(zhuǎn)印層被轉(zhuǎn)印至受體而熱轉(zhuǎn)印元件的任何其它層(諸如可任選的中間層及LTHC層)不被轉(zhuǎn)印。存在可任選的中間層可消除或減少LTHC層向受體的轉(zhuǎn)印并/或減少轉(zhuǎn)印層的被轉(zhuǎn)印部分的變形。優(yōu)選的是，在成像條件下，中間層對LTHC層的粘附力大于中間層對轉(zhuǎn)印層的粘附力。在某些情況下，可使用反射中間層或吸收中間層來削弱透射通過中間層的成像輻射水平，并減少由于透射后的輻射與轉(zhuǎn)印層及/或受體之間的互相作用而對轉(zhuǎn)印層的被轉(zhuǎn)印部分所產(chǎn)生的任何損傷。這對于降低在受體對成像輻射具有高吸收性時會出現(xiàn)的熱損傷特別有益。
可使用大型熱轉(zhuǎn)印元件，其包括長寬尺寸在1米以上的熱轉(zhuǎn)印元件。在操作中，激光器可在整個大型熱轉(zhuǎn)印元件上進(jìn)行掃描或以其它方式移動，其中選擇性地開啟激光器以根據(jù)所需的圖形照射部分熱轉(zhuǎn)印元件?；蛘?，可固定激光器，而使熱轉(zhuǎn)印元件在激光器的下方移動。
熱轉(zhuǎn)印供體基板可為聚合物膜。聚合物膜的一種合適類型為聚酯膜，例如聚對苯二甲酸乙二酯膜或聚萘二甲酸乙二酯膜。但是，可使用其它對特定用途具有足夠的光學(xué)性能(如果使用光進(jìn)行加熱和轉(zhuǎn)印)以及足夠的機(jī)械穩(wěn)定性及熱穩(wěn)定性的膜，所述光學(xué)性能包括在特定波長下的高透光性。至少在某些情況下，供體基板是平坦的，使得在其上可形成均勻的涂層。供體基板通常還選自這樣一種材料，盡管LTHC層受熱，但該材料仍能保持穩(wěn)定。供體基板的厚度一般在0.025至0.15mm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.05至0.1mm的范圍內(nèi)，但是可使用更厚的或更薄的供體基板。
通常，選擇用于形成供體基板及LTHC層的材料，以提高LTHC層和供體基板之間的粘附力?？墒褂每扇芜x的底漆層以提高對隨后的層涂覆時的均勻性并增加LTHC層及供體基板之間的層間粘結(jié)強(qiáng)度。合適的具有底漆層的基板的一個例子可得自日本帝人株式會社(位于日本大阪，產(chǎn)品號為HPE100)。
可在熱轉(zhuǎn)印元件中的LTHC層及轉(zhuǎn)印層之間設(shè)置可任選的中間層，以使對轉(zhuǎn)印層的被轉(zhuǎn)印部分的損傷及污染降至最低，并且還可減少轉(zhuǎn)印層的被轉(zhuǎn)印部分的變形。中間層還可能會影響轉(zhuǎn)印層對熱轉(zhuǎn)印元件其余部分的粘附力。通常，中間層具有較高的耐熱性。優(yōu)選的是，在成像條件下，中間層不會被變形或化學(xué)分解到特別是使轉(zhuǎn)印的圖像無效的程度。在轉(zhuǎn)印過程中，中間層通常保持與LTHC層接觸，并且基本不與轉(zhuǎn)印層一起轉(zhuǎn)印。
中間層可帶來許多好處。中間層可阻擋光至熱轉(zhuǎn)化層的材料發(fā)生轉(zhuǎn)印或者可阻擋材料轉(zhuǎn)印到光至熱轉(zhuǎn)化層。它還可調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)印層達(dá)到的溫度，從而可轉(zhuǎn)印熱不穩(wěn)定材料。中間層的存在還可提高轉(zhuǎn)印材料的塑性記憶。
熱轉(zhuǎn)印元件可具有可任選的剝離層?？扇芜x的剝離層通常便于使轉(zhuǎn)印層在熱轉(zhuǎn)印元件受熱(例如，通過發(fā)光源或加熱元件)時從該熱轉(zhuǎn)印元件的其余部分(例如，中間層及/或LTHC層)上剝離。至少在某些情況下，在受熱前該剝離層可使轉(zhuǎn)印層對熱轉(zhuǎn)印元件的其余部分具有一定的粘附力。
剝離層可以是轉(zhuǎn)印層的一部分或是獨(dú)立的層。剝離層的全部或部分可以和轉(zhuǎn)印層一起轉(zhuǎn)印。或者，當(dāng)轉(zhuǎn)印層被轉(zhuǎn)印時，大部分或幾乎所有剝離層都保留在供體基板上。在某些情況下，例如當(dāng)剝離層含有可升華的材料時，可在轉(zhuǎn)印過程中消散部分剝離層。
本發(fā)明熱轉(zhuǎn)印元件的轉(zhuǎn)印層可具有一個或多個用于轉(zhuǎn)印至受體上的層。所述的一個或多個層可用有機(jī)材料、無機(jī)材料、有機(jī)金屬材料及其它材料形成。盡管轉(zhuǎn)印層被描述和被圖示成具有一個或多個的不連續(xù)層，但應(yīng)當(dāng)知道，至少在某些使用多于一層的情況下，可能會存在這樣的界面區(qū)域，該界面區(qū)域包括各層的至少一部分。例如，在將轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印之前、當(dāng)中或之后，如果各層被混合或材料擴(kuò)散至各層之間，就會發(fā)生這種情況。在其它情況下，在將轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印之前、當(dāng)中或之后，可將獨(dú)立層完全或部分地混合。無論在哪種情況下，這些結(jié)構(gòu)都會被稱為含有一個以上的獨(dú)立層，特別是當(dāng)通過不同區(qū)域?qū)嵤┢骷牟煌δ軙r。
轉(zhuǎn)印層可具有設(shè)置在轉(zhuǎn)印層外表面上的粘合劑層，以促進(jìn)轉(zhuǎn)印層與受體的粘附。粘合劑層可為功能層(例如，當(dāng)粘合劑層傳導(dǎo)受體及轉(zhuǎn)印層的其它層之間的電荷時)或非功能層(例如，當(dāng)粘合劑層僅用于將轉(zhuǎn)印層粘附在受體上時)。粘合劑層可用(例如)熱塑性聚合物(包括導(dǎo)電和非導(dǎo)電的聚合物、導(dǎo)電和非導(dǎo)電的填充聚合物及/或?qū)щ姾头菍?dǎo)電的分散體)形成。
轉(zhuǎn)印層還可具有設(shè)置在轉(zhuǎn)印層表面上的剝離層，該剝離層與熱轉(zhuǎn)印元件的其余部分接觸。如上所述，在轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印時，這種剝離層可部分地或完全地與轉(zhuǎn)印層的其余部分一起轉(zhuǎn)印，或者幾乎所有剝離層都保留在熱轉(zhuǎn)印元件上，或者剝離層可整體地或部分地消散。合適的剝離層如上所述。
盡管轉(zhuǎn)印層可以由不連續(xù)的層形成，但應(yīng)該理解，至少在某些實(shí)施方案中，轉(zhuǎn)印層可包含具有多組分的并且/或者在器件中具有多用途的層。還應(yīng)該理解，至少在某些實(shí)施方案中，在轉(zhuǎn)印過程中，兩個或多個不連續(xù)的層可融合在一起或以其它方式混合或結(jié)合。在任何情況下，盡管這些層已經(jīng)混合或結(jié)合，但仍將其稱為獨(dú)立層。
轉(zhuǎn)印一個或多個單組分或多組分轉(zhuǎn)印單元以形成至少一部分OEL(有機(jī)電致發(fā)光)器件是使用熱轉(zhuǎn)印元件形成有源器件的一個具體說明性的非限定性例子。至少在某些情況下，0EL器件在陰極及陽極之間夾有一個或多個薄層，所述薄層由一種或多種合適的有機(jī)材料構(gòu)成。電子由陰極注入有機(jī)層，空穴由陽極注入有機(jī)層。當(dāng)注入的電荷向帶電相反的電極遷移時，它們可復(fù)合形成電子-空穴對(通常稱為激子)。這些激子或激發(fā)態(tài)物質(zhì)可在其衰變回基態(tài)時以光的形式發(fā)出能量(例如，參見Tsutsui，MRS Bulletin，2239-45(1997))。
OEL器件結(jié)構(gòu)的說明性的例子包括分子水平上分散的聚合物器件，其中帶電物質(zhì)及/或發(fā)光物質(zhì)分散在聚合物基質(zhì)中(例如，參見Kido，Trends in Polymer Science，2350-355(1994))；共軛聚合物器件，其中聚合物(諸如聚苯乙炔(polyphenylene vinylene))層充當(dāng)帶電物質(zhì)及發(fā)光物質(zhì)(例如，參見Halls等人，Thin Solid Films，27613-20(1996))；蒸氣沉積的小分子異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件(例如，參見美國專利No.5,061,569(VanSlyke等人)及Chen等人，MacromolecularSymposia，1251-48(1997))；發(fā)光電化學(xué)電池(例如，參見Pei等人，J.Amer.Chem.Soc.，1183922-3929(1996))；以及能夠發(fā)出多種波長的光的垂直堆疊的有機(jī)發(fā)光二極管(例如，參見美國專利No.5,707,745(Forrest等人)及Shen等人，Science，2762009-2011(1997))。
本文所用的術(shù)語“小分子”是指非聚合的有機(jī)分子、無機(jī)分子或有機(jī)金屬化合物分子，術(shù)語“有機(jī)小分子”是指非聚合的有機(jī)分子或有機(jī)金屬化合物分子。在OEL器件中，小分子材料可用作發(fā)光體層、電荷傳輸層、發(fā)光體層中的摻雜劑(例如，控制發(fā)出的顏色)或電荷傳輸層中的摻雜劑等。
對于許多應(yīng)用諸如顯示器應(yīng)用，優(yōu)選的是，陰極和陽極中至少一個對由電致發(fā)光器件發(fā)出的光來說是透明的。這由器件的取向(即，是陽極還是陰極更靠近基板)以及光發(fā)射的方向(即，通過基板或遠(yuǎn)離基板)決定。
