專利名稱：可植入電極組件中的應(yīng)變釋放體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及包括可植入電極組件的可植入醫(yī)療器械，并且更特別地涉及可 植入電極組件中的應(yīng)變釋放體。
背景技術(shù)：
聽力損傷可能是由于很多不同的原因造成的，其通?？梢苑譃閮煞N類型，傳導(dǎo)性 和神經(jīng)性。在某些情況下，一個人會同時經(jīng)受這兩種類型的聽力損傷。傳導(dǎo)性聽力損傷發(fā) 生在例如由于聽小骨受損，聲音用以到達(dá)耳蝸的常規(guī)機械通道受阻從而其中的感覺毛細(xì)胞 受阻時。由于耳蝸中的毛細(xì)胞沒有受損，經(jīng)受傳導(dǎo)性聽力損傷的人通常具有某種形式的殘 留聽力。作為結(jié)果，經(jīng)受傳導(dǎo)性聽力損傷的人通常佩戴產(chǎn)生耳蝸流體機械運動的聲學(xué)助聽
ο然而，在很多患有慢性耳聾的人當(dāng)中，其失聰?shù)脑蚴巧窠?jīng)性聽力損傷。神經(jīng)性聽 力損傷發(fā)生在內(nèi)耳受損或從內(nèi)耳到大腦的神經(jīng)通道受損時。這樣，經(jīng)受某些形式的神經(jīng)性 聽力損傷的人由此不能從產(chǎn)生耳蝸流體機械運動的助聽裝置中得到適當(dāng)?shù)囊嫣帯Ｗ鳛榻Y(jié) 果，已經(jīng)開發(fā)了如下醫(yī)療器械，其具有一個或多個可植入部件，這些可植入部件將電刺激信 號遞送給患者或受體(在此稱為“受體”)。特定的這種可植入醫(yī)療器械包括刺激電極接觸 的陣列，其將刺激信號遞送給受體的聽覺系統(tǒng)的神經(jīng)細(xì)胞，從而為受體提供聽力感知。如同在此所用，受體的聽覺系統(tǒng)包括用于感知聲音信號的全部感覺系統(tǒng)部件，諸 如聽力感覺接收體、神經(jīng)通道(包括聽覺神經(jīng)和螺旋神經(jīng)節(jié))以及用于感受聲音的大腦部 分。電刺激可植入醫(yī)療器械包括例如聽覺大腦刺激器和耳蝸助聽裝置(通常稱為耳蝸助聽 器械、耳蝸植入體、耳蝸器械等；在此簡單地稱為“耳蝸植入體”)。通常，神經(jīng)性聽力損傷是由于將聲學(xué)信號轉(zhuǎn)換為神經(jīng)脈沖的耳蝸毛細(xì)胞的缺失或 破壞而造成的。正是出于這一目的才開發(fā)了耳蝸植入體。耳蝸植入體通過如下方式為受體 提供聽力感知，即將電刺激信號直接遞送給聽覺神經(jīng)細(xì)胞，從而避開了常規(guī)地將聲學(xué)振動 轉(zhuǎn)換為神經(jīng)活動的毛細(xì)胞的缺失或缺陷。這種器械通常使用植入在耳蝸中的電極陣列，從 而使得電極可以有差別地激活常規(guī)地對不同音高的聲音進(jìn)行編碼的聽覺神經(jīng)元。聽覺大腦刺激器用于治療患有聽覺神經(jīng)雙側(cè)退化的更小部分受體。對于這些受 體，聽覺大腦刺激器提供了對腦干中的耳蝸核的刺激。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種可植入電極組件。該電極組件包括伸長載體構(gòu)件；布置在該載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸；以及布置在該載體構(gòu)件中的至少一個伸 長傳導(dǎo)通道，該伸長傳導(dǎo)通道具有附接至該至少一個電極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端，并具有形成在其 中的、僅位于該通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中的、基本上是平面的應(yīng)變釋放體。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種可植入電極組件。該電極組件包括伸長載體 構(gòu)件；布置在該載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸；布置在該載體構(gòu)件中的至少一個伸長傳 導(dǎo)通道，該伸長傳導(dǎo)通道具有經(jīng)由接觸接頭附接至該至少一個電極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端，并具有 形成在其中的應(yīng)變釋放體；以及將該通道固定到與該接觸接頭相鄰的電極接觸的錨結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種可植入電極組件。該電極組件包括伸長載體 構(gòu)件；布置在該載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸；布置在該載體構(gòu)件中的至少一個伸長傳 導(dǎo)通道，該伸長傳導(dǎo)通道具有附接至該至少一個電極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端；以及將該通道固定到 與該接觸接頭相鄰的電極接觸的錨結(jié)構(gòu)。


在此參考附圖來描述本發(fā)明的各方面和實施例，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的示例性醫(yī)療器械，即具有電極組件的耳蝸植入體的透 視圖；圖2是在其中可以有利地實現(xiàn)本發(fā)明的實施例的耳蝸植入體的可植入部件的側(cè) 視圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極組件的一個區(qū)域的截面視圖；圖;3B是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極組件的一個區(qū)域的截面視圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明實施例的具有形成在其遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中的應(yīng)變釋放體的傳導(dǎo)通道 的俯視圖；圖4B是根據(jù)本發(fā)明實施例的附接至電極接觸的圖4A的傳導(dǎo)通道的側(cè)視圖；圖4C是圖4B的傳導(dǎo)通道和所附接的電極接觸的俯視圖；圖5A是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極接觸的俯視圖，該電極接觸附接至具有形成在 其中的環(huán)形應(yīng)變釋放體的傳導(dǎo)通道；圖5B是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極接觸的俯視圖，該電極接觸附接至具有形成在 其中的螺旋狀應(yīng)變釋放體的傳導(dǎo)通道；圖5C是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極接觸的側(cè)視圖，該電極接觸附接至具有形成在 其中的螺旋狀應(yīng)變釋放體的傳導(dǎo)通道；圖5D是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極接觸的透視圖，該電極接觸附接至具有形成在 其中的橫向延伸的應(yīng)變釋放體的傳導(dǎo)通道；圖5E是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極接觸的俯視圖，該電極接觸附接至具有形成在 其中的向遠(yuǎn)側(cè)延伸的應(yīng)變釋放體的傳導(dǎo)通道；圖5F是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極接觸的俯視圖，該電極接觸附接至具有形成在 其中的向遠(yuǎn)側(cè)延伸的應(yīng)變釋放體的傳導(dǎo)通道；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極組件的一個區(qū)域的截面視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的電極接觸的俯視圖，該電極接觸附接至兩個傳導(dǎo)通 道，每個傳導(dǎo)通道都在其中具有應(yīng)變釋放體特征；
圖8A是根據(jù)本發(fā)明實施例的通過錨結(jié)構(gòu)固定到電極接觸的傳導(dǎo)通道的側(cè)視圖；圖8B是根據(jù)本發(fā)明實施例的通過錨結(jié)構(gòu)固定到電極接觸的傳導(dǎo)通道的側(cè)視圖；圖8C是根據(jù)本發(fā)明實施例的通過錨結(jié)構(gòu)固定到電極接觸的傳導(dǎo)通道的側(cè)視圖；圖8D是根據(jù)本發(fā)明實施例的通過錨結(jié)構(gòu)固定到電極接觸的傳導(dǎo)通道的側(cè)視圖；圖9A是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖9B是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖9C是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖9D是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖9E是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖9F是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖9G是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖IOA是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的多個元件的方法的流程圖；圖IOB是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的多個元件的方法的流程圖；圖11是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的一個元件的方法的流程圖；圖12A是根據(jù)本發(fā)明實施例的處于打開位置的應(yīng)變釋放體形成工具的透視圖；圖12B是根據(jù)本發(fā)明實施例的處于閉合位置的應(yīng)變釋放體形成工具的透視圖；圖12C是根據(jù)本發(fā)明實施例的處于打開位置的應(yīng)變釋放體形成工具的透視圖；圖12D是根據(jù)本發(fā)明實施例的處于閉合位置的應(yīng)變釋放體形成工具的透視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的導(dǎo)線保持工具的透視圖；以及圖14是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造電極組件的元件的工具的框圖。
具體實施例方式本發(fā)明的各方面一般地針對可植入電極組件中的應(yīng)變釋放體特征。根據(jù)本發(fā)明實 施例的電極組件包括伸長載體構(gòu)件，布置在該載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸，以及布置 在該載體構(gòu)件中的伸長傳導(dǎo)通道，該伸長傳導(dǎo)通道具有經(jīng)由接觸接頭附接至該至少一個電 極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端。該傳導(dǎo)通道具有所形成的應(yīng)變釋放體，該應(yīng)變釋放體降低了該伸長傳導(dǎo) 通道和/或接觸接頭響應(yīng)于電極組件的變彎/彎曲而斷裂的敏感度。如下所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋放體可以具有各種各樣的設(shè)置。在特定實 施例中，應(yīng)變釋放體基本上是平面的并且可以例如僅位于傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中。在其他 實施例中，傳導(dǎo)通道被固定到與接觸接頭相鄰的電極接觸，以進(jìn)一步保護接觸接頭使其不 發(fā)生斷裂。在此主要聯(lián)系一種類型的可植入醫(yī)療器械，即助聽裝置，更具體地是耳蝸植入體， 來描述實施例。耳蝸植入體是如下助聽裝置，其單獨地或結(jié)合其他類型的刺激將電刺激遞 送給受體的耳蝸。因此，如同在此所用，耳蝸植入體是指如下器械，其結(jié)合諸如聲學(xué)和/或 機械刺激的其他類型的刺激遞送電刺激。應(yīng)當(dāng)意識到，本發(fā)明的實施例可以實現(xiàn)在現(xiàn)在已知或者將來開發(fā)的任何耳蝸植入 體或其他助聽裝置中，包括聽覺大腦刺激器(也稱為聽覺腦干植入體(ABI))。另外，應(yīng)當(dāng)理 解，本發(fā)明的實施例可以實現(xiàn)在耳蝸植入體以外的可植入醫(yī)療器械中，諸如神經(jīng)刺激器、心 臟起搏器/除顫器、功能性電刺激器(FEQ、脊髓刺激器(SCQ等。
