加工裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有保持構(gòu)件的加工裝置，上述保持構(gòu)件具有輕量且容易裝卸的保持工作臺(tái)。提供一種加工裝置，其具有：保持構(gòu)件，其用于保持被加工物；加工構(gòu)件，其用于對(duì)保持在保持構(gòu)件上的被加工物實(shí)施加工；以及加工進(jìn)給構(gòu)件，其用于對(duì)保持構(gòu)件與加工構(gòu)件在加工進(jìn)給方向相對(duì)地進(jìn)行加工進(jìn)給，保持構(gòu)件由以下部分構(gòu)成：保持工作臺(tái)，其具有吸引保持被加工物的吸引區(qū)域和圍繞吸引區(qū)域的外周區(qū)域；以及支撐基座，其支撐保持工作臺(tái)并使保持工作臺(tái)能夠裝卸，且將吸引力傳遞至上述吸引區(qū)域，保持工作臺(tái)由多孔陶瓷構(gòu)成，并且在除吸引區(qū)域以外的區(qū)域施加有鍍層。
【專利說(shuō)明】加工裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于加工晶片等被加工物的切削裝置、激光加工裝置或磨削裝置等加
工裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件制造工序中，通過(guò)呈格子狀地排列的稱為間隔道的分割預(yù)定線在大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的正面劃分出多個(gè)區(qū)域，在該劃分出的區(qū)域形成IC (集成電路)、LSI (大規(guī)模集成電路)等器件。并且，通過(guò)切削裝置或激光加工裝置等加工裝置沿著間隔道來(lái)切割半導(dǎo)體晶片從而制造出一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件。另外，為了謀求半導(dǎo)體器件的小型化以及輕量化，在沿著間隔道來(lái)切斷半導(dǎo)體晶片而分割成一個(gè)個(gè)器件之前，通過(guò)磨削裝置對(duì)半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削而形成為預(yù)定厚度。
[0003]例如，切削裝置或激光加工裝置等加工裝置具有:保持構(gòu)件，其具有保持晶片等被加工物的保持工作臺(tái)；加工構(gòu)件，其對(duì)保持在該保持構(gòu)件上的被加工物實(shí)施加工；以及加工進(jìn)給構(gòu)件，其對(duì)保持構(gòu)件與加工構(gòu)件在加工進(jìn)給方向相對(duì)地進(jìn)行加工進(jìn)給。這樣的加工裝置中的構(gòu)成保持被加工物的保持構(gòu)件的保持工作臺(tái)由以下部分構(gòu)成:保持區(qū)域，其用于吸引保持被加工物；以及框體，其具有圍繞該保持區(qū)域的外周區(qū)域。
[0004]為了通過(guò)與構(gòu)成切削裝置的切削構(gòu)件的切削刀具的電導(dǎo)通來(lái)設(shè)定原點(diǎn)位置，構(gòu)成像這樣構(gòu)成的保持工作臺(tái)的框體由不銹鋼等金屬材料形成(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0005]現(xiàn)有專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2005-142202號(hào)公報(bào)
[0007]但是，近年，為了提升半導(dǎo)體器件制造中的生產(chǎn)率，晶片的直徑有從300毫米大口徑化為450毫米的趨勢(shì)，與此對(duì)應(yīng)地，保持晶片的保持工作臺(tái)也需要大口徑化。與直徑為300毫米的晶片對(duì)應(yīng)的保持工作臺(tái)的重量為10千克左右，而與直徑為450毫米的晶片對(duì)應(yīng)的保持工作臺(tái)的重量為超過(guò)20千克的分量。在加工晶片時(shí)與晶片的種類對(duì)應(yīng)地更換為最適合的保持工作臺(tái)，但是如上所述，當(dāng)保持工作臺(tái)的重量超過(guò)20千克時(shí)存在以下問(wèn)題:一個(gè)人難以裝卸保持工作臺(tái)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成的發(fā)明，其主要的技術(shù)課題在于提供一種具有保持構(gòu)件的加工裝置，上述保持構(gòu)件具有輕量且裝卸容易的保持工作臺(tái)。
