專利名稱：熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃及其生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種玻璃，具體地說是一種熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，以及生產(chǎn)該玻璃的生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
玻璃被廣泛應(yīng)用于商用和民用建筑上用來采光。單層玻璃的傳熱系數(shù)通常比建筑物墻壁高得多，門窗的玻璃成為建筑物采暖和空調(diào)系統(tǒng)的重要耗能因素。因此，20世紀(jì)80年代以來，研究人員開發(fā)了低輻射膜中空玻璃，以降低玻璃窗的熱損失，減少冬天采暖和夏天空調(diào)的能耗。建筑用低輻射膜大體有兩種類型，一類為摻雜氧化物半導(dǎo)體低輻射膜，又稱透明導(dǎo)電氧化物膜，例如采用在玻璃生產(chǎn)線上高溫?zé)岱纸庵苽浞鷵诫s氧化錫低輻射膜，這種低輻射膜具有導(dǎo)電性、金屬性和紅外反射性，其紅外熱輻射比較大，約0.20。這種低輻射膜玻璃的主要優(yōu)點(diǎn)是在空氣中穩(wěn)定性很好，可以長期存放，并且，其在高溫下熱穩(wěn)定性也較好，在空氣中350℃加熱一小時(shí)，其膜層不會(huì)受到破壞，進(jìn)一步升溫，其紅外熱輻射比逐步增加，光學(xué)性能也逐漸變差。另一類是銀基低輻射復(fù)合膜，采用真空中磁控濺射技術(shù)在玻璃上沉積復(fù)合膜，其基本膜層結(jié)構(gòu)為C1/Ag/C2/玻璃，其中金屬銀層Ag為紅外反射層，C1和C2為電介質(zhì)層。這類低輻射膜需要折射率較高的電介質(zhì)層，電介質(zhì)層主要采用氧化錫SnO2和氧化鋅ZnO。這類低輻射膜具有較高的可見光透射比和較低的輻射比，輻射比在0.05-0.10之間，這種鍍有銀基低輻射膜的玻璃已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于建筑行業(yè)。但是這類低輻射膜玻璃主要缺點(diǎn)是熱穩(wěn)定性較差，不能在空氣中長期存放，不耐高溫烤烘，在空氣中加熱到200～300℃保持0.5～1小時(shí)后，膜層遭到破壞。這一膜層結(jié)構(gòu)使得覆用C1/Ag/C2膜層結(jié)構(gòu)的玻璃不能用來作真空玻璃，因?yàn)檎婵詹Ａг谥谱鬟^程中需要升溫到450℃，且保持0.5～1小時(shí)。在1990年以后，出現(xiàn)了一種能達(dá)到熱穩(wěn)定的Ag基低輻射膜玻璃，能進(jìn)行耐高溫加工彎曲。這種低輻射膜是以通常的銀基低輻射膜作基礎(chǔ)，在銀層和電介質(zhì)層之間加上一薄層金屬鈦?zhàn)钃鯇?，在高溫加工過程中，利用金屬鈦層氧化來保護(hù)金屬銀層不被損壞。但是，這種低輻射膜玻璃在進(jìn)行熱加工過程中難度是很大的，如果鈦金屬層太薄，則保護(hù)作用不夠，在加熱后膜層將被破壞；如果鈦金屬層太厚，則加熱后金屬層未能充分氧化，導(dǎo)致膜的光學(xué)性能不一致。后來又采用鎳鉻合金替代金屬鈦?zhàn)钃鯇?，抗氧化性能有進(jìn)一步提高，但其性能效果仍然不盡如人意。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種加工方便、熱穩(wěn)定好、可見光透射比高、輻射比低的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，以及生產(chǎn)該玻璃的生產(chǎn)工藝。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上沉積有由底層電介質(zhì)層、保護(hù)層、銀層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm；所述銀層的厚度為10～18nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
所述銀層與表層電介質(zhì)層之間還設(shè)有一層保護(hù)層，該保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm。
所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為50～65nm。
熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上覆蓋有由底層電介質(zhì)層、保護(hù)層、第一銀層、隔離電介質(zhì)層、第二銀層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm；所述第一銀層和第二銀層的厚度為10～18nm；所述隔離電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為80～110nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
所述第二銀層與表層電介質(zhì)層之間還設(shè)有一層保護(hù)層，該保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm。
所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為50～65nm。
熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上覆蓋有由底層電介質(zhì)層、銀層、保護(hù)層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述銀層的厚度為10～18nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為50～65nm。
熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上覆蓋有由底層電介質(zhì)層、第一銀層、隔離電介質(zhì)層、第二銀層、保護(hù)層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述第一銀層和第二銀層的厚度為10～18nm；所述隔離電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為80～110nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為50～65nm。
熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的生產(chǎn)工藝，所述復(fù)合膜采用真空濺射技術(shù)沉積制備鋁靶在氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w中采用中頻反應(yīng)濺射沉積氮化鋁表層電介質(zhì)層、隔離電介質(zhì)層或底層電介質(zhì)層；鋁靶在氬氣和氧氣的混合氣體中采用中頻反應(yīng)濺射沉積氧化鋁表層電介質(zhì)層；銀靶在氬氣中通過直流濺射沉積銀層；不銹鋼或鎳鉻合金靶在氬氣中通過直流濺射沉積不銹鋼保護(hù)層或鎳鉻合金保護(hù)層；不銹鋼或鎳鉻合金靶在氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w中或在氬氣和氧氣的混合氣體中濺射沉積不銹鋼或鎳鉻合金的部分氮化物或部分氧化物保護(hù)層。
沉積電介質(zhì)層的濺射氣壓為0.2～0.6Pa；沉積保護(hù)層的濺射氣壓為0.2～0.5Pa；沉積銀層的濺射氣壓為0.09～0.3Pa。
在制備復(fù)合膜的過程中通過調(diào)節(jié)濺射靶功率和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度來調(diào)節(jié)各層的厚度。
由于本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃采用了氮化鋁或氧化鋁作為電介質(zhì)層，加上不銹鋼、鎳鉻合金層作為保護(hù)層，其優(yōu)點(diǎn)是空氣中熱穩(wěn)定性很好，能長期存放；空氣中高溫下熱穩(wěn)定性也很好，低輻射膜在經(jīng)過450-550℃高溫加熱1小時(shí)過程后，膜層不損壞，光學(xué)性能幾乎未發(fā)生變化。本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的可見光透射比達(dá)到了0.50～0.80，其輻射比只有0.05～0.10，因此，本發(fā)明同時(shí)具有了高熱穩(wěn)定性和低輻射比的優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于節(jié)能建筑玻璃、汽車玻璃等行業(yè)，降低玻璃熱損，減少冬天采暖和夏天空調(diào)能耗。在本發(fā)明中，采用氧化鋁電介質(zhì)層與采用氮化鋁電介質(zhì)層的復(fù)合膜玻璃相比較，高溫空氣中熱穩(wěn)定性較好，但底層電介質(zhì)采用氮化鋁層的低輻射膜玻璃可見光透射比要比氧化鋁高。采用保護(hù)層與沒有保護(hù)層比較，低輻射復(fù)合膜耐高溫?zé)岱€(wěn)定性增強(qiáng)，但膜層的可見光透射比降低。采用只有一層保護(hù)層低輻射膜玻璃與兩層保護(hù)層比較，耐高溫?zé)岱€(wěn)定性稍差，耐高溫的溫度稍低，但膜層的可見光透射比較高。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1為本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的第二種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的第三種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的第四種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的第五種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的第六種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，該實(shí)施例是一種單銀層結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，它是在玻璃基片上依次設(shè)有由氮化鋁組成的底層電介質(zhì)層、由不銹鋼或鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物組成的保護(hù)層、銀層和由氮化鋁或氧化鋁組成的表層電介質(zhì)層，即其膜層結(jié)構(gòu)是玻璃基片/底層電介質(zhì)層/保護(hù)層/銀層/表層電介質(zhì)層。其中，氮化鋁底層電介質(zhì)層的厚度可以取40～55nm之間的任一數(shù)值；不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物保護(hù)層的厚度可以取1～10nm之間的任一數(shù)值；銀層的厚度可取10～18nm之間任一數(shù)值；表層電介質(zhì)層在使用氮化鋁時(shí)，厚度可以取40～55nm之間任一數(shù)值，表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度可以取50～65nm之間的任一數(shù)值。