圖1是植入在受體中的示例性耳蝸植入體100的透視圖，該受體具有外耳101、中 耳105以及內(nèi)耳107。下面將描述外耳101、中耳105以及內(nèi)耳107的組成部分，之后是對 耳蝸植入體100的描述。在功能健全的耳朵中，外耳101包括耳廓110和耳道102。聲壓或聲波103由耳 廓110收集并被導(dǎo)入和通過耳道102。位于耳道102的整個遠(yuǎn)側(cè)端的是鼓膜104，鼓膜104 響應(yīng)于聲波103而振動。這一振動通過中耳105的三塊骨頭耦合到橢圓形窗口或卵圓窗 112，這三塊骨頭統(tǒng)稱為聽小骨106并包括錘骨108、砧骨109以及鐙骨111。中耳105的骨 頭108、109以及111用于過濾和放大聲波103，使得橢圓形窗口 112發(fā)音，或者響應(yīng)于鼓膜 104的振動而振動。這一振動建立了耳蝸140內(nèi)的外淋巴流體運動的波動。這種流體運動 接著又激活了耳蝸140內(nèi)的微小的毛細(xì)胞(未示出)。毛細(xì)胞的激活使得適當(dāng)?shù)纳窠?jīng)脈沖 被產(chǎn)生并通過螺旋神經(jīng)節(jié)細(xì)胞(未示出)和聽覺神經(jīng)114傳送給大腦(也未示出)，在大腦 處其被感知為聲音。耳蝸植入體100包括直接地或間接地附接至受體身體的外部部件142和暫時地或 永久地植入受體中的內(nèi)部或可植入部件144。外部部件142通常包括一個或多個聲音輸入 元件，諸如用于檢測聲音的麥克風(fēng)124、聲音處理單元126、電源(未示出)以及外部發(fā)射器 單元128。外部發(fā)射器單元1 包括外部線圈130，并且優(yōu)選地包括直接地或間接地固定到 外部線圈130的磁鐵(未示出)。聲音處理單元1 處理麥克風(fēng)IM的輸出，在所描述的實 施例中，麥克風(fēng)124由受體的耳廓110定位。聲音處理單元1 產(chǎn)生編碼信號，在此有時稱 為編碼數(shù)據(jù)信號，其經(jīng)由導(dǎo)線(未示出)被提供給外部發(fā)射器單元128。內(nèi)部部件144包括內(nèi)部接收器單元132、刺激器單元120以及伸長刺激引導(dǎo)組件
118。內(nèi)部接收器單元132包括內(nèi)部線圈136，并且優(yōu)選地包括相對于該內(nèi)部線圈固定的磁 鐵(也未示出)。內(nèi)部接收器單元132和刺激器單元120被密封在生物相容殼體內(nèi)，有時 統(tǒng)稱為刺激器/接收器單元。內(nèi)部線圈136接收來自外部線圈130的功率和刺激數(shù)據(jù)，如 上所述。伸長刺激引導(dǎo)組件118具有連接至刺激器單元120的近側(cè)端，并延伸通過乳突骨
119。引導(dǎo)組件118具有遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域，稱為電極組件145，植入在耳蝸140中。如同在此所用， 術(shù)語“刺激弓I導(dǎo)組件”是指任何如下器械，其能夠提供對受體的刺激，舉例而言，諸如電刺激 或光刺激。電極組件145至少可以植入耳蝸140的基底區(qū)域116中，有時則更深。例如，電極 組件145可以朝向耳蝸140的頂端(稱為耳蝸尖134)延伸。電極組件145可以經(jīng)由耳蝸 造口 122或者通過圓形窗口 121、橢圓形窗口 112以及耳蝸140的頂圈147中的開口或隆突 123插入耳蝸140中。電極組件145之中或之上布置有縱向?qū)?zhǔn)并向遠(yuǎn)側(cè)延伸的電極接觸148的陣列 146，在此有時稱為電極陣列146。貫穿本說明書，術(shù)語“電極陣列”意指兩個或更多電極接 觸(在此有時簡單地稱為接觸)的集合。應(yīng)當(dāng)意識到，電極陣列146可以布置在電極組件 145上。然而，在大多數(shù)實際應(yīng)用中，電極陣列146是集成在電極組件145中的。如同在此 所用，布置在載體中的電極接觸或其他元件是指集成在載體構(gòu)件中或定位于載體構(gòu)件上的 元件。這樣，電極陣列146在此稱為布置在電極組件145中。刺激器單元120產(chǎn)生刺激信 號，該刺激信號由電極148施加到耳蝸140，從而刺激聽覺神經(jīng)114。在耳蝸植入體100中，外部線圈130經(jīng)由射頻(RF)鏈路將電信號(即，功率和刺激數(shù)據(jù))發(fā)送給內(nèi)部線圈136。內(nèi)部線圈136通常是導(dǎo)線天線線圈，其包括多圈電絕緣單股 或多股鉬線或金線。內(nèi)部線圈136的電絕緣性是由柔性有機硅鑄模(未示出)提供的。在 使用中，可植入接收器單元132可以定位于與受體的耳廓110相鄰的顳骨的凹陷中。如同所述，圖1圖示了本發(fā)明的特定實施例，其中耳蝸植入體100包括外部部件 142。應(yīng)當(dāng)意識到，在替代性實施例中，耳蝸植入體100包括完全可植入助聽裝置，該完全可 植入助聽裝置至少能夠在一段時間內(nèi)在不需要外部部件的情況下工作。在這種實施例中， 耳蝸植入體100的所有部件都是可植入的，并且耳蝸植入體結(jié)合外部部件142而工作。圖2是內(nèi)部部件144的實施例(在此稱為內(nèi)部部件M4)的簡化側(cè)視圖。如圖2 所示，內(nèi)部部件244包括刺激器/接收器單元202，其如上所述地接收來自耳蝸植入體外部 部件的編碼信號。連接至刺激器/接收器單元202的是刺激引導(dǎo)組件250。刺激引導(dǎo)組件 250終止于電極組件218，電極組件218包括近側(cè)區(qū)域210和耳蝸內(nèi)區(qū)域212。耳蝸內(nèi)區(qū)域 212被配置成植入在受體耳蝸中，并且在其上布置有電極接觸對8的陣列M6。近側(cè)區(qū)域 210被配置成定位于受體耳蝸之外。在特定實施例中，電極組件218配置為在植入受體耳蝸期間或在植入受體耳蝸之 后采用彎曲配置。為實現(xiàn)這一點，在特定實施例中，電極組件218被預(yù)先彎曲為與耳蝸相同 的總體曲率。在這種實施例中，電極組件218稱為彎電極組件，其例如通過加強尖針(未示 出)來保持伸直，該尖針在植入期間被移除，從而使得電極組件在耳蝸中時可以采用其彎 曲配置。采用彎曲配置的其他電極組件以及其他植入方法可以用于本發(fā)明的實施例。在其他實施例中，電極組件218是非彎電極組件，其不采用彎曲配置。例如，電極 組件218可以包括直電極組件或在植入期間或植入之后占據(jù)中等規(guī)模位置的中等規(guī)模組 件。在圖2的示例性實施例中，刺激引導(dǎo)組件250進(jìn)一步包括將刺激器/接收器單元 202連接至電極組件218的螺旋區(qū)域204和過渡區(qū)域206。螺旋區(qū)域204防止刺激器/接 收器202與電極組件218之間的連接由于例如在咀嚼期間可能發(fā)生的內(nèi)部部件244的移動 而被損壞。如上所述，本發(fā)明的各方面一般地針對可植入電極組件中的應(yīng)變釋放體特征。圖 3A和圖;3B是根據(jù)本發(fā)明特定實施例的包括應(yīng)變釋放體特征的電極組件218部分的俯視圖。 圖3A和圖;3B所示出的電極組件218的部分包括三個電極接觸M8。電極接觸248優(yōu)選地 由鉬構(gòu)成，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，任何其他合適的材料，諸如銥、鉬/銥合金或者 其他鉬或銥的合金都可以使用。另外，圖3A和圖;3B圖示了基本上是平面的并具有矩形形 狀的電極接觸M8。然而，應(yīng)當(dāng)意識到，電極接觸248可以具有其他形狀，舉例而言，諸如U 形、正方形、圓形、橢圓形等。如圖3A和圖;3B所示，每個電極接觸248都具有從電極接觸延伸到刺激器/接收器 單元202的傳導(dǎo)通道342(圖2)。傳導(dǎo)通道342被示出為圖3A和圖;3B中的導(dǎo)線342。然 而，應(yīng)當(dāng)意識到，根據(jù)本發(fā)明的實施例，傳導(dǎo)通道342可以包括例如多股導(dǎo)線或者可以包括 切割、穿孔或經(jīng)過機械加工的鉬制的或其他材料的箔條。如上所述，電刺激信號由刺激器單元202產(chǎn)生并經(jīng)由導(dǎo)線342被提供給電極接觸 2480電極接觸248將電刺激信號遞送給受體。因此，為了確保耳蝸植入體的正確操作，重 要的是維持刺激器單元202與電極接觸248之間的電連接。本發(fā)明的實施例配置為通過在導(dǎo)線342中提供應(yīng)變釋放體特征或在此簡稱的應(yīng)變釋放體來維持電連接。如同在此所用， 應(yīng)變釋放體是指嵌入諸如有機硅的柔性材料中的非線性導(dǎo)線區(qū)段。在使用期間，柔性材料保持應(yīng)變釋放體的形狀，但允許當(dāng)由于電極組件218彎曲 和伸直負(fù)載被施加到導(dǎo)線342上時，所儲備的長度發(fā)生移動。應(yīng)變釋放體防止刺激器單元 202與電極接觸248之間的電連接響應(yīng)于電極組件218A的這種變彎/彎曲而斷裂。在圖3A和圖;3B的示例性實施例中，應(yīng)變釋放體特征分別稱為應(yīng)變釋放體330和 332。圖3A和圖;3B的每個應(yīng)變釋放體330、332都僅位于伸長導(dǎo)線342的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中。換 言之，應(yīng)變釋放體330、332完全集中于電極接觸附近的區(qū)域，在此稱為電極接觸區(qū)域。應(yīng)變釋放體330、332相對于電極接觸區(qū)域的集中有助于保護刺激器/接收器單元 202與電極接觸248之間最容易斷裂的電連接部分。刺激器/接收器單元202與電極接觸 248之間的布置在電極接觸區(qū)域中的電連接區(qū)域因若干原因而容易斷裂。如下所述，若干方 法，包括電阻焊接、導(dǎo)線粘合以及壓接，可以用于將傳導(dǎo)通道342連接至電極接觸對8。作為 替代，傳導(dǎo)通道342和電極接觸可以從單件材料切割、模壓或制作(即薄膜制作)而成。所 形成的所有連接本身都是容易斷裂的，但是以上方法還潛在地?fù)p壞傳導(dǎo)通道，使得通道更 容易斷裂。例如，電阻焊接或?qū)Ь€粘合可能導(dǎo)致熱影響區(qū)(HAZ)和導(dǎo)線變形，而壓接則可能 導(dǎo)致應(yīng)力所致的脆弱(例如，由于材料的變形)。此外，切割或模壓可能導(dǎo)致連接區(qū)域中的 幾何性脆弱，而薄膜制作則容易受到表面張力效應(yīng)的影響。因此，對于這些和其他區(qū)域，電 極接觸區(qū)域在使用期間特別容易損壞。在圖3A的實施例中，每個應(yīng)變釋放體330都集中于電極接觸區(qū)域，從而使得應(yīng)變 釋放體完全沿著電極接觸248定位，并且每個應(yīng)變釋放體的長度小于或等于電極接觸的長 度。每個應(yīng)變釋放體330和電極接觸248的長度是指從釋放體或接觸的最近側(cè)端到釋放體 或接觸的最遠(yuǎn)側(cè)端的距離。在圖:3B的實施例中，每個應(yīng)變釋放體332都集中于電極接觸區(qū)域，從而使得應(yīng)變 釋放體沿著電極接觸248定位。在這些實施例中，每個應(yīng)變釋放體的長度小于或等于電極 接觸的長度和電極接觸與下一個最接近的電極接觸之間的區(qū)域(稱為電極間隙340)的長 度。每個應(yīng)變釋放體332、電極接觸248或電極間隙340的長度是指從釋放體、接觸或間隙 的最近側(cè)端到釋放體、接觸或間隙的最遠(yuǎn)側(cè)端的距離。因此，圖3A和圖;3B的示例性實施例通過將應(yīng)變釋放體的長度限制在如下區(qū)域而 優(yōu)化了應(yīng)變釋放體的長度，在該區(qū)域中，由于電極組件的晃動、錯誤使用、變彎或者導(dǎo)致對 焊盤施加應(yīng)力的其他事件或環(huán)境，刺激器單元與電極接觸之間的電連接最容易斷裂。將應(yīng) 變釋放體定位于電極接觸M8附近具有若干優(yōu)點。首先，由于每個應(yīng)變釋放體都在電極接 觸附近，因此應(yīng)變釋放體形成在導(dǎo)線的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中。