[0009]為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明提出了這樣的加工裝置，其具有:保持構(gòu)件，其用于保持被加工物；加工構(gòu)件，其用于對(duì)保持在上述保持構(gòu)件上的被加工物實(shí)施加工；以及加工進(jìn)給構(gòu)件，其用于對(duì)上述保持構(gòu)件與上述加工構(gòu)件在加工進(jìn)給方向相對(duì)地進(jìn)行加工進(jìn)給，
[0010]上述加工裝置的特征在于，
[0011]上述保持構(gòu)件由以下部分構(gòu)成:保持工作臺(tái)，其具有吸引保持被加工物的吸引區(qū)域和圍繞上述吸引區(qū)域的外周區(qū)域；以及支撐基座，其支撐上述保持工作臺(tái)并使上述保持工作臺(tái)能夠裝卸，且將吸引力傳遞至上述吸引區(qū)域，
[0012]上述保持工作臺(tái)由多孔陶瓷構(gòu)成，并且在除上述吸引區(qū)域以外的區(qū)域施加有鍍層。
[0013]從吸引區(qū)域的上表面帶有預(yù)定階梯差地形成上述外周區(qū)域的上表面，具有相當(dāng)于上述階梯差的厚度并與吸引區(qū)域的外周配合的金屬環(huán)被配設(shè)在外周區(qū)域。
[0014]發(fā)明效果
[0015]由于基于本發(fā)明的加工裝置中的構(gòu)成保持被加工物的保持構(gòu)件的保持工作臺(tái)由多孔陶瓷構(gòu)成，所以與以往使用的不銹鋼的保持工作臺(tái)相比較非常輕，因此，即使一名作業(yè)員也能夠容易地實(shí)施裝卸作業(yè)。
[0016]另外，由于保持工作臺(tái)在除吸引區(qū)域以外的區(qū)域形成有鍍層，所以當(dāng)保持工作臺(tái)應(yīng)用到切削裝置時(shí)，能夠設(shè)定與構(gòu)成切削構(gòu)件的切削刀具的電氣通電的原點(diǎn)位置。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是基于本發(fā)明的作為根據(jù)本發(fā)明而構(gòu)成的加工裝置的切削裝置的立體圖。
[0018]圖2是分解表示裝備在圖1所示的切削裝置中的保持構(gòu)件的保持工作臺(tái)的立體圖。
[0019]圖3是裝備在圖1所示的切削裝置中的保持構(gòu)件的剖視圖。
[0020]圖4是在保持工作臺(tái)的除吸引區(qū)域以外的區(qū)域覆蓋鍍層的方法的說(shuō)明圖，上述保持工作臺(tái)構(gòu)成圖2以及圖3所示的保持構(gòu)件。
[0021]圖5是表示在保持工作臺(tái)的除吸引區(qū)域以外的區(qū)域覆蓋鍍層的其他方法的說(shuō)明圖，上述保持工作臺(tái)構(gòu)成圖2以及圖3所示的保持構(gòu)件。
[0022]圖6是表示將作為被加工物的半導(dǎo)體晶片粘貼到切割帶的表面的立體圖，上述切割帶裝配在環(huán)狀框架上。
[0023]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0024]2:靜止基座
[0025]3:被加工物保持機(jī)構(gòu)
[0026]4:保持構(gòu)件
[0027]41:支撐基座
[0028]42:保持工作臺(tái)
[0029]5:保持工作臺(tái)支撐機(jī)構(gòu)
[0030]53:加工進(jìn)給構(gòu)件
[0031]6:主軸支撐機(jī)構(gòu)
[0032]63:分度進(jìn)給構(gòu)件
[0033]7:主軸單元
[0034]72:主軸套