通常使用導(dǎo)電材料，諸如金屬、合金、金屬化合物、金屬氧化物、導(dǎo)電陶瓷、導(dǎo)電分散體及導(dǎo)電聚合物，包括(例如)金、鉑、鈀、鋁、鈦、氮化鈦、氧化銦錫(ITO)、氧化氟錫(FTO)及聚苯胺，來形成陽極及陰極。陽極及陰極可為單層導(dǎo)電材料或者它們可具有多層。例如，陽極或陰極可具有一層鋁及一層金、一層鋁及一層氟化鋰、或一層金屬及一層導(dǎo)電有機(jī)層。由導(dǎo)電有機(jī)層(例如，0.1至5微米厚)以及薄的金屬層或金屬化合物層(例如，100至1000埃)形成的雙層陰極(或陽極)是特別有用的。這種雙層電極結(jié)構(gòu)可更耐濕氣或氧氣，濕氣或氧氣能夠損害器件中對濕氣或氧氣敏感的下層(例如，有機(jī)發(fā)光層)。當(dāng)薄金屬層中存在針孔時，就會出現(xiàn)這種損害，該薄金屬層可由導(dǎo)電有機(jī)層覆蓋并密封。薄金屬層的破裂或斷裂可引起損害及/或器件故障。導(dǎo)電有機(jī)層的加入可使金屬層更耐斷裂，或者可起到阻擋腐蝕性物質(zhì)擴(kuò)散的作用以及可在出現(xiàn)斷裂時起到導(dǎo)電橋的作用。
空穴傳輸層有助于使空穴注入器件和空穴向陰極遷移。空穴傳輸層還起阻擋電子向陽極遷移的作用。空穴傳輸層可包含(例如)二元胺衍生物(如N，N′-雙(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺(也稱為TPD))或其它空穴導(dǎo)電材料(如N，N′-雙(3-萘-2-基)-N，N′-雙(苯基)聯(lián)苯胺(NBP))。一般來說，空穴傳輸層可包含有機(jī)小分子材料、導(dǎo)電聚合物、摻雜有機(jī)小分子的聚合物基質(zhì)及其它合適的有機(jī)或無機(jī)導(dǎo)電或半導(dǎo)電材料。
電子傳輸層有助于注入電子以及使電子向陽極遷移。電子傳輸層還起阻擋空穴向陰極遷移的作用。
發(fā)光體層通常由金屬螯合物(諸如三(8-羥基喹啉)鋁(ALQ))形成。發(fā)光體層還可包含發(fā)光聚合物，諸如聚苯乙炔(PPV)、聚對亞苯基(PPP)及聚芴(PF)；有機(jī)小分子材料，ALQ是這種材料的例子；摻雜有機(jī)小分子的聚合物；以及其它合適的材料。
可任選的是，電子傳輸層可摻有本文所述的熒光或磷光染料。摻雜的電子傳輸層有時在本文稱為電子傳輸/發(fā)光體層。在優(yōu)選實(shí)施方案中，電子傳輸層摻雜了藍(lán)色熒光染料。
對于具有電子傳輸/發(fā)光體層的實(shí)施方案，空穴傳輸層及電子傳輸/發(fā)光體層之間的界面形成了空穴及電子通過的屏障，從而產(chǎn)生空穴/電子的復(fù)合區(qū)域，并提供有效的有機(jī)電致發(fā)光器件。當(dāng)發(fā)光體為ALQ時，OEL器件發(fā)出藍(lán)-綠光。通過在電子傳輸/發(fā)光體層中使用不同的發(fā)光體及摻雜劑可發(fā)射不同顏色的光(例如，參見Chen等人，Macromolecular Symposia，1251-48(1997))。
對于具有電子傳輸/發(fā)光體層及第二發(fā)光體層的實(shí)施方案，可制備電子傳輸/發(fā)光體層使其僅起電子傳輸層的作用，使得復(fù)合及發(fā)光被限定在第二發(fā)光體層。優(yōu)選的是，這種結(jié)構(gòu)能夠提供有效的有機(jī)電致發(fā)光器件。
其它OEL多層器件結(jié)構(gòu)可具有(例如)這樣的空穴傳輸層，該空穴傳輸層同樣也是發(fā)光體層。或者，空穴傳輸層及電子傳輸/發(fā)光體層可組合為一層。此外，獨(dú)立的發(fā)光體層可置于空穴傳輸層及電子傳輸層之間。
使OEL材料及層形成圖形以形成OEL器件的過程提供了一個特別適當(dāng)?shù)睦?，以闡明常規(guī)的圖形形成技術(shù)所具有的一些困難，并闡明根據(jù)本發(fā)明如何克服這些困難。在常規(guī)的圖形形成技術(shù)中，由于某些材料或?qū)釉诒┞队谌軇┗蛭g刻劑時易被化學(xué)侵蝕、滲透或溶解，所以不能使用這些材料或?qū)樱渲兴鋈軇┗蛭g刻劑用于在顯示器基板上涂覆其它層或使其它層形成圖形。因此，由于在易受溶劑影響的層上會涂覆經(jīng)溶劑涂覆的層，或由于在易受蝕刻劑影響的其它層上會使用蝕刻劑以使這些層形成圖形，所以存在一些器件及/或顯示器結(jié)構(gòu)不能通過常規(guī)技術(shù)制造。例如，在形成OEL器件(具有在基板上的陽極、在陽極上的小分子空穴傳輸層、在空穴傳輸層上的發(fā)光聚合物發(fā)光體以及在發(fā)光體層上的陰極)過程中，用于涂覆發(fā)光聚合物的溶劑在常規(guī)工藝技術(shù)下可損害空穴傳輸層。對兩個相鄰的OEL器件的常規(guī)圖形形成過程存在同樣的局限性一個器件可包含發(fā)光聚合物發(fā)光體層，而另一個器件可包含有機(jī)小分子發(fā)光體層。使用本發(fā)明的熱圖形形成方法可克服這些局限性?？朔@些局限性允許了更寬范圍的可能器件結(jié)構(gòu)及材料替換物，而且這些又可用來獲得能夠展現(xiàn)諸如亮度、壽命、色純度、效率等特性的OEL器件和顯示器，要不然這些特性無法實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明提供了新的OEL器件和顯示器結(jié)構(gòu)以及新的圖形形成方法。
如所討論的那樣，可通過從一種或多種供體元件選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成OEL器件。還可向受體轉(zhuǎn)印多個元件，以形成像素化的顯示器?；蛘撸t光、綠光及藍(lán)光熱轉(zhuǎn)印元件可在彼此的上面轉(zhuǎn)印，以形成在美國專利No.5,707,745(Forrest等人)中所披露類型的多色堆疊式OLED器件。
還有另一種用于形成多色像素化的OEL顯示器的方法，該方法(例如)從三種不同的供體上使紅光、綠光及藍(lán)光發(fā)光體形成圖形，然后以獨(dú)立的步驟，從單一供體元件上使所有陰極(和可任選的電子傳輸層)形成圖形。這樣，每個OEL器件通過至少兩次熱轉(zhuǎn)印形成圖形，第一次使發(fā)光體部分(和可任選的粘合劑層、緩沖層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層等)形成圖形，第二次使陰極部分(和可任選的電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層等)形成圖形。
在兩個或多個供體元件(例如，發(fā)光體供體及陰極供體)之間分開器件的層的一個優(yōu)點(diǎn)是無論是對于無源矩陣還是對于有源矩陣顯示器結(jié)構(gòu)來說，同樣的供體元件都可用來使OEL器件的發(fā)光體部分形成圖形。一般來說，有源矩陣顯示器具有能在所有器件上沉積的公用陰極。對于這種結(jié)構(gòu)，可以不必?zé)徂D(zhuǎn)印具有陰極的發(fā)光體疊堆，而且可能需要具有缺少陰極的轉(zhuǎn)印疊堆。對于無源矩陣顯示器，缺少陰極的供體可用來轉(zhuǎn)印每個發(fā)光體部分(如果需要多色，對每一種顏色使用不同的供體)，隨后，對于每個器件，從同樣的獨(dú)立的供體元件形成陰極圖形?；蛘?，無源矩陣顯示器的陰極可使用由Y.-H Tak等人在Synthetic Metals，138497(2003)中所描述的方法形成圖形，其中公用的陰極被施加至基板上，隨后通過激光燒蝕工藝分離該陰極。因此，對于各種不同的顯示器結(jié)構(gòu)，可使用各種不同的發(fā)光體供體。
本發(fā)明的另一個優(yōu)點(diǎn)是(例如)OEL器件可根據(jù)所述方法轉(zhuǎn)印并圖形化，以形成具有不同的或不兼容類型的發(fā)光體材料的相鄰器件。例如，發(fā)紅光的有機(jī)小分子器件(例如，使用活性的汽相沉積的小分子層)可在與發(fā)藍(lán)光的發(fā)光聚合物器件(例如，使用活性的經(jīng)溶液涂覆的發(fā)光聚合物層)相同的受體上形成圖形。這使得可以基于功能性(例如，亮度、效率、壽命、電導(dǎo)率、形成圖形后的物理性質(zhì)(例如，撓性等))、而不是基于對于在相同或相鄰器件中的其它材料所用的具體涂覆技術(shù)及/或圖形形成技術(shù)的兼容性，而得到選擇發(fā)光體(及其它器件層材料)的靈活性。在OEL顯示器中為不同顏色器件選擇不同類型發(fā)光體材料的能力能夠在選擇補(bǔ)充性器件特性中提供更大的靈活性。當(dāng)用于一個OEL器件的優(yōu)選發(fā)光體材料與用于另一個OEL器件的優(yōu)選發(fā)光體材料不相容時，使用不同類型發(fā)光體的能力也變得重要了。
基板可為適合具體應(yīng)用的任何物品，其包括(但不限于)透明膜、顯示器黑矩陣、電子顯示器的無源部分及有源部分(例如，電極、薄膜晶體管、有機(jī)晶體管等)、金屬、半導(dǎo)體、玻璃、各種紙張及塑料?？捎糜诒景l(fā)明的基板的非限定性例子包括陽極化鋁及其它金屬、塑料膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯)、涂覆氧化銦錫的塑料膜、玻璃、涂覆氧化銦錫的玻璃、撓性電路、電路板、硅或其它半導(dǎo)體及各種不同類型的紙張(例如，加填料的或未加填料的、蠟光的、或經(jīng)涂覆的)。對于OEL顯示器，通常根據(jù)顯示器是頂部發(fā)光顯示器(一個或多個發(fā)光體層位于觀察者及基板之間)還是底部發(fā)光顯示器(基板位于觀察者及發(fā)光體層之間)還是既是頂部發(fā)光又是底部發(fā)光的顯示器來決定使用的基板類型。對于頂部發(fā)光顯示器，基板不必是透明的。對于底部發(fā)光顯示器，通常需要透明的基板。