如下所述，具有這種遠(yuǎn)側(cè)定位的應(yīng)變釋 放體的導(dǎo)線在電極組件的制造期間相對比較容易處理。應(yīng)變釋放體330、332定位于電極接觸M8附近的第二個優(yōu)點在于，應(yīng)變釋放體不 會彼此重疊。非重疊應(yīng)變釋放體形成了緊密的導(dǎo)線束，從而節(jié)省了電極組件218內(nèi)的空間。 另外，由于應(yīng)變釋放體不重疊，因此導(dǎo)線的近側(cè)部分是緊密的一束。緊密的一束有助于保護 導(dǎo)線使其不斷裂。在本發(fā)明的替代性實施例中，應(yīng)變釋放體定位于電極接觸M8附近，但延伸超出 下一個最接近的電極接觸。在特定的這種實施例中，應(yīng)變釋放體延伸了耳蝸內(nèi)區(qū)域212的長度。如上面詳細(xì)描述的那樣，圖3A和圖;3B圖示了本發(fā)明的實施例，其中應(yīng)變釋放體 330、332定位于特定的物理位置。應(yīng)當(dāng)意識到，應(yīng)變釋放體的其他物理位置在本發(fā)明的范圍 內(nèi)，并且圖3A和圖;3B的示例性實施例不應(yīng)當(dāng)解讀為限制可用的位置。例如，根據(jù)本發(fā)明的 其他實施例，傳導(dǎo)通道可以附接至第一電極接觸，應(yīng)變釋放體可以形成在其中，沿著下一個 最接近的電極接觸和/或下一個接近的電極接觸以及鄰接的電極間隙。圖4A和圖4B圖示了導(dǎo)線442，導(dǎo)線442具有形成在其中的應(yīng)變釋放體430。圖4A 是導(dǎo)線442的示意性俯視圖，而圖4B是導(dǎo)線442的示意性側(cè)視圖。在圖4A和圖4B的實施 例中，應(yīng)變釋放體430是平面應(yīng)變釋放體。也就是說，應(yīng)變釋放體430基本上是二維的并且 基本上定位于單個平面400內(nèi)(不考慮導(dǎo)線粗細(xì))。圖4A-圖4C所圖示的應(yīng)變釋放體430包括導(dǎo)線442的非線性區(qū)段。特別地，應(yīng)變 釋放體430包括導(dǎo)線442的完整一圈411，以及導(dǎo)線的半圈413。如圖4A所示，導(dǎo)線或傳導(dǎo) 通道的完整一圈是指如下導(dǎo)線/通道區(qū)段，其在第一方向上行進(jìn)第一距離，具有一般的U形 部分，其在遠(yuǎn)離U形方向上延伸第二距離，第二距離與第一距離大致相同。作為對照，半圈 是指僅包括U形部分的導(dǎo)線區(qū)段。如下面參考圖12A-圖12D詳細(xì)描述的那樣，在本發(fā)明的 實施例中，應(yīng)變釋放體(諸如應(yīng)變430)的各圈在尺寸上是非對稱的，并且被稱為導(dǎo)線/通 道的非對稱圈。在某些實施例中，每個遠(yuǎn)側(cè)定位的圈都大于下一個最接近的圈。在其他實 施例中，每個遠(yuǎn)側(cè)定位的圈都小于下一個最接近的圈。一圈的尺寸是指導(dǎo)線長度在導(dǎo)線的 原始縱向距離上的改變。應(yīng)當(dāng)意識到，尺寸的增加增大了垂直于導(dǎo)線442的縱軸的圈的最 大尺度。如圖4B所示，平面應(yīng)變釋放體430形成在導(dǎo)線442的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中。也就是說，平面 應(yīng)變釋放體430形成在導(dǎo)線442的遠(yuǎn)側(cè)端或靠近遠(yuǎn)側(cè)端，并且沿著電極接觸248定位。如 下面詳細(xì)描述的那樣，導(dǎo)線442在接觸接頭444處附接至電極接觸M8。如上所述，可以實現(xiàn)各種各樣的方法來將傳導(dǎo)通道(諸如導(dǎo)線)附接或連接至電 極接觸。導(dǎo)線或其他傳導(dǎo)通道與電極接觸之間的附接或連接點在此稱為接觸接頭444?？?以通過電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來提供接觸接頭444。在特定的環(huán)境中，導(dǎo)線 和電極接觸從單片金屬切割或模壓而成，并且接觸接頭是元件從電極形狀改變?yōu)閷?dǎo)線形狀 的區(qū)域。如上所述，應(yīng)變釋放體，諸如應(yīng)變釋放體430，包括導(dǎo)線442的的被諸如有機硅的 柔性材料包圍的非線性區(qū)段。為了響應(yīng)于例如電極組件的變彎/彎曲而提供應(yīng)變釋放體 430的移動，應(yīng)變釋放體430必須與電極接觸248隔開一段距離，從而使得應(yīng)變釋放體不固 定到剛性結(jié)構(gòu)，諸如電極接觸。這一距離可以包括例如50-100微米?？梢砸匀舾刹煌姆绞教峁╇姌O接觸248與應(yīng)變釋放體430之間的期望距離。例 如，如圖4B所示，導(dǎo)線442可以以一個角度被提供給電極接觸。相對于電極接觸248的這 一角度是指如下事實，即導(dǎo)線442的遠(yuǎn)側(cè)端比應(yīng)變釋放體430更緊鄰電極接觸M8。在其他 實施例中，期望間隔是通過使應(yīng)變釋放體430位于電極接觸之間而不是如圖4B所示在電極 接觸旁邊來獲得的。圖4C是經(jīng)由接觸接頭444附接至電極接觸248的導(dǎo)線442的俯視圖。如同所示， 為了最大化應(yīng)變釋放體430可以沿著其而定位的電極接觸M8的面積，接觸接頭444被形成為平行于電極接觸M8的遠(yuǎn)側(cè)邊緣426。另外，接觸接頭444被形成為盡可能靠近邊緣 426。例如，在某些實際應(yīng)用中，接觸接頭444可以隔開大約25微米。圖5A是電極接觸M8A的示意性俯視圖，電極接觸M8A附接至導(dǎo)線542A，導(dǎo)線 542A具有形成在其中的應(yīng)變釋放體530。如同所示，應(yīng)變釋放體530具有基本上為環(huán)形的 形狀并包括單線圈導(dǎo)線M2A。這樣，應(yīng)變釋放體530稱為環(huán)狀應(yīng)變釋放體530。在圖5A的實施例中，環(huán)狀應(yīng)變釋放體530被示出為形成在導(dǎo)線M2A的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域 中并沿著電極接觸^8A。也就是說，應(yīng)變釋放體的長度小于或等于電極接觸的長度。環(huán)狀 應(yīng)變釋放體530和電極接觸M8A的長度是指從釋放體或接觸的最近側(cè)端到釋放體或接觸 的最遠(yuǎn)側(cè)端的距離。應(yīng)當(dāng)意識到，在替代性實施例中，環(huán)狀應(yīng)變釋放體530可以形成在導(dǎo)線 542A的其他位置中。如同所示，導(dǎo)線M2A的遠(yuǎn)側(cè)端經(jīng)由接觸接頭M4A附接至電極接觸M8A。在圖5A 的實施例中，接觸接頭被形成為平行于電極接觸M8A的遠(yuǎn)側(cè)邊緣526A。另外，接觸接 頭M4A被形成為盡可能靠近邊緣526A。圖5B是電極接觸M8B的示意性俯視圖，電極接觸M8B附接至導(dǎo)線M2B，導(dǎo)線 542B具有形成在其中的應(yīng)變釋放體532。如同所示，應(yīng)變釋放體532包括導(dǎo)線M2B的多個 環(huán)或線圈533并且稱為螺旋應(yīng)變釋放體532。在圖5B的特定實施例中，螺旋應(yīng)變釋放體532 的線圈533基本上定位于沿著電極接觸M8B的單個平面內(nèi)。在其他實施例中，線圈533繞 平行于或垂直于導(dǎo)線M2B的近側(cè)端的伸長軸而延伸。另外，在圖5B的實施例中，螺旋應(yīng)變釋放體532被示出為形成為靠近導(dǎo)線M2B的 遠(yuǎn)側(cè)端并定位于電極接觸M8A附近。特別地，螺旋應(yīng)變釋放體532沿著電極接觸M8B而 定位，并且應(yīng)變釋放體的長度小于或等于電極接觸的長度。螺旋應(yīng)變釋放體532和電極接 觸M8B的長度是指從釋放體或接觸的最近側(cè)端到釋放體或接觸的最遠(yuǎn)側(cè)端的距離。在替代性實施例中，螺旋應(yīng)變釋放體532所具有的長度大于電極接觸548B。例如， 螺旋應(yīng)變釋放體532可以延伸至下一個最接近的電極并定位于電極接觸M8A和相鄰的電 極間隙內(nèi)，正如上面參考圖3B所述。在其他實施例中，螺旋應(yīng)變釋放體532可以形成在導(dǎo) 線M2B中，從而使得應(yīng)變釋放體延伸使用該導(dǎo)線形成的電極組件的耳蝸內(nèi)區(qū)域的長度。還 應(yīng)當(dāng)意識到，螺旋應(yīng)變釋放體532可以形成在所示位置以外的導(dǎo)線M2B的其他位置中。如同所示，導(dǎo)線M2B的遠(yuǎn)側(cè)端經(jīng)由接觸接頭M4B附接至電極接觸M8B。在圖5B 的實施例中，接觸接頭被形成為平行于電極接觸M8B的遠(yuǎn)側(cè)邊緣526B。另外，接觸接 頭M4B被形成為盡可能靠近邊緣526B。圖5C是電極接觸M8C的示意性側(cè)視圖，電極接觸M8C附接至導(dǎo)線542C，導(dǎo)線 542C具有形成在其中的應(yīng)變釋放體534。如同所示，應(yīng)變釋放體534包括導(dǎo)線M2C的多個 環(huán)或線圈535并且稱為螺旋應(yīng)變釋放體534。在圖5C的特定實施例中，螺旋應(yīng)變釋放體534 的線圈535繞垂直于導(dǎo)線M2C的其余部分的伸長軸而延伸。另外，在圖5C的實施例中，螺旋應(yīng)變釋放體534被示出為形成為靠近導(dǎo)線M2C的 遠(yuǎn)側(cè)端并定位于電極接觸M8A附近。特別地，螺旋應(yīng)變釋放體534沿著電極接觸M8C而 定位，并且應(yīng)變釋放體的長度小于或等于電極接觸的長度。螺旋應(yīng)變釋放體534和電極接 觸M8C的長度是指從釋放體或接觸的最近側(cè)端到釋放體或接觸的最遠(yuǎn)側(cè)端的距離。圖5D是電極接觸M8D的示意性俯視圖，電極接觸M8D附接至導(dǎo)線M2D，導(dǎo)線542D具有形成在其中的應(yīng)變釋放體536。在圖5D的實施例中，電極接觸M8D具有U形形 狀。應(yīng)變釋放體536從接觸接頭M4D沿U形的一側(cè)橫向延伸。這樣，應(yīng)變釋放體536稱為 橫向延伸應(yīng)變釋放體536。如同所示，導(dǎo)線M2D的遠(yuǎn)側(cè)端經(jīng)由接觸接頭M4D附接至電極接觸M8D。在圖5D 的實施例中，接觸接頭被形成為平行于電極接觸M8D的遠(yuǎn)側(cè)邊緣526D。另外，接觸接 頭M4D被形成為盡可能靠近邊緣526D。圖5E是電極接觸M8E的示意性俯視圖，電極接觸M8E附接至導(dǎo)線M2E，導(dǎo)線 542E具有形成在其中的應(yīng)變釋放體538A。在圖5E的實施例中，應(yīng)變釋放體538A從到電極 接觸M8E的附接點向遠(yuǎn)側(cè)延伸，并且稱為遠(yuǎn)側(cè)延伸應(yīng)變釋放體538A。圖5F是電極接觸M8F的示意性俯視圖，電極接觸M8F附接至導(dǎo)線M2F，導(dǎo)線 542F具有形成在其中的遠(yuǎn)側(cè)延伸應(yīng)變釋放體538B。遠(yuǎn)側(cè)延伸應(yīng)變釋放體538B與圖5E的 應(yīng)變釋放體538A類似并且從到電極接觸M8F的附接點向遠(yuǎn)側(cè)延伸。在圖5F的實施例中， 遠(yuǎn)側(cè)延伸應(yīng)變釋放體538B的至少一部分延伸越過電極接觸M8F的遠(yuǎn)側(cè)端。在本領(lǐng)域中公知，配置為植入耳蝸中的電極組件具有朝向電極組件遠(yuǎn)側(cè)端減小的 直徑。也就是說，電極組件的寬度收尖為遠(yuǎn)側(cè)尖端。在本發(fā)明的特定實施例中，應(yīng)變釋放體 被形成為利用電極組件的變化的直徑。特別地，基于電極組件在應(yīng)變釋放體區(qū)域中的尺寸， 電極組件內(nèi)的導(dǎo)線具有形狀和/或尺寸不同的應(yīng)變釋放體。換言之，導(dǎo)線包括設(shè)計為最大 化電極組件的利用率的不同應(yīng)變釋放體。圖6是根據(jù)本發(fā)明的這種實施例而形成的錐形電 極組件618的一個區(qū)域的示意性俯視圖。應(yīng)當(dāng)意識到，圖6所示的電極組件618的錐形被 放大了，以說明本發(fā)明的實施例。在某些實際應(yīng)用中，根據(jù)本發(fā)明實施例的電極組件可以在 IOmm的長度上收尖大約0. 3mm。也就是說，電極組件的直徑在IOmm的跨距上減小了 0. 3mm。