專利名稱：對沉積工藝部件進(jìn)行處理以形成顆粒捕集器的方法和在其上具有顆粒捕集器的沉積工藝部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及沿物理氣相沉積(PVD)工藝部件如濺射靶的區(qū)域形成顆粒捕集器的方法。
背景技術(shù)：
物理氣相沉積方法用于在基板表面上形成材料膜。物理氣相沉積方法例如可用于半導(dǎo)體制造工藝中以形成最終用于制造集成電路結(jié)構(gòu)和器件的層。
結(jié)合圖1中的濺射設(shè)備110對物理氣相沉積操作進(jìn)行描述。設(shè)備110是離子金屬等離子體(IMP)設(shè)備的一個(gè)實(shí)例，且包括具有側(cè)壁114的室112。室112通常是高真空室。靶10被設(shè)置在該室的上部區(qū)域中，且基板118被設(shè)置在該室的下部區(qū)域中?；?18被保持在保持器120上，所述保持器通常包括靜電卡盤。靶10通過適當(dāng)?shù)闹С袠?gòu)件(未示出)得到保持，所述支承構(gòu)件可包括電源?？稍O(shè)置上部罩(未示出)以罩住靶10的邊緣。靶10例如可包括銦、錫、鎳、鉭、鈦、銅、鋁、銀、金、鈮、鉑、鈀、鎢和釕中的一種或多種，且包括所述多種金屬的一種或多種合金。所述靶可以是單塊靶或可以是靶/靶座組件的一部分。
基板118例如可包括半導(dǎo)體晶片，如單晶硅晶片。
材料從靶10的表面中濺射出來且被導(dǎo)向基板118。濺射材料由箭頭122表示。
通常，濺射材料將沿多個(gè)不同方向離開靶表面。這樣可能存在問題，且濺射材料優(yōu)選被引導(dǎo)與基板118的上表面相對正交。因此，在室112內(nèi)設(shè)置聚焦線圈126。聚焦線圈可改進(jìn)濺射材料122的取向，且被示出引導(dǎo)濺射材料與基板118的上表面相對正交。
線圈126通過銷128被保持在室112內(nèi)，所述銷被示出延伸穿過線圈的側(cè)壁且還穿過室112的側(cè)壁114。銷128通過固定螺釘132被保持處于所示構(gòu)型。示意1示出了沿線圈126內(nèi)表面的銷的頭部130和沿室側(cè)壁114的外表面的固定螺釘?shù)牧硪唤M頭部132。
隔套140(通常被稱作帽(cups))圍繞銷128進(jìn)行延伸，且被用以使線圈126與側(cè)壁114隔開。
如果形成顆粒，那么在沉積工藝中可能會(huì)出現(xiàn)問題，這是因?yàn)轭w?？陕淙氤练e膜內(nèi)且破壞膜的所需性質(zhì)。因此，所希望的是開發(fā)出可減輕與在沉積工藝過程中落入所需材料內(nèi)的顆粒相關(guān)聯(lián)的問題的捕集器。
在改變物理氣相沉積靶方面已經(jīng)做出了一些努力從而減輕顆粒形成。例如，已經(jīng)采用珠光處理以沿靶的側(cè)壁形成織構(gòu)表面，期望所述織構(gòu)表面將捕集沿表面形成的顆粒。此外，在致力于形成捕集顆粒的適當(dāng)織構(gòu)的過程中，已使用滾花和機(jī)器滾軋工藝以在靶表面上形成織構(gòu)。
盡管已經(jīng)發(fā)現(xiàn)一些織構(gòu)表面減少了顆粒的形成，但對于多種織構(gòu)表面而言仍存在問題。例如，珠光處理通常使用以較大的作用力噴射在靶上的顆粒。一些噴射顆粒在噴射工藝過程中可被嵌入到靶材中，且當(dāng)靶材被插入物理氣相沉積室中時(shí)所述噴射顆粒被保持在所述靶材內(nèi)。噴珠表面對于進(jìn)入顆粒捕集區(qū)域的再沉積材料而言可具有相對較弱的附著力，且由此可使顆粒捕集區(qū)域的性能劣化。
所希望的是開發(fā)出一種新方法以減少且優(yōu)選消除與顆粒捕集區(qū)域中被嵌入的珠光處理顆粒相關(guān)聯(lián)的問題。所希望的是所述新方法可適用于與顆粒捕集區(qū)域一起使用的情況，所述顆粒捕集區(qū)域與可暴露于濺射材料的室內(nèi)的多個(gè)部件的非濺射表面相關(guān)聯(lián)，所述非濺射表面包括，但不限于，所述室的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)側(cè)壁、線圈、覆蓋環(huán)、夾具、罩、銷、帽等的表面；此外，或另一種可選方式是，使用所述新方法在物理氣相沉積靶的非濺射表面上形成顆粒捕集區(qū)域。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)方面中，本發(fā)明包括珠光處理介質(zhì)的溶解以在進(jìn)行珠光處理工藝之后去除所述介質(zhì)。所述介質(zhì)最初被設(shè)置成微粒形式且用于進(jìn)行珠光處理以使表面粗糙化。所述珠光處理介質(zhì)可高度溶于一種溶劑，且隨后所述珠光處理表面暴露于所述溶劑中以使可與所述粗糙化表面相關(guān)聯(lián)的珠光處理介質(zhì)溶解。典型介質(zhì)可包括氯化銨和包括周期表中1A和2A族中的元素的多種鹵化物鹽。在具體方面中，所述介質(zhì)可包括一種或多種堿金屬鹵化物鹽如氯化鈉或氯化鉀，且在這種應(yīng)用中，用于去除所述介質(zhì)的所述溶劑可以是水溶液。其它典型介質(zhì)可包括有機(jī)材料(例如有機(jī)金屬材料)，且所述溶劑可包括適用于溶解所述有機(jī)材料的有機(jī)溶劑。
在一個(gè)方面中，本發(fā)明涉及使用金屬進(jìn)行珠光處理。所述珠光處理用以使物理氣相沉積部件的表面粗糙化。這種表面可包括金屬(以元素金屬的形式存在或以合金形式存在)，且用于進(jìn)行所述珠光處理的所述金屬可比所述物理氣相沉積部件表面中的所述金屬更硬。在具體方面中，用于進(jìn)行所述珠光處理的所述金屬以相對較純的形式存在，且具體而言具有99％純度(重量百分比)或更高的金屬含量。
在一個(gè)方面中，本發(fā)明包括靶/靶座構(gòu)造，所述構(gòu)造具有沿所述靶的周側(cè)部且沿接近所述靶的凸緣進(jìn)行延伸的非濺射區(qū)域。所述構(gòu)造包括設(shè)置在所述凸緣內(nèi)且包括適用于形成顆粒捕集器的材料的插入件。在典型方面中，所述靶可包括鉭，所述靶座可包括銅，且所述插入件可包括鋁、鈦和鉭中的一種或多種。


圖1是被示出在物理氣相沉積(例如濺射)工藝過程中的現(xiàn)有技術(shù)的物理氣相沉積設(shè)備的圖解剖視圖；圖2是適用于本發(fā)明的方法的典型靶構(gòu)造的圖解頂視圖；圖3是沿圖2中的線3-3截取的圖解剖視圖；圖4是圖3所示靶構(gòu)造的放大區(qū)域的視圖(所述區(qū)域在圖3中被標(biāo)記為4)，且示出了所述區(qū)域處于本發(fā)明的典型方法的初步加工階段的情況；圖5是示出了處于圖4中的初步加工階段之后的加工階段的圖4所示放大區(qū)域的視圖；