[0035]73:旋轉(zhuǎn)主軸
[0036]74:切削刀具
[0037]77:攝像構(gòu)件[0038]78:切入進(jìn)給構(gòu)件
[0039]10:半導(dǎo)體晶片
[0040]F:環(huán)狀的框架
[0041]T:切割帶
【具體實(shí)施方式】
[0042]以下，參照附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明而構(gòu)成的加工裝置的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0043]圖1表示作為根據(jù)本發(fā)明而構(gòu)成的加工裝置的切削裝置的立體圖。
[0044]圖1所示的切削裝置配設(shè)有以下部分:靜止基座2 ;被加工物保持機(jī)構(gòu)3，其能夠在加工進(jìn)給方向即箭頭X所示的方向移動(dòng)地配設(shè)于該靜止基座2，并保持被加工物即晶片；主軸支撐機(jī)構(gòu)6，其能夠在分度進(jìn)給方向即箭頭Y所示的方向(與加工進(jìn)給方向即箭頭X所示的方向垂直的方向)移動(dòng)地配設(shè)于靜止基座2 ;以及作為切削構(gòu)件(加工構(gòu)件)的主軸單元7，其能夠在切入進(jìn)給方向即箭頭Z所示的方向移動(dòng)地配設(shè)于該主軸支撐機(jī)構(gòu)6。
[0045]上述被加工物保持機(jī)構(gòu)3由以下部分構(gòu)成:保持構(gòu)件4，其用于保持作為被加工物的晶片；以及保持工作臺(tái)支撐機(jī)構(gòu)5，其支撐該保持構(gòu)件4并在箭頭X所示的加工進(jìn)給方向移動(dòng)。另外，在后面對(duì)保持構(gòu)件4進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0046]參照?qǐng)D1繼續(xù)說(shuō)明，保持工作臺(tái)支撐機(jī)構(gòu)5具有:一對(duì)導(dǎo)軌51、51，其沿著箭頭X所示的加工進(jìn)給方向平行地配設(shè)在靜止基座2上；移動(dòng)基座52，其能夠在箭頭X所示的加工進(jìn)給方向移動(dòng)地配設(shè)在該導(dǎo)軌51、51上，并支撐上述保持構(gòu)件4 ;以及加工進(jìn)給構(gòu)件53，其使該移動(dòng)基座52沿著一對(duì)導(dǎo)軌51、51移動(dòng)。
[0047]上述移動(dòng)基座52形成為矩形形狀，在其下表面形成有與上述一對(duì)導(dǎo)軌51、51配合的被引導(dǎo)槽521、521。通過(guò)使該被引導(dǎo)槽521、521與一對(duì)導(dǎo)軌51、51配合，移動(dòng)基座52配設(shè)成能夠沿著與一對(duì)導(dǎo)軌51、51移動(dòng)。
[0048]上述加工進(jìn)給構(gòu)件53包括:平行地配設(shè)于上述一對(duì)導(dǎo)軌51和51之間的外螺紋桿531、和用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)該外螺紋桿531的伺服馬達(dá)532等驅(qū)動(dòng)源。外螺紋桿531的一端旋轉(zhuǎn)自如地支撐于在上述靜止基座2固定的軸承塊533，外螺紋桿531的另一端與上述伺服馬達(dá)532的輸出軸連接。另外，外螺紋桿531與形成于移動(dòng)基座52的中央部的內(nèi)螺紋522螺合。因此，通過(guò)由伺服馬達(dá)532來(lái)正轉(zhuǎn)以及反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)外螺紋桿531，移動(dòng)基座52沿著導(dǎo)軌51、51在箭頭X所示的加工進(jìn)給方向移動(dòng)。
[0049]接下來(lái)，參照?qǐng)D2至圖3對(duì)上述保持構(gòu)件4進(jìn)行說(shuō)明。