當(dāng)基板用作受體(例如，用作經(jīng)熱轉(zhuǎn)印的層的受體)時，各種不同的層(例如，粘合劑層)可被涂覆至基板上，以方便轉(zhuǎn)印層向受體的轉(zhuǎn)印。其它層可被涂覆至基板上，以形成多層器件中的一部分。例如，可用具有金屬及/或?qū)щ娪袡C(jī)陽極或陰極的基板形成OEL或其它電子器件，其中所述陽極或陰極在轉(zhuǎn)印層從熱轉(zhuǎn)印元件轉(zhuǎn)印之前已形成在基板上。可通過以下方法來形成陽極或陰極(例如)在基板上沉積一個或多個導(dǎo)電層，并且使用任何合適的方法(例如，光刻技術(shù)或本文所教導(dǎo)的熱轉(zhuǎn)印技術(shù))使所述層圖形化地形成為一個或多個陽極或陰極。
對于使多層器件形成圖形的特別有用的基板是這樣一種基板，這種基板具有公用電極或電極圖形以及在至少一部分所述電極上的絕緣層圖形。絕緣層可以被設(shè)置成與多層器件邊緣的預(yù)期位置對應(yīng)的圖形形式，以有助于防止受體電極與隨多層疊堆一起轉(zhuǎn)印的或在多層疊堆上轉(zhuǎn)印的相反電極之間的電短路。這在無源矩陣顯示器中特別有用。此外，在有源矩陣顯示器結(jié)構(gòu)中，絕緣層有助于把有源矩陣的晶體管與公用電極隔開，其中公用電極是常設(shè)的。這有助于阻止能降低器件效率的泄漏電流及寄生電容。
電致發(fā)光(EL)器件向觀察者位置發(fā)射光，并且可表征為“底部陽極”或“頂部陽極”。術(shù)語“底部陽極”及“頂部陽極”指出陽極、基板及陰極之間的相對位置。在“底部陽極”器件中，陽極位于基板及陰極之間。在“頂部陽極”器件中，陰極位于陽極及基板之間。在本文所述的一些實(shí)施方案中，基板可為受體或受體的一部分(例如，用于經(jīng)熱轉(zhuǎn)印的材料的受體)。
底部陽極及頂部陽極器件還可表征為“底部發(fā)光”或“頂部發(fā)光”。術(shù)語“底部發(fā)光”及“頂部發(fā)光”指出基板、一個或多個發(fā)光體層及觀察者之間的相對位置。無論“觀察者”為觀看人、屏幕、光學(xué)部件、電子器件等，觀察者的位置一般都指所發(fā)出的光的預(yù)期目的地。在底部發(fā)光EL器件中，透明的或半透明的基板位于一個或多個發(fā)光體層與觀察者之間。在反向或頂部發(fā)光的結(jié)構(gòu)中，一個或多個發(fā)光體層位于基板與觀察者之間。
一般來說，對本文所披露的器件結(jié)構(gòu)以簡化方式進(jìn)行闡明，以作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的例子。在特定器件的結(jié)構(gòu)中可能需要包括一個或多個附加層，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，本文圖示說明的器件結(jié)構(gòu)不應(yīng)當(dāng)只被局限于本文描述的特定層，而應(yīng)當(dāng)廣義地理解為包括所需的附加層。
現(xiàn)在討論附圖，圖1A至圖1C圖示說明了本發(fā)明電致發(fā)光器件的組件，具體而言，其為“底部陽極”結(jié)構(gòu)。
包含第一發(fā)光體(例如，發(fā)紅光、綠光或藍(lán)光)的一個或多個圖形化發(fā)光體層130被設(shè)置在受體120上，受體120可為陽極或與陽極相連的層。在一些實(shí)施方案中，圖形化發(fā)光體層130包含非揮發(fā)性組分，該非揮發(fā)性組分可與第一發(fā)光體相同或不同。在一些實(shí)施方案中，通過向受體120選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第一發(fā)光體的部分轉(zhuǎn)印層而將圖形化發(fā)光體層130設(shè)置在受體120上，以形成圖形化發(fā)光體層130。
參照圖1B，可任選的是，包含附加發(fā)光體的一個或多個附加圖形化發(fā)光體層140可被設(shè)置在受體120上。在一些實(shí)施方案中，圖形化發(fā)光體層140可包含非揮發(fā)性組分，該非揮發(fā)性組分可與附加發(fā)光體相同或不同。在一些實(shí)施方案中，通過選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含附加發(fā)光體的一個或多個附加轉(zhuǎn)印層的某些部分而將附加圖形化發(fā)光體層140設(shè)置在受體120上。優(yōu)選的是，附加發(fā)光體與第一發(fā)光體發(fā)出的光顏色不同。
參照圖1C，隨后把包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以形成非圖形化的發(fā)光體層150(例如，發(fā)紅光、綠光或藍(lán)光)。優(yōu)選的是，第二發(fā)光體150與第一發(fā)光體層130及任何附加發(fā)光體層140發(fā)出光的顏色不同。
在一些實(shí)施方案中，受體120易受溶劑影響。受體120還可為(例如)空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層、介質(zhì)層、鈍化層或其組合。受體120可與(例如)陽極110相連，陽極110優(yōu)選是圖形化的。附加層可設(shè)置在受體120及陽極110之間。例如，如果受體120為空穴傳輸層，空穴注入層114就可設(shè)置在受體120及陽極110之間。此外，陽極110可與基板105相連。
非圖形化的發(fā)光體層150還可為(例如)可任選(例如，用熒光染料或磷光染料)摻雜的電子傳輸層、可任選(例如，用熒光染料或磷光染料)摻雜的空穴阻擋層或其組合。陰極160可設(shè)置在非圖形化的發(fā)光體層150上。
對于電致發(fā)光器件為底部發(fā)光器件的實(shí)施方案，陽極110及基板105是透明的，陰極160優(yōu)選是不透明的。
對于電致發(fā)光器件為頂部發(fā)光器件的實(shí)施方案，陰極160是透明的，陽極110及/或基板105優(yōu)選是不透明的。
基板105、陽極110及陰極160都透明的結(jié)構(gòu)被視為既為頂部發(fā)光又為底部發(fā)光。
圖2A至圖2C圖示說明了本發(fā)明電致發(fā)光器件的組件，具體而言，其為“頂部陽極”結(jié)構(gòu)。
提供包含第一發(fā)光體(例如，發(fā)紅光、綠光或藍(lán)光)的非圖形化的層220。將包含第二發(fā)光體的一個或多個圖形化發(fā)光體層230設(shè)置在非圖形化的發(fā)光體層220上。在一些實(shí)施方案中，圖形化發(fā)光體層230包含非揮發(fā)性組分，該非揮發(fā)性組分可與第二發(fā)光體相同或不同。在一些實(shí)施方案中，通過向非圖形化的發(fā)光體層220選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第二發(fā)光體的部分轉(zhuǎn)印層而將圖形化發(fā)光體層230設(shè)置在非圖形化的發(fā)光體層220上，從而形成圖形化發(fā)光體層230。
參照圖2B，可任選的是，可將包含附加發(fā)光體的一個或多個附加圖形化發(fā)光體層240設(shè)置在非圖形化的發(fā)光體層220上。在一些實(shí)施方案中，圖形化發(fā)光體層240可包含非揮發(fā)性組分，該非揮發(fā)性組分可與附加發(fā)光體相同或不同。在一些實(shí)施方案中，通過選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含附加發(fā)光體的一個或多個附加轉(zhuǎn)印層的某些部分而將附加圖形化發(fā)光體層240設(shè)置在非圖形化的發(fā)光體層220上。優(yōu)選的是，附加發(fā)光體與第一發(fā)光體及第二發(fā)光體發(fā)出的光顏色不同。
參照圖2C，可任選的是，可將陽極250設(shè)置在圖形化發(fā)光體層230及(如果存在的話)附加圖形化發(fā)光體層240上?？蓪⒏郊訉釉O(shè)置在陽極250與圖形化發(fā)光體層230及(如果存在的話)圖形化發(fā)光體層240之間。例如，可將空穴傳輸層、空穴注入層或電子阻擋層244設(shè)置在陽極250與圖形化發(fā)光體層230及(如果存在的話)發(fā)光體層240之間。
在一些實(shí)施方案中，非圖形化的發(fā)光體層220是易受溶劑影響的。非圖形化的發(fā)光體層還可為(例如)可任選(例如用熒光染料或磷光染料)摻雜的電子傳輸層、可任選(例如用熒光染料或磷光染料)摻雜的空穴阻擋層、可任選(例如用熒光染料或磷光染料)摻雜的電子注入層及其組合。非圖形化的發(fā)光體層220可與(例如)陰極210相連，陰極210優(yōu)選是圖形化的。此外，陰極210可與(例如)基板205相連。
對于電致發(fā)光器件為底部發(fā)光器件的實(shí)施方案，陰極210是透明的，基板205(如果存在的話)是透明的，陽極250優(yōu)選是不透明的。
對于電致發(fā)光器件為頂部發(fā)光器件的實(shí)施方案，陽極250是透明的，陰極210及/或基板205優(yōu)選是不透明的。
基板205、陽極250及陰極210都透明的結(jié)構(gòu)被視為既為頂部發(fā)光又為底部發(fā)光。
在圖1A至圖1C及圖2A至圖2C中示意性示出的器件優(yōu)選通過向陽極及陰極提供信號而發(fā)光。優(yōu)選的是，信號可以尋址到發(fā)光體，隨后該發(fā)光體發(fā)光。一般來說，可使用上文所定義的有源或無源尋址方案對像素或亞像素陣列進(jìn)行尋址。全色顯示器及可調(diào)諧發(fā)光器件都可在本發(fā)明的范圍內(nèi)。全色顯示器通常使用三種發(fā)光體，每一種發(fā)光體發(fā)射不同顏色的光，諸如紅光、綠光及藍(lán)光。可調(diào)諧發(fā)光器件通常使用兩種發(fā)光體，每一種發(fā)光體發(fā)射不同顏色的光?？赏ㄟ^向像素內(nèi)的每個亞像素提供電流而啟動器件。電流與亞像素之比的變化將會影響像素發(fā)出的光的顏色及亮度。