圖6是示出了處于圖5中的加工階段之后的加工階段的圖4所示放大區(qū)域的視圖；圖7是圖6所示結(jié)構(gòu)的一部分的放大圖；圖8是示出了處于圖6中的加工階段之后的加工階段的圖4所示放大區(qū)域的視圖；圖9是圖8所示結(jié)構(gòu)的一部分的放大圖；圖10是適用于本發(fā)明的方法中的典型靶/靶座構(gòu)造的圖解頂視圖；圖11是沿圖10中線11-11的圖解剖視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的典型靶/靶座構(gòu)造的圖解剖視圖；圖13是與圖12所示靶/靶座構(gòu)造相似的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的典型靶/靶座構(gòu)造的圖解剖視圖；和圖14是沿圖13中線14-14的圖13所示靶/靶座構(gòu)造的圖解頂視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明包括可在物理氣相沉積部件的一個(gè)或多個(gè)表面上形成的顆粒捕集區(qū)域，和形成所述顆粒捕集區(qū)域的方法。該顆粒捕集區(qū)域可用于捕集在沉積工藝過程中沉積在部件上的材料。
通過對物理氣相沉積部件的一個(gè)或多個(gè)表面進(jìn)行珠光處理，且在一些方面中還通過進(jìn)行機(jī)加工，而形成顆粒捕集區(qū)域。如果處理部件是濺射靶，那么處理表面可包括各種非濺射表面，如側(cè)壁表面、凸緣表面和/或沿濺射面的非濺射表面。
通過機(jī)加工形成的凸出部可被視為對應(yīng)于宏觀尺度粗糙度，且通過珠光處理而實(shí)現(xiàn)的粗糙化可被視為對應(yīng)于微觀尺度粗糙度。因此，本發(fā)明可包括具有宏觀尺度和微觀尺度粗糙度中的一種或全部兩種且應(yīng)用于捕集區(qū)域中的圖案。
使用宏觀尺度和微觀尺度圖案可以是有利的。組合在一起的宏觀尺度圖案和微觀尺度圖案可顯著減少在沉積工藝過程中部件處理表面的材料脫落。而且，在宏觀尺度圖案上形成微觀尺度粗糙化表面可通過減少平面或線性沉積膜而有效地減輕沉積膜的脫落問題。平面或線性膜對于循環(huán)沉積工藝過程中產(chǎn)生的循環(huán)熱應(yīng)力而言特別脆弱。具體而言，宏觀尺度圖案單獨(dú)地(例如長的機(jī)加工卷形物)可捕集再沉積材料以在捕集區(qū)域內(nèi)形成長膜。循環(huán)熱應(yīng)力(例如與例如再沉積膜相對于處理部件的基材的不同熱膨脹系數(shù)相關(guān)聯(lián)的應(yīng)力)可導(dǎo)致膜或再沉積膜的簇群從處理部件上剝落。當(dāng)膜或簇群從部件上剝落時(shí)，其可落到接近部件的基板上從而在沉積工藝過程中沉積在基板上的層內(nèi)不希望地形成顆粒，這可降低沉積工藝的生產(chǎn)量或產(chǎn)量。
盡管為表面提供宏觀尺度和微觀尺度粗糙度可以是有利的，但是還存在單獨(dú)需要微觀尺度粗糙度以進(jìn)行捕集的所需方面。因此，本發(fā)明還包括在濺射部件的一個(gè)或多個(gè)表面上形成微觀尺度粗糙度而不存在宏觀尺度粗糙度的情況下的方面。另一種可選方式是，本發(fā)明可包括在濺射部件的一個(gè)或多個(gè)表面上形成宏觀尺度粗糙度而不存在微觀尺度粗糙度的方面。
下面結(jié)合圖2-圖9對用于對物理氣相沉積工藝的部件進(jìn)行處理(具體而言對濺射靶的非濺射表面進(jìn)行處理)的本發(fā)明的一個(gè)典型方面進(jìn)行描述。
參見圖2和圖3，圖中示出了一種典型的濺射靶構(gòu)造10的頂視圖(圖2)和側(cè)剖視圖(圖3)。構(gòu)造10在本發(fā)明的該典型方面中被示作單塊物理氣相沉積靶，但應(yīng)該理解，另一種可選方式是，構(gòu)造10可以是靶/靶座構(gòu)造(圖10-14示出了典型的靶/靶座構(gòu)造)。靶構(gòu)造10包括濺射面12和接近所述濺射面的側(cè)壁14。構(gòu)造10還包括圍繞靶構(gòu)造的下部區(qū)域延伸的凸緣16。構(gòu)造10被示作例如可從HoneywellInternational Inc.得到的VECTRA-IMPTM型靶，但應(yīng)該理解其它靶構(gòu)造可用于本發(fā)明的多個(gè)方面中。
濺射面12通常具有在物理氣相沉積操作中濺射出材料的區(qū)域和在物理氣相沉積操作中不濺射出材料的區(qū)域。非濺射區(qū)域可包括例如對應(yīng)于面12的側(cè)周部區(qū)域的接近側(cè)壁14的區(qū)域。
如上面討論地，在濺射操作中與使用靶構(gòu)造10或其它靶構(gòu)造相關(guān)的問題在于從濺射面12濺射出的一些材料可再沉積到靶構(gòu)造的其它表面上(如非濺射區(qū)域，包括側(cè)壁14、凸緣16和面12上的非濺射區(qū)域)。再沉積材料在物理氣相沉積過程中最終可從靶構(gòu)造中落下作為顆粒。所述顆?？沙练e到物理氣相沉積操作過程中濺射沉積的層內(nèi)從而有害地影響所述層的性質(zhì)，和/或可落到被設(shè)置以支承基板的靜電卡盤上。因此需要開發(fā)用于對側(cè)壁和/或凸緣和/或靶的其它非濺射表面進(jìn)行處理以避免濺射沉積層發(fā)生顆粒污染的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，面12的表面(非濺射表面)，側(cè)壁14和/或凸緣16采用新方法進(jìn)行處理以減少顆粒形成。處理區(qū)域例如可部分或整體延伸穿過由圖3中的括弧18所示的區(qū)域?？商貏e優(yōu)選使用本發(fā)明的方法對靶的所有非濺射表面(在面12、側(cè)壁14或凸緣16上)進(jìn)行處理，所述非濺射表面暴露于物理氣相沉積反應(yīng)室內(nèi)的真空中。
圖4示出了側(cè)壁14中的放大區(qū)域20。側(cè)壁具有相對平的表面21。
圖5示出了在側(cè)壁14已經(jīng)受到處理形成延伸穿過側(cè)壁表面的凸出部22的圖案后的放大區(qū)域20?？墒褂糜?jì)算機(jī)數(shù)控(CNC)機(jī)床、滾花裝置或其它適當(dāng)機(jī)械工具形成凸出部22，且所述凸出部可對應(yīng)于渦卷圖案。例如，可使用計(jì)算機(jī)數(shù)控機(jī)床切入側(cè)壁14內(nèi)并留下所示圖案和/或可使用滾花裝置壓入側(cè)壁14內(nèi)并留下所述圖案。該圖案是重復(fù)圖案，與例如通過珠光處理形成的隨機(jī)圖案相反。凸出部22的圖案可被稱作宏觀圖案以使該圖案與可在隨后形成的微觀圖案(在下面進(jìn)行討論)區(qū)別開來。凸出部22可形成約28/英寸至約80/英寸的密度，且約40/英寸的密度是典型的。在具體應(yīng)用中，可通過具有約28齒/英寸(TPI)至約80齒/英寸，且典型為約40齒/英寸的工具形成凸出部。所述工具的齒部可與凸出部22一一對應(yīng)。除了沿側(cè)壁14形成凸出部以外或另一種可選方式是，凸出部22可被形成穿過凸緣16的表面(圖3)和/或穿過面12的非濺射區(qū)域。