[0050]圖2以及圖3所示的保持構(gòu)件4，如圖3所示，經(jīng)軸承56能夠旋轉(zhuǎn)地支撐于圓筒狀的支撐筒體55，該支撐筒體55配設(shè)在移動(dòng)基座52的上表面。如圖2以及圖3所示，像這樣能夠旋轉(zhuǎn)地支撐在支撐筒體55的保持構(gòu)件4由圓柱狀的支撐基座41、和配設(shè)在該支撐基座41上表面的保持工作臺(tái)42構(gòu)成。支撐基座41由不銹鋼等金屬材料形成，在其上表面設(shè)置有圓形的配合凹部411。如圖3所示，該支撐基座41中設(shè)置有在配合凹部411開口的吸引通路413，該吸引通路413與未圖示的吸引構(gòu)件連通。因此，在使未圖示的吸引構(gòu)件工作時(shí)，負(fù)壓通過(guò)吸引通路413而發(fā)揮作用。
[0051]參照?qǐng)D2至圖3繼續(xù)說(shuō)明，構(gòu)成保持構(gòu)件4的保持工作臺(tái)42作為整體而形成為圓盤狀，其具有吸引保持被加工物的吸引區(qū)域421、和圍繞該吸引區(qū)域421的外周區(qū)域422，并且具有圓筒狀底部423，該圓筒狀底部423向下方突出地設(shè)置在保持工作臺(tái)42下部中央，且與設(shè)置在上述支撐基座41的配合凹部411配合。在構(gòu)成該保持工作臺(tái)42的圓筒狀底部423形成有連通路424，在圓筒狀底部423與設(shè)置在上述支撐基座41的配合凹部411配合的狀態(tài)下，該連通路424與設(shè)置在支撐基座41的吸引通路413連通。另外，保持工作臺(tái)42具有:放射狀吸引路425，其沿半徑方向延伸，并且一端與形成于圓筒狀底部423的連通路424連通；以及多個(gè)圓形吸引路426，其形成為與吸引通路413成同心圓狀，且形成為與放射狀吸引路425交叉。
[0052]如上所述地構(gòu)成的保持工作臺(tái)42在圖示的實(shí)施方式中由氣孔大小為10?30 μ m且氣孔率為40%的多孔陶瓷形成。作為由該多孔陶瓷形成的保持工作臺(tái)42的制作方法，能夠通過(guò)將粒徑為30?60 μ m且體積比為70%的氧化鋁陶瓷、粒徑為5 μ m以下且體積比為15%的玻璃料、以及體積比為15%的有機(jī)粘接劑混勻后成型，并以1100°C燒制5小時(shí)而制成。由于像這樣形成的保持工作臺(tái)42通過(guò)與以往使用的不銹鋼的比重7相比較比重小到
3.9的氧化鋁陶瓷而由氣孔率為40%的多孔陶瓷構(gòu)成，所以重量為由不銹鋼形成的保持工作臺(tái)的1/3左右。
[0053]在如上所述地形成的保持工作臺(tái)42，在除上述吸引區(qū)域421以外的區(qū)域施加有鍍層427。這里，參照?qǐng)D4對(duì)在保持工作臺(tái)42的除吸引區(qū)域421以外的區(qū)域覆蓋鍍層427的方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0054]如圖4的(b)所示,將遮蔽帶428粘貼到圖4的(a)所示的保持工作臺(tái)42的吸引區(qū)域421。這時(shí)對(duì)形成于上述圓筒狀底部423的連通路424也進(jìn)行遮蔽。通過(guò)對(duì)這樣遮蔽了吸引區(qū)域421以及連通路424的保持工作臺(tái)42實(shí)施無(wú)電解鍍鎳，如圖4的(c)所示，在除吸引區(qū)域421以外的區(qū)域形成有基于鎳而形成的鍍層427。另外，優(yōu)選，特別是在外周區(qū)域422中，鍍層427浸透I毫米左右地形成。
[0055]接下來(lái)，參照?qǐng)D5，對(duì)保持工作臺(tái)42的其他實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0056]關(guān)于圖5所示的實(shí)施方式中的保持工作臺(tái)42，如圖5的(a)所示，外周區(qū)域422的上表面比吸引區(qū)域421的上表面帶有預(yù)定階梯差422a地形成。并且，如圖5的(b)所示，將遮蔽帶428粘貼到吸引區(qū)域421。這時(shí)，對(duì)形成于上述圓筒狀底部423的連通路424也進(jìn)行遮蔽。通過(guò)對(duì)這樣遮蔽了吸引區(qū)域421以及連通路424的保持工作臺(tái)42實(shí)施無(wú)電解鍍鎳，如圖5的(c)所示，在除吸引區(qū)域421以外的區(qū)域形成有基于鎳而形成的鍍層427。并且，如圖5的(c)以及圖5的(d)所示，將具有相當(dāng)于上述階梯差422a的厚度且與吸引區(qū)域的外周配合的由不銹鋼等構(gòu)成的金屬環(huán)429配設(shè)到外周區(qū)域422。
