專利名稱：組織切除系統(tǒng)的制作方法
組織切除系統(tǒng)
背景技術(shù)：
ι. ^MMM本發(fā)明涉及電外科設(shè)備及用于快速、受控地切除組織的相關(guān)方法。更具體地，本發(fā)明涉及用通過非導(dǎo)電氣體傳送的射頻電流治療組織，該氣體離子化成透過該氣體周圍的薄介電層電容性地耦合到周圍組織。長期以來提出通過切除包圍器官內(nèi)部的子宮內(nèi)膜層或粘膜層來治療如子宮及膽囊之類的患病器官?？赏ㄟ^加熱表面、用微波能量處理表面、用冷凍消融處理表面、并向表面?zhèn)魉蜕漕l能量來實(shí)現(xiàn)這種內(nèi)表面切除。已提出對于本發(fā)明有特殊意義的各種射頻切除結(jié)構(gòu)，包括固體電極、球囊電極、金屬化織物電極等。雖然通常是有效的，但至少多數(shù)現(xiàn)有電極設(shè)計遭受一個或多個缺點(diǎn)，諸如相對慢的處理時間、不完全處理、非均勻切除深度、以及傷害相鄰器官的風(fēng)險。出于這些原因，期望提供射頻切除內(nèi)部組織表面的方法和裝置，以做到快速、切除深度均勻、確保整個目標(biāo)表面上的完全切除并減小傷害相鄰器官的風(fēng)險。這些目的的至少一部分將由本文所描述的發(fā)明來實(shí)現(xiàn)。2.背基技術(shù)美國專利No. 4，979，948描述了填充有電解質(zhì)溶液的球囊，該球囊用于向粘膜層經(jīng)由電容耦合分布射頻電流。發(fā)明者與本申請的發(fā)明者相同的US2008/097425 描述了傳送將射頻電流帶給組織的液體介質(zhì)的增壓流，其中當(dāng)液體經(jīng)過流孔時，該液體被激發(fā)成等離子體。US5，891，134描述了密封球囊內(nèi)的射頻加熱器。US6，041，260描述了在球囊外表面上分布的射頻電極，該球囊在要治療的體腔中膨脹。US7，371，231和 US2009/0M892描述了導(dǎo)電球囊，其具有作為用于執(zhí)行子宮內(nèi)膜切除的電極的外表面。 US5, 191，883描述了球囊內(nèi)介質(zhì)的雙極加熱以用于熱切除。US6，736，811和US5，925，038 示出可膨脹導(dǎo)電電極。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供用于處理患者組織的裝置系統(tǒng)和裝置。該處理一般包括向組織傳送射頻電流以便加熱并通常將組織切除到期望深度。電流從射頻能源通過第一介電介質(zhì)和與該第一介質(zhì)串聯(lián)的第二介電介質(zhì)傳送到組織。第一介電介質(zhì)將通常包括非導(dǎo)電氣體，該氣體典型地通過施加高壓射頻電壓，但是可選地通過直接向氣體施加熱，進(jìn)一步可選地通過向氣體施加高射頻電壓和熱兩者來激化以形成等離子體。第二介電介質(zhì)將第一介質(zhì)與目標(biāo)組織分隔開，該目標(biāo)組織典型地包括如硅樹脂或基于硅樹脂的材料的薄介電材料，更典型地包括界定包含非導(dǎo)電氣體的內(nèi)腔體的薄介電壁。因此，通過穿過第一和第二介電介質(zhì)施加射頻電壓向組織傳送射頻電流，使得第一電介質(zhì)被離子化，通常形成氣體等離子體，且第二電介質(zhì)允許電流經(jīng)由電容耦合流向組織。用于向組織傳送射頻電流的系統(tǒng)和裝置包括具有支承端、工作端、以及內(nèi)腔體的主體。薄介電壁包圍內(nèi)腔體的至少一部分，并具有置于主體工作端處的外表面。將設(shè)置氣體入口以連接到腔體，用于以連續(xù)流動模式或靜態(tài)模式傳送非導(dǎo)電氣體。提供第一電極結(jié)構(gòu)，且該第一電極結(jié)構(gòu)具有暴露于內(nèi)腔體或氣體入口的表面。還提供第二電極結(jié)構(gòu)，且該第CN 102245118 A
說明書
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二電極結(jié)構(gòu)具有適配成與組織接觸的表面，其典型地在主體的某一處上，更典型地在設(shè)備的把手部分或桿部分上。該裝置還包括連接成穿過第一和第二電極結(jié)構(gòu)施加射頻電壓的射頻電源，其中電壓足以發(fā)起氣體的離子化以在腔體內(nèi)形成等離子體。電壓還將足以在等離子體中將電流穿過介電壁電容性地耦合到與外表面相鄰的組織。主體的特定結(jié)構(gòu)可能變化。在第一示例中，介電壁可包括剛性材料，通常選自由陶瓷、玻璃和聚合物構(gòu)成的組。剛性材料可形成為包括管狀、球狀等的各種幾何形狀。通常， 介電壁將具有約0. 002英寸到0. 1英寸范圍中的厚度，通常從0. 005英寸到0. 05英寸。在替代實(shí)施例中，介電壁可包括可順應(yīng)的材料，典型為硅樹脂。這種可順應(yīng)介電壁將典型地具有約0. 004英寸到0. 03英寸范圍中的厚度，通常從0. 008英寸到0. 015英寸。 該可順應(yīng)壁可以是不可擴(kuò)張的，或可以具有使壁結(jié)構(gòu)可膨脹的彈性。對于不可擴(kuò)張的或彈性介電壁而言，該設(shè)備還可包括支承可順應(yīng)材料的框架，通常該框架可擴(kuò)展及收縮以打開及關(guān)閉介電壁。本發(fā)明的裝置典型地還將包括連接到主體的支承端的桿或其它把手結(jié)構(gòu)。通常， 桿將具有延伸到主體的氣體入口以便向腔體傳送非導(dǎo)電氣體的內(nèi)腔。桿或把手還可至少包括用于從腔體移除非導(dǎo)電氣體的第二內(nèi)腔，使得氣體可在連續(xù)流中再循環(huán)。通常，第一電極將至少部分地在設(shè)備的第一內(nèi)腔中，盡管其也可在腔體內(nèi)或在第一內(nèi)腔和腔體兩者內(nèi)。第二電極將通常至少部分地置于該設(shè)備的外表面上，典型地在桿上，盡管在某些系統(tǒng)中，第二電極可置于獨(dú)立的分散導(dǎo)流罩上。根據(jù)本發(fā)明的裝置將具有0. Olml到20ml范圍中的內(nèi)腔體體積，典型地從Iml到 10ml。介電壁將具有Imm2到IOOmm2范圍中的面積，典型地從5mm2到50mm2。第一電極表面將具有與非導(dǎo)電氣體接觸的0. Olmm2到IOmm2范圍中的面積，典型地從Imm2到5mm2。此外，第二電極結(jié)構(gòu)將具有能夠與組織接觸的0. 5mm2到50mm2范圍中的面積，通常從Imm2到 IOmm20射頻電源可能具有經(jīng)常用于電外科中的一般結(jié)構(gòu)。電源將通常配置成典型地以 0. IA到IA范圍中的電流，典型地以從0. 2A到0. 5A的電流，且以450kHz到550MHz范圍中的頻率，通常以從480kHz到500MHz的頻率來傳送500V(均方根)到2500V(均方根)范圍中的電壓，通常為從600V(均方根)到1200V(均方根)的電壓。用于處理患者組織的設(shè)備包括將非導(dǎo)電氣體包含在施加器的內(nèi)腔體中，其具有包圍至少部分內(nèi)腔體的薄介電壁。薄介電壁的外表面將與組織的目標(biāo)區(qū)域接合，且穿過氣體和薄壁施加射頻電壓，其中電壓足以離子化氣體以在氣體中發(fā)起等離子體，且足以將氣體等離子體中的電流穿過介電壁電容性地耦合到所接合的組織。非導(dǎo)電氣體可靜態(tài)地保持在腔體內(nèi)，但將更經(jīng)常主動地流過施加器的腔體。非導(dǎo)電氣體的流速將典型地在約Iml/秒到50ml/秒的范圍中，優(yōu)選從5ml/秒到30ml/秒。內(nèi)腔體體積將在0. Olml到IOOml的范圍中，典型地從2ml到10ml。通常，非導(dǎo)電氣體將是氬氣或其它惰性氣體或惰性氣體的混合物。施加器的介電壁可采取各種配置。在第一實(shí)施例中，介電壁將具有通常為固定的形狀，無關(guān)于所包含氣體的內(nèi)部加壓，該形狀將保持恒定。替代地，介電壁可能是彈性的、可順應(yīng)的、松弛的、或否則具有可順應(yīng)于所接合組織表面的可改變形狀。在一些示例中，薄介電壁將包括球囊或可通過增大非導(dǎo)電氣體或其它介質(zhì)的內(nèi)部壓力來擴(kuò)展的其它可膨脹結(jié)構(gòu)。替代地，可在彈性的或非彈性順應(yīng)薄介電壁內(nèi)提供單獨(dú)的框架、籠子、彈簧或其它機(jī)械展開結(jié)構(gòu)。在后一情況下，框架或其它結(jié)構(gòu)可被配置成以及再配置成將薄介電壁定形為該方法所期望的形狀。通過提供耦合到非導(dǎo)電氣體的第一電極表面和耦合到患者組織的第二電極表面， 向組織施加電壓。射頻電壓隨后穿過第一和第二電極而施加，以便離子化內(nèi)腔體內(nèi)的非導(dǎo)電氣體(形成等離子體)，并以便穿過薄介電壁使帶電的等離子體與組織電容性地耦合。向第一和第二介電介質(zhì)施加的電壓將取決于第一電極表面和介電壁之間的距離以及介電壁和第二電極之間的電阻，其中第二電極與組織接觸，且電阻典型地在500V(均方根)和2500V(均方根)的范圍中。在示例性實(shí)施例中，第一電極表面將通常在內(nèi)腔體或通向內(nèi)腔體的氣體流路徑之中或之上，且第二電極表面將與患者組織接觸，經(jīng)常置于處理設(shè)備的桿或其它外表面上。附圖簡述為了更好地理解本發(fā)明以及為了領(lǐng)會實(shí)際上如何實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，接下來僅以非限制性示例方式參考附圖描述一些優(yōu)選實(shí)施例，貫穿附圖中的類似實(shí)施例，相同附圖標(biāo)記始終表示相應(yīng)特征。