實(shí)施例參照以下非限定性實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行說明，并且將更全面地了解本發(fā)明。具體的實(shí)施例、材料、用量及步驟均被廣義地理解為符合如本文所闡述的本發(fā)明的范圍及實(shí)質(zhì)。
除非另有說明，所有份都是按重量計(jì)算的份，所有比率及百分率都是按重量計(jì)算的。為了簡單起見，在實(shí)施例中使用各種不同的縮寫，并且這些縮寫都具有指定的含義，并且/或者描述了如下表所注解的可市購到的材料。





除非另有說明，在上表中未指出的材料均得自位于美國威斯康星州密爾沃基市的Aldrich Chemical公司。
供體膜的一般制備過程每個實(shí)施例中都使用供體膜，并且按照在此處一般制備過程中描述的內(nèi)容制備供體膜。通過混合3.55份Raven 760 Ultra、0.63份Butvar B-98、1.90份Joncryl 67、0.32份Disperbyk 161、0.09份FC表面活性劑、12.09份Ebecryl 629、8.06份Elvacite 2669、0.82份Irgacure 369、0.12份Irgacure 184、45.31份2-丁酮以及27.19份1，2-丙二醇一甲醚乙酸酯制備LTHC溶液。使用CAG-150型Yasui SeikiLab涂覆機(jī)將所述溶液涂覆至M7Q膜上，其中該涂覆機(jī)具有在每英寸上有110個螺旋單元的顯微凹版印刷輥(microgravure roll)。在80℃下直列干燥L(fēng)THC涂層并使用輻深紫外線系統(tǒng)公司(Fusion UVSystems Inc.)的600瓦D型燈泡(100％能量輸出，UVA 320至390nm)以6.1m/min的曝光速度對LTHC涂層進(jìn)行UV輻照固化。
通過混合14.85份SR 351HP、0.93份Butvar B-98、2.78份Joncryl67、1.25份Irgacure 369、0.19份Irgacure 184、48份2-丁酮以及32份1-甲氧基-2-丙醇制備中間層溶液。使用CAG-150型Yasui Seiki Lab涂覆機(jī)通過輪轉(zhuǎn)凹版印刷(rotogravure)方法將所述溶液涂覆至固化的LTHC層上，其中該涂覆機(jī)具有在直線上每英寸有180個螺旋單元的顯微凹版印刷輥。在60℃下直列干燥這個涂層，并且在輻深紫外線系統(tǒng)公司的600瓦D型燈泡(60％能量輸出，UVA 320至390nm)下以6.1m/min的速度使涂層通過UV輻射，而對該涂層進(jìn)行UV輻照固化。
實(shí)施例1實(shí)施例1舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體，以形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在該圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
受體的制備使用Puradisc過濾器過濾PEDOT兩次，然后將PEDOT旋涂至塊狀像素ITO玻璃基板上，以形成干厚度為40nm的層。在氮?dú)鈿夥罩?，?00℃烘烤涂覆后的玻璃基板5分鐘。使用甲醇，將涂覆后的層選擇性地從部分ITO區(qū)域除去，以形成連接受體與電源的接觸區(qū)域。
供體的制備將LEP(黃光發(fā)光體)與PS以1∶3的重量比混合，用HPLC級甲苯稀釋到1.58重量％，在70℃下加熱并攪拌，使用Puradisc過濾器過濾一次，然后旋涂至按照在一般制備過程中描述的內(nèi)容而制備的供體膜上，以形成干厚度為90nm的轉(zhuǎn)印層。
圖形化發(fā)光體層的選擇性熱轉(zhuǎn)印將來自供體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至受體上，以形成圖形化發(fā)光體層。使用功率為16瓦的兩個激光器進(jìn)行單向掃描，該掃描具有三角形的高頻振動圖形以及400KHz的頻率。所需線寬為100微米，節(jié)距為225微米，輻照劑量為0.650J/cm2。
非圖形化的發(fā)光體層的沉積在約10-5托的真空下，通過標(biāo)準(zhǔn)真空沉積技術(shù)將摻有約0.5-1重量％二萘嵌苯藍(lán)色染料的500厚的BALq層沉積到圖形化發(fā)光體層上，并且使用能阻止材料被沉積到連接至電源的ITO接觸區(qū)域上的陰影掩模。
陰極的沉積將由10厚的LiF膜及2000厚的鋁膜組成的雙層陰極先后沉積至非圖形化的發(fā)光體層上。在約10-6托的真空下，使用能允許陰極與受體上的ITO接觸區(qū)域相接觸的第二陰影掩模來進(jìn)行沉積。
與實(shí)施例1對應(yīng)的比較器件的制備制備與實(shí)施例1器件對應(yīng)的比較器件，以證明從圖形化發(fā)光體層發(fā)出的黃光未受到非圖形化的發(fā)光體層中存在二萘嵌苯藍(lán)色染料的影響。
比較器件具有與實(shí)施例1中所用的受體相似的受體。LEP(黃光發(fā)光體)與PS以1∶3的重量比混合，用HPLC級甲苯稀釋到1.58重量％，在70℃下加熱并攪拌，使用Puradisc過濾器過濾一次，然后立即旋涂到受體上至干厚度為90nm。這形成了在組成方面與實(shí)施例1中圖形化發(fā)光體層一致的非圖形化的發(fā)光體層。將涂覆后的層選擇性地從部分ITO區(qū)域除去，以形成連接受體與電源的接觸區(qū)域。
制備含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層，將該層沉積在非圖形化的發(fā)光體層上。更具體地說，在約10-5托的真空下，通過標(biāo)準(zhǔn)真空沉積技術(shù)將摻雜有約0.5-1重量％二萘嵌苯藍(lán)色染料的500厚的BAlq層沉積到非圖形化的發(fā)光體層上。使用陰影掩模防止材料被沉積到連接至電源的ITO接觸區(qū)域上。
依照用于實(shí)施例1中陰極的方法將陰極沉積在所述的含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層上。
電致發(fā)光光譜使用Keithley Source Meter 2400(得自位于美國俄亥俄州克利夫蘭市的Keithley Instruments公司)來驅(qū)動器件，并且使用Ocean OpticsFiber Optic熒光分光光度計(jì)(得自位于美國佛羅里達(dá)州Dunedin市的海洋光學(xué)(Ocean Optics)公司)在四個不同的器件電流密度(10、20、30及40mA/cm2)下記錄輸出結(jié)果，從而獲得實(shí)施例1及其比較器件的電致發(fā)光光譜。
實(shí)施例1顯示出由圖形化發(fā)光體層提供的黃光條紋及位于黃光條紋之間的由非圖形化的發(fā)光體層提供的藍(lán)光條紋所形成的圖形。然而，比較器件僅顯示出由非圖形化的發(fā)光體層提供的黃光區(qū)域而無藍(lán)光區(qū)域。因此，在兩個器件中，含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層實(shí)質(zhì)上只起到了電子傳輸?shù)淖饔?，其中該層被沉積在含黃光發(fā)光體的層(即，實(shí)施例1中圖形化發(fā)光體層及比較器件中非圖形化的發(fā)光體層)上而沒有從激子復(fù)合區(qū)域向含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層的顯著位移。這些器件也證明了光譜特性及驅(qū)動電流的CIE色坐標(biāo)之間的無關(guān)性。
實(shí)施例2實(shí)施例2舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體，以形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在該圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
受體的制備依照實(shí)施例1所用的方法制備受體。
供體的制備將PVK-4、MTDATA、PBD及Ir(btp)2(tmhd)(紅光發(fā)光體)以42∶28∶27∶3的重量比混合，然后用HPLC級甲苯稀釋到1.97重量％。將所得溶液通過Puradisc過濾器過濾兩次，然后旋涂至按照在一般制備過程中描述的內(nèi)容而制備的供體膜上，以形成干厚度為55nm的轉(zhuǎn)印層。
圖形化發(fā)光體層的選擇性熱轉(zhuǎn)印將來自供體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至受體上，以形成圖形化發(fā)光體層。使用功率為4瓦的一個激光器進(jìn)行單向掃描，該掃描具有三角形的高頻振動圖形以及400KHz的頻率。所需線寬為100微米，節(jié)距為225微米，輻照劑量為0.875J/cm2。
非圖形化的發(fā)光體層的沉積及陰極的沉積然后，依照實(shí)施例1中用于沉積非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極的方法，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極沉積在圖形化發(fā)光體層上。