[0057]如上所述地構(gòu)成的保持工作臺(tái)42裝配于支撐基座41而形成保持構(gòu)件4,該保持構(gòu)件4構(gòu)成為:通過(guò)未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)構(gòu)件而適當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)。另外，在構(gòu)成保持構(gòu)件4的支撐基座41的外周部上表面通過(guò)適當(dāng)?shù)墓潭?gòu)件安裝有2個(gè)夾緊裝置43的基部。另外，在將構(gòu)成保持構(gòu)件4的支撐基座41支撐為能夠旋轉(zhuǎn)的支撐筒體55的上端配設(shè)有罩臺(tái)57。
[0058]返回圖1繼續(xù)說(shuō)明，上述主軸支撐機(jī)構(gòu)6具有沿著箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向平行地配設(shè)在靜止基座2上的一對(duì)導(dǎo)軌61、61、和能夠沿著箭頭Y所示的方向移動(dòng)地配設(shè)在該導(dǎo)軌61、61上的可動(dòng)支撐基座62。該可動(dòng)支撐基座62由以下部分構(gòu)成:移動(dòng)支撐部621，其能夠移動(dòng)地配設(shè)在導(dǎo)軌61、61上；以及裝配部622，其安裝于該移動(dòng)支撐部621。在移動(dòng)支撐部621的下表面形成有與導(dǎo)軌61、61配合的一對(duì)被引導(dǎo)槽621a、621a，通過(guò)使該被引導(dǎo)槽621a、621a與導(dǎo)軌61、61配合，可動(dòng)支撐基座62構(gòu)成為能夠沿著導(dǎo)軌61、61移動(dòng)。另夕卜，裝配部622在一側(cè)面平行地設(shè)置有沿箭頭Z所示的方向延伸的一對(duì)導(dǎo)軌622a、622a。
[0059]圖示的實(shí)施方式中的主軸支撐機(jī)構(gòu)6具有分度進(jìn)給構(gòu)件63，分度進(jìn)給構(gòu)件63用于使可動(dòng)支撐基座62沿著一對(duì)導(dǎo)軌61、61在箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向移動(dòng)。分度進(jìn)給構(gòu)件63包括:與上述一對(duì)導(dǎo)軌61、61平行地配設(shè)于上述一對(duì)導(dǎo)軌61、61之間的外螺紋桿631、和用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)該外螺紋桿631的脈沖馬達(dá)632等驅(qū)動(dòng)源。外螺紋桿631的一端旋轉(zhuǎn)自如地支撐于在上述靜止基座2上固定的未圖示的軸承塊，外螺紋桿631的另一端與上述脈沖馬達(dá)632的輸出軸連接。另外，外螺紋桿631與形成于未圖示的內(nèi)螺紋塊的內(nèi)螺紋孔螺合，上述內(nèi)螺紋塊突出地設(shè)置在構(gòu)成可動(dòng)支撐基座62的移動(dòng)支撐部621的中央部下表面。因此，通過(guò)由脈沖馬達(dá)632來(lái)正轉(zhuǎn)以及反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)外螺紋桿631，能夠使可動(dòng)支撐基座62沿著導(dǎo)軌61、61在箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向移動(dòng)。