圖1是對應(yīng)于本發(fā)明的切除系統(tǒng)的示意圖，其包括電外科切除探針、射頻(RF)電源以及控制器。圖2A是配置有用于切除腫瘤的尖頭的圖1的切除探針的視圖。圖2B是刺入腫瘤后的圖2A探針的另一視圖。圖3是圖1探針的工作端的放大示意圖，其在薄壁介電結(jié)構(gòu)內(nèi)部提供氣體電極。圖4A是替代性薄壁圓柱形介電結(jié)構(gòu)的截面圖，其中支承元件形成在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)。圖4B是另一薄壁平面介電結(jié)構(gòu)的部分截面圖，其中支承元件為華夫餅干形結(jié)構(gòu)。圖5A是另一薄壁平面介電結(jié)構(gòu)的部分截面圖，其中支承元件包括柱狀元件。圖5B是探針工作端的截面圖，其中具有柱狀支承元件的薄壁介電結(jié)構(gòu)設(shè)置在芯電極周圍。圖6是對應(yīng)于本發(fā)明的一電外科系統(tǒng)的組件的框圖。圖7是對應(yīng)于本發(fā)明的一電外科系統(tǒng)的氣體流組件的框圖。圖8是圖3所示工作端的切割示意圖，其示出電流經(jīng)由透過薄壁介電結(jié)構(gòu)的電容性耦合被耦合到組織的本發(fā)明的方法中的一步驟。圖9A是圖3方法的一方面的放大示意圖，其示出定位離子化氣體電極和與組織接觸的薄壁電介質(zhì)的步驟。圖9B是施加RF能量以穿過氣體建立弧并電容性地透過薄壁電介質(zhì)耦合以在組織中的分離路徑中造成電流流動的后續(xù)步驟的示意圖。圖9C是類似于圖9B的示意圖，其描繪流向組織中的另一隨機(jī)路徑的電流的掃描。圖9D是類似于圖9A-9C的示意圖，其描繪來自組織中的多個掃描的電流流動的熱擴(kuò)散。圖10是示出能量傳送形式的電方面和組件的電路圖。圖IlA是位于組織中的圖3的工作端的截面圖，其示出使用工作端的方法中的步驟，其中電流經(jīng)由離子化氣體耦合到組織并透過薄壁介電結(jié)構(gòu)電容性耦合。
圖IlB是類似于圖IlA的截面圖，其示出該方法中的顯示經(jīng)切除的組織體積的另
“■步驟。圖12是使用方法中類似于圖3的替代工作端的截面圖，介電結(jié)構(gòu)具有中心支承構(gòu)件，其作為⑴電極以及(ii)氣體流引導(dǎo)裝置。圖13是對應(yīng)于本發(fā)明的一方法的框圖。圖14是對應(yīng)于本發(fā)明的另一方法的框圖。圖15是對應(yīng)于本發(fā)明的另一方法的框圖。圖16是對應(yīng)于本發(fā)明的另一方法的框圖。圖17是對應(yīng)于本發(fā)明的另一方法的框圖。圖18A是攜帶可從鞘延伸的多個針狀切除元件的替代切除探針的平面圖，各元件具有帶不同介電參數(shù)的介電結(jié)構(gòu)，以用于電容性耦合的方向控制并因此控制切除的方向。圖18B是多個可延伸針切除元件從鞘延伸出的圖18A的切除探針的另一視圖。圖19是針對切除及切割定下目標(biāo)組織體積的情況下的圖18A-18B的切除探針的工作端的放大圖。圖20是利用圖19的工作端切除的組織的截面圖，其示出定向電容性耦合及定向切除。圖21是用于定向電容性耦合及定向切除的利用多個類似于圖19-20的工作端的腫瘤切除方法的示意圖。圖22是類似于圖3和圖12的替代工作端的截面圖，其具有用于定向控制電容性耦合及因此定向控制切除的非均勻厚度介電結(jié)構(gòu)。圖23是用于定向控制對組織的電容性耦合的非均勻厚度介電結(jié)構(gòu)的截面圖。圖M是具有用于定向控制對組織的電容性耦合的不同材料的均勻厚度介電結(jié)構(gòu)的截面圖。圖25A是類似于圖12的切除探針的工作端的截面圖，其具有非延伸條件下可擴(kuò)展的薄壁介電結(jié)構(gòu)。圖25B是圖25A的工作端的截面圖，其具有在軟組織中在延伸條件下可擴(kuò)展的薄壁介電結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)配置用于根據(jù)氣體膨脹壓力來擴(kuò)展。圖25C是如圖25B所示的另一截面圖，其示出從可擴(kuò)展介電結(jié)構(gòu)中所包含的等離子體將能量電容性耦合到組織。圖25D是如圖25B所示的另一截面圖，其示出能量傳送后的被切除組織的區(qū)域。圖沈是折疊在可轉(zhuǎn)移鞘內(nèi)的未延伸條件下的可擴(kuò)展介電結(jié)構(gòu)的另一截面圖。圖27是心臟及類似于圖25A的另一切除探針的工作端的切割示意圖，該切除探針具有配置以用于切除肺靜脈以治療心房顫動的可擴(kuò)展薄壁介電結(jié)構(gòu)，其中該結(jié)構(gòu)配置用于根據(jù)氣體膨脹壓力而擴(kuò)展。圖觀是切除肺靜脈的圖27的工作端的放大截面示意圖。圖四是心臟及配置以用于切除線性損傷以治療心房顫動的另一切除探針的可偏轉(zhuǎn)工作端的切割示意圖。圖30是圖四的可偏轉(zhuǎn)工作端的示意性立體圖，其示出伸長的介電結(jié)構(gòu)。圖31是圖30的可偏轉(zhuǎn)工作端及介電結(jié)構(gòu)的截面圖，其示出內(nèi)電極。
圖32是類似于圖30-31的另一可偏轉(zhuǎn)工作端的立體圖，其用于生成圓周損傷以治
療心房顫動。圖33是食道及類似于圖27的另一切除探針的工作端的切割示意圖，其具有配置以用于根據(jù)內(nèi)骨骼框架擴(kuò)展的可擴(kuò)展薄壁介電結(jié)構(gòu)。圖34是圖33的可擴(kuò)展薄壁介電結(jié)構(gòu)的切割示意圖，其示出可選地作為電極的內(nèi)骨骼支承框架。圖35是類似于圖34的另一可擴(kuò)展介電結(jié)構(gòu)的切割視圖，其示出替代的內(nèi)骨骼支承框架。圖36是另一切除探針的工作端的截面示意圖，其包括嚙合組織的第一和第二相對齒板，各齒板嚙合表面包括薄壁介電結(jié)構(gòu)，該齒板配置成用于密封或凝結(jié)夾在其之間的組織。圖37是另一實(shí)施例的具有可擴(kuò)展薄介電壁結(jié)構(gòu)的工作端的示意圖，該薄介電壁結(jié)構(gòu)具有用于執(zhí)行另一形式的雙極切除的多個等離子體承載腔體。圖38是沿著圖37的線38_38截取并旋轉(zhuǎn)90°的示出組織中的電流流動的圖37 的工作端的橫向截面示意圖。
具體實(shí)施例方式在附圖中示出對實(shí)踐對應(yīng)于本發(fā)明的電外科方法有用的切除系統(tǒng)的若干實(shí)施例。 一般地，這些實(shí)施例的每一個利用在第一極性處離子化并包含在薄壁介電外殼內(nèi)的氣體， 薄壁介電外殼提供將來自氣體的RF電流電容性地耦合到目標(biāo)組織，該目標(biāo)組織與第二極性處的電極接觸、并與介電外殼分隔開且在介電外殼外部。該系統(tǒng)實(shí)施例典型地包括具有工作端的儀器，該工作端包括用于包含可離子化氣體的薄壁介電外殼。當(dāng)施加充分的電壓以將所包含氣體離子化成等離子體并同期發(fā)生透過周圍介電結(jié)構(gòu)的電容性耦合時，電流開始流向組織。本發(fā)明由此提供能夠極快地將組織切除成Imm到5mm或更大的控制深度的基于電壓的電外科效果，其中在介電外殼的整個表面周圍，切除深度極均勻。儀器工作端和介電外殼可采取各種形式，包括但不限于，針切除設(shè)備的延伸桿部、介電可擴(kuò)展結(jié)構(gòu)、用關(guān)節(jié)連接的構(gòu)件、可偏轉(zhuǎn)構(gòu)件、或者電外科齒板結(jié)構(gòu)的至少一個嚙合表面。該系統(tǒng)實(shí)施例和方法可用于間質(zhì)組織切除、腔內(nèi)組織切除或局部組織切除。本文所描述的系統(tǒng)實(shí)施例利用包含非導(dǎo)電氣體作為電介質(zhì)的薄壁介電結(jié)構(gòu)或儀器工作端處的壁。薄壁介電結(jié)構(gòu)可以是具有配置成接觸組織的表面的聚合物、陶瓷、或玻璃。在一個實(shí)施例中，薄壁介電結(jié)構(gòu)內(nèi)部的內(nèi)腔體攜帶諸如氬的循環(huán)中性氣體或靜態(tài)中性氣體。RF電源通過置于工作端內(nèi)部的電極來提供耦合到中性氣體流或靜態(tài)氣體體積的電流。直到通過電壓擊穿被轉(zhuǎn)換成導(dǎo)電的等離子體，包含在介電外殼內(nèi)的氣體流或靜態(tài)氣體的類型一直都是非導(dǎo)電的。氣體擊穿的閾值電壓將根據(jù)若干參數(shù)的變化而變化，這些參數(shù)包括氣體壓力、氣體流速、氣體類型、以及穿過內(nèi)腔體的從內(nèi)電極到介電結(jié)構(gòu)的距離。如一些實(shí)施例所示，在操作期間可通過反饋機(jī)制來調(diào)制電壓及其它操作參數(shù)。