圖6示出了在凸出部22已經(jīng)受到使凸出部彎曲的機(jī)械力之后的放大區(qū)域20?？赏ㄟ^任何適當(dāng)工具，例如包括滾珠或輥?zhàn)犹峁C(jī)械力。還可使用通過計(jì)算機(jī)數(shù)控機(jī)床進(jìn)行適當(dāng)?shù)亩ㄏ驒C(jī)加工形成彎曲凸出部。彎曲凸出部限定出凸出部之間的空腔23，且這些空腔可用作再沉積材料的捕集器和/或其它顆粒源的捕集器。
再次參見圖3，側(cè)壁14可被認(rèn)為接近濺射面12，且被認(rèn)為形成了圍繞濺射面的靶構(gòu)造10的側(cè)周部。圖6所示的彎曲凸出部22(還可被稱作曲形凸出部)因此可被理解為形成了沿側(cè)壁側(cè)向開口的空腔23。另一種可選方式是，空腔2 3可被認(rèn)為是由彎曲或曲形凸出部22形成的接收器的重復(fù)圖案。接收器23最終可被用于保持再沉積材料，或可被用于保持可作為物理氣相沉積工藝過程中的一種顆粒源的其它材料。接收器23在圖6中被示出具有圍繞接收器內(nèi)周的內(nèi)表面27。
如果濺射表面12(圖3)被限定為靶構(gòu)造10的上表面(即，如果靶構(gòu)造被認(rèn)為處于圖3所示的取向)，那么所示空腔向下開口。在本發(fā)明的其它方面中(未示出)，曲形凸出部可形成沿圖3的取向向上開口或側(cè)向開口的空腔。因此，本發(fā)明包括以下方面，其中濺射面被限定為靶構(gòu)造的上表面，且其中沿靶構(gòu)造的側(cè)壁形成曲形凸出部從而形成空腔，所述空腔以相對于濺射面的限定上表面的向下、向上和側(cè)向的取向中的一種或多種取向沿側(cè)壁側(cè)向開口。注意到，濺射面被限定為上表面的目的在于解釋由曲形凸出部形成的空腔的相對取向，而不是表示靶構(gòu)造相對于基準(zhǔn)外框的任何具體取向。因此，濺射表面12(圖3)對于靶構(gòu)造外部的觀察者而言可表現(xiàn)為靶構(gòu)造的向上表面、靶構(gòu)造的向下表面或靶結(jié)構(gòu)的側(cè)表面，但為了解釋本披露內(nèi)容的目的，所述表面可被認(rèn)為是被限定的上表面以理解濺射表面與由曲形凸出部22形成的空腔23的開口方向性之間的關(guān)系。
空腔23可有利地沿靶構(gòu)造10最終用于濺射室(例如圖1所示的室112)中的取向向上開口。因此，空腔可有利地相對于被限定為靶構(gòu)造的上表面的濺射表面12以所示向下構(gòu)型開口。
圖7示出了圖6所示結(jié)構(gòu)的放大區(qū)域30，且具體地示出了單個(gè)凸出部22。
圖6和圖7所示的曲形凸出部22可具有超過表面21例如約0.0001英寸至約0.1英寸(通常約0.01英寸)的高度“H”，和約0.001英寸至約1英寸(通常約0.027英寸)的重復(fù)距離(“R”)。距離“R”可被認(rèn)為是曲形凸出部22的周期重復(fù)距離。
在具體方面中，曲形凸出部22可被認(rèn)為具有底部25，在所述底部處彎曲凸出部聯(lián)接到側(cè)壁14上，且側(cè)壁14可被認(rèn)為具有在曲形凸出部的底部之間延伸的表面15。曲形凸出部通常將具有超過側(cè)壁表面15約0.0001英寸至約0.01英寸的最大高度(“H”)。
圖8和圖9示出了在已經(jīng)進(jìn)行處理以形成作為空腔或凹穴的沿凸出部進(jìn)行延伸的顯微結(jié)構(gòu)32。所述處理優(yōu)選延伸進(jìn)入接收器23內(nèi)以使內(nèi)表面27粗糙化(如圖所示)。所述顯微結(jié)構(gòu)一起限定出顯微結(jié)構(gòu)粗糙度。
例如可利用化學(xué)蝕刻劑和機(jī)械粗糙化中的一種或兩種工藝對凸出部22進(jìn)行處理。典型機(jī)械粗糙化過程包括暴露于顆粒的加壓流(例如珠光處理)中或暴露于剛性刷毛(如金屬絲刷毛)中。典型化學(xué)蝕刻劑包括使凸出部22的材料產(chǎn)生化學(xué)點(diǎn)蝕的溶液，且可包括強(qiáng)堿性溶液、弱堿性溶液、強(qiáng)酸性溶液、弱酸性溶液和中性溶液。
如果使用珠光處理形成顯微結(jié)構(gòu)32，那么用以形成顯微結(jié)構(gòu)的顆粒例如可包括石榴石、碳化硅、氧化鋁、固體H2O(冰)、固體二氧化碳和鹽(例如碳酸氫鹽如碳酸氫鈉)中的一種或多種。此外或另一種可選方式是，顆粒可包括至少與形成顯微結(jié)構(gòu)的材料一樣硬的一種或多種金屬材料。
如果用于進(jìn)行珠光處理的顆粒包括不揮發(fā)材料，那么可在形成凹穴32后引入清洗步驟以去除顆粒。例如，如果所述顆粒包括碳化硅或氧化鋁，那么可使用清洗步驟，其中凸出部22被暴露于清洗材料浴或流中和/或通過適當(dāng)刷洗工具(如金屬絲刷)進(jìn)行刷洗。適當(dāng)流可以是包括固體H2O或固體二氧化碳顆粒的流。如果初始用以形成凹穴32的顆粒主要包括或包括揮發(fā)性顆粒(例如固體冰或固體CO2)，那么可省略上述清洗步驟。
在一些方面中，珠光處理介質(zhì)可以是粒度為24的Al2O3介質(zhì)，且珠光處理例如可從約1微英寸RA進(jìn)行至約4000微英寸RA、優(yōu)選從約50微英寸RA進(jìn)行至約2000微英寸RA且典型地從約100微英寸RA進(jìn)行至約300微英寸RA。
在一些方面中，珠光處理介質(zhì)可包括可高度溶于適當(dāng)溶劑中的材料?？呻S后使用所述溶劑從處理表面上去除珠光處理介質(zhì)。具體而言，珠光處理介質(zhì)可包括鹽或易溶于適當(dāng)溶劑(例如水溶劑、醇溶劑、非極性有機(jī)溶劑等)中的其它組合物。因此可使用適當(dāng)溶劑從表面上大體上完全去除珠光處理介質(zhì)。