[0060]圖示的實(shí)施方式中的主軸單元7具有:單元支架71、安裝在該上述單元支架71的主軸套72、以及能夠旋轉(zhuǎn)地支撐于該主軸套72的旋轉(zhuǎn)主軸73。單元支架71設(shè)置有一對(duì)被引導(dǎo)槽71a、71a，一對(duì)被引導(dǎo)槽71a、71a能夠滑動(dòng)地與在上述裝配部622設(shè)置的一對(duì)導(dǎo)軌622a、622a配合，通過(guò)使該被引導(dǎo)槽71a、71a與上述導(dǎo)軌622a、622a配合，單元支架71被支撐為能夠在箭頭Z所示的切入進(jìn)給方向移動(dòng)。上述旋轉(zhuǎn)主軸73從主軸套72的末端突出地配設(shè)，在該旋轉(zhuǎn)主軸73的末端部裝配有切削刀具74。切削刀具74在由鋁形成的圓盤狀的基座的外周部側(cè)面具有圓環(huán)狀的刀刃，該刀刃通過(guò)用鍍鎳將金剛石磨粒聚在一起而形成且厚度形成為15?30 μ m。裝配了該切削刀具74的旋轉(zhuǎn)主軸73由伺服馬達(dá)75等驅(qū)動(dòng)源旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。另外，在切削刀具74的兩側(cè)配設(shè)有將切削液供給到切削刀具74的切削部的切削液供給噴嘴76。在上述主軸套72的末端部具有攝像構(gòu)件77，該攝像構(gòu)件77用于對(duì)保持在上述卡盤工作臺(tái)4上的被加工物進(jìn)行拍攝，檢測(cè)出應(yīng)該由上述切削刀具74切削的區(qū)域。該攝像構(gòu)件77由顯微鏡和CCD照相機(jī)等光學(xué)構(gòu)件構(gòu)成，并將所拍攝的圖像信號(hào)輸送給未圖示的控制構(gòu)件。
[0061]圖示的實(shí)施方式中的主軸單元7具有切入進(jìn)給構(gòu)件78，切入進(jìn)給構(gòu)件78用于使支架71沿著一對(duì)導(dǎo)軌622a、622a在箭頭Z所示的方向移動(dòng)。切入進(jìn)給構(gòu)件78包括:外螺紋桿(未圖示)，其與上述加工進(jìn)給構(gòu)件53以及分度進(jìn)給構(gòu)件63同樣地配設(shè)在導(dǎo)軌622a、622a之間；以及脈沖馬達(dá)782等驅(qū)動(dòng)源，其用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)該外螺紋桿，通過(guò)由脈沖馬達(dá)782正轉(zhuǎn)以及反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)未圖示的外螺紋桿，使單元支架71與主軸套72及旋轉(zhuǎn)主軸73沿著導(dǎo)軌622a、622a在箭頭Z所示的切入進(jìn)給方向移動(dòng)。
[0062]如上所述地構(gòu)成圖示的實(shí)施方式中的切削裝置，以下對(duì)其作用進(jìn)行說(shuō)明。
[0063]圖6表示作為通過(guò)上述的切削裝置切削加工的被加工物即晶片的半導(dǎo)體晶片。圖6所示的半導(dǎo)體晶片10由硅晶片構(gòu)成，在正面IOa形成有格子狀的間隔道101，在由該格子狀的間隔道101劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件102。像這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片10的背面IOb粘貼在切割帶T的表面，該切割帶T裝配于環(huán)狀的框架F。
[0064]在沿著間隔道101切削上述的半導(dǎo)體晶片10時(shí)，選擇適合于由硅晶片構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片10的切削加工的保持工作臺(tái)42，并如圖3所示使圓筒狀底部423與設(shè)置在支撐基座41上的配合凹部411配合進(jìn)行裝配。這時(shí)，由于保持工作臺(tái)42如上所述地由多孔陶瓷形成，因此，與以往使用的不銹鋼保持工作臺(tái)相比較重量為1/3左右，因此，即使一名作業(yè)員也能夠容易地實(shí)施裝卸作業(yè)。