通過與儀器工作端中的導(dǎo)電電極相接觸來離子化的氣體起到開關(guān)機(jī)制作用，其僅允許當(dāng)穿過氣體、介電結(jié)構(gòu)以及接觸的組織的組合的電壓達(dá)到造成穿過介電結(jié)構(gòu)的電容性耦合的預(yù)定閾值電位時，電流流向目標(biāo)組織。通過允許電流僅在將電流電容性地耦合到組織的高閾值電壓下流動，本發(fā)明使與介電結(jié)構(gòu)接觸的全部組織內(nèi)具有基本均勻組織效果。 此外，本發(fā)明允許離子化氣體的產(chǎn)生與通過將非導(dǎo)電氣體轉(zhuǎn)換成等離子體從而向組織施加能量同時發(fā)生。在裝置的一個實(shí)施例中，離子化氣體作為電極，并包括可典型地從與氣體流接觸的工作端內(nèi)部的電極穿過介電結(jié)構(gòu)內(nèi)的內(nèi)部包含氣體容積傳導(dǎo)電流的氣體流。氣體流配置的目的為使能量穿過介電結(jié)構(gòu)的表面均勻地耦合到介電結(jié)構(gòu)，但是其僅在非導(dǎo)電氣體介質(zhì)通過被升高至閾值電壓已被轉(zhuǎn)換成導(dǎo)電等離子體時才傳導(dǎo)這種能量。等離子體。一般地，本公開申請可相互交換地使用術(shù)語“等離子體”及“離子化氣體”。等離子體由其中中性氣體中的電子被奪走或從其分子或原子被“離子化”的物態(tài)組成。 可通過施加電場或通過高溫來形成這種等離子體。在中性氣體中不存在導(dǎo)電性或?qū)щ娦苑浅５?。中性氣體充當(dāng)電介質(zhì)或絕緣體直到電場達(dá)到擊穿電壓，從雪崩過程中的原子釋放電子，從而形成等離子體。這種等離子體提供移動電子和正離子，作為支持電流并可形成火花或弧的導(dǎo)體。由于電子的質(zhì)量較小，與較重的正離子相比，等離子體中的電子更快地加速以響應(yīng)于電場，且因此運(yùn)送大電流。電介質(zhì)及介電損失。術(shù)語電介質(zhì)以其常規(guī)意義來使用，表示一種阻礙電流流動的材料，這是一種非導(dǎo)電物質(zhì)。電介質(zhì)的重要性質(zhì)在于其支持靜電場同時以熱形式散發(fā)最小能量的能力。介電損失(作為熱損失的能量的比例)越小，介電材料越高效。介電常數(shù)或相對電容率。給定條件下的材料的介電常數(shù)(K)或相對靜態(tài)電容率是其集中靜電通量線的程度的度量，或者換言之是將運(yùn)送交流電的材料的能力相關(guān)到承載交流電的真空的能力的數(shù)。由材料的存在所生成的電容直接與其介電常數(shù)相關(guān)。通常，當(dāng)遭受強(qiáng)電場時，具有高介電常數(shù)的材料或介質(zhì)比具有低介電常數(shù)的材料更容易擊穿。例如，空氣或其它中性氣體可具有低介電常數(shù)，且當(dāng)其經(jīng)歷介電擊穿時，在此條件下電介質(zhì)開始傳導(dǎo)電流，該擊穿不是永久的。當(dāng)移除過大電場時，氣體回到其正常介電狀態(tài)。電介質(zhì)擊穿。當(dāng)向材料施加的靜電場汰到臨界閾倌并目.其足夠強(qiáng)以使材料突然傳導(dǎo)電流時，發(fā)生稱作電介質(zhì)擊穿的現(xiàn)象。在氣體或液體介電介質(zhì)中，如果電壓減小到低于臨界點(diǎn)，該條件逆轉(zhuǎn)。在固體電介質(zhì)中，也可發(fā)生這種電介質(zhì)擊穿且其透過材料耦合能量。如此處的使用，術(shù)語電介質(zhì)擊穿介質(zhì)表示在臨界電壓下允許電流穿過介質(zhì)流動的固體及氣體電介質(zhì)兩者。離子化度。離子化度描沭丟失(或獲得)電子的原子的等離子體比例，且主要地由溫度來控制。例如，電流有可能產(chǎn)生小于0.001%到大于50.0%的范圍中的離子化度。即使如0. 或1. 0%般少的粒子被離子化的部分離子化氣體也可具有等離子體的特性，即， 其可強(qiáng)烈響應(yīng)于磁場并可以是高導(dǎo)電性的。對于本公開申請的目的而言，當(dāng)離子化度達(dá)到大致0. 1 %、0. 5 %、或1. 0 %時，氣體可開始像導(dǎo)電等離子體一樣工作。等離子體容積的溫度也與離子化度相關(guān)。具體地，可通過相對于離子化能量的電子溫度來確定等離子體離子化。如果等離子體幾乎完全被離子化，則該等離子體有時被稱作“熱的”，或者如果僅有一小部分(例如，小于5%或小于1%)的氣體分子被離子化，則該等離子體被稱作“冷的”或 “技術(shù)等離子體”。即使在這種冷的等離子體中，電子溫度仍可以是數(shù)千攝氏度。在根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)中，在這種意義上等離子體是冷的，因?yàn)楸浑x子化的分子比例極低。在此所使用的用于描述“冷的”等離子體的另一短語是等離子體的“平均質(zhì)量溫度”，其相關(guān)于離子化度對比非離子化氣體，且其將兩種氣體容積組分的溫度進(jìn)行平均化。例如，在10，OOO0C的電子溫度下的氣體容積被離子化，而其余99%的溫度為150°C，則質(zhì)量平均溫度將是149. 5°C。 已發(fā)現(xiàn)測量等離子體溫度可用于確定大致的離子化度，其可用于所施加功率的反饋控制， 且可用作用于防止薄壁介電結(jié)構(gòu)內(nèi)的不期望的高溫的安全機(jī)制。參考圖1，其示出利用本發(fā)明原理的組織切除系統(tǒng)100的第一實(shí)施例。系統(tǒng)100 包括探針110，探針110具有近把手112及沿著軸115延伸的伸長桿或延伸構(gòu)件114。把手 110由諸如塑料、陶瓷、玻璃或其組合等的電絕緣材料來制成。延伸構(gòu)件114具有耦合到把手112的近端116。延伸構(gòu)件114向包括配置成接觸要目標(biāo)切除的組織的介電構(gòu)件或結(jié)構(gòu) 122的遠(yuǎn)工作端120延伸。在圖1的實(shí)施例中，工作端120和介電結(jié)構(gòu)122是伸長且圓柱形的，具有從約 0. 5mm到5mm或更大范圍內(nèi)的截面并具有從約Imm到50mm范圍內(nèi)的長度。工作端120的截面可以是圓形、橢圓形、多邊形、矩形、或任何其它截面。如圖2A-2B所示，在一個實(shí)施例中，工作端120具有用于刺入組織以執(zhí)行切除工序(諸如切除組織體130中125所指示的腫瘤)的尖頭124。在另一實(shí)施例中，工作端120的遠(yuǎn)端頭可以是鈍的。在又一實(shí)施例中， 整個工作端可在其中具有導(dǎo)流溝槽用于在導(dǎo)流線上推進(jìn)工作端?，F(xiàn)轉(zhuǎn)到圖3，其示出圖1、2A和2B的工作端120的放大圖?？捎^察到介電結(jié)構(gòu)122 具有薄壁132，薄壁132在包含圖3中140所指示的氣體介質(zhì)的內(nèi)腔體135周圍提供外殼。 在一個實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)122可包括具有約3到4范圍內(nèi)的介電常數(shù)的陶瓷(例如，氧化鋁)。壁132的厚度范圍可從0.002"到0.10"，這取決于直徑，或者更典型地在1到4mm 范圍中的直徑而言具有0.005"到0.050"的厚度。在圖4A所示的另一實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)122可包括一模壓形式的陶瓷、玻璃或聚合物，該模壓形式具有以軸向、徑向、螺旋狀、或其組合終結(jié)的加強(qiáng)支承部142或凸緣。支承部142替代地可包括與介電材料的薄壁132無關(guān)的構(gòu)件。在如將在以下描述的這種實(shí)施例(圖4A)中，介電結(jié)構(gòu)122的薄壁部144允許將電流電容性地耦合到組織，同時支承部142向薄壁部144提供結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。在另一實(shí)施例中，圖4B示出介電結(jié)構(gòu)122的一部分，介電結(jié)構(gòu)122具有華夫狀構(gòu)造的支承部142，其中由較厚壁支承部142支承薄壁部144。華夫狀結(jié)構(gòu)可基本上是平面形、圓柱形、或具有任何其它適當(dāng)?shù)臉?gòu)造，以用于在介電結(jié)構(gòu)122 —側(cè)上的135所指示的腔體中包含氣體電介質(zhì)。在圖5A和5B的另一實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)122可具有包含柱的支承部142，其在另一支承構(gòu)件 145上支承薄壁部144。例如，可在平面齒板構(gòu)件中使用平面介電結(jié)構(gòu)122以用于向密封組織施加RF能量。在另一示例中，圖5B示出由芯支承構(gòu)件145支承的介電構(gòu)件122的鈍頭的、圓柱形薄壁132。在圖5B的實(shí)施例中，可包含等離子體的內(nèi)腔體135包括在薄壁部144 和芯支承部145之間的間隔。再次參考圖3，延伸構(gòu)件114由諸如聚合物、陶瓷、玻璃或具有絕緣涂層的金屬等的非導(dǎo)電材料制造。介電結(jié)構(gòu)122可通過膠、粘合劑等接合到延伸構(gòu)件114以提供密封的、 流體密封型內(nèi)腔體135。