與實(shí)施例2對應(yīng)的比較器件的制備制備與實(shí)施例2器件對應(yīng)的比較器件，以證明從圖形化發(fā)光體層發(fā)出的紅光未受到非圖形化的發(fā)光體層中存在二萘嵌苯藍(lán)色染料的影響。
比較器件具有與實(shí)施例2中所用的受體相似的受體。將PVK-4、MTDATA、PBD及Ir(btp)2(tmhd)(紅光發(fā)光體)以42∶28∶27∶3的重量比混合，然后用HPLC級甲苯稀釋到1.97重量％。將所得溶液通過Puradisc過濾器過濾兩次，然后旋涂到受體上至干厚度為50nm，以形成在組成方面與實(shí)施例2中圖形化發(fā)光體層一致的非圖形化的發(fā)光體層。將涂覆后的層選擇性地從部分ITO區(qū)域除去，以形成連接受體與電源的接觸區(qū)域。
制備含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層，并將其沉積在非圖形化的發(fā)光體層上。更具體地說，在約10-5托的真空下，通過標(biāo)準(zhǔn)真空沉積技術(shù)將摻雜有約0.5-1重量％二萘嵌苯藍(lán)色染料的500厚的BAlq層沉積到該非圖形化的發(fā)光體層上。使用陰影掩模防止材料被沉積到用于連接電源的ITO接觸區(qū)域上。
依照實(shí)施例2中用于陰極的方法將陰極涂覆至含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層上。
電致發(fā)光光譜使用Agilent E3612DC電源(得自位于美國加利福尼亞州帕洛阿爾托市的安捷倫技術(shù)公司)向器件供電，并且使用Nikon EclipseTE300倒置光學(xué)顯微鏡(得自位于日本東京市的尼康公司)顯微檢測電致發(fā)光，從而觀測實(shí)施例2及其比較器件的電致發(fā)光光譜。
實(shí)施例2顯示出由圖形化發(fā)光體層提供的紅光條紋及位于紅光條紋之間的由非圖形化的發(fā)光體層提供的藍(lán)光條紋所形成的圖形。然而，比較器件僅顯示出由非圖形化的發(fā)光體層提供的紅光區(qū)域而無藍(lán)光區(qū)域。因此，在兩個器件中，含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層實(shí)質(zhì)上只起到了電子傳輸?shù)淖饔?，其中該層被沉積在含紅光發(fā)光體的層(即，實(shí)施例2中圖形化發(fā)光體層及比較器件中非圖形化的發(fā)光體層)上而沒有從激子復(fù)合區(qū)域向含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層的顯著位移。
實(shí)施例3實(shí)施例3舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體，以形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。除了用Ir(ppy)2(tmhd)(綠光發(fā)光體)代替Ir(btp)2(tmhd)(紅光發(fā)光體)不同之外，依照實(shí)施例2的方法制備與實(shí)施例3對應(yīng)的比較器件的制備制備與實(shí)施例3器件對應(yīng)的比較器件，以證明從圖形化發(fā)光體層發(fā)出的綠光未受到非圖形化的發(fā)光體層中存在二萘嵌苯藍(lán)色染料的影響。除了用Ir(ppy)2(tmhd)(綠光發(fā)光體)代替Ir(btp)2(tmhd)(紅光發(fā)光體)不同之外，依照實(shí)施例2中用于比較器件的方法制備實(shí)施例3的比較器件。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例2中所述的方法，觀測實(shí)施例3及其比較器件的電致發(fā)光光譜。
實(shí)施例3顯示出由圖形化發(fā)光體層提供的綠光條紋及位于綠光條紋之間的由非圖形化的發(fā)光體層提供的藍(lán)光條紋所形成的圖形。然而，比較器件僅顯示出由非圖形化的發(fā)光體層提供的綠光區(qū)域而無藍(lán)光區(qū)域。因此，在兩個器件中，含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層實(shí)質(zhì)上只起到了電子傳輸?shù)淖饔?，其中該層被沉積在含綠光發(fā)光體的層(即，實(shí)施例3中圖形化發(fā)光體層及比較器件中非圖形化的發(fā)光體層)上而沒有從激子復(fù)合區(qū)域向含二萘嵌苯藍(lán)色染料的層的顯著位移。
實(shí)施例4實(shí)施例4舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體及第二發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體，以形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第三發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。第一發(fā)光體為實(shí)施例2的紅光發(fā)光體，第二發(fā)光體為實(shí)施例3的綠光發(fā)光體。
依照實(shí)施例1中所述的方法制備受體，并且根據(jù)實(shí)施例2(紅光發(fā)光體)及實(shí)施例3(綠光發(fā)光體)制備獨(dú)立的供體，每個供體都包含轉(zhuǎn)印層。除了節(jié)距為300微米不同之外，使用實(shí)施例2中所述的激光裝置，將含紅光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至受體上。除了節(jié)距為300微米不同之外，使用實(shí)施例2中所述的激光裝置，將含綠光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層也通過LITI成像至同一受體上。含綠光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層的起點(diǎn)相對于含紅光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層的起點(diǎn)移動了+100微米。
然后，使用實(shí)施例1中所述的沉積非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極的方法，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極沉積在含第一(紅光)發(fā)光體及第二(綠光)發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層上。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例2中所述的方法，觀測實(shí)施例4的電致發(fā)光光譜，該譜顯示出交替的紅光、綠光及藍(lán)光條紋的圖形，紅光、綠光發(fā)射圖形與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致。
實(shí)施例5實(shí)施例5舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體及第二發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體上，以在易受溶劑影響的層上形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第三發(fā)光體的層設(shè)置在該圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
受體的制備在HPLC級甲苯中制備5.0重量％的EL111T溶液，并且在加熱板上于70℃下攪拌EL111T溶液20分鐘。然后，通過Puradisc過濾器過濾該溶液，并且旋涂至條狀像素ITO玻璃上，以形成干厚度為160nm的易受溶劑影響的層。使用甲苯，將涂覆后的層選擇性地從部分ITO區(qū)域除去，以形成連接受體與電源的接觸區(qū)域。
供體的制備為了制備與第一發(fā)光體相應(yīng)的第一供體，將EL028T、Spiro-CF3-PBD及Ir(btp)2(tmhd)(紅光發(fā)光體)以45∶45∶10的重量比混合，用氯苯稀釋到1.35重量％，然后在加熱板上于70℃下攪拌20分鐘。將所得溶液通過Puradisc過濾器過濾一次，然后旋涂至按照在一般制備過程中描述的內(nèi)容而制備的供體膜上，以形成干厚度為50nm的轉(zhuǎn)印層。用相同的方法制備與第二發(fā)光體相應(yīng)的第二供體，但用綠光發(fā)光體Ir(ppy)3-S-C-l取代了紅光發(fā)光體。
圖形化發(fā)光體層的選擇性熱轉(zhuǎn)印將來自第一供體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至受體上，以形成圖形化發(fā)光體層。使用功率為4瓦的一個激光器進(jìn)行單向掃描，該掃描具有三角形的高頻振動圖形以及400KHz的頻率。所需線寬為110微米，節(jié)距為495微米，輻照劑量為0.85J/cm2。然后，使用相同的激光裝置，將來自第二供體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至同一受體上，以形成包含第一(紅光)發(fā)光體及第二(綠光)發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層。含綠光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層的起點(diǎn)相對于含紅光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層的起點(diǎn)移動了+165微米。
