專利名稱：用于引線連接式芯片的有機(jī)芯片載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及到用于引線連接式芯片的有機(jī)芯片載體。
半導(dǎo)體集成電路器件(以下稱之為半導(dǎo)體芯片或芯片)的電學(xué)封裝方法通常是將一個或幾個芯片安裝在陶瓷(例如氧化鋁)芯片載體襯底上，并采取引線連接的方法將各芯片上的I／O(輸入／輸出端)接觸焊點電連接到陶瓷芯片載體襯底上相應(yīng)的接觸焊點上(因而也是相應(yīng)的扇出電路)。然后將得到的陶瓷芯片載體安裝在印刷電路板(PCB)上或印刷電路卡片(PCC)上，并從而(經(jīng)由PCB或PCC上的電路)電連接到安裝在PCB或PCC上的其它陶瓷芯片載體和其它電子元件上。
雖然上述的封裝方法肯定是有用的、但采用陶瓷芯片載體襯底確實牽涉到一些限制和缺點。例如，正如人們已知的，電信號通過介電層上或二個介電層之間的引線的傳播速度正比于介電層介電常數(shù)平方根的倒數(shù)。不幸的是，陶瓷的介電常數(shù)相當(dāng)大，例如氧化鋁的介電常數(shù)約為9，這就使陶瓷芯片載體的信號傳播速度相當(dāng)?shù)?，有時低得不合要求。
采用陶瓷芯片載體襯底還引起某些I／O限制。例如，單層陶瓷芯片載體襯底在陶瓷單層的上表面上只包含一層延伸至陶瓷單層外圍附近接觸焊點的扇出電路。(通常用帶有連接于這些外圍接觸焊點的內(nèi)引線的引線框來實現(xiàn)這種陶瓷芯片載體到PCB或PCC的電連接。)然而，當(dāng)芯片I／O數(shù)目增加時，就必須增加扇出引線的數(shù)目，而且必須相應(yīng)地減小各扇出引線之間的間隔，直至相鄰扇出引線之間不希望有的串?dāng)_變成不可接受。而且，在陶瓷層外圍附近要制作相應(yīng)的大量接觸焊點即使不是不可能，也變得越來越困難。這樣，單層陶瓷芯片載體襯底在其處置具有大量I／O的芯片的能力方面肯定要受到限制。
為適應(yīng)具有相當(dāng)大量I／O數(shù)目的芯片而作的努力導(dǎo)致了采用多層陶瓷芯片載體襯底，它采用所謂的球柵陣列(BGA)來代替引線框。這種陶瓷芯片載體襯底與單層陶瓷芯片載體襯底之間的差別在于，它們在二個或多個陶瓷層上含有二個或多個扇出電路層。重要的是，扇出電路的各層間的電互連是用機(jī)械鉆制的通道孔(鍍有和／或填充有導(dǎo)電材料)來實現(xiàn)的。此外，一定數(shù)目的這種孔從扇出電路層延伸到芯片載體襯底上裝設(shè)有焊球(呈柵陣列狀，故稱球柵陣列)的底部。這些焊球要按機(jī)械方式和導(dǎo)電連接到PCB或PCC上各相應(yīng)的可焊接的接觸焊點。遺憾的是，使扇出電路各層導(dǎo)電互連的機(jī)械鉆制的孔的直徑相當(dāng)大，要求扇出引線之間的間隔相當(dāng)大。但這一相當(dāng)大的扇出引線之間的間隔限制了這種多層陶瓷襯底芯片載體襯底所能容納的芯片I／O的數(shù)目。
為封裝具有相當(dāng)大數(shù)目芯片I／O的芯片所作的其它努力導(dǎo)致采用多層陶瓷襯底中的多層坑。(此處所謂的“坑”表示襯底中的一個凹陷處而不是貫穿襯底厚度的孔)。當(dāng)采用這種封裝結(jié)構(gòu)時，芯片面朝上地安裝在多層坑的底部。引線從芯片上表面的I／O接觸焊點延伸到構(gòu)成多層坑的不同層的多層陶瓷襯底的不同層的各個暴露的上表面上的接觸焊點。盡管這種結(jié)構(gòu)確實能夠容納相當(dāng)大量的芯片I／O，它也確實使從芯片延伸到多層坑上層的引線相當(dāng)長。結(jié)果，相應(yīng)電信號的“飛行時間”就不希望有地增加了。