在使用可溶于適當(dāng)溶劑中的珠光處理介質(zhì)的典型應(yīng)用中，可使用包括含有周期表的1A和2A族(1A和2A族包括鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈁、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇和鐳)的元素的一種或多種鹵化物鹽的珠光處理介質(zhì)，且可使用水溶劑從處理表面上清洗掉珠光處理介質(zhì)。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解地，鹵化物鹽包括1A和2A族的元素與周期表7A族的元素的組合，(7A族包括氟、氯、溴、碘和砹)?？扇苡谒铱捎米鞅景l(fā)明的多個(gè)方面中的珠光處理介質(zhì)的另一種典型的鹽是氯化銨。
鹵化物僅是可高度溶于水溶劑中的鹽的一個(gè)實(shí)例。除鹵化物以外的多種其它鹽已公知在水溶劑中具有高度可溶性，且這些其它鹽可用于本發(fā)明的多個(gè)方面中。可溶于水溶劑中的非鹵化物鹽例如包括多種碳酸鹽，例如碳酸鈣；和多種氫氧化物，例如包括金屬氫氧化物。典型碳酸鹽是天然堿(Na3(CO3)(HCO3))·2(H2O)。
上述水溶劑僅是可用于本發(fā)明的多個(gè)方面中的多種類型溶劑中的一種，且應(yīng)該理解除水以外的其它溶劑可用于去除多種珠光處理介質(zhì)。例如，多種有機(jī)顆粒可用作珠光處理介質(zhì)，且可隨后溶于適當(dāng)有機(jī)溶劑中。在本發(fā)明的一些方面中，有機(jī)顆?？砂ㄓ袡C(jī)金屬材料。
使用可溶珠光處理介質(zhì)可簡化珠光處理表面的清洗過程。具體而言，通過適當(dāng)溶劑去除介質(zhì)可消除與嵌入珠光處理顆粒相關(guān)聯(lián)的現(xiàn)有技術(shù)問題(上面在本披露內(nèi)容的“背景技術(shù)”部分中討論了典型的現(xiàn)有技術(shù)問題)。在具體方面中，使用高度可溶的珠光處理介質(zhì)可防止發(fā)生與嵌入噴珠相關(guān)聯(lián)的潛在起弧，且還可幫助促進(jìn)再沉積膜附著在根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)方面形成的顆粒捕集器上。
即使存在嵌入噴珠的話，使用高度可溶噴珠和適當(dāng)溶劑以去除噴珠的方法可允許形成幾乎沒有嵌入噴珠的微觀尺度表面(例如圖8和圖9所示的表面)。大體上無噴珠的微觀尺度粗糙化表面由于避免了噴珠污染從而可提供最小的循環(huán)熱應(yīng)力。而且，大體上無噴珠的微觀尺度粗糙化表面可具有尺寸減小的再沉積材料，與具有大量與其相關(guān)聯(lián)的噴珠(例如碳化硅或氧化鋁噴珠)的濺射捕集器相反。
上面討論的可溶介質(zhì)可用以通過增強(qiáng)去除介質(zhì)的性能而避免與嵌入珠光處理介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的問題。在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，通過使用與受到這種介質(zhì)處理的濺射部件的所需使用相容的介質(zhì)而減輕與嵌入珠光處理介質(zhì)相關(guān)聯(lián)的問題。因此，一些介質(zhì)可保持嵌入在處理部件中，而不會(huì)不利地影響部件在濺射應(yīng)用中的使用。
用于對物理氣相沉積部件進(jìn)行珠光處理的典型相容介質(zhì)可包括、主要包括、或由以元素或合金形式存在的金屬構(gòu)成。通常，在現(xiàn)有工藝中不使用金屬材料進(jìn)行珠光處理從而對物理氣相沉積部件進(jìn)行處理，這是因?yàn)檎J(rèn)為金屬材料太軟。然而，本發(fā)明的一個(gè)方面認(rèn)為適當(dāng)硬的金屬材料可用作珠光處理介質(zhì)。盡管金屬顆粒通常比常規(guī)珠光處理顆粒更軟，但如果顆粒至少與要進(jìn)行粗糙化的表面一樣硬，那么金屬顆粒可完成適當(dāng)粗糙化?？墒褂萌魏芜m當(dāng)標(biāo)度確定硬度，所述標(biāo)度例如包括布氏(Brinell)標(biāo)度、維氏(Vickers)標(biāo)度、努普(Knoop)標(biāo)度和莫氏(Mohs)標(biāo)度。
如果所述顆粒或包括與靶表面相同的成分，或包括在濺射操作過程中不會(huì)提供不需要的性質(zhì)的某些成分，那么金屬顆粒被認(rèn)為與靶表面相容。例如，如果濺射靶包括鉭且用于形成屏障層，那么用于使靶的非濺射區(qū)域粗糙化的珠光處理顆?？砂?、主要包括或由鈦、鉬、鉭、鎢和鈷中的一種或多種構(gòu)成，所有這些元素可用于形成與靶中的鉭相似的屏障材料。可認(rèn)為與處理表面相容的其它材料為可易于從處理表面上去除以使得顆粒與濺射操作過程中的表面無關(guān)的材料。然而，通常難以從濺射部件表面上去除金屬顆粒，且因此具體濺射工藝的相容金屬顆粒通常是由一種或多種材料形成的顆粒，所述材料具有與在該工藝中進(jìn)行濺射沉積的材料相似的半導(dǎo)體器件中的功能。
含鉭的物理氣相沉積部件或含鈦的物理氣相沉積部件的粗糙化在商業(yè)上可具有特別的重要性。鉭或鈦的濺射沉積，特別是在存在氮?dú)獾那闆r下進(jìn)行的鉭或鈦的沉積與其它工藝相比在沿非濺射區(qū)域的再沉積和附著以及隨后的所不希望的顆粒形成方面可具有更多問題。鉭或鈦通常在存在氮?dú)獾那闆r下進(jìn)行濺射沉積以形成包括氮化鉭或氮化鈦的屏障材料。因此，用于形成本發(fā)明的濺射捕集器的方法可特別有利于對用于形成屏障材料的鉭或鈦濺射靶進(jìn)行處理。
包括金屬介質(zhì)的典型珠光處理材料可以是含約5％至約30％的金屬粉末(體積百分比)的材料，且這種金屬具有至少約99％的重量百分比的純度。珠光處理材料例如可包括約20％的金屬粉末，且珠光處理材料的剩余部分可以是非金屬顆粒，如碳酸鹽(碳酸氫鈉、碳酸鉀、天然堿等)、鹵化物鹽(氯化鈉、氯化鉀等)或任何其它適當(dāng)介質(zhì)。除金屬材料以外使用的介質(zhì)組分優(yōu)選為可高度溶于適當(dāng)溶劑中以使得可易于從處理表面上去除這種組分的材料。在一些方面中，珠光處理介質(zhì)可被認(rèn)為包括第一組顆粒，所述第一組顆粒主要包括金屬合金和元素金屬中的一種或兩種，和可溶于水溶劑或有機(jī)溶劑中的第二組顆粒。介質(zhì)內(nèi)的第一組顆粒與第二組顆粒的體積體積(v/v)比可小于或等于約1∶3，且在具體方面中在從大于或等于1∶10至小于或等于1∶3的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的具體方面中，對結(jié)合到鋁靶座上的鉭靶進(jìn)行機(jī)加工以便與圖4-圖7所示的工藝相似地在鉭的側(cè)壁表面上且可選地在鋁表面上產(chǎn)生溝槽。隨后使用體積比為1∶10的鎢粉末(通常在80psi下且粒度為200)和小蘇打(碳酸氫鈉)顆粒的混合物對宏觀粗糙化的鉭進(jìn)行微觀粗糙化處理。鎢提供了噴射介質(zhì)，所述噴射介質(zhì)足夠硬以在鉭上形成織構(gòu)表面，但由于鎢與鉭附著良好且對用于形成屏障材料的室不具有污染效應(yīng)，因此通過使用鉭珠光處理介質(zhì)沒有將問題污染物引入濺射室內(nèi)。進(jìn)行初始噴射工藝之后可進(jìn)行純小蘇打噴射以去除任何松散嵌入的鎢。因此，留在顆粒捕集器中的任何鎢在濺射工藝過程中將牢固地嵌入在靶表面中且不落入室內(nèi)?？稍谝徊糠咒X靶座以及一部分鎢上進(jìn)行微觀粗糙化處理以將顆粒捕集區(qū)域延伸到鋁靶座上，或另一種可選方式是，可僅在鉭的宏觀粗糙化區(qū)域上進(jìn)行所述微觀粗糙化處理。在一些方面中，可省略鉭表面的宏觀粗糙化，且可在更高的噴射壓力下使用更大粒度的鎢以形成粗糙表面。這種粗糙表面可受到進(jìn)一步微觀粗糙化的處理，或可省略微觀粗糙化。