如同所示，第一應(yīng)變釋放體630A形成在導(dǎo)線642A中。導(dǎo)線642A的遠(yuǎn)側(cè)端附接至 電極接觸648A。應(yīng)變釋放體630A具有寬度660，寬度660被配置為最大化電極接觸648A 所定位于其中的電極組件618的區(qū)域中的可用空間。如上所述，應(yīng)變釋放體的長度是指從 釋放體的最近側(cè)端到釋放體的最遠(yuǎn)側(cè)端的距離。如同在此所用，應(yīng)變釋放體的寬度是指應(yīng) 變釋放體在垂直于應(yīng)變釋放體長度的方向上的最大尺度。電極組件618進(jìn)一步包括形成在導(dǎo)線642C中的第二應(yīng)變釋放體630C。導(dǎo)線642C 的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸648C。應(yīng)變釋放體630C具有寬度662。應(yīng)變釋放體630C的寬度 662小于應(yīng)變釋放體630A的寬度，如箭頭664所示。同樣，應(yīng)變釋放體630C的寬度662被 選擇為最大化電極接觸648C所定位于其中的電極組件618的區(qū)域中的可用空間。應(yīng)當(dāng)意 識到，應(yīng)變釋放體630A、630C之間的寬度差異是由于電極組件618的錐度而造成的。電極組件618進(jìn)一步包括針對電極接觸648B處的可用空間而優(yōu)化的第三應(yīng)變釋 放體630B。為便于說明，在此沒有示出應(yīng)變釋放體630A與630B之間的尺寸減小。已經(jīng)針對電極組件618內(nèi)的三個電極接觸648對圖6的實施例進(jìn)行了說明。應(yīng)當(dāng) 意識到，可以提供附加的電極接觸，并且每個電極接觸都可以附接至具有各種寬度的應(yīng)變 釋放體的導(dǎo)線。此外，已經(jīng)針對具有相同非線性形狀的應(yīng)變釋放體630對圖6的實施例進(jìn)行了說 明。應(yīng)當(dāng)意識到，在替代性實施例中，可以基于電極組件的寬度選擇不同的非線性模式。如上所述，本發(fā)明的實施例針對通過在將刺激器單元電連接至電極接觸的導(dǎo)線中提供應(yīng)變釋放體而維持刺激器/接收器單元202(圖幻與電極接觸之間的電連接。圖7圖 示了本發(fā)明的另一實施例，其中兩根導(dǎo)線742A、742B附接至電極接觸748并延伸至刺激器 單元。如同所示，每根導(dǎo)線742A、742B分別具有形成在其中的應(yīng)變釋放體730A、730B。另 外，導(dǎo)線742A和742B的遠(yuǎn)側(cè)端分別經(jīng)由接觸接頭744A、744B附接至電極接觸748。在圖7 的實施例中，接觸接頭744均被形成為平行于電極接觸748的遠(yuǎn)側(cè)邊緣726。另外，接觸接 頭744均被形成為盡可能靠近邊緣726。如上面詳細(xì)描述的那樣，應(yīng)變釋放體730被配置為降低刺激器單元與電極接觸 748之間的電連接由于例如電極接觸和導(dǎo)線742所定位于其中的電極組件的變彎/彎曲而 斷裂的敏感度。使用在電極接觸748與刺激器單元之間延伸的兩根導(dǎo)線742，通過在刺激器 單元與電極接觸之間提供冗余路徑而進(jìn)一步降低了電連接斷裂的敏感度。如果導(dǎo)線742之 一斷裂，則電連接由第二根導(dǎo)線維持。如上所述，可以實現(xiàn)各種各樣的方法來將傳導(dǎo)通道(諸如導(dǎo)線)附接或連接至電 極接觸。導(dǎo)線或其他傳導(dǎo)通道與電極接觸之間的附接或連接點在此稱為接觸接頭?？梢酝?過焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來提供接觸接頭。在特定的環(huán)境中，導(dǎo)線和電極接觸從 單片金屬切割或模壓而成，并且接觸接頭是元件從電極形狀改變?yōu)閷?dǎo)線形狀的區(qū)域。如上所述，傳導(dǎo)通道經(jīng)由接觸接頭附接至電極接觸。用于形成這一接觸接頭的方 法包括電阻焊接、導(dǎo)線粘合以及壓接。作為替代，傳導(dǎo)通道和電極接觸可以從單件材料切 割、模壓或制作(即薄膜制作)而成。所形成的所有連接本身都是容易斷裂的，但是以上方 法還潛在地?fù)p壞傳導(dǎo)通道，使得通道更容易斷裂。例如，電阻焊接或?qū)Ь€粘合可能導(dǎo)致熱影 響區(qū)(HAZ)和導(dǎo)線變形，而壓接則可能導(dǎo)致應(yīng)力所致的脆弱(例如，由于材料的變形)。此 外，切割或模壓可能導(dǎo)致連接區(qū)域中的幾何性脆弱，而薄膜制作則容易受到表面張力效應(yīng) 的影響。因此，對于這些區(qū)域和其他區(qū)域，電極接觸區(qū)域在使用期間特別容易損壞。同樣，如同所述，由于例如電極組件的變彎/彎曲，將電極接觸連接至刺激器單元 的導(dǎo)線會受到可能損壞刺激器單元與電極接觸之間的電連接的力。因此，提供應(yīng)變釋放體 以減小導(dǎo)線將由于這種變彎/彎曲而斷裂的可能性。本發(fā)明的實施例提供了附加的特征， 這些附加的特征進(jìn)一步用于通過保護接觸接頭不受到外部的力而維持電連接的整體性。特 別地，本發(fā)明的實施例被配置為通過利用錨結(jié)構(gòu)將傳導(dǎo)通道固定到與接觸接頭相鄰的電極 接觸而保護接觸接頭不受到變彎/彎曲的力。如同在此所用，錨結(jié)構(gòu)是指基本上定位在應(yīng) 變釋放體與接觸接頭之間的、用于將導(dǎo)線區(qū)段固定到電極接觸的一個或多個元件的集合。圖8A是根據(jù)本發(fā)明實施例的示例性錨結(jié)構(gòu)820的示意性側(cè)視圖。如同所示，導(dǎo)線 842通過接觸接頭844附接至電極接觸848。在圖8A的實施例中，導(dǎo)線842具有形成在其 中的應(yīng)變釋放體830。導(dǎo)線842的遠(yuǎn)側(cè)端沿著電極接觸848定位并以一個角度從電極接觸 848延伸。該角度可以例如大約為十五度。在圖8A的實施例中，由于導(dǎo)線842從接觸接頭844延伸的角度，該導(dǎo)線和與接觸 接頭844相鄰的電極接觸848隔開第一距離812，但是導(dǎo)線842和與接觸接頭844離得更遠(yuǎn) 的電極接觸隔開第二更大距離810。如同所示，材料814用于填充導(dǎo)線842與電極接觸848 之間的空間的一部分，并且可以在導(dǎo)線842之上延伸。該材料配置為將導(dǎo)線842粘附到電 極接觸。該材料可以包括有機硅或有機硅粘合劑，并且在圖8A中被示出為有機硅814。由于導(dǎo)線842和與接觸接頭844相鄰的接觸848(距離812)的緊鄰，有機硅814
15基本上阻止了與接觸接頭844相鄰的導(dǎo)線部分848的移動，從而有助于防止由于電極組件 彎曲而損壞接觸接頭。作為對照，隨著導(dǎo)線842與電極接觸848之間距離的增加，更多的有機硅814被置 于其間。導(dǎo)線842與電極接觸848之間的這一增加的更大量的有機硅提供了導(dǎo)線842的增 加的更大的移動自由度。因此，在圖8A的實施例中，很大部分的應(yīng)變釋放體830被定位為 與電極接觸848隔開，從而允許應(yīng)變釋放體響應(yīng)于如上所述的電極組件的彎曲而發(fā)生期望 的移動。圖8A的實施例圖示了錨結(jié)構(gòu)820，其中導(dǎo)線842與電極接觸848之間的空間用有 機硅或有機硅粘合劑填充。在其他實施例中，可以用不同的材料，諸如硅橡膠或醫(yī)用環(huán)氧樹 脂來填充導(dǎo)線842與電極接觸848之間的空間的一部分。在本發(fā)明的特定實施例中，可以用相同的柔性材料，諸如有機硅來形成錨結(jié)構(gòu)并 包圍應(yīng)變釋放體。然而，應(yīng)當(dāng)意識到，諸如環(huán)氧樹脂之類的材料不能用于包圍應(yīng)變釋放體， 其原因在于這種材料不允許應(yīng)變釋放體響應(yīng)于電極組件的彎曲/變彎而發(fā)生充分的移動。圖8B是根據(jù)本發(fā)明實施例的替代性錨結(jié)構(gòu)822的示意性側(cè)視圖。與上面參考圖 8A詳細(xì)描述的實施例類似，導(dǎo)線842通過接觸接頭844附接至電極接觸848。在圖8B的實 施例中，導(dǎo)線842具有形成在其中的應(yīng)變釋放體830。導(dǎo)線842的遠(yuǎn)側(cè)端沿著電極接觸848 定位。在圖8B的示例性實施例中，錨結(jié)構(gòu)822包括添加的固定元件，該固定元件將導(dǎo)線 842直接固定為與電極接觸848相鄰。這一固定元件可以包括將導(dǎo)線842固定到電極接觸 848的焊盤。因此，在圖8B的特定實施例中，焊盤被用作接觸接頭844并用作錨結(jié)構(gòu)822。 在這些實施例中，添加的固定元件被配置為比導(dǎo)線842脆弱。也就是說，在其中定位有電極 接觸和導(dǎo)線的電極組件發(fā)生應(yīng)力事件或重復(fù)彎曲的情況下，錨結(jié)構(gòu)被配置為在導(dǎo)線842斷 裂之前斷裂。這有助于確保維持刺激器單元與電極接觸之間的電連接。應(yīng)當(dāng)意識到，諸如熔焊之類的強度相對較高的焊盤用于將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接 至電極接觸。在焊盤被用作錨結(jié)構(gòu)的實施例中，錨接焊盤配置為在導(dǎo)線斷裂之前斷裂。另 外，期望的是在處理錨接期間盡可能小地?fù)p壞導(dǎo)線。因此，錨接焊盤包括釘焊而不是熔焊。 釘焊比熔焊脆弱，并且釘焊工藝有助于減小導(dǎo)線中的由焊接工藝造成的熱影響區(qū)。圖8C和圖8D是根據(jù)本發(fā)明實施例的替代性錨結(jié)構(gòu)824的截面透視圖。與上面參 考圖8A和圖8B詳細(xì)描述的實施例類似，導(dǎo)線842通過接觸接頭844附接至電極接觸848。 在圖8C和圖8D的實施例中，接觸接頭844包括焊盤，并且導(dǎo)線842具有形成在其中的應(yīng)變 釋放體830。在圖8C和圖8D的實施例中，錨結(jié)構(gòu)擬4包括導(dǎo)線842的至少部分纏繞或環(huán)繞電 極接觸848的機械特征的區(qū)段846。如同所示，電極接觸848包括U形形狀并在其表面上具 有柱838。導(dǎo)線842的區(qū)段846在應(yīng)變釋放體830與接觸接頭844之間纏繞柱838。在圖 8D的實施例中，區(qū)段846B包括纏繞柱838的至少一整圈導(dǎo)線，而在圖8C的實施例中，區(qū)段 846A僅部分纏繞柱838。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的電極組件包括若干元件，諸如載體構(gòu)件、一個或多 個電極接觸以及傳導(dǎo)通道，這些傳導(dǎo)通道從一個或多個電極接觸中的每個電極接觸延伸， 將這些接觸電連接至刺激器單元。傳導(dǎo)通道可以包括任何數(shù)目的電導(dǎo)體，諸如導(dǎo)線。圖9A是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的接觸和傳導(dǎo)通道結(jié)構(gòu)的方法900A的流程 圖。在圖9A的示例性實施例中，方法900A開始于框902，其中提供了電極接觸。提供電極 接觸可以包括例如提供預(yù)先形成為期望的形狀或配置的接觸。在其他實施例中，步驟902 可以進(jìn)一步包括將電極接觸形成為期望的形狀或配置。例如，在特定實施例中，提供電極接 觸包括提供環(huán)形接觸以及將接觸形成為U形。在框904中，在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。如下所述，可以使用若干方法在傳導(dǎo) 通道中形成應(yīng)變釋放體。例如，根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋放體形成器工具可以用于形成 應(yīng)變釋放體。同樣如下所述，應(yīng)變釋放體可以形成在傳導(dǎo)通道的各種不同物理位置上。應(yīng) 當(dāng)意識到，可以在提供電極接觸之前在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。也就是說，在特定實施 例中，步驟904可以發(fā)生在步驟902之前或與其并發(fā)地發(fā)生。如下所述，在特定實施例中， 應(yīng)變釋放體形成在傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中。