陶瓷芯片載體襯底就其熱耗散能力來說也受到限制。例如，在帶有位于多層坑底部的芯片的多層陶瓷芯片載體的情況下，通常是用直接于坑的下方提供熱沉(heat sink)的方法來獲得熱耗散。但這意味著芯片產(chǎn)生的熱在到達(dá)熱沉之前必須傳遞坑底部的陶瓷層。結(jié)果，熱耗散速率受到限制。
于是，開發(fā)芯片載體的人們就希望有一種芯片載體能夠(1)具有相當(dāng)高的電信號傳播速度；(2)能容納相當(dāng)大量I／O的芯片同時又無需機(jī)械鉆制的孔來互連扇出電路的不同層；(3)具有相當(dāng)短的“飛行時間”；以及(4)具有相當(dāng)高的熱耗散速率。但迄今未能成功。
本發(fā)明涉及到一種芯片載體，它(1)具有相當(dāng)高的電信號傳播速度；(2)能容納相當(dāng)大量I／O的芯片同時又無需機(jī)械鉆制的孔來互連扇出電路的不同層；(3)免去了采用相當(dāng)長的引線，從而獲得了相當(dāng)短的“飛行時間”；以及(4)獲得了相當(dāng)高的熱耗散速率。
重要的是，本發(fā)明的芯片載體采用了諸如以FR4和DriClad商標(biāo)出售的環(huán)氧／玻璃配方的有機(jī)介電材料來代替陶瓷介電材料。這些有機(jī)材料的介電常數(shù)相當(dāng)?shù)?，例如FR4的介電常數(shù)為4．0。結(jié)果，本發(fā)明的芯片載體就具有相當(dāng)高的電信號傳播速度。
本發(fā)明的芯片載體還采用一個用作薄膜再分布層(FRL)的有機(jī)可光學(xué)成像的介電層。亦即，此特殊的有機(jī)介電層對光很靈敏，并且正如光抗蝕劑那樣可用掩模方便地選擇性曝光及顯影，以便在可光學(xué)成像介電層中形成通道孔(此處稱之為光學(xué)通道以區(qū)別于機(jī)械鉆制的通道孔)。重要的是，這些光學(xué)通道可容易地做成直徑遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于常規(guī)機(jī)械鉆孔技術(shù)所形成的通道的直徑。例如，常規(guī)鉆制通道孔的直徑通常不小于約12密爾(0．012英寸)，而光學(xué)通道的直徑可小于例如2密爾(0．002英寸)。結(jié)果，當(dāng)這種可光學(xué)成像介電層結(jié)合到本發(fā)明的芯片載體中的時候，就可以使扇出電路的二個(或更多個)層互連而不必將扇出引線之間的間隔限制到采用機(jī)械鉆制孔那樣的程度。結(jié)果，本發(fā)明的芯片載體就可容納具有比常規(guī)陶瓷芯片載體所能容納的更多的I／O數(shù)目的芯片。
本發(fā)明的芯片載體還采用一個單層坑(single-tiered cavity)來容納一個芯片而不是采用多層坑。結(jié)果就避免了相當(dāng)長的引線連接。因此，本發(fā)明的芯片載體可得到相當(dāng)短的相應(yīng)電信號的“飛行時間”。
在本發(fā)明的一個實施例中，熱通道孔提供在單層坑之下方，延伸至芯片載體的底部，以便將芯片產(chǎn)生的熱排出到大氣中。在另一實施例中，將熱沉直接提供在熱通道孔下方以進(jìn)一步增強(qiáng)熱耗散。在又一個實施例中，芯片載體包含一個用作熱沉的金屬(例如銅)層，而且單層坑的深度延伸到甚至進(jìn)入金屬層。這就在坑中的芯片與熱沉之間導(dǎo)致直接的物理接觸，引起更大的熱耗散。
在另一實施例中，本發(fā)明的芯片載體至少包括二個有機(jī)層，其間夾有一個接地平面。同這一實施例相關(guān)的單層坑的深度至少延伸至接地平面。重要的是，本實施例還包含一個幾乎連續(xù)的金屬環(huán)圍繞著坑的側(cè)壁并按垂直方向延伸至芯片載體的上表面。由于此金屬環(huán)使得有可能容易與接地平面導(dǎo)電接觸同時又無需延伸至接地平面的機(jī)械鉆制的通道孔，故此金屬環(huán)的存在是有利的。結(jié)果就可有利地減小扇出引線之間的間隔。