上面討論的本發(fā)明的方面中的鎢粉末可與鉭粉末一起使用，或鉭可用于替代鎢粉末。如果所述靶是鈦靶，那么鈦粉末與小蘇打的混合物可用作磨蝕劑。另一種可選方式是，小蘇打可由任何適當(dāng)載體顆粒進(jìn)行替代。所述載體顆粒優(yōu)選將易于去除，且因此所述載體顆粒將優(yōu)選易于溶于珠光處理后使用的清洗溶劑中。所述金屬顆?？梢虼伺c前面在本披露內(nèi)容中討論的高度可溶的顆粒一起使用。
被示出處于圖8和圖9所示的加工階段的側(cè)壁14可被認(rèn)為具有包括捕集區(qū)域的表面，在所述捕集區(qū)域中具有宏觀尺度和微觀尺度結(jié)構(gòu)。具體而言，凸出部22可具有0.01英寸的長度，且可被認(rèn)為是在基板上形成的宏觀尺度特征。在凸出部內(nèi)形成的凹穴可被認(rèn)為是沿凸出部22的表面形成的微觀尺度結(jié)構(gòu)。微觀尺度和宏觀尺度結(jié)構(gòu)的組合可減輕并甚至防止產(chǎn)生前面在本披露內(nèi)容中所述的關(guān)于顆粒被不希望地附著到濺射沉積層內(nèi)的問題。在一些方面中，在宏觀尺度結(jié)構(gòu)上形成的微觀尺度結(jié)構(gòu)還可有利地減少，且在一些情況下完全防止要不然可在物理氣相沉積工藝中發(fā)生的起弧現(xiàn)象。
盡管在此所述的本發(fā)明的典型方面在使凸出部彎曲后形成了凸出部22上的顯微結(jié)構(gòu)，但應(yīng)該理解本發(fā)明包括其它方面(未示出)，其中在使凸出部彎曲之前形成顯微結(jié)構(gòu)。具體而言，凸出部22在圖5所示的加工階段中可受到珠光處理和/或化學(xué)蝕刻且隨后彎曲，而不是被彎曲且隨后受到珠光處理和/或化學(xué)蝕刻。
圖5-圖9所示的凸出部22可沿圖3所示的區(qū)域18中的一部分或全部形成。因此，凸出部可至少部分地沿側(cè)壁14和/或至少部分地沿凸緣16和/或沿面12的非濺射側(cè)周部區(qū)域進(jìn)行延伸。在具體方面中，凸出部將整體沿側(cè)壁14進(jìn)行延伸，和/或?qū)⒄w沿凸緣16進(jìn)行延伸和/或?qū)⒀孛?2的非濺射側(cè)周部區(qū)域進(jìn)行延伸。
圖2和圖3示出了單塊靶構(gòu)造。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到濺射靶構(gòu)造還可包括靶/靶座構(gòu)造。具體而言，濺射靶可在將靶設(shè)置在濺射室(如結(jié)合圖1所述的室)中之前被結(jié)合到靶座上。靶/靶座構(gòu)造可具有任何所需形狀，包括圖2和圖3所示的單塊靶的形狀。靶座可由比靶更便宜、比靶更易于制造或具有靶沒有的其它所需性質(zhì)的材料形成。靶座被用以將靶保持在濺射室中。本發(fā)明可用以類似于圖2-圖9中所示的對單塊靶構(gòu)造進(jìn)行處理的方式對靶/靶座構(gòu)造進(jìn)行處理。
圖10和圖11示出了可根據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行處理的典型靶/靶座構(gòu)造(或組件)200。參見圖10和圖11，在適當(dāng)情況下，將使用與上面描述圖2-圖4所使用的附圖標(biāo)記相似的附圖標(biāo)記。
構(gòu)造200包括結(jié)合到靶座204上的靶202。在所示組件中，靶和靶座在界面206處聯(lián)接在一起。靶202與靶座204之間的結(jié)合方式可以是任何適當(dāng)結(jié)合方式，所述結(jié)合方式例如包括焊料結(jié)合或擴(kuò)散結(jié)合。靶202可包括任何所需材料，所述材料包括金屬、陶瓷等。在具體方面中，靶可包括前面結(jié)合圖2和圖3所示的靶10所述的材料中的一種或多種。靶座204可包括任何適當(dāng)材料或材料組合，且通常包括一種或多種金屬，例如Al、Cu和Ti中的一種或多種。
構(gòu)造200具有與圖2和圖3所示靶構(gòu)造10相似的形狀。因此，構(gòu)造200具有濺射面12、側(cè)壁14和凸緣16。與上面結(jié)合圖2-圖9所述的處理相似地，可采用本發(fā)明的方法對構(gòu)造200的多種非濺射表面中的任何表面進(jìn)行處理。因此，構(gòu)造200的所有或部分所示區(qū)域18可受到處理。
圖11所示的構(gòu)造200與圖3所示的構(gòu)造10之間的差別在于圖11所示構(gòu)造的側(cè)壁14包括靶座(204)的側(cè)壁和靶(202)的側(cè)壁，而圖3所示構(gòu)造的側(cè)壁14僅包括靶的側(cè)壁。圖11所示構(gòu)造的處理區(qū)域18因此可包括沿靶座204的側(cè)壁形成的顆粒捕集器和/或沿靶202的側(cè)壁形成的顆粒捕集器。此外或另一種可選方式是，所述處理區(qū)域可包括沿凸緣16形成的顆粒捕集器和/或可包括沿面12的非濺射部分形成的顆粒捕集器?？赏ㄟ^與結(jié)合圖4-圖9所示的一個(gè)或多個(gè)方面所述的方法相同的方法形成所述顆粒捕集器。
可對構(gòu)造200中的靶202進(jìn)行處理以在靶被結(jié)合到靶座上之前或之后沿側(cè)壁區(qū)域和/或?yàn)R射面的非濺射區(qū)域形成顆粒捕集器。相似地，可對所述構(gòu)造中的靶座204進(jìn)行處理以在靶座被結(jié)合到靶上之前或之后沿側(cè)壁區(qū)域和/或凸緣區(qū)域形成顆粒捕集器。通常，靶和靶座具有受到處理以形成顆粒捕集器的一個(gè)或多個(gè)表面，且構(gòu)造200的靶和/或靶座的處理將在將靶結(jié)合到靶座上之后發(fā)生以使得靶和靶座可同時(shí)受到處理。