如圖2所示，該實(shí)施例是另一種單銀層結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，它是在圖1所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在銀層與表層電介質(zhì)層之間添加了一層保護(hù)層，即其模層結(jié)構(gòu)是玻璃基片/底層電介質(zhì)層/第一保護(hù)層/銀層/第二保護(hù)層/表層電介質(zhì)層。通過置兩個(gè)保護(hù)層起到了更好的保護(hù)作用，使成品玻璃具有更好的熱穩(wěn)定性。兩層保護(hù)層都是采用不銹鋼或鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度在1～10nm之間，其余膜層的成分與厚底與圖1所示實(shí)施例相同。
如圖3所示，該實(shí)施例是再一種單銀層結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，它是在玻璃基片上依次設(shè)有由氮化鋁組成的底層電介質(zhì)層、銀層、由不銹鋼或鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物組成的保護(hù)層和由氮化鋁或氧化鋁組成的表層電介質(zhì)層，即其膜層結(jié)構(gòu)是玻璃基片/底層電介質(zhì)層/銀層/保護(hù)層/表層電介質(zhì)層。其中，氮化鋁底層電介質(zhì)層的厚度可以取40～55nm之間的任一數(shù)值；銀層的厚度可取10～18nm之間任一數(shù)值；不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物保護(hù)層的厚度可以取1～10nm之間的任一數(shù)值；表層電介質(zhì)層在使用氮化鋁時(shí)，厚度可以取40～55nm之間任一數(shù)值，表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度可以取50～65nm之間的任一數(shù)值。
如圖4所示，該實(shí)施例是一種雙銀層結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，它是在玻璃基片上依次設(shè)有由氮化鋁組成的底層電介質(zhì)層、由不銹鋼或鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物組成的保護(hù)層、第一銀層、由氮化鋁組成的隔離電介質(zhì)層、第二銀層和由氮化鋁或氧化鋁組成的表層電介質(zhì)層，即其膜層結(jié)構(gòu)是玻璃基片/底層電介質(zhì)層/保護(hù)層/第一銀層/隔離電介質(zhì)層(第二電介質(zhì)層)/第二銀層/表層電介質(zhì)層。其中，氮化鋁底層電介質(zhì)層的厚度可以取40～55nm之間的任意數(shù)值；不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物保護(hù)層的厚度可以取1～10nm之間的任一數(shù)值；第一銀層和第二銀層的厚度可取10～18nm之間任一數(shù)值；氮化鋁隔離電介質(zhì)層的厚度可取80～110nm之間的任一數(shù)值；表層電介質(zhì)層在使用氮化鋁時(shí)，厚度可以取40～55nm之間任一數(shù)值，表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度可以取50～65nm之間的任一數(shù)值。
如圖5所示，該實(shí)施例是另一種雙銀層結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，它是在圖4所示實(shí)施例基礎(chǔ)上，在第二銀層與表層電介質(zhì)層之間添加了一層保護(hù)層，即其膜層結(jié)構(gòu)是玻璃基片/底層電介質(zhì)層/第一保護(hù)層/第一銀層/隔離電介質(zhì)層/第二銀層/第二保護(hù)層/表層電介質(zhì)層，兩層保護(hù)層起到了更好的保護(hù)作用，使成品玻璃具有更好的熱穩(wěn)定性。兩層保護(hù)層同樣都采用不銹鋼或鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度在1～10nm之間，其余膜層的成分與厚度與圖4所示實(shí)施例相同。
如圖6所示，該實(shí)施例是再一種雙銀層結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，它是在玻璃基片上依次設(shè)有由氮化鋁組成的底層電介質(zhì)層、第一銀層、由氮化鋁組成的隔離電介質(zhì)層、第二銀層、由不銹鋼或鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物組成的保護(hù)層和由氮化鋁或氧化鋁組成的表層電介質(zhì)層，即其膜層結(jié)構(gòu)是玻璃基片/底層電介質(zhì)層/第一銀層/隔離電介質(zhì)層/第二銀層/保護(hù)層/表層電介質(zhì)層。其中，氮化鋁底層電介質(zhì)層的厚度可以取40～55nm之間的任意數(shù)值；第一銀層和第二銀層的厚度可取10～18nm之間任一數(shù)值；氮化鋁隔離電介質(zhì)層的厚度可取80～110nm之間的任一數(shù)值；不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物保護(hù)層的厚度可以取1～10nm之間的任一數(shù)值；表層電介質(zhì)層在使用氮化鋁時(shí)，厚度可以取40～55nm之間任一數(shù)值，表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度可以取50～65nm之間的任一數(shù)值。