參照附圖來描述本發(fā)明，在這些附圖中

圖1是本發(fā)明芯片載體第一實施例的剖面圖；圖2是本發(fā)明芯片載體第二實施例的剖面圖；圖3是本發(fā)明芯片載體第三實施例的剖面圖；圖4是本發(fā)明芯片載體第四實施例的剖面圖；圖5是本發(fā)明芯片載體第五實施例的剖面圖；以及圖6是襯底的俯視圖，示出了用于制造本發(fā)明芯片載體第五實施例的工序。
本發(fā)明涉及到一種用于引線連接式芯片的芯片載體，這種載體(1)具有相當(dāng)高的電信號傳播速度；(2)容易容納相當(dāng)大量的I／O的芯片；(3)無需長的引線連接從而獲得相當(dāng)短的電信號傳過引線的“飛行時間”；以及(4)獲得了相當(dāng)高的熱耗散速率。
如上所述，本發(fā)明的芯片載體由于采用了諸如以商標(biāo)FR4和DriClad出售的環(huán)氧／玻璃配方的有機(jī)材料來代替陶瓷材料而獲得了相當(dāng)高的電傳播速度。本發(fā)明的芯片載體由于至少采用了一種其中形成了光學(xué)通道的有機(jī)可光學(xué)成像介電層作為薄膜再分布層(FRL)以電互連扇出電路的二個(或更多個)層，故還易于容納相當(dāng)大量I／O的芯片。本發(fā)明的芯片載體避免了相當(dāng)長的引線連接，因而傳過引線連接的電信號獲得了相當(dāng)短的“飛行時間”，這是由于采用了單層坑而不是多層坑來容納芯片。而且，本發(fā)明的芯片載體的某些實施例還含有例如直接位于芯片之下的熱通道或金屬材料層來增強(qiáng)熱傳輸。
現(xiàn)參照圖1，本發(fā)明芯片載體10的第一實施例包括一個帶有相對表面30和40的芯片載體襯底20。此襯底20還包含多個(例如三個)疊層有機(jī)介電層50、60和70，它們由例如以商標(biāo)FR4和DriClad出售的環(huán)氧／玻璃配方組成。雖然在圖1中未清楚地示出，此有機(jī)介電層50用來支持例如由銅構(gòu)成的扇出電路層80。在有機(jī)介電層50和60之間夾有一層90，它由導(dǎo)電材料例如銅構(gòu)成，用作電源面。在有機(jī)介電層60和70之間夾有另一層100，它由導(dǎo)電材料例如銅組成，用作接地面。
有機(jī)介電層50、60和70的厚度范圍為約2密爾到約20密爾。小于約2密爾的厚度由于對應(yīng)的有機(jī)介電層不合要求地脆弱、不可靠且難以處置而不可取。大于約20密爾的厚度則由于一般不需要如此厚的介電層以及在如此厚的層中難以鉆制通道孔因而也不可取。
各導(dǎo)電材料層80(扇出電路)、90(電源面)和100(接地面)的厚度范圍為約0．125密爾到約2．5密爾。小于約0．125密爾的厚度由于相應(yīng)的導(dǎo)電層常常不能承受芯片載體很可能要遇到的溫度變化范圍而不可取。大于約2．5密爾的厚度則由于用常規(guī)的電鍍技術(shù)制作如此厚的層要花很長的時間以及與線寬控制有關(guān)的困難明顯增加而不可取。
如圖1所示，芯片載體襯底20還包含一個覆蓋著扇出電路層80的有機(jī)可光學(xué)成像介電層110。層110的可用組分例如是作為本專利參考文獻(xiàn)的美國專利5026624所述的可光學(xué)成像陽離子可聚合樹脂基材料的組分。這種特殊的材料包含一個環(huán)氧樹脂系統(tǒng)，它的主要組成為約10％-約80％重量的多元醇樹脂(它是表氯醇和雙酚A的凝聚物，分子量為約40，000-約130，000)；約20％-約90％重量的環(huán)氧化八功能雙酚A甲醛酚醛樹脂(分子量為4，000-10，000)；而若要求阻燃性，則約35％-約50％重量的四溴雙酚A的環(huán)氧化縮水甘油醚(軟化點為約60℃-約110℃，分子量為約600-約2500)。向這種樹脂系統(tǒng)中加入0．1％-15％重量的可在暴露于光化幅照時引發(fā)上述環(huán)氧化樹脂系統(tǒng)聚合的陽離子光引發(fā)劑；此系統(tǒng)的特性還在于對2．0密爾厚的膜對330-700nm范圍內(nèi)的光的吸收率小于0．1。也可加入諸如二萘嵌苯及其衍生物或并三苯及其衍生物之類的光敏感劑。