結(jié)合圖12-圖14對本發(fā)明的另一方面進(jìn)行討論?？膳c上述使用相容金屬顆粒以沿靶構(gòu)造形成顆粒捕集區(qū)域的工藝一起出現(xiàn)的問題在于即使顆粒良好地附著到靶上，但顆粒仍可能較弱地附著到靶/靶座構(gòu)造的靶座上。因此，即使顆粒與靶材相容，但顆粒仍可能與靶座不相容。圖12-圖14所示的實(shí)施例可克服這種問題。
圖12示出了包括靶座302、靶304和靶與靶座之間的插入件306的靶/靶座構(gòu)造300。圖13和圖14示出了包括靶座322、靶324和靶與靶座之間的插入件326的靶/靶座構(gòu)造320。構(gòu)造300和320中的每種構(gòu)造均包括最終受到處理以形成顆粒捕集器的區(qū)域18，且該區(qū)域包括靶(304或324)和插入件(306或326)的表面，但不包括靶座(302或322)的區(qū)域。
圖12-圖14所示的靶例如可包括高純鉭(例如具有99％或更高的重量百分比的純度的鉭)，靶座可包括銅或銅合金(如銅/鋅合金，且在一些方面中可以是具有99％或更高的重量百分比的純度的銅或銅合金)，且插入?yún)^(qū)域可包括具有99％或更高的重量百分比的純度的鉭、鈦或鋁。因此，靶座可被認(rèn)為包括、主要包括或由第一成分構(gòu)成；靶可被認(rèn)為包括、主要包括或由與第一成分不同的第二成分構(gòu)成；且插入件可被認(rèn)為包括、主要包括或由與第一和第二成分不同的第三成分構(gòu)成。靶、靶座和插入件的成分可以是均質(zhì)的(如圖所示)，或在其它方面中，靶、靶座和插入件中的一個(gè)或多個(gè)可包括多種成分(例如具有不同成分的疊置層)。
上面討論的與鉭相容的多種金屬可不與銅相容，但除了與鉭相容以外通常與鈦或鋁相容。因此，插入件(306或326)被設(shè)置在靶與靶座之間以使得顆粒捕集區(qū)延伸穿過與金屬顆粒相容的金屬，所述金屬顆粒最終用于處理該區(qū)域。在一些方面中，本發(fā)明包括如下認(rèn)識(shí)，即結(jié)合到Cu合金靶座上的Ta靶可具有被濺射的Ta將不粘著在Cu靶座上且因此將易于從靶座上剝落的具體問題。插入件(306或326)的夾層或環(huán)形材料可被選擇以對Ta比對Cu靶座材料具有更好的附著力(化學(xué)或冶金結(jié)合)。插入件(306或326)可以是均質(zhì)單一成分(如圖所示)，或可包括多種成分。而且，在本發(fā)明的其它方面中(未示出)，所示的插入件可被一堆多個(gè)插入件更換。
可使用上面結(jié)合圖5-圖9所述的方法對圖12-圖14所示的區(qū)域18進(jìn)行處理以使得所述區(qū)域可包括宏觀尺度和微觀尺度粗糙化，或另一種可選方式是，所述區(qū)域可僅受到處理以形成微觀尺度粗糙化。在使用微觀尺度粗糙化和宏觀尺度粗糙化的方面中，宏觀尺度粗糙化可在微觀尺度粗糙化之前或之后進(jìn)行。然而，優(yōu)選在微觀尺度粗糙化之前進(jìn)行宏觀尺度粗糙化，這是因?yàn)楹暧^尺度粗糙化比微觀尺度粗糙化更粗糙。
圖13和圖14所示的實(shí)施例相對于圖12所示的實(shí)施例之間的差別在于，當(dāng)從上方進(jìn)行觀察時(shí)，圖12所示的插入件306將是實(shí)心圓、或其它適當(dāng)形狀；而當(dāng)從上方進(jìn)行觀察時(shí)，圖13和圖14所示的插入件326是環(huán)形的，且在所示實(shí)施例中當(dāng)從上方進(jìn)行觀察時(shí)是環(huán)形圓環(huán)。在一些方面中，圖12所示的插入件306可被認(rèn)為代表了一類實(shí)心幾何形狀，而插入件326可被認(rèn)為代表了一類中空幾何形狀。
圖12所示的靶可被認(rèn)為具有整體沿插入件的結(jié)合表面，且圖13和圖14所示的靶可被認(rèn)為具有部分沿插入件且部分沿靶座的結(jié)合表面。換句話說，圖12-圖14所示的構(gòu)造示出插入件在至少一部分靶與靶座之間，且圖12所示的構(gòu)造示出插入件在僅一部分靶與靶座之間，且圖13和圖14所示的構(gòu)造示出插入件在整個(gè)靶與靶座之間。
可通過任何適當(dāng)方法形成圖12和圖13的構(gòu)造。例如，在典型方法中，插入件首先通過適當(dāng)結(jié)合方式(例如包括焊料結(jié)合或擴(kuò)散結(jié)合)結(jié)合到靶座上，且靶隨后通過適當(dāng)結(jié)合方式(例如包括焊料結(jié)合或擴(kuò)散結(jié)合)被結(jié)合到插入件/靶座組合部件上。另一種可選方式是，插入件首先可通過適當(dāng)結(jié)合方式(例如包括焊料結(jié)合或擴(kuò)散結(jié)合)結(jié)合到靶上，且靶/插入件組合部件隨后可通過適當(dāng)結(jié)合方式(例如包括焊料結(jié)合或擴(kuò)散結(jié)合)被結(jié)合到靶座上。作為又一個(gè)實(shí)例，靶、靶座和插入件均可同時(shí)彼此結(jié)合。
不管靶、靶座和插入件如何彼此結(jié)合，可在靶、靶座和插入件彼此結(jié)合之后在整個(gè)區(qū)域18上形成顆粒捕集區(qū)域，或可在靶、靶座和插入件中的一個(gè)或多個(gè)彼此結(jié)合之前至少部分地形成顆粒捕集區(qū)域。例如，可在將靶和/或插入件結(jié)合成靶/靶座構(gòu)造之前沿靶和/或插入件的表面形成圖5所示類型的宏觀粗糙化區(qū)域。作為另一個(gè)實(shí)例，可在將靶和/或插入件結(jié)合成靶/靶座構(gòu)造之前沿靶和/或插入件的表面進(jìn)行圖6和圖7所示的彎曲和/或圖8和圖9所示的微觀粗糙化。作為又一個(gè)實(shí)例，可在靶、靶座和插入件結(jié)合成靶/靶座構(gòu)造之后實(shí)施圖5-圖9所示的所有加工步驟。
上述用于對濺射靶的非濺射區(qū)域進(jìn)行處理的方法可用于對適用于多種沉積工藝(包括物理氣相沉積(PVD)設(shè)備、化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備等)中的多種部件的表面進(jìn)行處理，且可被使用同時(shí)保持所需粗糙度控制。例如，該方法可用于對物理氣相沉積設(shè)備中的帽、銷、罩、線圈、覆蓋環(huán)、夾具、室的內(nèi)側(cè)壁等的表面進(jìn)行處理。
權(quán)利要求