非圖形化的發(fā)光體層的沉積及陰極的沉積然后，依照實(shí)施例1中用于沉積非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極的方法，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極沉積在包含第一(紅光)發(fā)光體及第二(綠光)發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層上。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例2中所述的方法，觀測實(shí)施例5的電致發(fā)光光譜，該譜顯示出交替的紅光、綠光及藍(lán)光條紋的圖形，紅光、綠光發(fā)射圖形與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致。
實(shí)施例6實(shí)施例6舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體上，以在易受溶劑影響的層上形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
受體的制備在HPLC級甲苯中制備6.0重量％的2-mTNATA溶液，通過Puradisc過濾器過濾該溶液一次，然后旋涂至條狀像素ITO玻璃上，以形成干厚度為162nm的易受溶劑影響的層。使用甲苯，將涂覆后的層選擇性地從部分ITO區(qū)域除去，以形成連接受體與電源的接觸區(qū)域。
供體的制備將TAPC、TPOB(經(jīng)升華法提純)及Ir(ppy)2(tmhd)(綠光發(fā)光體)以45∶45∶10的重量比混合，用氯苯稀釋到1.78重量％，然后在加熱板上于70℃下攪拌20分鐘。將所得溶液通過Puradisc過濾器過濾一次，然后旋涂至按照在一般制備過程中描述的內(nèi)容而制備的供體膜上，以形成干厚度為45nm的轉(zhuǎn)印層。
圖形化發(fā)光體層的選擇性熱轉(zhuǎn)印將來自供體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至受體上，以形成與每隔一個ITO條紋重合的圖形化發(fā)光體層。使用功率為4瓦的一個激光器進(jìn)行單向掃描，該掃描具有三角形的高頻振動圖形以及400KHz的頻率。所需線寬為110微米，節(jié)距為330微米，輻照劑量為0.90J/cm2。
非圖形化的發(fā)光體層的沉積及陰極的沉積然后，依照實(shí)施例1中用于沉積非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極的方法，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極沉積在圖形化發(fā)光體層上。
用于實(shí)施例6的比較器件的制備為實(shí)施例6制備兩個比較器件。除了在對轉(zhuǎn)印層選擇性熱轉(zhuǎn)印時節(jié)距為165微米(從而形成與每個ITO條紋重合的圖形)不同之外，依照用于制備實(shí)施例6的方法制備第一比較器件。除了省略供體的制備步驟及轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印步驟這些不同之外，同樣依照實(shí)施例6中所用的方法制備第二比較器件。因此，在第二比較器件中，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層直接設(shè)置在易受溶劑影響的層上，并且沒有中間圖形化發(fā)光體層。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例2中所述的方法，觀測實(shí)施例6及其兩個比較器件的電致發(fā)光光譜。實(shí)施例6的器件顯示出交替的綠光及藍(lán)光條紋的圖形，綠光發(fā)射圖形與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致。第一比較器件顯示出與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致的綠光條紋圖形，并且第二比較器件顯示出與ITO條紋圖形一致的藍(lán)光條紋圖形。
實(shí)施例7實(shí)施例7舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體上，以在易受溶劑影響的層上形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
除了沉積在受體上的易受溶劑影響的層中的2-mTNATA由ST1693.S取代并且這層被施涂成具有140nm的干厚度這些不同之外，依照實(shí)施例6中所述的方法制備實(shí)施例7。除了在受體上的易受溶劑影響的層中所含的2-mTNATA替換為ST 1693.S不同之外，同樣依照實(shí)施例6中所述的方法制備用于實(shí)施例7的兩個比較器件。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例6中所述的方法，觀測實(shí)施例7及其兩個比較器件的電致發(fā)光光譜。實(shí)施例7的器件顯示出交替的綠光及藍(lán)光條紋的圖形，綠光發(fā)射圖形與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致。第一比較器件顯示出與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致的綠光條紋圖形，并且第二比較器件顯示出與ITO條紋圖形一致的藍(lán)光條紋圖形。
實(shí)施例8
實(shí)施例8舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體上，以在易受溶劑影響的層上形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
受體的制備在氯苯中制備5.0重量％的ST 755.S溶液，在加熱板上于70℃下攪拌20分鐘，通過Puradisc過濾器過濾一次，然后旋涂至條狀像素ITO玻璃上。在氮?dú)鈿夥罩?，?0℃烘烤涂覆后的ITO玻璃10分鐘，以形成干厚度為126nm的易受溶劑影響的層。使用甲苯，將涂覆后的層選擇性地從部分ITO區(qū)域除去，以形成連接受體與電源的接觸區(qū)域。
供體的制備將ST 755.S、TPOB(經(jīng)升華法提純)及Ir(btp)2(tmhd)(紅光發(fā)光體)以44.26∶44.26∶11.5的重量比混合，用氯苯稀釋到1.71重量％，然后在加熱板上于70℃下攪拌20分鐘。將所得溶液通過Puradisc過濾器過濾一次，然后旋涂至按照在一般制備過程中描述的內(nèi)容而制備的供體膜上，以在氮?dú)鈿夥罩性?0℃烘烤10分鐘后形成干厚度為45nm的轉(zhuǎn)印層。
用于實(shí)施例8的比較器件的制備為實(shí)施例8制備兩個比較器件。使用功率為4瓦的一個激光器進(jìn)行單向掃描(該掃描具有三角形的高頻振動圖形以及400KHz的頻率)，通過使轉(zhuǎn)印層從供體向受體成像而制備第一比較器件。所需線寬為110微米，節(jié)距為165微米，輻照劑量為0.90J/cm2，從而形成與每個ITO條紋重合的成像圖形。然后，依照實(shí)施例1中用于沉積非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極的方法，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極沉積在圖形化發(fā)光體層上。
除了省略供體的制備步驟及轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印步驟這些不同之外，同樣依照實(shí)施例8中所用的方法制備第二比較器件。因此，在第二比較器件中，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層直接設(shè)置在易受溶劑影響的層上，并且沒有中間圖形化發(fā)光體層。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例2中所述的方法，觀測實(shí)施例8及其兩個比較器件的電致發(fā)光光譜。第一比較器件顯示出與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致的紅光條紋圖形，第二比較器件顯示出與ITO條紋圖形一致的藍(lán)光條紋圖形。
實(shí)施例9實(shí)施例9舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體上，以在易受溶劑影響的層上形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
除了沉積在受體上的易受溶劑影響的層中的ST 755.S由ST1693.S取代并且這層被施涂成具有140nm的干厚度這些不同之外，依照實(shí)施例8中所述的方法制備實(shí)施例9。另外，在甲苯中制備6.0重量％的ST 1693.S溶液，然后在過濾及旋涂之前，在環(huán)境條件下攪拌5分鐘。除了沉積在受體上的易受溶劑影響的層中所含的ST 755.S替換為ST 1693.S不同之外，依照實(shí)施例8所述的方法制備為實(shí)施例9的兩個比較器件。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例6中所述的方法，觀測這兩個比較器件的電致發(fā)光光譜。第一比較器件顯示出與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致的紅光條紋圖形，第二比較器件顯示出與ITO條紋圖形一致的藍(lán)光條紋圖形。