在一個實(shí)施例中，氣體源150可包括一個或多個壓縮氣體筒(圖 1和6)。如以下所描述(圖6)，氣體源被耦合到包括氣體循環(huán)子控制器155A的微控制器 155，微控制器155控制壓力調(diào)節(jié)器158，且還控制適配成用于輔助氣體循環(huán)的可選負(fù)壓源 160。圖1中的RF及控制盒162可包括用于設(shè)置及控制諸如處理時間間隔、氣體流、功率電平等操作參數(shù)的顯示器164和輸入控制器165。適合于在該系統(tǒng)中使用的氣體包括氬氣、其它惰性氣體及其組合。參考圖3，氣體源150通過柔性導(dǎo)管166向延伸構(gòu)件114中的第一流溝槽170提供氣體介質(zhì)流140，第一流溝槽170與跟內(nèi)腔體135連接的至少一個流入孔172相通。內(nèi)腔體 135還與流出孔174和延伸構(gòu)件114中的第二流溝槽180連接，由此允許介電結(jié)構(gòu)122內(nèi)部的氣體介質(zhì)流140的循環(huán)。仍參考圖3，第一極性電極185繞著流溝槽170靠近流入孔172放置，從而與氣體介質(zhì)流140接觸。應(yīng)理解，電極185可位于與氣體流接觸的溝槽170中的任何更接近的位置，或者電極185可在介電結(jié)構(gòu)122的內(nèi)腔體135內(nèi)。電極185電耦合到貫穿延伸構(gòu)件及把手112延伸的導(dǎo)體或引線187，并耦合到由控制器155及RF子控制器155B控制的高頻 RF發(fā)生器200的第一極。相對極性電極205置于延伸構(gòu)件114的外表面上，并由引線207 電耦合到RF發(fā)生器200的第二極。圖6和7的框圖示意性地描繪了配置成用于向組織傳送切除電外科能量的一個實(shí)施例的系統(tǒng)、子系統(tǒng)及組件。在圖6的框圖中，可觀察到RF電源200和電路由RF子控制器 155B來控制?；谙到y(tǒng)以及探針壓力反饋、探針溫度反饋、和/或氣體流速反饋的反饋控制子系統(tǒng)(以下描述)還可操作地耦合到控制器155?？赏ㄟ^腳踏開關(guān)208或另一適當(dāng)開關(guān)來啟動該系統(tǒng)。圖7示出通過系統(tǒng)及探針110相連到氣體介質(zhì)流的流控制組件的示意圖。 可觀察到加壓氣體源150鏈接到下游壓力調(diào)節(jié)器158、流入比例閥210、流量計212、以及通常關(guān)閉的電磁閥220。閥220由系統(tǒng)操作員啟動，啟動后其允許氣體介質(zhì)流140通過柔性導(dǎo)管166和探針110循環(huán)。系統(tǒng)的氣體流出側(cè)包括通常打開的電磁閥225、流出比例閥2 以及與負(fù)壓源160相通的流量計228。排出的氣體可進(jìn)入環(huán)境中或密閉系統(tǒng)中。圖7所示溫度傳感器230(例如，熱電偶)用于監(jiān)控流出氣體的溫度。圖8和9A-9D示意性地說明了本發(fā)明的方法，其中(i)介電結(jié)構(gòu)122以及(ii)所包含的中性氣體容積140同時起作用以便提供第一和第二介電介質(zhì)，它們協(xié)力作為用于優(yōu)化向嚙合組織體傳送的極高壓電流的獨(dú)立機(jī)制。兩個介電組件可表征為具有互補(bǔ)電壓閾值電平，在這種互補(bǔ)電壓閾值電平下只有高壓電流可通過腔體135內(nèi)的等離子體240的細(xì)235 耦合，且透過薄壁電介質(zhì)132電容性地耦合，以便允許電流進(jìn)一步穿過在嚙合組織中的最小電阻路徑對5。在圖8中，假設(shè)嚙合組織包圍介電結(jié)構(gòu)122且是透明的。在圖8的實(shí)施例中，電極185還可作為氣體傳送套管，其中中性氣體140可在腔體135中從孔250排出。組織中的高壓電流路徑245有效地貫穿及圍繞介電結(jié)構(gòu)122的內(nèi)表面252“被掃描”并處在被接觸組織內(nèi)，從而造成電壓最大化形式的電外科切除。圖8提供術(shù)語“被掃描”所指示的示意圖，其中通過穿過介電壁132電容性地耦合在介電結(jié)構(gòu)122的內(nèi)腔體135中產(chǎn)生高強(qiáng)度電場，直到在中性氣體介質(zhì)140中達(dá)到電壓閾值以將氣體轉(zhuǎn)換成等離子體MO (參見圖8)， 等離子體240又允許等離子體細(xì)235在腔體135內(nèi)形成，其隨機(jī)地在介電壁的內(nèi)表面248周圍跳動或掃描。在介電壁132的局部部分252中有瞬態(tài)的可逆轉(zhuǎn)電壓擊穿存在之處發(fā)生介電腔體135內(nèi)的等離子體細(xì)絲235的隨機(jī)跳動(從電極185到介電壁132的內(nèi)表面M8)， 其通過嚙合組織中的到第二極性電極205(圖幻的瞬態(tài)最高傳導(dǎo)路徑240來確定。電流通過等離子體240和組織中的路徑245后，局部部分252立即消除電場，且發(fā)生通過另一等離子體細(xì)絲235’和組織中的電流路徑M5’的另一電容性耦合，從而造成另一隨機(jī)、分立位置處的電外科切除。圖9A-9D是圖8的電外科切除方法的放大示意圖，其描繪切除方法的其它方面。 在圖9A中可觀察到，系統(tǒng)和方法一般情況下清楚地顯示第一及第二介電電流傳輸機(jī)制，其表征為所選電壓參數(shù)造成氣體中的電子雪崩，以及薄壁外殼中的電容性耦合以便優(yōu)化及最大化向示例性組織260傳送的高壓電流形式。如前所述，電壓閾值或介電擊穿機(jī)制發(fā)生在(i)包含在介電結(jié)構(gòu)122的內(nèi)腔體135內(nèi)的氣體電介質(zhì)或中性氣體容積140之內(nèi)，以及 ( )在圖9A-9D中示為平面的非氣體電介質(zhì)或結(jié)構(gòu)122之內(nèi)。圖9A示出啟動及向組織傳送能量之前的工作端組件及組織沈0。可看出氣體介質(zhì) 140是中性的且未被離子化。示意性地示出位于內(nèi)腔體135中的與中性氣體140接觸的第一極性電極185。也示意性地示出與組織接觸的第二極性電極205，但是該說明表示本發(fā)明的另一方面，其中第二電極205具有的表面面積與如常規(guī)電外科系統(tǒng)中的返回電極/接地襯墊的表面面積相比可以是小的。已發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的電容性耦合能量傳送機(jī)制不造成對第二極性電極205表面處或周圍的組織加熱，而在常規(guī)電外科設(shè)備中預(yù)期將出現(xiàn)組織加熱。 如以下將描述，認(rèn)為組織260中的電壓擊穿發(fā)起及電容性耦合發(fā)起的電流路徑中的恒定磁通量大大減少了返回電極205處或周圍的熱產(chǎn)生。圖9B示出緊接著操作員啟動系統(tǒng)及向探針工作端傳送功率后的瞬間的工作端組件及組織260。圖9B表示電壓發(fā)起的擊穿切除方法的若干方面，包括(i)在瞬時時間方面， 通過第一及第二極性電極185及205之間的電位，中性氣體140被轉(zhuǎn)換成等離子體MO ；以及同時(ii)電流界定組織沈0中的最小電阻路徑M5(iii)與電流路徑245相鄰的介電結(jié)構(gòu)122的部分252允許電容性耦合到組織；(iv)等離子體細(xì)絲235穿過電極185和介電結(jié)構(gòu)的部分252之間的高強(qiáng)度等離子體流262形成電弧。換言之，當(dāng)達(dá)到所選電壓電位時，氣體140的電壓擊穿及透過電介質(zhì)122的電容性耦合造成高壓電流經(jīng)過組織沈0中的路徑 2450稍后，由箭頭265所指示的熱擴(kuò)散造成組織體270a中從瞬態(tài)電流路徑M5向外的熱效應(yīng)。路徑M5中及周圍的熱效應(yīng)升高了組織阻抗，因此造成系統(tǒng)向另一隨機(jī)位置推進(jìn)傳導(dǎo)路徑。圖9C示出緊接著圖9B后的工作端組件及組織沈0，此時，持續(xù)的電壓電位與透過電介質(zhì)122的電容性耦合一起造成等離子體細(xì)絲235’中的電壓擊穿，從而提供經(jīng)過路徑 245'的另一高壓電流，之后熱擴(kuò)散沈5'造成由270b所指示的熱效應(yīng)。可從圖9A-9B理解切除方法的“掃描”方面，其中等離子體細(xì)絲235、235’以及電流路徑非常快速地在內(nèi)腔體 135周圍跳動或掃描，由此在組織沈0中的最小電阻路徑M5J45’中傳送電流?，F(xiàn)轉(zhuǎn)到圖9D，示出能量傳送間隔后的另一示意圖，其中通過先前存在的等離子體和電介質(zhì)122的多個電流路徑已提供貫穿由270a-270f所指示的多個區(qū)域擴(kuò)散的熱效應(yīng)。 已發(fā)現(xiàn)可通過該方法非常快速地實(shí)現(xiàn)3mm至6mm的切除深度，例如，只需要30秒至90秒， 這取決于所選電壓。在本發(fā)明的一個方面中，圖10是表示圖9A-9D的方法的步驟的電路圖，其解釋了對返回電極205可具有小表面面積且不遭受嚴(yán)重加熱的發(fā)現(xiàn)。