在生產(chǎn)上述熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃時(shí)，玻璃上的復(fù)合膜可以通過真空濺射技術(shù)沉積制備將玻璃基片依次通過各濺射鍍膜室，在各濺射鍍膜室中分別利用真空濺射技術(shù)分別鍍上電介質(zhì)層、保護(hù)層、銀層等。通過控制濺射靶的功率和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度可以控制各鍍層的厚度。
下面以生產(chǎn)圖2所示實(shí)施例的過程來說明本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的生產(chǎn)工藝。
(1)未鍍膜的原片玻璃基片通過鋁靶濺射鍍膜室，在鋁靶濺射鍍膜室中，鋁靶在氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w中采用中頻反應(yīng)濺射沉積氮化鋁底層電介質(zhì)層，沉積電介質(zhì)層的濺射氣壓控制在0.2～0.6Pa，通過控制濺射靶功率和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度來控制底層電介質(zhì)層達(dá)到所需要的厚度；(2)將鍍好底層電介質(zhì)層的玻璃基片送入不銹鋼靶濺射鍍膜室，在不銹鋼靶濺射鍍膜室中，不銹鋼靶在氬氣中通過直流濺射沉積不銹鋼保護(hù)層，沉積不銹鋼保護(hù)層的濺射氣壓控制在0.2～0.5Pa，通過控制濺射靶功率和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度來控制保護(hù)層達(dá)到所需要的厚度；(3)將鍍好底層電介質(zhì)層和第一個(gè)保護(hù)層的玻璃基片送入銀靶濺射鍍膜室，在銀靶濺射鍍膜室中，銀靶在氬氣中通過直流濺射沉積銀層，沉積銀層的濺射氣壓應(yīng)控制在0.09～0.3Pa，通過控制濺射靶功率和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度來控制銀層達(dá)到所需要的厚度；(4)將從銀靶濺射鍍膜室出來的鍍完銀層的玻璃基片送入不銹鋼靶濺射鍍膜室，重復(fù)步驟(2)所述步驟，為玻璃基片在銀層鍍上第二層保護(hù)層；(5)將鍍完第二層保護(hù)層的玻璃基片送入鋁靶濺射鍍膜室，重復(fù)步驟(1)所述步驟，為玻璃基片在第二保護(hù)層鍍上表層電介質(zhì)層，得到帶有復(fù)合膜的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃。
在步驟(2)或(4)所述的生產(chǎn)工序中，將不銹鋼靶換成鎳鉻合金靶就可以直流濺射沉積鎳鉻合金層了。通過不銹鋼靶在氮?dú)夂蜌鍤獾幕旌蠚怏w中可以直流濺射沉積不銹鋼的部分氮化物保護(hù)層；通過不銹鋼靶在氧氣和氬氣的混合氣體中可以直流濺射沉積不銹鋼的部分氧化物保護(hù)層；通過鎳鉻合金靶在氮?dú)夂蜌鍤獾幕旌蠚怏w中可以直流濺射沉積鎳鉻合金的部分氮化物保護(hù)層；通過鎳鉻合金靶在氧氣和氬氣的混合氣體中可以直流濺射沉積鎳鉻合金的部分氧化物保護(hù)層。無論采用哪種濺射靶和哪種濺射氣體，其濺射氣壓都應(yīng)控制在0.2～0.5Pa之間，并且通過控制濺射靶功率和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度都可以起到控制保護(hù)層厚度的目的。
在步驟(5)所述的生產(chǎn)工序中，將濺射氣體換成氧氣和氬氣的混合氣體，氣壓仍控制在0.2～0.6Pa，可以通過直流濺射沉積氧化鋁材料的表層電介質(zhì)層。同樣，通過控制濺射靶功率和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度可以控制該表層電介質(zhì)層的厚度。
如果要加工其它實(shí)施例的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，只需要在上述生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上增加或減少相應(yīng)的步驟即可。
為了提高這種熱穩(wěn)定性低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)速度，可增加沉積底層電介質(zhì)層氮化鋁、隔離電介質(zhì)層氮化鋁，和表層電介質(zhì)層氮化鋁或氧化鋁的濺射鍍膜室的數(shù)量。并且隔離電介質(zhì)層氮化鋁濺射鍍膜室的數(shù)量，是底層電介質(zhì)氮化鋁鍍膜室數(shù)量的二倍。下面以生產(chǎn)圖2所示的復(fù)合膜為例，生產(chǎn)濺射鍍膜室的數(shù)量為，底層電介質(zhì)層鍍膜室2個(gè)/第一保護(hù)層鍍膜室1個(gè)/銀層鍍膜室1個(gè)/第二保護(hù)層鍍膜室1個(gè)/表層電介質(zhì)層鍍膜室2個(gè)，或底層電介質(zhì)層鍍膜室3個(gè)/第一保護(hù)層鍍膜室1個(gè)/銀層鍍膜室1個(gè)/第二保護(hù)層鍍膜室1個(gè)/表層電介質(zhì)層鍍膜室3個(gè)。
權(quán)利要求
1.熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上沉積有由底層電介質(zhì)層、保護(hù)層、銀層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，其特征在于，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm；所述銀層的厚度為10～18nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，其特征在于，所述銀層與表層電介質(zhì)層之間還設(shè)有一層保護(hù)層，該保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，其特征在于，所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為50～65nm。