在框906中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。如上所述，可以實現(xiàn)各種各樣的 方法來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接或連接至電極接觸。這些方法可以包括例如電阻焊接、導(dǎo) 線粘合、壓接、激光焊接等。在圖9A的實施例中，在將傳導(dǎo)通道附接至電極接觸之前在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變 釋放體。這有助于保護接觸接頭使其不受到在應(yīng)變釋放體在附接工藝之后形成的情況下將 會施加于其上的應(yīng)力。同樣，這便于制造工藝的自動化，其原因在于只有不是附接至電極接 觸的導(dǎo)線的導(dǎo)線必須被操縱為形成應(yīng)變釋放體。圖9B是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造電極組件的接觸和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的、方 法900A的變型(稱為方法900B)的流程圖。與圖9A的實施例類似，方法900B開始于框 902，其中提供了電極接觸。如同所述，這一步驟可以包括若干變型，諸如提供預(yù)先形成的電 極接觸，或者將接觸形成為期望的形狀或配置。在框904B中，在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。在圖9B的特定實施例中，步驟904B 包括形成基本上為平面的應(yīng)變釋放體。也就是說，步驟904B中所形成的應(yīng)變釋放體基本上 定位于單個平面內(nèi)。如下所述，該平面應(yīng)變釋放體例如可以由根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋 放體形成器工具來形成。同樣如下所述，應(yīng)變釋放體可以形成在傳導(dǎo)通道的各種不同位置 上。應(yīng)當(dāng)意識到，可以在提供電極接觸之前在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。也就是說，在特 定實施例中，步驟904B可以發(fā)生在步驟902之前或與其并發(fā)地發(fā)生。在框906中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。如上所述，可以實現(xiàn)各種各樣的 方法，諸如電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。圖9C是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造電極組件的接觸和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的、方 法900A的另一變型(稱為方法900C)的流程圖。與圖9A的實施例類似，方法900C開始于 框902，其中提供了電極接觸。如同所述，這一步驟可以包括若干變型，諸如提供預(yù)先形成的 電極接觸，或者將接觸形成為期望的形狀或配置。在框904C中，在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。在圖9C的特定實施例中，步驟904C 包括在傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中形成應(yīng)變釋放體。也就是說，步驟904C中所形成的應(yīng)變釋放 體定位于傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端或定位為靠近傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端。如下所述，可以使用若干方 法在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。例如，根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋放體形成器工具可以 用于形成應(yīng)變釋放體。應(yīng)當(dāng)意識到，可以在提供電極接觸之前在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。也就是說，在特定實施例中，步驟904C可以發(fā)生在步驟902之前或與其并發(fā)地發(fā)生。在框906中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。如上所述，可以實現(xiàn)各種各樣的 方法，諸如電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。圖9D是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造電極組件的接觸和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的、方 法900A的又一變型(稱為方法900D)的流程圖。與圖9A的實施例類似，方法900D開始于 框902，其中提供了電極接觸。如同所述，這一步驟可以包括若干變型，諸如提供預(yù)先形成的 電極接觸，或者將接觸形成為期望的形狀或配置。在框904D中，在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。在圖9D的特定實施例中，步驟904D 包括在傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中形成基本上為平面的應(yīng)變釋放體。也就是說，步驟904D中所 形成的應(yīng)變釋放體基本上定位于單個平面內(nèi)，并且定位于傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端或定位為靠近 傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端。如下所述，該平面應(yīng)變釋放體例如可以由根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋 放體形成器工具來形成。應(yīng)當(dāng)意識到，可以在提供電極接觸之前在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋 放體。也就是說，在特定實施例中，步驟904D可以發(fā)生在步驟902之前或與其并發(fā)地發(fā)生。在框906中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。如上所述，可以實現(xiàn)各種各樣的 方法，諸如電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。圖9E是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造電極組件的接觸和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的、方 法900A的一種變型(稱為方法900E)的流程圖。與圖9A的實施例類似，方法900E開始于 框902，其中提供了電極接觸。如同所述，這一步驟可以包括若干變型，諸如提供預(yù)先形成的 電極接觸，或者將接觸形成為期望的形狀或配置。在框908中，使用上面參考圖9A而描述的各種各樣的方法之一在傳導(dǎo)通道中形成 應(yīng)變釋放體。應(yīng)當(dāng)意識到，可以在提供電極接觸之前在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。也就 是說，在特定實施例中，步驟908可以發(fā)生在步驟902之前或與其并發(fā)地發(fā)生。在框906中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端經(jīng)由接觸接頭附接至電極接觸。如上所述，可以實 現(xiàn)各種各樣的方法，諸如電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附 接至電極接觸。方法900E在框912中包括附加的步驟，其中將傳導(dǎo)通道固定到電極接觸。特別地， 在框912中，傳導(dǎo)通道的基本上在應(yīng)變釋放體與接觸接頭之間且與接觸接頭相鄰的區(qū)段被 固定到電極接觸。如上面參考圖8A-圖8C而描述的那樣，可以提供若干錨接結(jié)構(gòu)來將傳導(dǎo) 通道固定或錨接到電極接觸。圖9F是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造電極組件的接觸和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的、方 法900A的另一變型(稱為方法900F)的流程圖。與圖9A的實施例類似，方法900F開始于 框902，其中提供了電極接觸。如同所述，這一步驟可以包括若干變型，諸如提供預(yù)先形成的 電極接觸，或者將接觸形成為期望的形狀或配置。在框910中，在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。在圖9F的特定實施例中，步驟910 包括在傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中形成基本上為平面的應(yīng)變釋放體。也就是說，步驟910中所 形成的應(yīng)變釋放體基本上定位于單個平面內(nèi)，并且定位于傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端或定位為靠近 傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端。如下所述，該平面應(yīng)變釋放體例如可以由根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋 放體形成器工具來形成。應(yīng)當(dāng)意識到，可以在提供電極接觸之前在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋 放體。也就是說，在特定實施例中，步驟910可以發(fā)生在步驟902之前或與其并發(fā)地發(fā)生。
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在框906中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端經(jīng)由接觸接頭附接至電極接觸。如上所述，可以實 現(xiàn)各種各樣的方法，諸如電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附 接至電極接觸。
方法900F在框912中包括附加的步驟，其中將傳導(dǎo)通道固定到電極接觸。特別地， 在框912中，傳導(dǎo)通道的基本上在應(yīng)變釋放體與接觸接頭之間且與接觸接頭相鄰的區(qū)段被 固定到接觸。如上面參考圖8A-圖8C而描述的那樣，可以提供若干錨接結(jié)構(gòu)來將傳導(dǎo)通道 固定或錨接到電極接觸。
圖9G是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的用于制造電極組件的接觸和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的方法 950的流程圖。方法950開始于框952，其中提供了電極接觸。與上述實施例類似，這一步驟 可以包括若干變型，諸如提供預(yù)先形成的電極接觸，或者將接觸形成為期望的形狀或配置。
在框％4中，伸長傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端經(jīng)由接觸接頭附接至電極接觸。與上述實施 例類似，可以實現(xiàn)各種各樣的方法，諸如電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等來將傳導(dǎo)通 道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至電極接觸。