在圖10中可觀察到，電壓電位可上升直到在中性氣體140和介電結(jié)構(gòu)122兩者中發(fā)生介電擊穿，其造成通過路徑Pl到電極205的高壓電流，隨后該路徑被阻止，因此造成電流轉(zhuǎn)移到電流路徑P2，之后電流路徑 P3，以及無限到達(dá)由Pn所指示的電流路徑。因此圖10中的組織260顯示為各電流路徑中的可變電阻，因?yàn)殡娏髀窂教幱诨陔娮柙龃蟮穆窂降倪B續(xù)磁通量中。圖IlA和IlB是利用圖3實(shí)施例的用于將電流電容性地耦合到組織的方法的放大示意圖，其中通過內(nèi)腔體135中的氣體電介質(zhì)140(即，由240所指示的等離子體)。參照圖 11A，例如通過耦合到RF電源200以及控制器155A和155B的腳踏開關(guān)208(圖1)來啟動系統(tǒng)，其發(fā)起來自源150的氣體流以便提供通過第一(流入)溝槽170、內(nèi)腔體135、以及第二(流出)溝槽180的循環(huán)流。為了方便，利用這種循環(huán)氣體流的實(shí)施例將在本文中描述為使用一種優(yōu)選氣體，即氬氣。在一個實(shí)施例中，氣體流速可在Iml/秒到50ml/秒的范圍中，更典型地從5ml/秒到30ml/秒。在圖IlA中，探針的工作端120被引入組織沈0，例如以便切除如圖2A-2B所示的腫瘤。介電結(jié)構(gòu)122置于期望位置以便切除與其相鄰的組織。 系統(tǒng)的啟動向電極185施加RF能量并同時施加氣體流，該氣體流即刻將非導(dǎo)電氬氣140轉(zhuǎn)換成圖IlA中的240所指示的等離子體。氬氣變?yōu)閷?dǎo)電性(即，部分轉(zhuǎn)換成等離子體)的閾值電壓取決于由控制器控制的多個因子，包括氬氣壓力、內(nèi)腔體135的容積、氣體140的流速、電極185及介電結(jié)構(gòu)122的內(nèi)表面之間的距離、介電結(jié)構(gòu)122的介電常數(shù)、以及由RF 電源200施加的所選電壓。要理解，系統(tǒng)的啟動可使氣體在RF發(fā)電機(jī)通電以確保循環(huán)氣體流之前以0. 1至0. 5秒的間隔流動。圖IlA示意性地描述了 280所指示的電流，其通過介電結(jié)構(gòu)122的壁132電容性地耦合到組織沈0，其中電場線指示在電極205周圍不發(fā)生高能量密度。相反，如上所述，電流路徑介電結(jié)構(gòu)122周圍的組織中形成的高電阻造成快速改變電流路徑以及歐姆加熱。在本發(fā)明的一個方面中，電容性耦合允許快速且均勻地切除與介電結(jié)構(gòu)相鄰的組織。圖IlB 示意性地描繪了 RF能量傳送終止后的組織，其導(dǎo)致285所指示的經(jīng)切除的組織。現(xiàn)轉(zhuǎn)到圖12，在使用的方法中示出了替代工作端120’。在本實(shí)施例中，除了工作端120'包括從延伸構(gòu)件214延伸到遠(yuǎn)尖頭部四2的中心支承構(gòu)件290之外，介電結(jié)構(gòu)122 類似于圖3的介電結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，中心支承構(gòu)件290可包括或攜帶用于向內(nèi)腔體135 中的氣體140傳送能量以便生成等離子體的由295所指示的導(dǎo)電電極表面。圖12的實(shí)施例還包括同中心的氣體流入及流出溝槽170及180，其中第一(流入)溝槽170包括支承構(gòu)件四0中的內(nèi)腔，該內(nèi)腔與內(nèi)腔體135的遠(yuǎn)端部中的多個流出口 250相通。氣體流出口 174也置于內(nèi)腔體135的近端部中。在內(nèi)腔體的相對端放置氣體流入口和流出口允許有效的氣體循環(huán)，其有助于維護(hù)預(yù)定的等離子體質(zhì)量。在圖12中，由200指示組織中的切除電流及歐姆加熱。在本發(fā)明的另一方面中，圖12示出例如熱電偶300A及300B的至少一個溫度傳感器設(shè)置在內(nèi)腔體135內(nèi)或與內(nèi)腔體135相鄰地設(shè)置，以便監(jiān)測等離子體的溫度。溫度傳感器被耦合到控制器155A及155B，由此允許如所傳送RF功率、中性氣體流入速率、以及有助流出的負(fù)壓之類的操作參數(shù)的反饋控制。通過測量腔體135中介質(zhì)的質(zhì)量平均溫度，可確定離子化氣體MO的離子化度。在本發(fā)明的一個方面中，操作期間腔體135內(nèi)的所測量溫度可向氣體循環(huán)控制器提供反饋，由此調(diào)制中性氣體流以便將離子化度維持在0. 01%和 5.0%之間。在本發(fā)明的另一方面中，操作期間腔體135內(nèi)的所測量溫度可向中性氣體調(diào)制流提供反饋，以便維持小于200°C、180°C、160°C、140°C、120°C或100°C的溫度。在聚合物介電結(jié)構(gòu)的若干實(shí)施例中，維持冷的等離子體或技術(shù)等離子體以便防止對電介質(zhì)的破壞是重要的。在本發(fā)明的另一方面中，系統(tǒng)操作參數(shù)可被調(diào)制以將質(zhì)量平均溫度維持在所選范圍內(nèi)，例如針對組織處理間隔期間的所選溫度的上下5°C范圍、10°C范圍或20°C范圍。在本發(fā)明的另一方面中，系統(tǒng)操作參數(shù)可被調(diào)制成維持離子化度，使其自組織處理間隔的所選“離子化度”目標(biāo)值具有小于5%的可變性、小于10%的可變性、或小于20%的可變性。雖然圖 12示出熱電偶在內(nèi)腔體135內(nèi)，另一實(shí)施例可將這種溫度傳感器置于介電結(jié)構(gòu)壁132的外部以便監(jiān)測壁的溫度。還應(yīng)理解，可將多個電極設(shè)置在內(nèi)腔體中以測量氣體介質(zhì)的阻抗，從而提供反饋信號的附加形式。在類似于圖12的另一實(shí)施例中，與內(nèi)腔體135相通的工作端或流溝槽可攜帶至少一個壓力傳感器(未示出)，且壓力測量可提供用于調(diào)制至少一個操作參數(shù)的反饋信號，操作參數(shù)諸如有所傳送的RF功率、中性氣體流入速率、有助于流出的負(fù)壓、等離子體的離子化度、或等離子體的溫度。在本發(fā)明的另一方面中，系統(tǒng)操作參數(shù)可被調(diào)制成維持腔體135 內(nèi)的壓力，使其自組織處理間隔的所選目標(biāo)壓力具有小于5 %的可變性、小于10 %的可變性、或小于20%的可變性。大體上，圖13表示對應(yīng)于本發(fā)明一個方面的方法的步驟，其包括將非導(dǎo)電氣體包含在具有薄介電壁的外殼內(nèi)部中，嚙合介電壁的外表面使其與組織的目標(biāo)區(qū)域接觸，以及穿過氣體及介電壁施加射頻電壓，其中電壓足以在氣體中發(fā)起等離子體，并將氣體等離子體中的電流穿過介電壁電容性地耦合到所嚙合的組織。該方法包括使用與薄介電壁內(nèi)部中的氣體接觸的第一極性電極以及與患者組織接觸的第二極性電極。圖14表示對應(yīng)于本發(fā)明相關(guān)方法的方面，其包括將介電結(jié)構(gòu)放置在組織表面， 將非導(dǎo)電、可離子化氣體包含在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，以及穿過氣體及組織施加RF電壓以離子化氣體，并透過介電結(jié)構(gòu)向組織傳送電流以歐姆加熱該組織。大體上，圖15表示對應(yīng)于本發(fā)明另一方面的方法的步驟，其包括向電外科工作端或施加器提供串聯(lián)電路中的第一氣體電介質(zhì)及第二非氣體電介質(zhì)，將非氣體電介質(zhì)與組織進(jìn)行嚙合，以及穿過電路施加充足的RF電壓以造成氣體電介質(zhì)中的介電擊穿，由此向組織施加切除能量。施加切除能量的步驟包括將RF電流透過第二非氣體介電介質(zhì)電容性地耦合到組織。圖16表示本發(fā)明另一方面的步驟，其包括將包圍內(nèi)腔體的介電結(jié)構(gòu)放置成與目標(biāo)組織接觸，在內(nèi)腔體中提供具有至少0. 01 %的離子化度的氣體介質(zhì)，透過氣體介質(zhì)施加 RF電流以使能量透過介電結(jié)構(gòu)電容性耦合從而修整組織。在本發(fā)明的該方面中，要理解，可向入口提供離子化氣體使其進(jìn)入腔體135，例如，在流入腔體135前中性氣體被轉(zhuǎn)換成離子化氣體介質(zhì)?？赏ㄟ^RF電源、光子能源、或任何其它適當(dāng)?shù)碾姶拍茉丛跉怏w源150和內(nèi)腔體135之間的氣體流入溝槽的任何部分中使氣體離子化。圖17表示本發(fā)明另一方法的步驟，其包括將包圍氣體介質(zhì)的介電結(jié)構(gòu)放置成與目標(biāo)組織接觸，并透過氣體介質(zhì)及介電結(jié)構(gòu)施加RF電流以向組織施加能量，以及感測離子化氣體介質(zhì)的溫度和/或阻抗以提供反饋信號，由此調(diào)制系統(tǒng)操作參數(shù)，諸如所傳送的RF 功率、中性氣體流入速率、和/或輔助氣體流出的負(fù)壓?，F(xiàn)轉(zhuǎn)到圖18A-22，其示出適配成向如上所述的組織施加能量的電外科工作端的其它實(shí)施例，除了介電結(jié)構(gòu)具有各自具有不同相對電容率的不同介電部分從而在與介電結(jié)構(gòu)的不同部分接觸的組織區(qū)域中造成不同效果(較大或較小電容性耦合)之外。