1.一種對沉積設(shè)備中的部件進(jìn)行處理的方法，所述部件包括具有第一硬度的成分，所述方法包括使所述部件的表面受到由珠光處理介質(zhì)進(jìn)行的珠光處理，所述珠光處理介質(zhì)包括具有大于或等于所述第一硬度的第二硬度的顆粒，所述顆粒主要包括金屬合金和元素金屬中的一種或兩種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述部件表面主要包括鉭，且其中所述顆粒包括與鉭相容的一種或多種金屬組分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述部件表面主要包括鉭，且其中所述顆粒包括鈦、鉬、鉭、鎢和鈷中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述部件是主要包括鉭的濺射靶，且其中所述顆粒主要包括鈦、鉬、鉭、鎢和鈷中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述部件是主要包括鉭的濺射靶，其中所述顆粒是由所述珠光處理介質(zhì)包括的第一組顆粒，其中所述珠光處理介質(zhì)包括不同于所述第一組顆粒的第二組顆粒，其中所述第一組顆粒主要包括鎢，所述第二組顆粒主要包括碳酸氫鈉，且所述珠光處理介質(zhì)中的所述第一組顆粒與所述第二組顆粒的體積比為約1∶10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括沿所述部件的所述表面形成凸出部圖案；并且使所述凸出部彎曲。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述部件表面主要包括鉭，且其中所述顆粒包括鈦、鉬、鉭、鎢和鈷中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在形成所述凸出部圖案之前進(jìn)行所述珠光處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在形成所述凸出部圖案之后且在使所述突出部彎曲之前進(jìn)行所述珠光處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在使所述突出部彎曲之后進(jìn)行所述珠光處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述顆粒是由所述珠光處理介質(zhì)包括的第一組顆粒，且其中所述珠光處理介質(zhì)包括不同于所述第一組顆粒的第二組顆粒，所述第二組顆粒可溶于水溶液中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述珠光處理介質(zhì)內(nèi)的所述第一組顆粒與所述第二組顆粒的體積體積比小于或等于約1∶3。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述珠光處理介質(zhì)內(nèi)的所述第一組顆粒與所述第二組顆粒的體積體積比小于或等于約1∶3且大于或等于約1∶10。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二組顆粒包括選自包括堿金屬鹵化物鹽和銨的鹵化物鹽的組群中的一種或多種鹽。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二組顆粒包括選自包括金屬氫氧化物的組群中的一種或多種鹽。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二組顆粒包括選自包括鹵化物鹽的組群中的一種或多種鹽，所述鹵化物鹽中包括選自周期表的1A和2A族中的元素。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述顆粒是由所述珠光處理介質(zhì)包括的第一組顆粒，且其中所述珠光處理介質(zhì)包括不同于所述第一組顆粒的第二組顆粒，所述第二組顆?？扇苡谟袡C(jī)溶液中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第二組顆粒包括一種或多種有機(jī)金屬材料。
19.一種形成靶/靶座構(gòu)造的方法，包括提供包括第一成分的靶座；提供包括不同于所述第一成分的第二成分的靶；提供具有不同于所述第一成分和所述第二成分的第三成分的插入件；將所述靶、靶座和插入件結(jié)合成一種構(gòu)型，其中所述插入件位于至少一部分所述靶與所述靶座之間；所述構(gòu)型具有沿一部分所述靶和一部分所述插入件延伸的表面；并且沿所述表面形成顆粒捕集區(qū)域，所述顆粒捕集區(qū)域包括沿所述插入件的所述部分且沿所述靶的所述部分延伸的曲形凸出部的圖案，所述曲形凸出部形成空腔，至少一些所述空腔沿所述靶/靶座構(gòu)造側(cè)向開口。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述形成所述顆粒捕集區(qū)域在所述結(jié)合之后發(fā)生且包括沿所述表面形成凸出部的圖案；使所述凸出部彎曲；并且使所述凸出部受到珠光處理以在所述凸出部上形成顯微結(jié)構(gòu)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述珠光處理使用包括具有大于或等于所述第二成分的硬度的硬度的顆粒的介質(zhì)，所述顆粒主要包括金屬合金和元素金屬中的一種或兩種。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述顆粒是由所述珠光處理介質(zhì)包括的第一組顆粒，且其中所述珠光處理介質(zhì)包括不同于所述第一組顆粒的第二組顆粒，所述第二組顆粒可溶于水溶液或有機(jī)溶液中。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中至少一些所述顆粒捕集區(qū)域在所述結(jié)合之前形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述結(jié)合包括將所述插入件插入所述靶座內(nèi)且將所述插入件結(jié)合到所述靶座上；并且在所述插入件被結(jié)合到所述靶座上之后將所述靶結(jié)合到所述插入件上。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第二成分包括鉭。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第二成分主要包括鉭。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第二成分由鉭構(gòu)成。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一成分包括銅；所述第二成分包括鉭；且所述第三成分包括鈦。