方法950在框956中包括附加的步驟，其中將傳導(dǎo)通道固定到電極接觸。特別地， 在框956中，傳導(dǎo)通道的與接觸接頭相鄰的區(qū)段被固定到電極接觸。如上面參考圖8A-圖 8C而描述的那樣，可以提供若干錨接結(jié)構(gòu)來將傳導(dǎo)通道固定或錨接到電極接觸。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明特定實施例的電極組件包括若干元件，諸如載體構(gòu)件、多個 電極接觸以及傳導(dǎo)通道，這些傳導(dǎo)通道從每個電極接觸延伸，將這些接觸電連接至刺激器 單元。圖IOA是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的接觸和導(dǎo)線子組件的方法1000 的流程圖。在圖IOA的示例性實施例中，方法1000開始于框1002。在框1004中，提供了電 極接觸陣列。提供電極接觸陣列可以包括例如提供預(yù)先形成為期望的形狀、配置或?qū)?zhǔn)的 接觸陣列。例如，在圖IOA的實施例中，接觸包括向遠(yuǎn)側(cè)延伸的電極接觸的陣列。在其他實 施例中，步驟1004可以進(jìn)一步包括將陣列內(nèi)的電極接觸形成為期望的形狀、配置或?qū)?zhǔn)。 例如，在特定實施例中，提供電極接觸陣列包括提供環(huán)形接觸以及將接觸形成為U形。在此 通過引用的方式包含其內(nèi)容的共同所有的國際專利申請No. PCT/US2008/083794圖示了一 種用于提供電極接觸陣列的方法，該方法可以與本發(fā)明的實施例一起使用。在框1006中，在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。如下所述，可以使用若干方法在傳 導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。例如，根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋放體形成器工具可以用于形 成應(yīng)變釋放體。同樣如下所述，應(yīng)變釋放體可以形成在傳導(dǎo)通道的各種不同位置上。
在框1008中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至尚未附接至傳導(dǎo)通道的、最接近的電極接 觸。如上所述，可以實現(xiàn)各種各樣的方法來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接或連接至電極接觸。這 些方法可以包括例如電阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等。
在框1010中，確定傳導(dǎo)通道是否已經(jīng)附接至電極陣列中所有期望的接觸。如果傳 導(dǎo)通道已經(jīng)附接至陣列內(nèi)所有期望的接觸，則該方法結(jié)束于框1012。然而，如果傳導(dǎo)通道尚 未附接至所有期望的接觸，則該方法返回框1006，其中在附加的傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放 體。重復(fù)步驟1006、1008和1010，直到傳導(dǎo)通道已經(jīng)附接至陣列中的所有電極接觸為止。
在本發(fā)明的特定實施例中，傳導(dǎo)通道附接至電極陣列中的所有接觸。在替代性實 施例中，電極組件可以包括非激活接觸(即未連接至通道、但用于執(zhí)行各種其他功能的接 觸)以及激活接觸(即用于遞送電刺激信號的接觸)。在這種實施例中，傳導(dǎo)通道僅附接至激活接觸。圖IOB是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電極組件的接觸和導(dǎo)線子組件的替代 性方法1050的流程圖。在圖IOB的示例性實施例中，方法1050開始于框1014。在框1016 中，提供了電極接觸。提供電極接觸可以包括例如提供預(yù)先形成為期望的形狀或配置的接 觸。在其他實施例中，步驟1016可以進(jìn)一步包括將電極接觸形成為期望的形狀或配置。例 如，在特定實施例中，提供電極接觸包括提供環(huán)形接觸以及將接觸形成為U形。在框1018中，在傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。如下所述，可以使用若干方法在傳 導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。例如，根據(jù)本發(fā)明實施例的應(yīng)變釋放體形成器工具可以用于形 成應(yīng)變釋放體。同樣如下所述，應(yīng)變釋放體可以形成在傳導(dǎo)通道的各種不同位置上。在框1020中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接至所提供的電極接觸。如上所述，可以實現(xiàn) 各種各樣的方法來將傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)端附接或連接至電極接觸。這些方法可以包括例如電 阻焊接、導(dǎo)線粘合、壓接、激光焊接等。在框1022中，確定是否期望附加的接觸。如果不期望附加的接觸，則該方法結(jié)束 于框10M。然而，如果期望附加的接觸，則該方法進(jìn)行到框10 ，其中提供附加的接觸。在 圖IOB的特定實施例中，附加的電極接觸在遠(yuǎn)側(cè)與先前的電極接觸隔開。然后，該方法返回 框1018，其中在附加的傳導(dǎo)通道中形成應(yīng)變釋放體。重復(fù)步驟1018、1020、1022以及1026， 直到傳導(dǎo)通道已經(jīng)附接至陣列中的所有電極接觸為止。如上所述，在本發(fā)明的特定實施例中，傳導(dǎo)通道附接至電極陣列中的所有接觸。在 替代性實施例中，電極組件可以包括非激活接觸和激活接觸。在這種實施例中，可以包括附 加判決以確定所提供的接觸是被指定為激活的還是非激活的。如果接觸是非激活的，則傳 導(dǎo)通道不附接至其，并且該方法繼續(xù)提供另一接觸。根據(jù)本發(fā)明的實施例，一旦使用本發(fā)明方法之一制造了電極陣列或者接觸和傳導(dǎo) 通道結(jié)構(gòu)，包含一個或多個部件的電極組件就可以完成了。形成電極組件可以包括各種步 驟，包括在將通道焊接至期望的接觸之后，在每個接觸的溝槽中放置有機硅以及在傳導(dǎo)通 道和接觸的溝槽中的有機硅的頂上放置小針(涂覆有PTFE的導(dǎo)線)。這可以進(jìn)一步包括利 用額外的有機硅來部分填充每個接觸槽。然后，將整個組件放置在烘箱中以使有機硅固化。 然后，該組件在固化鑄型模具中固化和鑄型。如上所述，本發(fā)明的實施例實現(xiàn)了簡單且自動化的制造方法，用于制造如下小型 電極組件，該電極組件對于在組件的正常使用期間可能發(fā)生的變彎/彎曲具有降低的敏感 度。圖11是圖示了根據(jù)本發(fā)明的提供這些優(yōu)點和其他優(yōu)點的實施例的制造電極組件的接 觸和傳導(dǎo)通道結(jié)構(gòu)的方法1100的流程圖。特別地，在本發(fā)明的實施例中，方法1100適于部 分地或完全地自動化。在圖11的示例性實施例中，方法1100開始于框1120，其中使用保持工具來握住伸 長傳導(dǎo)通道。如圖13所示，保持工具握住通道的近側(cè)端。如下面參考圖13而描述的那樣， 保持工具可以是手工或機器可操作工具。在圖11的實施例中，傳導(dǎo)通道是未成形的相對較直的導(dǎo)線。應(yīng)當(dāng)意識到，未成形 的導(dǎo)線比已成形的導(dǎo)線更容易被保持在自動化機器內(nèi)。這一點的原因在于如下事實，即已 成形的導(dǎo)線需要保持工具針對該形狀具有非常一致的形狀和精確的對準(zhǔn)。由于通常使用 伸長導(dǎo)線來形成電極組件，因此維持沿已成形的導(dǎo)線的長度的這一所需精確度是極其困難
20的。在框1121中，使用保持工具來將傳導(dǎo)通道定位在應(yīng)變釋放體形成器內(nèi)。一旦定位 于應(yīng)變釋放體形成器中，傳導(dǎo)通道就被保持工具釋放。在框1122中，使用應(yīng)變釋放體形成 器在傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中形成平面應(yīng)變釋放體。如下面參考圖12A-12D而描述的那樣， 保持工具可以是手工或機器可操作工具。在圖11的實施例中，一旦形成了應(yīng)變釋放體，傳 導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域就沿著電極接觸的表面定位。然后，在框IlM中，傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域 可以附接至電極接觸。應(yīng)當(dāng)意識到，三維的應(yīng)變釋放體可能難以形成，從而使得這種釋放體形成的自動 化難以或者不可能實現(xiàn)。這樣，制造其中包括有三維釋放體的連線和連接器部件是勞動強 度高且專門化的手工技藝。此外，必須旋轉(zhuǎn)三維應(yīng)變釋放體以確認(rèn)形狀符合性，進(jìn)一步限制 了制造選擇。如上所述，在本發(fā)明的特定實施例中，對應(yīng)變釋放體進(jìn)行優(yōu)化以便于應(yīng)變釋放體 的自動化形成。應(yīng)變釋放體形成的自動化具有如下形式的顯著優(yōu)點，即成本降低，以及形成 了不會由于人為錯誤而變化的一致的應(yīng)變釋放體。例如，在特定實施例中，應(yīng)變釋放體包括 二維的平面應(yīng)變釋放體。由于該釋放體僅在二維平面內(nèi)，因此該應(yīng)變釋放體的形成沒有三 維釋放體復(fù)雜，從而便于應(yīng)變釋放體形成的自動化。另外，如下所述，在本發(fā)明的實施例中，釋放體的物理形狀被選擇為便于應(yīng)變釋放 體的自動化形成。例如，在特定實施例中，應(yīng)變釋放體包括導(dǎo)線的多個平面的圈或彎曲。這 些圈在最遠(yuǎn)側(cè)端最大，并且朝向釋放體的近側(cè)端尺寸減小。這些圈的這一逐漸縮減的形狀 便于自動化工藝。對應(yīng)變釋放體進(jìn)行成形以便于自動化的其他變更在本發(fā)明的范圍內(nèi)。用于制造電極組件的任何元件(諸如接觸或傳導(dǎo)通道結(jié)構(gòu))的部分或完全自動化 工藝具有大量優(yōu)點。圖12A和圖12B是根據(jù)本發(fā)明實施例的可以便于制造工藝自動化的應(yīng) 變釋放體形成工具1200A的透視圖。應(yīng)變釋放體形成器1200A用于在傳導(dǎo)通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域 中形成平面應(yīng)變釋放體。如同所示，應(yīng)變釋放體形成器1200A包括第一部分1202和相對的 第二部分1204。第一部分1202包括彎曲表面1224，彎曲表面12M被配置為與第二部分 1204中的配合表面12 接近。在操作中，導(dǎo)線1242置于第一部分1202與第二部分1204之間。然后，第一和第 二部分閉合，從而使得表面1224、12 彼此接近。隨著表面1224、12 彼此接近，形成導(dǎo) 線1242的非線性區(qū)段，稱為應(yīng)變釋放體1230。另外，在圖12B的實施例中，隨著部分1202、 1204彼此接近，表面1220、1222緊接在應(yīng)變釋放體1230形成之前將導(dǎo)線1242切割為期望 的長度。由應(yīng)變釋放體形成器1200A形成的應(yīng)變釋放體1230包括導(dǎo)線1242的非線性區(qū) 段。特別地，應(yīng)變釋放體1230包括導(dǎo)線1242的完整一圈1211，以及導(dǎo)線的半圈1213。如 上所述，導(dǎo)線或傳導(dǎo)通道的完整一圈是指如下導(dǎo)線/通道區(qū)段，其在第一方向上行進(jìn)第一 距離，具有一般的U形部分，其在遠(yuǎn)離U形方向上延伸第二距離，第二距離與第一距離大致 相同。作為對照，半圈是指僅包括U形部分的導(dǎo)線區(qū)段。如上所述，在本發(fā)明的實施例中，應(yīng)變釋放體(諸如應(yīng)變1230)的各圈在尺寸上是 非對稱的。在某些實施例中，每個遠(yuǎn)側(cè)定位的圈都大于下一個最接近的圈。在其他實施例 中，每個遠(yuǎn)側(cè)定位的圈都小于下一個最接近的圈。一圈的尺寸是指導(dǎo)線長度在導(dǎo)線的原始縱向距離上的改變。應(yīng)當(dāng)意識到，尺寸的增加增大了垂直于導(dǎo)線1242的縱軸的圈的最大尺度。