實(shí)施例10
實(shí)施例10舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體及第二發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體上，以在易受溶劑影響的層上形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第三發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
受體的制備在氯苯中制備5.0重量％的ST 755.S溶液，在加熱板上于70℃下攪拌20分鐘，通過Puradisc過濾器過濾，然后旋涂至條狀像素ITO玻璃上。在氮?dú)鈿夥罩?，?0℃烘烤涂覆后的ITO玻璃10分鐘，以形成干厚度為126nm的易受溶劑影響的層。使用甲苯，將涂覆后的層選擇性地從部分ITO區(qū)域除去，以形成連接受體與電源的接觸區(qū)域。
供體的制備為了制備與第一發(fā)光體相應(yīng)的第一供體，將ST 755.S、TPOB及Ir(btp)2(tmhd)(紅光發(fā)光體)以44.26∶44.26∶11.5的重量比混合，用氯苯稀釋到1.71重量％，然后在加熱板上于70℃下攪拌20分鐘。將所得溶液通過Puradisc過濾器過濾一次，然后旋涂至按照在一般制備過程中描述的內(nèi)容而制備的供體膜上，以在氮?dú)鈿夥罩性?0℃的烘箱中烘烤10分鐘后形成干厚度為45nm的轉(zhuǎn)印層。用相同的方法制備與第二發(fā)光體相應(yīng)的第二供體，但用綠光發(fā)光體Ir(ppy)2(tmhd)取代了紅光發(fā)光體。
圖形化發(fā)光體層的選擇性熱轉(zhuǎn)印將來自第一供體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至受體上，以形成圖形化發(fā)光體層。使用功率為4瓦的一個激光器進(jìn)行單向掃描，該掃描具有三角形的高頻振動圖形以及400KHz的頻率。所需線寬為110微米，節(jié)距為495微米，輻照劑量為0.90J/cm2。然后，使用相同的激光裝置，將來自第二供體的轉(zhuǎn)印層通過LITI成像至同一受體上，以形成包含第一(紅光)發(fā)光體及第二(綠光)發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層。含綠光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層的起點(diǎn)相對于含紅光發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層的起點(diǎn)移動了+165微米。
非圖形化的發(fā)光體層的沉積及陰極的沉積然后，依照實(shí)施例1中用于沉積非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極的方法，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極沉積在包含第一(紅光)發(fā)光體及第二(綠光)發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層上。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例2中所述的方法，觀測實(shí)施例10的電致發(fā)光光譜，該譜顯示出交替的紅光、綠光及藍(lán)光條紋的圖形，紅光、綠光發(fā)射圖形與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致。
實(shí)施例11實(shí)施例11舉例說明了根據(jù)本發(fā)明制造電致發(fā)光器件的方法，其中將包含第一發(fā)光體的轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至受體上，以在易受溶劑影響的層上形成圖形化發(fā)光體層，并且將包含第二發(fā)光體的層設(shè)置在圖形化發(fā)光體層上，以提供非圖形化的發(fā)光體層。
電致發(fā)光器件的制備根據(jù)實(shí)施例1所述的方法制備供體，并且將轉(zhuǎn)印層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印至含易受溶劑影響的層的受體上，以形成圖形化發(fā)光體層，該受體是根據(jù)實(shí)施例9中所述的方法制備的。使用功率為16瓦的兩個激光器進(jìn)行單向掃描，該掃描具有三角形的高頻振動圖形以及400KHz的頻率。所需線寬為110微米，節(jié)距為165微米，輻照劑量為0.650J/cm2。然后，依照實(shí)施例1中用于沉積非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極的方法，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層及雙層陰極沉積在圖形化發(fā)光體層上。
用于實(shí)施例11的比較器件的制備除了省略供體的制備步驟及轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印步驟這些不同之外，同樣依照實(shí)施例11中所用的方法制備比較器件。因此，將含二萘嵌苯藍(lán)色染料的非圖形化的發(fā)光體層直接設(shè)置在易受溶劑影響的層上，并且沒有中間圖形化發(fā)光體層。
電致發(fā)光光譜使用實(shí)施例2中所述的方法，觀測實(shí)施例11及其比較器件的電致發(fā)光光譜。實(shí)施例11的器件顯示出交替的黃光及藍(lán)光條紋的圖形，黃光發(fā)射圖形與通過經(jīng)LITI的選擇性熱轉(zhuǎn)印而形成圖形的區(qū)域一致。比較器件顯示出與ITO條紋圖形一致的藍(lán)光條紋圖形。
本文引用的所有專利、專利申請、出版物以及可獲得的電子材料所披露的內(nèi)容均以引用的方式并入本文。提供前述詳細(xì)的描述及實(shí)施例僅為清楚地理解本發(fā)明。應(yīng)該理解，對于本發(fā)明，這些描述和實(shí)施例沒有不必要的限制。而且，本發(fā)明并不局限于本文所顯示及所描述的具體細(xì)節(jié)，本發(fā)明的各種變化對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，這些變化都包括在本發(fā)明由權(quán)利要求書所界定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造電致發(fā)光器件的方法，該方法包括以下步驟向受體選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第一發(fā)光體的部分轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述受體上的包含所述第一發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層；以及在所述圖形化發(fā)光體層及所述受體上設(shè)置包含第二發(fā)光體的層，以形成包含所述第二發(fā)光體的非圖形化的發(fā)光體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括以下步驟在形成所述非圖形化的發(fā)光體層之前，向所述受體選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第三發(fā)光體的部分第二轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述受體上的包含所述第三發(fā)光體的第二圖形化發(fā)光體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述受體為陽極、空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層、介質(zhì)層、鈍化層、基板或其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述非圖形化的發(fā)光體層為無摻雜的電子傳輸層、摻雜的電子傳輸層、無摻雜的空穴阻擋層、摻雜的空穴阻擋層或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述受體為空穴傳輸層并與陽極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述器件還具有設(shè)置在所述空穴傳輸層及所述陽極之間的空穴注入層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在所述非圖形化的發(fā)光體層上設(shè)置陰極的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述受體是易受溶劑影響的。