4.熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上沉積有由底層電介質(zhì)層、保護(hù)層、第一銀層、隔離電介質(zhì)層、第二銀層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，其特征在于，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm所述第一銀層和第二銀層的厚度為10～18nm；所述隔離電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為80～110nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，其特征在于，所述第二銀層與表層電介質(zhì)層之間還設(shè)有一層保護(hù)層，該保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，其特征在于，所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為50～65nm。
7.熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上覆蓋有由底層電介質(zhì)層、銀層、保護(hù)層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，其特征在于，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述銀層的厚度為10～18nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，其特征在于，所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為40～65nm。
9.熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，在玻璃基片上覆蓋有由底層電介質(zhì)層、第一銀層、隔離電介質(zhì)層、第二銀層、保護(hù)層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，其特征在于，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述第一銀層和第二銀層的厚度為10～18nm；所述隔離電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為80～110nm；所述保護(hù)層為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或部分氮化物，厚度為1～10nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃，其特征在于，所述表層電介質(zhì)層采用氮化鋁時(shí)，厚度為40～55nm；所述表層電介質(zhì)層采用氧化鋁時(shí)，厚度為50～65nm。
11.熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的生產(chǎn)工藝，所述復(fù)合膜采用真空濺射技術(shù)沉積制備鋁靶在氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w中采用中頻反應(yīng)濺射沉積氮化鋁表層電介質(zhì)層、隔離電介質(zhì)層或底層電介質(zhì)層；鋁靶在氬氣和氧氣的混合氣體中采用中頻反應(yīng)濺射沉積氧化鋁表層電介質(zhì)層；銀靶在氬氣中通過直流濺射沉積銀層；不銹鋼或鎳鉻合金靶在氬氣中通過直流濺射沉積不銹鋼保護(hù)層或鎳鉻合金保護(hù)層；不銹鋼或鎳鉻合金靶在氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w中或在氬氣和氧氣的混合氣體中濺射沉積不銹鋼或鎳鉻合金的部分氮化物或部分氧化物保護(hù)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的生產(chǎn)工藝，其特征在于，沉積電介質(zhì)層的濺射氣壓為0.2～0.6Pa；沉積保護(hù)層的濺射氣壓為0.2～0.5Pa；沉積銀層的濺射氣壓為0.09～0.3Pa。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃的生產(chǎn)工藝，其特征在于，在制備復(fù)合膜的過程中通過調(diào)節(jié)濺射靶功率，和玻璃基片通過濺射鍍膜室的速度來調(diào)節(jié)各層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃及其生產(chǎn)工藝。本發(fā)明是在玻璃基片上覆蓋有由底層電介質(zhì)層、第一保護(hù)層、銀層、第二保護(hù)層和表層電介質(zhì)層組成的復(fù)合膜，所述底層電介質(zhì)層為氮化鋁，厚度為40～55nm；所述兩個(gè)保護(hù)層都為不銹鋼、鎳鉻合金或它們的部分氧化物或氮化物，厚度為1～10nm；所述銀層的厚度為10～18nm；所述表層電介質(zhì)層為氮化鋁或氧化鋁，厚度為40～65nm。本發(fā)明的熱穩(wěn)定低輻射復(fù)合膜玻璃可以廣泛應(yīng)用于節(jié)能建筑玻璃、汽車玻璃等行業(yè)，降低玻璃熱損，減少冬天采暖和夏天空調(diào)能耗。
文檔編號(hào)C03C17/36GK1948201SQ200610138438
公開日2007年4月18日 申請(qǐng)日期2006年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月14日
發(fā)明者章其初, 王雙, 陳革, 池華敬 申請(qǐng)人:山東溫屏節(jié)能玻璃有限公司