在圖18A-18B 中顯示的一個探針實(shí)施例400中，工作端載有類似于圖1-3的針狀工作端120的多個組織刺入用元件405。組織刺入用元件405可通過控制桿414的致動從內(nèi)窺鏡儀器412的軸410 延伸。各組織刺入用元件405包括具有如上所述的介電結(jié)構(gòu)422的工作端，以及由425所指示的一個或多個返回電極。如圖19所示，組織刺入用元件405適配成在將作為切除線或平面的目標(biāo)線430的任一側(cè)刺入諸如肝之類的組織沈0。因此，組織刺入用元件405可使線 430任一側(cè)的組織凝結(jié)，并在此后可切割組織以及防止或減少流血。這種儀器412可用于肝切除、肺切除等。圖20示出組織中的圖19的多個組織刺入用元件405的截面，其中可觀察到介電結(jié)構(gòu)的壁432從薄壁部435變化到較厚壁部436，其中各部沿著介電結(jié)構(gòu)的長度軸向地延伸?？扇菀桌斫?，與較厚壁部436相比時，薄壁部435允許電流更強(qiáng)地耦合到相鄰組織 2600因此，切除或灼燒的組織區(qū)440的深度將根據(jù)其是與薄壁部435相鄰還是與較厚壁部 436相鄰而不同。因此，該儀器可通過變化介電壁的體積電阻率來控制切除深度。例如，薄壁部435可具有如上所述的IxlO14歐姆/cm范圍中的體積電阻率，該薄壁部435然后可轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂蠭xlO14歐姆/cm的1. 5倍、2倍、或3倍范圍中的體積電阻率的較厚壁部438。如圖20所示，能量傳送朝著線430向內(nèi)聚集以便切除或灼燒組織區(qū)域440，組織區(qū)域440是切割的目標(biāo)。自線430向外，存在較少的旁邊損傷，這歸因于歐姆加熱的減少。圖21示出多個探針450A-450D，這些探針表示“定向”介電結(jié)構(gòu)422的用于定向控制對組織的能量傳送的類似使用，在該情況下提供如圖18A-20的設(shè)備的工作端中那樣的用于切除的聚集區(qū)域以便切除腫瘤452。在該實(shí)施例中，可看到探針把手包括指示標(biāo)記 455，其指示薄壁部435或厚壁部436的取向，從而選擇性地引導(dǎo)RF能量傳送。在另一實(shí)施例中，應(yīng)理解，介電結(jié)構(gòu)422的近端及遠(yuǎn)端可由例如輻射透不過的標(biāo)記的任何適當(dāng)?shù)目沙上駱?biāo)記來標(biāo)記。在圖20所示發(fā)明的另一方面中，任何探針可在介電結(jié)構(gòu)422的近側(cè)和遠(yuǎn)側(cè)位置處載有用于測量組織溫度的例如熱電偶456a及456b的至少一個熱電偶，從而提供終止能量傳送的終點(diǎn)。熱電偶向控制器155A及155B提供信號以終止切除過程。切除探針 450A-450D可各自載有如圖19工作端中所載有的返回電極，或者替代地，可具有圖21中由 458所指示的遠(yuǎn)程返回電極。圖22示出電外科工作端460的另一實(shí)施例，其中介電結(jié)構(gòu)422，的壁432從薄壁部435’變化為近側(cè)及遠(yuǎn)側(cè)的較厚壁部436’，其中各部繞著介電結(jié)構(gòu)徑向延伸。可如圖22 所示般容易理解，中心薄壁部435’因此允許電流更強(qiáng)地耦合到相鄰組織沈0，從而與介電結(jié)構(gòu)端處的較厚壁部436'相比造成更深的切除組織440'(比較圖IlB中的切除組織)。 在全部的其它方面中，工作端460與先前描述的實(shí)施例同樣地操作。在以上的圖19-21的電外科切除工作端中，介電結(jié)構(gòu)422和422’通過變化如硅樹脂之類的電介質(zhì)的厚度來提供微分或能量傳輸率。在圖23中示出表示圖22的電介質(zhì)的具有厚度變化部435’及436'的一部分的示例性介電壁470。換言之，材料具有均勻介電常數(shù)或體積電阻率的厚度變化的壁可向電介質(zhì)表面周圍的組織提供變化的RF電流耦合。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的一個目的為控制切除深度，其可通過具有均勻厚度的電介質(zhì)但改變材料的電性質(zhì)來同樣良好地實(shí)現(xiàn)。圖M示出具有第一及第二介電材料477及480的恒定厚度介電壁475，該介電壁通過材料480提供較高電容性耦合。材料層或材料部分的數(shù)量，及它們的介電性質(zhì)可在從2到10或以上的范圍中。此外，可利用不同材料厚度及介電性質(zhì)的組合來控制透過電介質(zhì)的電流的電容性耦合。圖25A-25D示出電外科系統(tǒng)500、工作端520、以及使用方法的另一實(shí)施例，除了圖25A-25D的介電結(jié)構(gòu)522由可從第一非擴(kuò)展情形轉(zhuǎn)成擴(kuò)展情形的薄壁電介質(zhì)制造之外，所使用的方法類似于圖12的設(shè)備。在圖25A中，所示工作端具有可以是塑料或是金屬的向遠(yuǎn)側(cè)伸長的鞘524。因此方法的第一步驟包括，在鞘保護(hù)介電結(jié)構(gòu)522的情況下，將工作端填隙式地引入到組織中或引入到體腔中。然后，介電結(jié)構(gòu)522由氣體流入而膨脹，這造成周圍組織被壓縮并增大與組織接觸的薄介電壁的表面面積。如圖25A所示，可擴(kuò)展的電介質(zhì)522 可由可膨脹或不可膨脹的材料制造，如可伸長硅樹脂或編織的、增強(qiáng)的不可伸長硅樹脂。硅樹脂結(jié)構(gòu)的壁厚范圍可從0. 004”到0. 030"，且更典型地從0. 008”到0. 015”，其中內(nèi)容積范圍從小于5ml到大于100ml。介電結(jié)構(gòu)可具有諸如圓柱形、軸向錐形的任何適當(dāng)形狀，或用內(nèi)擋板或約束來變平。圖26通過折疊薄介電壁的方法來描繪鞘5M及未擴(kuò)張的可擴(kuò)展電介質(zhì)522的截面。圖25B示出該方法的多個后續(xù)步驟，其中鞘5M縮進(jìn)，且醫(yī)師啟動氣體源150及控制器以擴(kuò)展可擴(kuò)展的介電結(jié)構(gòu)522。在軟組織、或任何身體內(nèi)腔、腔、空間或通道中，結(jié)構(gòu) 522或球囊可擴(kuò)展為任何預(yù)定的尺寸或壓力。介電結(jié)構(gòu)上的輻射透不過的標(biāo)記(未示出) 可通過熒光鏡檢查法來觀察，從而確定其擴(kuò)展后的尺寸及位置。達(dá)到并維持預(yù)定壓力后，氣體循環(huán)控制器155A可使氣體流循環(huán)。圖25C描繪該方法中的后續(xù)步驟，其中醫(yī)師啟動RF電源200及控制器155B以在中心支承電極295及返回電極之間形成高壓電位，如同先前的描述，這可在氣體電介質(zhì)140中造成電壓擊穿(圖25B)以生成等離子體M0，并同時如電流530所指示地將電流電容性地耦合到組織沈0。圖25D描繪了 RF能源傳送的終止，使得電壓擊穿及所得等離子體消逝一留下類似于圖IlB所示的均勻的切除組織M0。在一個實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)522由可從加利福尼亞州93013卡平特里亞市辛迪街 1050的NuSil技術(shù)公司商業(yè)提供的NuSil MED-6640硅樹脂材料制成。介電結(jié)構(gòu)522通過浸漬制造以便提供6cm的長度及0. 008”的均勻壁厚，由此提供3到4范圍中的相對電容率。結(jié)構(gòu)端接合到具有大致為4mm的直徑的桿，其具有4. 0立方厘米的內(nèi)容積的擴(kuò)展結(jié)構(gòu)。 所使用的氣體為氬氣，以增壓筒來供應(yīng)，其可由NJ 07080，南平原鎮(zhèn)，郵政信箱466的Lelan 有限公司提供。氬氣以IOml/秒和30ml/秒之間的范圍中的流速來循環(huán)。介電結(jié)構(gòu)中的壓力維持在14磅/平方英寸與15磅/平方英寸之間，其中在氣體流入源150和負(fù)壓(流出)源160之間的壓力差是零或負(fù)的。RF電源200具有480KHz的頻率，且在600V均方根 (rms)至約1200V均方根(rms)以及約0. 2安培至0. 4安培以及40W至80W的有效功率范圍內(nèi)提供電功率。圖27和觀示出電外科系統(tǒng)600的另一實(shí)施例，其包括具有工作端610的導(dǎo)管，工作端610用于通過對肺靜脈PV進(jìn)行切除來治療心房顫動。已知針對該治療使用常規(guī)RF導(dǎo)管的各種方法。導(dǎo)管610配置有引導(dǎo)線溝槽612，并可被操縱至圖27- 所示的位置。導(dǎo)管工作端620包括類似于圖25A-25D的可擴(kuò)展介電結(jié)構(gòu)622，可擴(kuò)展介電結(jié)構(gòu)可被擴(kuò)展成在球壁及組織之間施加壓力，此后造成肺靜脈PV中的圓周損傷。圖觀是再一次示出氣體源 150和氣體循環(huán)控制器155A的示意圖，其可擴(kuò)展薄壁介電結(jié)構(gòu)622中的腔體635以便嚙合肺靜脈PV的壁。