9.一種制造電致發(fā)光器件的方法，該方法包括以下步驟提供包含第一發(fā)光體的非圖形化的層；以及向所述非圖形化的發(fā)光體層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第二發(fā)光體的部分轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述非圖形化的發(fā)光體層上的包含所述第二發(fā)光體的圖形化發(fā)光體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括以下步驟向所述非圖形化的發(fā)光體層選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含第三發(fā)光體的部分第二轉(zhuǎn)印層，以形成設(shè)置在所述非圖形化的發(fā)光體層上的包含所述第三發(fā)光體的第二圖形化發(fā)光體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述非圖形化的發(fā)光體層為無摻雜的電子傳輸層、摻雜的電子傳輸層、無摻雜的空穴阻擋層、摻雜的空穴阻擋層、無摻雜的電子注入層、摻雜的電子注入層或其組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，所述方法還包括在所述圖形化發(fā)光體層及所述非圖形化的發(fā)光體層上設(shè)置陽極的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述器件還具有設(shè)置在所述圖形化發(fā)光體層及所述陽極之間的空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層或其組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述非圖形化的發(fā)光體層的與所述圖形化發(fā)光體層相背對的一側(cè)與陰極相連。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述非圖形化的發(fā)光體層是易受溶劑影響的。
16.一種制造電致發(fā)光器件的方法，該方法包括以下步驟提供易受溶劑影響的層；在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第一發(fā)光體及非揮發(fā)性組分的圖形化層，所述非揮發(fā)性組分與所述第一發(fā)光體相同或不同；以及在所述圖形化層及所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第二發(fā)光體的層，以形成包含所述第二發(fā)光體的非圖形化的發(fā)光體層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，設(shè)置所述圖形化層的步驟包括選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含所述第一發(fā)光體及所述非揮發(fā)性組分的部分轉(zhuǎn)印層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括以下步驟在形成所述非圖形化的發(fā)光體層之前，在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第三發(fā)光體的第二圖形化層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，設(shè)置所述第二圖形化層的步驟包括選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含所述第三發(fā)光體的部分第二轉(zhuǎn)印層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第二轉(zhuǎn)印層還包含非揮發(fā)性組分。
21.一種制造電致發(fā)光器件的方法，該方法包括以下步驟提供包含第一發(fā)光體的、易受溶劑影響的、非圖形化的層；以及在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第二發(fā)光體及非揮發(fā)性組分的圖形化層，所述非揮發(fā)性組分與所述第二發(fā)光體相同或不同。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，設(shè)置所述圖形化層的步驟包括選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含所述第二發(fā)光體及所述非揮發(fā)性組分的部分轉(zhuǎn)印層。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，所述方法還包括在所述易受溶劑影響的層上設(shè)置包含第三發(fā)光體的第二圖形化層的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，設(shè)置所述第二圖形化層的步驟包括選擇性地?zé)徂D(zhuǎn)印包含所述第三發(fā)光體的部分第二轉(zhuǎn)印層。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述第二轉(zhuǎn)印層還包含非揮發(fā)性組分。
26.一種電致發(fā)光器件，該器件具有易受溶劑影響的層；在所述易受溶劑影響的層上的圖形化層，其中，所述圖形化層包含第一發(fā)光體及非揮發(fā)性組分，所述非揮發(fā)性組分與所述第一發(fā)光體相同或不同；以及包含第二發(fā)光體的非圖形化的層，所述非圖形化的層被設(shè)置在所述圖形化發(fā)光體層及所述易受溶劑影響的層上。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中，所述圖形化層還包含第三發(fā)光體。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，所述器件還具有設(shè)置在所述易受溶劑影響的層上的第二圖形化層，其中所述第二圖形化層包含第三發(fā)光體。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中，所述易受溶劑影響的層為空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層、介質(zhì)層、鈍化層或其組合。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中，所述非圖形化的發(fā)光體層為無摻雜的電子傳輸層、摻雜的電子傳輸層、無摻雜的空穴阻擋層、摻雜的空穴阻擋層、無摻雜的電子注入層、摻雜的電子注入層或其組合。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，所述器件還具有與所述易受溶劑影響的層相連的陽極。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的器件，所述器件還具有與所述非圖形化的發(fā)光體層相連的陰極。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的器件，所述器件還具有設(shè)置在所述陽極及所述易受溶劑影響的層之間的空穴注入層、電子阻擋層或其組合。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的器件，其中，所述陰極是不透明的，所述陽極是透明的，并且所述器件可通過所述透明的陽極發(fā)射光。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的器件，其中，所述陰極是透明的，所述陽極是不透明的，并且所述器件可通過所述透明的陰極發(fā)射光。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的器件，其中，所述陰極是透明的，所述器件還具有與所述陽極相連的不透明的基板，并且所述器件可通過所述透明的陰極發(fā)射光。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的器件，其中，所述陰極是透明的，所述陽極是透明的，并且所述器件可通過所述透明的陰極及所述透明的陽極發(fā)射光。
38.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中，所述非圖形化的發(fā)光體層是易受溶劑影響的。
39.一種產(chǎn)生光的方法，該方法包括以下步驟提供由權(quán)利要求32限定的電致發(fā)光器件；以及向所述陽極及所述陰極提供信號，其中，所述信號可以尋址到發(fā)光體，隨后所述發(fā)光體發(fā)光。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述器件為有源尋址器件或無源尋址器件。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述器件為全色顯示器或可調(diào)諧發(fā)光器件。
全文摘要
本發(fā)明披露了電致發(fā)光器件及其制造和使用方法。該電致發(fā)光器件在易受溶劑影響的層上具有圖形化層。該電致發(fā)光器件可用作(例如)全色顯示器。
文檔編號B41M5/40GK1839666SQ200480024063
公開日2006年9月27日 申請日期2004年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月22日
發(fā)明者馬丁·B·沃克, 萊斯莉·A·克萊利奇, 謝爾蓋·A·拉曼斯基, 約翰·P·貝茨爾德 申請人:3M創(chuàng)新有限公司