[0065]像這樣，在將適合于由硅晶片構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片10的切削加工的保持工作臺(tái)42裝配到支撐基座41之后，實(shí)施如下的設(shè)置工序:設(shè)定切削刀具74的原點(diǎn)位置。該設(shè)置工序中，使構(gòu)成保持構(gòu)件4的保持工作臺(tái)42移動(dòng)到切削刀具74的切削加工區(qū)域，并將保持工作臺(tái)42的外周區(qū)域422定位到切削刀具74的正下方。并且，使切入進(jìn)給構(gòu)件78工作而使切削刀具74下降，并檢測(cè)出切削刀具74的刀刃的外周接觸到保持工作臺(tái)42的外周區(qū)域422的時(shí)刻，將這時(shí)的切削刀具74的位置設(shè)定為原點(diǎn)。此時(shí)，由于在保持工作臺(tái)42中在除吸引區(qū)域421以外的區(qū)域形成有基于鎳形成的鍍層427，因此，切削刀具74與覆蓋外周區(qū)域422的鍍層427接觸而接通檢測(cè)電流，因此，能夠檢測(cè)出保持工作臺(tái)42的上表面與切削刀具74的接觸。
[0066]另外，如圖5所示，作為保持工作臺(tái)42，與吸引區(qū)域421帶有預(yù)定階梯差422a地形成外周區(qū)域422，并如上所述在除吸引區(qū)域421以外的區(qū)域形成了基于鎳形成的鍍層427之后，將具有相當(dāng)于階梯差422a的厚度且與吸引區(qū)域的外周配合的金屬環(huán)429配設(shè)到外周區(qū)域422，在這樣的結(jié)構(gòu)中，能夠長(zhǎng)期地使用。
[0067]接下來(lái)，將如上述圖6所示粘貼在裝配于環(huán)狀的框架F的切割帶T上的半導(dǎo)體晶片10的切割帶T側(cè)裝載到構(gòu)成保持構(gòu)件4的保持工作臺(tái)42上，并且通過(guò)夾緊裝置43來(lái)固定環(huán)狀的框架F。并且，當(dāng)使未圖示的吸引構(gòu)件工作時(shí)，負(fù)壓作用于設(shè)置在支撐基座41中的吸引通路413、和設(shè)置在保持工作臺(tái)42中的連通路424、放射狀吸引路425以及圓形吸引路426 (參照?qǐng)D3)。其結(jié)果為，由于保持工作臺(tái)42如上所述地由多孔陶瓷形成并且在除吸引區(qū)域421以外的區(qū)域形成有基于鎳形成的鍍層427，所以吸引力作用在吸引區(qū)域421，從而隔著切割帶T吸引保持半導(dǎo)體晶片10 (晶片保持工序)。
[0068]在實(shí)施了上述的晶片保持工序之后，使加工進(jìn)給構(gòu)件53工作而將保持構(gòu)件4移動(dòng)到攝像構(gòu)件77的正下方。當(dāng)保持構(gòu)件4定位到攝像構(gòu)件77的正下方時(shí),實(shí)施如下校準(zhǔn)作業(yè):通過(guò)攝像構(gòu)件77以及未圖示的控制構(gòu)件檢測(cè)出半導(dǎo)體晶片10的應(yīng)該進(jìn)行切削加工的加工區(qū)域。即，攝像構(gòu)件77以及未圖示的控制構(gòu)件執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，從而完成應(yīng)該切削加工的加工區(qū)域的校準(zhǔn)，所述圖案匹配等圖像處理用于進(jìn)行間隔道101與沿著間隔道101進(jìn)行切削的切削刀具74的對(duì)準(zhǔn)，其中上述間隔道101形成于半導(dǎo)體晶片10的預(yù)定方向。另外，針對(duì)在半導(dǎo)體晶片10形成的沿與上述預(yù)定方向垂直的方向延伸間隔道101，也同樣地完成應(yīng)該切削加工的加工區(qū)域的校準(zhǔn)(校準(zhǔn)工序)。