在圖觀的實(shí)施例中，可觀察到介電壁622包括第一(較小)能量傳輸區(qū) 636及第二(較大)能量傳輸區(qū)638，因此允許聚焦的圓周切除一其對應(yīng)于圖M所示的介電壁的構(gòu)造。之后，可啟動RF電源200及控制器155B以便將中性氣體流轉(zhuǎn)換成等離子體240,并同時切除由640所指示的組織。在本實(shí)施例中，第一極性電極645設(shè)置在腔體635 中的導(dǎo)管桿上，該第一極性電極645可與導(dǎo)管桿上的遠(yuǎn)離球囊622的第二極性電極協(xié)力工作，或者可使用任何其它類型的接地襯墊(未示出)。在全部的其它方面中，用于切除心臟組織的本發(fā)明方法遵循上面所描述的步驟。球囊可具有輻射透不過的標(biāo)記，且系統(tǒng)可由算法來操作以將介電結(jié)構(gòu)622或球囊擴(kuò)展到預(yù)定壓力，然后自動地傳送RF能量及終止傳送。 應(yīng)當(dāng)理解，可在球囊表面中設(shè)置附加電極(未示出)，以用于映射心臟組織中的傳導(dǎo)。雖然圖27- 示出用于處理心臟組織的可擴(kuò)展電介質(zhì)622，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明的范圍包括使用類似裝置及方法以可控地向諸如胃、膽囊、食道、腸、關(guān)節(jié)囊、氣道、竇、血管、動脈管畸形、心臟、肺、子宮、陰道腔、膀胱、或尿道的任何身體內(nèi)腔、管道、體腔、或空間施加切除RF能量。圖29-31示意性地示出電外科系統(tǒng)700以及具有工作端710的導(dǎo)管的另一實(shí)施例，工作端710在心臟腔體內(nèi)產(chǎn)生線性損傷來處理心房顫動，從而阻斷異常傳導(dǎo)通路。導(dǎo)管710可具有引導(dǎo)線溝槽(未示出)，且可被引導(dǎo)以在如圖四所示的心臟腔體中執(zhí)行伸長形切除。在本實(shí)施例中，導(dǎo)管工作端720具有柔性桿部721，其包括在用于嚙合組織的表面中的軸向延伸的薄壁電介質(zhì)722中，從而提供如圖31所描繪的線性損傷。導(dǎo)管桿721可通過牽引線7 來偏轉(zhuǎn)，牽引線7 可由導(dǎo)管把手來致動。圖30是示出氣體源150及氣體循環(huán)控制器155A的另一示例圖，它們可提供在薄壁電介質(zhì)722內(nèi)部的內(nèi)腔體735內(nèi)的氣體循環(huán)。RF電源200耦合到內(nèi)腔體735中的引線738及伸長形第一極性電極740?？蓡覴F 電源200及控制器155B以便將中性氣體流轉(zhuǎn)換成等離子體，并同時切除由電介質(zhì)722所嚙合的組織，如上文所描述。第二極性電極可設(shè)置在遠(yuǎn)離電介質(zhì)722的導(dǎo)管桿上，或者可使用任何類型的接地襯墊(未示出)。在全部的其它方面中，用于切除心臟組織的本發(fā)明方法遵循上面所描述的步驟。工作端可具有輻射透不過的標(biāo)記，且系統(tǒng)可按照算法來操作。應(yīng)當(dāng)理解，可在導(dǎo)管工作端中設(shè)置附加電極(未示出)，以用于映射切除前和切除后的心臟中的傳導(dǎo)。圖32示出類似于圖四-31的另一導(dǎo)管工作端720’，該導(dǎo)管工作端720’可由牽引線738來偏轉(zhuǎn)，從而在肺靜脈中提供全部或部分的圓周損傷(參見圖觀-29)。在本實(shí)施例中，薄壁電介質(zhì)722 ‘在關(guān)節(jié)連接的工作端外表面周圍延伸。圖33和34示出電外科系統(tǒng)800的另一實(shí)施例，其包括具有用于處理食道811或者用于其它疾病的工作端810的導(dǎo)管，例如，為了切除巴雷特(Barrett)的食道，向下食道括約肌施加能量。在具有可擴(kuò)展介電結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，系統(tǒng)如先前在圖25A-28中所描述地操作。在圖33-34的介電結(jié)構(gòu)822中，結(jié)構(gòu)擴(kuò)展由諸如內(nèi)部彈簧狀構(gòu)件的骨骼支承構(gòu)件來提供，其具有可選的牽引線纜致動機(jī)制。如圖34所示，提供螺旋狀支承構(gòu)件825，其能夠在腔體835中收縮截面(軸向延伸)或擴(kuò)展截面，這由導(dǎo)管桿830中的牽引中心線纜擬8來輔助。在本實(shí)施例中，電介質(zhì)也可包括如上所述的薄壁硅。在本實(shí)施例中，已發(fā)現(xiàn)支承構(gòu)件 825可以是導(dǎo)電材料，且耦合到RF電源，從而作為第一極性電極840。第二極性電極(未示出)可位于導(dǎo)管的任何其它位置上并與組織接觸，或者可使用接地襯墊。圖35示出類似于圖34的具有介電結(jié)構(gòu)822的電外科系統(tǒng)800’的另一實(shí)施例，介電結(jié)構(gòu)822在擴(kuò)展條件下由牽引線纜擬8所輔助的多個退出的骨骼支承構(gòu)件825’來支承。 在本實(shí)施例中，腔體835內(nèi)的牽引線纜部分作為第一極性電極840'。在上述的任一實(shí)施例的操作中，已發(fā)現(xiàn)當(dāng)電極表面離介電內(nèi)壁小于15mm、小于IOmm或小于5mm時，第一極性電極可提供足夠的電壓以便在不可擴(kuò)展或可擴(kuò)展電介質(zhì)的內(nèi)腔體中生成基本均勻的等離子體 (參見圖2、8、11A、28、30、34、35)。從介電壁到電極840，的最大尺寸在圖35中由D來指示。 已發(fā)現(xiàn)在操作中，當(dāng)電極如圖34所示地接觸電介質(zhì)822的表面時，第一極性電極可提供電壓以在不可擴(kuò)展或可擴(kuò)展介電壁的內(nèi)腔體中生成基本均勻的等離子體，但是電極表面應(yīng)當(dāng)嚙合小于約10%的介電壁內(nèi)表面。如果第一極性電極嚙合大于約10%的介電壁的內(nèi)表面， 則如圖8中示意性描述地透過組織的能量傳送的“磁通量”將減少，在與壁接觸的(多個) 電極區(qū)域周圍可能發(fā)生較強(qiáng)的電容性耦合，這可能降低組織切除的均勻性。圖36示出電外科系統(tǒng)900的另一實(shí)施例，其中工作端910包括第一及第二相對齒板912A及912B，它們適配成為了凝結(jié)、密封、或縫接組織914而夾住組織。在一個實(shí)施例中，兩個齒板都具有包括介電結(jié)構(gòu)922A、922B的組織嚙合表面，它的功能類似于上述的所有其他這種介電結(jié)構(gòu)。圖36是再次示出氣體源150和氣體循環(huán)控制器155A的示意圖，它們可向齒板中的腔體935A、935B傳送氣體。RF電源200和控制器155B可被啟動，以將腔體 935A、935B中的中性氣體流轉(zhuǎn)換成等離子體M0，并同時向嚙合的組織914施加能量。在本實(shí)施例中，諸齒板分別載有第一及第二極性電極945A及945B，由此使齒板通過所包含的離子化氣體及電容性耦合起到作用，這不同于先前的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，一個齒板可包括單個電極表面，如相對于圖36的等離子體發(fā)起的電容性耦合系統(tǒng)。圖36的介電結(jié)構(gòu)為圖4B及 5A中所描述的類型，其中薄壁介電材料由支承柱、立柱、溝槽等來支承。圖37和38示出電外科系統(tǒng)1000的另一實(shí)施例，該電外科系統(tǒng)1000也包括向工作端1010延伸的導(dǎo)管或探針桿1002，工作端1010載有可擴(kuò)展的介電結(jié)構(gòu)1022。在本實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)1022包括多個內(nèi)腔體，例如第一及第二腔體1024A及10MB?？捎扇缟纤龅闹T如內(nèi)部彈簧狀構(gòu)件的骨骼支承構(gòu)件或者通過根據(jù)氣體流入的流體壓力的膨脹或其組合來提供介電結(jié)構(gòu)1022的擴(kuò)展。各腔體配置成承載柔性內(nèi)電極，其中相鄰腔體具有相對極性的內(nèi)電極，諸如在圖37和38中以(+)及(-)極性來指示的電極1040A及1040B，從而允許另一個形成雙極切除。在本實(shí)施例中，電極和支承構(gòu)件可包括相同構(gòu)件。如圖37所示， 介電結(jié)構(gòu)1022的外壁具有用于將能量電容性地耦合到組織的薄壁部1032A及1032B，以及使第一及第二腔體1024A及1024B絕緣并分開的較厚壁部1042。柔性電極1040A及1040B 操作地耦合到RF電源200。氣體流入源150及負(fù)壓源160獨(dú)立地耦合到與各內(nèi)腔體1024A 及1024B相通的流入及流出溝槽。在圖38的橫截面視圖中，可觀察到各內(nèi)腔體1024A及 IOMB中的流入及流出溝槽的敞開的端口 1046及1048。因此，各腔體設(shè)置有循環(huán)氣體流 (在圖37中由箭頭表示)，對于單腔工作端而言，這類似于先前實(shí)施例所描述的。