圖12A-圖12D圖示了如下實施例，其中應(yīng)變釋放體1230的各圈的尺寸從遠(yuǎn)側(cè)端 減小，并且在此稱為導(dǎo)線1242的逐漸縮減的圈。也就是說，圈1213的尺寸小于與導(dǎo)線1242 的遠(yuǎn)側(cè)端最近的圈1211的尺寸。如同所述，圈1211和圈1213的非對稱尺寸對于便于通過允許由單一操作工具來 發(fā)生應(yīng)變釋放體1230的自動化形成而實現(xiàn)這種形成是重要的。特別地，如圖12A和圖12B 所示，當(dāng)分別具有構(gòu)件1201、1205以及1203、1207的表面12M和12 彼此接近時，在構(gòu)件 1207與導(dǎo)線1242接觸之前，構(gòu)件1201就會與該導(dǎo)線接觸。這樣，圈1211的絕大部分在圈 1213形成之前形成。如果圈1211和1213尺寸相同，則構(gòu)件1201和1207將在同一時間與導(dǎo)線接觸。這 將同時在兩個位置上拉拽導(dǎo)線1242，在導(dǎo)線1242上產(chǎn)生張力，該張力很有可能使導(dǎo)線斷裂 或損壞。作為對照，形成圈1213中的延遲提供了形成多圈而不會在導(dǎo)線1242上產(chǎn)生不期 望張力的能力。應(yīng)當(dāng)意識到，為了形成尺寸相同的多個導(dǎo)線圈，可能需要多級形成工具。特別地， 可能需要不同的工具來形成釋放體中的每個圈，以便防止導(dǎo)線由于拉伸力而斷裂。這樣，導(dǎo) 線必須在工具之間移動以完成該過程。應(yīng)當(dāng)意識到，對重新對準(zhǔn)每個工具中的導(dǎo)線的需要 是不利的。如同所述，本發(fā)明的實施例避免了對多級工具的需要，并且利用單一操作工具形 成多圈。圖12C和圖12D是根據(jù)本發(fā)明實施例的可以用于形成應(yīng)變釋放體的替代性應(yīng)變釋 放體形成器1200B的透視圖。應(yīng)變釋放體形成器1200B與圖12A和圖12B的應(yīng)變釋放體形 成器1200A基本上類似。然而，在圖12A和圖12B的示例性實施例中，部分1202、1204不 包括緊接在應(yīng)變釋放體1230形成之前將導(dǎo)線1242切割為期望長度的表面1220、1222。這 樣，在這些實施例中，在將該導(dǎo)線1242定位于應(yīng)變釋放體形成器中之前或者在從應(yīng)變釋放 體形成器移除導(dǎo)線1242之后，導(dǎo)線1242將會被切割為期望的長度。如上面參考圖12A和圖12B而描述的那樣，應(yīng)變釋放體1230的各圈的尺寸從遠(yuǎn)側(cè) 端減小，并且在此稱為導(dǎo)線1242的逐漸縮減的圈。也就是說，圈1213的尺寸小于與導(dǎo)線 1242的遠(yuǎn)側(cè)端最近的圈1211的尺寸。一圈的尺寸是指垂直于導(dǎo)線1242的縱軸的圈的最大 尺度。如同所述，圖12A-圖12D的實施例圖示了包括完整一圈1211以及半圈1213的應(yīng) 變釋放體1230。應(yīng)當(dāng)意識到，在替代性實施例中，圈1213可以包括可以添加到應(yīng)變釋放體 1230的完整一圈和/或附加多圈。在這種實施例中，各圈在尺寸上是非對稱的。在應(yīng)變釋放體中所儲備的導(dǎo)線長度越長，所允許的長度改變越大，應(yīng)變釋放體就 越有效。然而，導(dǎo)線的彎曲半徑是有限的，從而限制了可以儲備用作應(yīng)變釋放體的導(dǎo)線量。 彎曲半徑是指如下事實，即當(dāng)導(dǎo)線彎曲時，該彎曲的外部受到拉伸應(yīng)力，而內(nèi)部受到壓縮應(yīng) 力。如果彎曲半徑過小，則彎曲區(qū)域中會產(chǎn)生脆弱性。因此，彎曲半徑被限制為導(dǎo)線厚度的 一個比例。例如，在本發(fā)明特定實施例中，所使用的導(dǎo)線包括Pt/Ir導(dǎo)線，直徑為25微米， 具有大約100微米的彎曲半徑。應(yīng)當(dāng)意識到，導(dǎo)線性狀的改變(例如退火)將會影響應(yīng)變 釋放體的特性和可接受的彎曲半徑。另外，具有諸如不同截面(例如，對于“經(jīng)過機械加工的箔條”，為矩形)或者不同材料/合金組合(例如使用Pt而不是Pt/Ir)的不同特性的導(dǎo) 線也將具有不同的彎曲半徑限制。因此，應(yīng)變形成器工具1200A、1200B配置為在導(dǎo)線1242 中產(chǎn)生在彎曲半徑限制內(nèi)的彎曲。如上面在圖11中所述，在本發(fā)明的特定實施例中，可以使用保持工具來握住傳導(dǎo) 通道，以便例如將傳導(dǎo)通道定位于應(yīng)變釋放體形成器中。圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于 握住伸長導(dǎo)線1342的保持工具1314的透視圖。如同所示，保持工具1314包括相對構(gòu)件 1344，該構(gòu)件1344握住并保持導(dǎo)線1342的近側(cè)端。根據(jù)本發(fā)明的實施例，保持工具1314包 括具有定制用于保持并握住傳導(dǎo)通道的保持特征(1344)的汽缸。另外，相對構(gòu)件1344的 配合表面被襯以一層橡膠(例如維通氟橡膠、有機硅等)。圖14是圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的保持工具和應(yīng)變釋放體形成器的使用的框 圖。圖14圖示了支撐體1402、保持工具1414、導(dǎo)線導(dǎo)軌1410、導(dǎo)線定位器1406以及應(yīng)變釋 放體形成器1400的側(cè)視圖。應(yīng)變釋放體形成器1400和保持工具1414可以分別實現(xiàn)為如 上面參考圖12A-圖12D以及圖13而描述的那樣，在此不做進(jìn)一步描述。這樣，由于保持工 具1414和應(yīng)變釋放體形成器1400可以具有若干不同的設(shè)置，因此保持工具和應(yīng)變釋放體 形成器示意性地圖示為方框。如同所示，導(dǎo)線1442與軸1420對準(zhǔn)。為便于說明，軸1420被示出為水平軸。然 而，應(yīng)當(dāng)意識到，軸1420可以布置在多個角度上。例如，在特定實施例中，軸1420可以布置 為與水平軸成大約15度角。在圖14的實施例中，導(dǎo)線1442首先延伸到支撐體1402，支撐體1402可以包括例 如不銹鋼管腳。由管腳1402支撐的導(dǎo)線1442延伸通過保持工具1414。如上所述，保持工 具1414包括握住并保持導(dǎo)線1442的相對構(gòu)件。從保持工具1414開始，導(dǎo)線1442延伸通 過導(dǎo)線定位器1406的ν形凹口 1408，到達(dá)應(yīng)變釋放體形成器1400，應(yīng)變釋放體形成器1400 用于形成應(yīng)變釋放體，正如上面參考圖12A-圖12D所述。在根據(jù)本發(fā)明特定實施例形成應(yīng)變釋放體期間，導(dǎo)線被固定在應(yīng)變釋放體形成器 的兩側(cè)。然而，在本發(fā)明的其他實施例中，導(dǎo)線可以僅被固定在形成器的一側(cè)，或者作為替 代，不固定在形成器的任何一側(cè)。盡管已經(jīng)在上面描述了本發(fā)明的各種實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些實施例僅僅是 通過示例而不是限制的方式給出的。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，在不脫離本發(fā)明 的精神和范圍的情況下，可以在其中進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。因此，本發(fā)明的廣度和 范圍不應(yīng)當(dāng)限于任何上述示例性實施例，而是應(yīng)當(dāng)僅僅根據(jù)所附權(quán)利要求書及其等同形式 來限定。在此通過引用的方式包含在此探討的所有專利和出版物的全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種可植入電極組件，包括伸長載體構(gòu)件；布置在所述載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸；以及布置在所述載體構(gòu)件中的至少一個伸長傳導(dǎo)通道，所述伸長傳導(dǎo)通道具有附接至所述 至少一個電極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端，并具有形成在其中的、僅位于所述通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中的、基本 上為平面的應(yīng)變釋放體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體沿著所述至少一個電極接觸 定位，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度小于所述至少一個電極接觸的長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸包括由電極間隙隔開 的多個向遠(yuǎn)側(cè)延伸的電極接觸，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度小于所述通道的遠(yuǎn) 側(cè)端所附接至的電極接觸和電極間隙的組合長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述電極組件的伸長部分配置為植入受體的 耳蝸中，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度大約和所述至少一個電極接觸的近側(cè)端和 遠(yuǎn)側(cè)端之一與所述電極組件的植入在所述耳蝸中的部分的近側(cè)端之間的距離相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的形 成為至少一圈半的區(qū)段。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電極組件，其中所述至少一圈半的尺寸從所述應(yīng)變釋放體的 遠(yuǎn)側(cè)端開始減小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的形 成為基本上是環(huán)形形狀的區(qū)段。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的形 成為多個環(huán)形線圈的區(qū)段。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述至少一個通道的所述遠(yuǎn)側(cè)端經(jīng)由接觸接 頭附接至所述至少一個電極接觸，并且其中所述電極組件進(jìn)一步包括將所述至少一個通道固定到與所述接觸接頭相鄰的所述至少一個電極接觸的錨結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電極組件，其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的與定位為與所述至少一個電極接觸緊鄰的接觸接頭相鄰的區(qū)段；以及布置在所述至少一個通道的所述區(qū)段與所述至少一個電極接觸之間的、配置為將所述 通道附著到所述電極接觸的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極組件，其中所述材料包括柔性材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極組件，其中所述材料包括有機硅、有機硅粘合劑、硅橡 膠和醫(yī)用環(huán)氧樹脂中的至少之一。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電極組件，其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的在所 述應(yīng)變釋放體與所述接觸接頭之間的焊接至所述至少一個電極接觸的區(qū)段。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸具有從其表面延伸 的柱，并且其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的在所述應(yīng)變釋放體與所述接觸接頭之 間的至少部分地纏繞所述柱的區(qū)段。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸包括多個向遠(yuǎn)側(cè)延伸的電極接觸，并且其中所述組件進(jìn)一步包括布置在所述載體構(gòu)件中的多個伸長傳導(dǎo)通道，每個伸長傳導(dǎo)通道都具有附接至所述多 個電極接觸之一的遠(yuǎn)側(cè)端，并且每個伸長傳導(dǎo)通道都具有形成在其中的、僅定位于所述通 道所附接至的相應(yīng)電極接觸附近的、基本上為平面的應(yīng)變釋放體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電極組件，其中形成在所述多個通道中的第一通道中的應(yīng) 變釋放體具有與形成在第二通道中的應(yīng)變釋放體相比不同的形狀和寬度中的一個或多個。