[0069]然后，將保持構(gòu)件4移動(dòng)到切削刀具74的下方即切削加工區(qū)域，并使切削刀具74向預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)，并且在箭頭Z所示的方向切入進(jìn)給預(yù)定量，將切削刀具74的最下端定位到到達(dá)切割帶T的位置。然后，在切削進(jìn)給方向即箭頭X所示的方向以預(yù)定切削進(jìn)給速度移動(dòng)吸引保持了半導(dǎo)體晶片10的保持構(gòu)件4。其結(jié)果為，保持在構(gòu)成保持構(gòu)件4的保持工作臺(tái)42上的半導(dǎo)體晶片10被切削刀具74沿著預(yù)定的間隔道101切斷(切削工序)。在實(shí)施該切削工序時(shí)，切削液從切削液供給噴嘴76向切削刀具74的側(cè)面噴射。
[0070]如上所述，在沿著預(yù)定的間隔道101切斷半導(dǎo)體晶片10之后，使保持構(gòu)件4在圖1中箭頭Y所示的方向只分度進(jìn)給間隔道101的間隔，并實(shí)施上述切削工序。并且，沿著在半導(dǎo)體晶片10的預(yù)定方向延伸的所有間隔道實(shí)施了切削工序之后，使保持構(gòu)件4旋轉(zhuǎn)90度，沿著半導(dǎo)體晶片10的在與預(yù)定方向垂直的方向延伸的間隔道101執(zhí)行切削工序，由此切削呈格子狀地形成于半導(dǎo)體晶片10的所有間隔道101從而分割成一個(gè)個(gè)器件102。另外，分割成的一個(gè)個(gè)器件102通過(guò)切割帶T的作用而沒(méi)有散亂，維持著被支撐在環(huán)狀的框架F上的晶片狀態(tài)。像這樣分割成的一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體芯片在粘貼于切割帶T的狀態(tài)下搬送至下一工序，上述切割帶T裝配于環(huán)狀的框架F。
[0071]以上，根據(jù)圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不是僅限定于實(shí)施方式，在本發(fā)明的宗旨范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。例如，在上述的實(shí)施方式中表示了將本發(fā)明應(yīng)用到沿著間隔道101切削半導(dǎo)體晶片10的切削裝置，但是本發(fā)明能夠廣泛地應(yīng)用到激光加工裝置或磨削裝置等加工裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種加工裝置，具有:保持構(gòu)件，其用于保持被加工物；加工構(gòu)件，其用于對(duì)保持在上述保持構(gòu)件上的被加工物實(shí)施加工；以及加工進(jìn)給構(gòu)件，其用于對(duì)上述保持構(gòu)件與上述加工構(gòu)件在加工進(jìn)給方向相對(duì)地進(jìn)行加工進(jìn)給， 上述加工裝置的特征在于， 上述保持構(gòu)件由以下部分構(gòu)成:保持工作臺(tái)，其具有吸引保持被加工物的吸引區(qū)域和圍繞上述吸引區(qū)域的外周區(qū)域；以及支撐基座，其支撐上述保持工作臺(tái)并使上述保持工作臺(tái)能夠裝卸，且將吸引力傳遞至上述吸引區(qū)域， 上述保持工作臺(tái)由多孔陶瓷構(gòu)成，并且在除上述吸引區(qū)域以外的區(qū)域施加有鍍層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工裝置，其中， 從上述吸引區(qū)域的上表面帶有預(yù)定階梯差地形成上述外周區(qū)域的上表面，具有相當(dāng)于上述階梯差的厚度并與上述吸引區(qū)域的外周配合的金屬環(huán)被配設(shè)在上述外周區(qū)域。
【文檔編號(hào)】B28D7/04GK103786270SQ201310495079
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月31日
【發(fā)明者】馬路良吾 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科