29.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一成分包括銅；所述第二成分主要包括鉭；且所述第三成分主要包括鈦。
30.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一成分包括銅；所述第二成分由鉭構(gòu)成；且所述第三成分由鈦構(gòu)成。
31.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第二成分包括鉭，且所述第三成分包括鋁、鉭和鈦中的一種或多種。
32.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述靶具有接近所述靶座的結(jié)合表面，且其中所述結(jié)合表面的整體與所述插入件接觸。
33.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述靶具有接近所述靶座的結(jié)合表面，且其中僅一部分所述結(jié)合表面與所述插入件接觸。
34.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述插入件是具有所述第三成分的實(shí)心幾何形狀。
35.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述插入件是具有所述第三成分的中空幾何形狀。
36.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述插入件是具有所述第三成分的實(shí)心圓。
37.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述插入件是具有所述第三成分的環(huán)形環(huán)。
38.一種靶/靶座構(gòu)造，包括包括第一成分的靶座；包括不同于所述第一成分的第二成分的靶；在至少一部分所述靶與所述靶座之間的插入件，所述插入件具有不同于所述第一成分和所述第二成分的第三成分；所述靶/靶座構(gòu)造包括沿一部分所述靶且沿一部分所述插入件延伸的顆粒捕集區(qū)域，所述顆粒捕集區(qū)域包括沿所述插入件的所述部分且沿所述靶的所述部分延伸的曲形凸出部的圖案，所述曲形凸出部形成空腔，至少一些所述空腔沿所述靶/靶座構(gòu)造側(cè)向開口。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述第二成分包括鉭。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的構(gòu)造，其中所述第三成分包括鈦。
41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述第二成分主要包括鉭。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的構(gòu)造，其中所述第三成分包括鈦。
43.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述第二成分由鉭構(gòu)成。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的構(gòu)造，其中所述第三成分包括鈦。
45.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述第一成分包括銅；所述第二成分包括鉭；且所述第三成分包括鈦。
46.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述第一成分包括銅；所述第二成分主要包括鉭；且所述第三成分主要包括鈦。
47.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述第一成分包括銅；所述第二成分由鉭構(gòu)成；且所述第三成分由鈦構(gòu)成。
48.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述第二成分包括鉭，且所述第三成分包括鋁、鉭和鈦中的一種或多種。
49.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述靶具有接近所述靶座的結(jié)合表面，且其中所述結(jié)合表面的整體與所述插入件接觸。
50.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述靶具有接近所述靶座的結(jié)合表面，且其中僅一部分所述結(jié)合表面與所述插入件接觸。
51.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述插入件是具有所述第三成分的實(shí)心幾何形狀。
52.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述插入件是具有所述第三成分的中空幾何形狀。
53.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述插入件是具有所述第三成分的實(shí)心圓。
54.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述插入件是具有所述第三成分的實(shí)心圓且被插入所述靶座內(nèi)。
55.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述插入件是具有所述第三成分的環(huán)形環(huán)。
56.根據(jù)權(quán)利要求38所述的構(gòu)造，其中所述插入件是具有所述第三成分的環(huán)形環(huán)且被插入所述靶座內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明包括用于沿物理氣相沉積部件的表面形成顆粒捕集器的方法，且包括在其上具有顆粒捕集器的物理氣相沉積部件。本發(fā)明可包括將高度可溶的介質(zhì)用于進(jìn)行珠光處理和/或可包括將金屬材料用作珠光處理介質(zhì)。本發(fā)明還可包括沿需要顆粒捕集器的靶座的區(qū)域形成插入件，且所述插入件具有在顆粒捕集性質(zhì)方面優(yōu)于所述靶座的成分。
文檔編號(hào)B08B7/00GK1849409SQ200480026269
公開日2006年10月18日 申請日期2004年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月11日
發(fā)明者金在衍, S·R·賽爾斯, J·K·卡多庫斯, T·J·費(fèi)蘭 申請人:霍尼韋爾國際公司