17.一種可植入電極組件，包括伸長載體構(gòu)件；布置在所述載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸；布置在所述載體構(gòu)件中的至少一個伸長傳導(dǎo)通道，所述伸長傳導(dǎo)通道具有經(jīng)由接觸接 頭附接至所述至少一個電極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端；以及將所述至少一個通道固定到與所述接觸接頭相鄰的所述至少一個電極接觸的錨結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電極組件，其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的與定位為與所述至少一個電極接觸緊鄰的接觸接頭相鄰的區(qū)段;以及布置在所述通道的所述區(qū)段與所述至少一個電極接觸之間的、配置為將所述通道附著 到所述電極接觸的材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電極組件，其中所述材料包括柔性材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電極組件，其中所述材料包括有機硅、有機硅粘合劑、硅橡 膠和醫(yī)用環(huán)氧樹脂中的至少之一。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電極組件，其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的焊接 至所述至少一個電極接觸的區(qū)段。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸具有從其表面延伸 的柱，并且其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的至少部分地纏繞所述柱的區(qū)段。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電極組件，其中所述至少一個傳導(dǎo)通道進(jìn)一步包括僅形成在所述通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中的應(yīng)變釋放體。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體沿著所述至少一個電極接 觸定位，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度小于所述至少一個電極接觸的長度。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸包括由電極間隙隔 開的多個向遠(yuǎn)側(cè)延伸的電極接觸，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度小于所述至少一 個通道的遠(yuǎn)側(cè)端所附接至的電極接觸和電極間隙的組合長度。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電極組件，其中所述電極組件的伸長部分配置為植入受體 的耳蝸中，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度大約和所述至少一個電極接觸的近側(cè)端 和遠(yuǎn)側(cè)端之一與所述電極組件的植入在所述耳蝸中的部分的近側(cè)端之間的距離相同。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體基本上是平面的。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的 形成為至少一圈半的區(qū)段。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的電極組件，其中所述至少一圈半的尺寸從所述應(yīng)變釋放體 的遠(yuǎn)側(cè)端開始減小。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的 形成為基本上是環(huán)形形狀的區(qū)段。
31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的 形成為多個環(huán)形線圈的區(qū)段。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的電極組件，其中每個所述線圈都具有通過其中心的、一般 地平行于所述通道的近側(cè)端的軸。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的電極組件，其中每個所述線圈都具有通過其中心的、一般 地垂直于所述至少一個通道的近側(cè)端的軸。
34.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸包括多個向遠(yuǎn)側(cè)延 伸的電極接觸，并且其中所述組件進(jìn)一步包括布置在所述載體構(gòu)件中的多個伸長傳導(dǎo)通道，每個伸長傳導(dǎo)通道都具有附接至所述多 個電極接觸之一的遠(yuǎn)側(cè)端，并且每個伸長傳導(dǎo)通道都具有形成在其中的、僅定位于所述通 道所附接至的相應(yīng)電極接觸附近的、基本上為平面的應(yīng)變釋放體。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的電極組件，其中形成在所述多個通道中的第一通道中的應(yīng) 變釋放體具有與形成在第二通道中的應(yīng)變釋放體相比不同的形狀和寬度中的一個或多個。
36.一種可植入電極組件，包括伸長載體構(gòu)件；布置在所述載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸；布置在所述載體構(gòu)件中的至少一個伸長傳導(dǎo)通道，所述伸長傳導(dǎo)通道具有附接至所 述至少一個電極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端，并具有僅形成在其遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中的基本上為平面的應(yīng)變釋放 體；以及將所述至少一個通道固定到與所述接觸接頭相鄰的所述至少一個電極接觸的錨結(jié)構(gòu)。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的與定位為與所述至少一個電極接觸緊鄰的接觸接頭相鄰的區(qū)段；以及布置在所述通道的所述區(qū)段與所述至少一個電極接觸之間的、配置為將所述通道的所 述區(qū)段附著到所述電極接觸的材料。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的電極組件，其中所述材料包括柔性材料。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的電極組件，其中所述材料包括有機硅、有機硅粘合劑、硅橡 膠和醫(yī)用環(huán)氧樹脂中的至少之一。
40.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的焊接 至所述電極接觸的區(qū)段。
41.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸具有從其表面延伸 的柱，并且其中所述錨結(jié)構(gòu)包括所述至少一個通道的至少部分地纏繞所述柱的區(qū)段。
42.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體沿著所述至少一個電極接 觸定位，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度小于所述電極接觸的長度。
43.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸包括由電極間隙隔 開的多個向遠(yuǎn)側(cè)延伸的電極接觸，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度小于所述至少一 個通道的遠(yuǎn)側(cè)端所附接至的電極接觸和電極間隙的組合長度。
44.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述電極組件的伸長部分配置為植入受體 的耳蝸中，并且其中所述應(yīng)變釋放體所具有的長度大約和所述電極接觸的近側(cè)端和遠(yuǎn)側(cè)端 之一與所述電極組件的植入在所述耳蝸中的部分的近側(cè)端之間的距離相同。
45.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的 形成為至少一圈半的區(qū)段。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的電極組件，其中所述至少一圈半的尺寸從所述應(yīng)變釋放體 的遠(yuǎn)側(cè)端開始減小。
47.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的 形成為基本上是環(huán)形形狀的區(qū)段。
48.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述應(yīng)變釋放體包括所述至少一個通道的 形成為多個環(huán)形線圈的區(qū)段。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的電極組件，其中每個所述線圈都具有通過其中心的、一般 地平行于所述至少一個通道的近側(cè)端的軸。
50.根據(jù)權(quán)利要求48所述的電極組件，其中每個所述線圈都具有通過其中心的、一般 地垂直于所述至少一個通道的近側(cè)端的軸。
51.根據(jù)權(quán)利要求36所述的電極組件，其中所述至少一個電極接觸包括多個向遠(yuǎn)側(cè)延 伸的電極接觸，并且其中所述組件進(jìn)一步包括布置在所述載體構(gòu)件中的多個伸長傳導(dǎo)通道，每個伸長傳導(dǎo)通道都具有附接至所述多 個電極接觸之一的遠(yuǎn)側(cè)端，并且每個伸長傳導(dǎo)通道都具有形成在其中的、僅定位于所述通 道所附接至的相應(yīng)電極接觸附近的、基本上為平面的應(yīng)變釋放體。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的電極組件，其中形成在所述多個通道中的第一通道中的應(yīng) 變釋放體具有與形成在第二通道中的應(yīng)變釋放體相比不同的形狀和寬度中的一個或多個。
全文摘要
公開了一種可植入電極組件。該電極組件包括伸長載體構(gòu)件、布置在該載體構(gòu)件中的至少一個電極接觸以及布置在該載體構(gòu)件中的至少一個伸長傳導(dǎo)通道，該伸長傳導(dǎo)通道具有附接至該至少一個電極接觸的遠(yuǎn)側(cè)端，并具有形成在其中的、僅位于該至少一個通道的遠(yuǎn)側(cè)區(qū)域中的、基本上為平面的應(yīng)變釋放體。
文檔編號A61N1/00GK102123760SQ200980131124
公開日2011年7月13日 申請日期2009年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月20日
發(fā)明者F·達(dá)德, N·C·K·鮑西, P·舒勒, S·瑪諾徹里 申請人:耳蝸有限公司