圖38是在目標(biāo)組織1050中展開的介電結(jié)構(gòu)1022的示意性截面圖。可理解，可啟動系統(tǒng)以在腔體1024A及1024B中循環(huán)氣體，如前面所描述地，這些氣體然后在各腔體中被轉(zhuǎn)換成等離子體M0。在本實(shí)施例及使用的方法中，在圖38中的由280所指示的電流路徑中透過薄介電壁1032A及1032B發(fā)生電容性耦合。雖然先前的實(shí)施例說明了將電流電容性地耦合到非氣體電極的包含等離子體的單個腔體，圖37和38的實(shí)施例卻描繪了使用至少兩個包含等離子體的電極以及它們之間的電容性耦合。應(yīng)當(dāng)理解，可在薄壁介電結(jié)構(gòu)中利用載有相對極性電極的多個相鄰腔體，例如2至10個或更多，其中腔體具有相對于彼此的任何適當(dāng)?shù)某叽缁蛉∠颉?br> 雖然上文中具體地描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但會理解本說明書僅僅出于說明性目的，且本發(fā)明的以上描述不是窮盡性的。本發(fā)明的專有特征在一些附圖中示出，而在其它附圖中未示出這些特征，這僅僅是出于方便性目的，且任何特征可根據(jù)本發(fā)明與其它特征組合。許多變體及選項對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。這種選項及變體旨在包含于權(quán)利要求的范圍內(nèi)。在從屬權(quán)利要求中出現(xiàn)的特定特征可被組合并落入本發(fā)明的范圍中。即使從屬權(quán)利要求可選地相對于其它獨(dú)立權(quán)利要求按照多項從屬權(quán)利要求格式來撰寫，本發(fā)明也覆蓋這些實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種用于將射頻電流傳送到組織的裝置，所述裝置包括具有支承端、工作端、內(nèi)腔體以及薄介電壁的主體，所述薄介電壁包圍至少一部分的所述內(nèi)腔體并具有置于所述工作端處的外表面；氣體入口，其連接成向所述內(nèi)腔體傳送非導(dǎo)電氣體；第一電極結(jié)構(gòu)，其具有暴露于所述內(nèi)腔體和/或所述氣體入口的表面；第二電極結(jié)構(gòu)，其具有適配成接觸組織的表面；射頻電源，其連接成穿過所述第一及第二電極結(jié)構(gòu)施加射頻電壓，其中，所述電壓足以在所述腔體內(nèi)的所述非導(dǎo)電氣體中發(fā)起等離子體，并足以將等離子體中的電流穿過所述介電壁電容性地耦合進(jìn)組織。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述介電壁包括選自以下組的剛性材料，所述組由陶瓷、玻璃以及聚合物構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述剛性材料形成具有圓柱形外表面的管。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述介電壁的厚度在0.002英寸到0.1英寸的范圍中。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述介電壁包括可順應(yīng)材料，所述可順應(yīng)材料包含硅樹脂。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述介電壁的厚度在0.03英寸到0. 004英寸的范圍中。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述可順應(yīng)材料形成可膨脹結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，還包括支承所述可順應(yīng)材料的框架。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述框架可擴(kuò)展并可收縮以便打開和關(guān)閉所述介電壁。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括連接至所述主體的支承端的桿。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述桿具有延伸所述氣體入口以便向所述主體的腔體傳送所述非導(dǎo)電氣體的內(nèi)腔。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述桿包括用于從所述主體的腔體移除所述非導(dǎo)電氣體的至少一個第二內(nèi)腔，由此可維持通過所述腔體的非導(dǎo)電氣體的連續(xù)流。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述第一電極至少部分地處于所述第一內(nèi)腔中。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述第二電極至少部分地置于所述桿的外表面上。
15.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述內(nèi)腔體的容積在0.Olml到IOOml的范圍中。
16.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述射頻電源配置成傳送在500V(均方根)到2500V(均方根)范圍中的電壓。
17.一種電外科切除探針，包括具有近端及遠(yuǎn)端的桿；置于所述桿的遠(yuǎn)端附近的能量施加器，其中，所述施加器包括具有內(nèi)表面及外表面的介電壁；所述桿內(nèi)的氣體流通道，用于向所述施加器的介電壁的所述內(nèi)表面?zhèn)魉蜌怏w；暴露于所述氣體流通道內(nèi)的氣體的第一電極結(jié)構(gòu)；以及所述桿的外表面上的第二電極結(jié)構(gòu)；其中，當(dāng)所述介電壁的外表面嚙合同樣與所述第二電極結(jié)構(gòu)相接觸的組織時，穿過所述第一及第二電極的射頻電壓的施加將在所述流通道中的非導(dǎo)電氣體中發(fā)起等離子體。
18.如權(quán)利要求17所述的探針，其特征在于，所述介電壁包括選自以下組的剛性材料， 所述組由陶瓷、玻璃以及聚合物構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求18所述的探針，其特征在于，所述剛性材料形成具有圓柱形外表面的管。
20.如權(quán)利要求18所述的探針，其特征在于，所述介電壁的厚度在0.002英寸到0.1英寸的范圍中。
21.如權(quán)利要求17所述的探針，其特征在于，所述介電壁包括可順應(yīng)材料，所述可順應(yīng)材料包含硅樹脂。
22.如權(quán)利要求21所述的探針，其特征在于，所述介電壁的厚度在0.03英寸到0. 004 英寸的范圍中。
23.如權(quán)利要求21所述的探針，其特征在于，所述可順應(yīng)材料形成可膨脹結(jié)構(gòu)。
24.如權(quán)利要求21所述的探針，其特征在于，所述施加器包括支承所述可順應(yīng)材料的框架。
25.如權(quán)利要求M所述的探針，其特征在于，所述框架可擴(kuò)展并可收縮以便打開和關(guān)閉所述介電壁。
26.如權(quán)利要求17所述的探針，其特征在于，所述桿連接至所述能量施加器的近端。
27.如權(quán)利要求沈所述的探針，其特征在于，所述氣體流通道包括內(nèi)腔，其延伸所述桿的長度以便向所述主體的腔體傳送所述非導(dǎo)電氣體。
28.如權(quán)利要求27所述的探針，其特征在于，所述桿包括用于從所述主體的腔體移除所述非導(dǎo)電氣體的至少一個第二內(nèi)腔，由此可維持通過所述腔體的非導(dǎo)電氣體的連續(xù)流。
29.如權(quán)利要求觀所述的探針，其特征在于，所述第一電極至少部分地處于所述第一內(nèi)腔中。
30.如權(quán)利要求四所述的裝置，其特征在于，所述第一電極至少部分地置于所述施加器內(nèi)。
31.如權(quán)利要求17所述的探針，其特征在于，所述施加器具有形成一部分的所述氣體流通道的內(nèi)腔體，其容積在0. Olml到IOOml的范圍中。
32.如權(quán)利要求17所述的探針，其特征在于，所述電極配置成由500V(均方根)到 2500V (均方根)范圍中的電壓來驅(qū)動。
全文摘要
通過使用連接到施加器的射頻電源來處理組織，該施加器具有填充有非導(dǎo)電氣體的由薄介電壁包圍的腔體。以足以將氣體離子化成等離子體以及足以將離子化的等離子體與組織電容性耦合的電平來施加射頻電壓，從而傳送射頻電流以切除或以其它方式處理組織。
文檔編號A61B18/14GK102245118SQ200980151629
公開日2011年11月16日 申請日期2009年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月21日
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