用諸如幕涂和輥涂之類的常規(guī)涂布技術(shù)可容易地沉積有機(jī)可光學(xué)成像介電層110?？晒鈱W(xué)成像介電層110的厚度范圍為約2密爾-約20密爾。小于約2密爾的厚度由于太難以制作同時又要獲得所需的光學(xué)成像和介電性質(zhì)的如此薄的層而不可取。大于約20密爾的厚度由于在如此厚的層中太難以制作小的光學(xué)通道而不可取。
用常規(guī)光刻技術(shù)，可光學(xué)成像介電層110可容易地通過掩模而被選擇性曝光，然后顯影，以制作層110中的光學(xué)通道120，為圖1所示。(應(yīng)當(dāng)指出的是，曝光區(qū)受到交叉耦合，因而相對于顯影液變得比未曝光區(qū)更難溶解。)然后用常規(guī)電鍍技術(shù)把銅之類的導(dǎo)電材料容易地鍍于這些光學(xué)通道120。
雖然在圖1中未清楚地示出，可光學(xué)成像介電層110支持著例如由銅組成的含有接觸焊點的扇出電路層130。顯然，可光學(xué)成像介電層110中的電鍍光學(xué)通道120用來使扇出電路的層130和80互連。重要的是，如上所述，光學(xué)通道的直徑小于機(jī)械鉆制通道孔的直徑。因此，扇出引線之間的間隔可比原先小。
如圖1所示，芯片載體襯底20包含一個單層坑140，其深度只延伸過可光學(xué)成像介電層110的厚度。引線連接式芯片150面朝上地置于坑的底部，引線連接160從芯片150上的接觸焊點延伸到扇出電路130層的接觸焊點。
如圖1所示，芯片載體襯底20最好包含(機(jī)械鉆制的)熱通道孔170，它們直接位于芯片150下方并延伸過有機(jī)層80、90和100的厚度。這些熱通道孔170用來將芯片150產(chǎn)生的熱導(dǎo)出到大氣中，從而增加熱耗散。(應(yīng)當(dāng)指出的是，這些熱通道孔最好用充銀的環(huán)氧膏來填充以便增加熱傳輸。還應(yīng)當(dāng)指出的是，在最后制造階段中，對芯片載體10的表面40加了一層焊料掩模材料，因而此焊料掩模材料覆蓋著充銀的環(huán)氧膏。)熱通道孔170的直徑范圍為約6密爾-約12密爾。小于約6密爾的直徑由于相應(yīng)的熱通道孔達(dá)到的熱傳輸太小而不可取。大于約12密爾的直徑由于與相應(yīng)熱通道孔中充銀環(huán)氧膏相接觸的焊料掩模材料傾向于破裂且覆蓋的芯片傾向于從芯片載體襯底剝離而不可取。
如圖1所示，芯片載體襯底20還包含多個機(jī)械鉆制的電鍍的通道孔180。各個孔180終止于表面40，由固定在表面40上的例如由銅組成的導(dǎo)電焊盤190所圍繞。同樣固定在表面40上的是多個導(dǎo)電焊點200以及例如由銅組成的將焊點200連接到電鍍通道孔180的電路線(未示出)。安裝在焊盤190和焊點200上的是焊球210，其組分包含例如67％的鉛和33％的錫。顯然，這些焊球?qū)⒁街絇CB或PCC上的可焊接觸焊點上。
現(xiàn)參照圖2，芯片載體10的第二實施例同第一實施例不同之處在于單層坑140的深度還延伸過例如有機(jī)層80和90。此外，熱沉220附著在表面40，同芯片150和熱通道孔170基本垂直對準(zhǔn)。而且，焊球210附著在表面30上的焊盤和焊點上。
現(xiàn)參照圖3，芯片載體10的第三實施例同第一和第二實施例不同之處在于芯片載體20含有一個緊鄰表面30的相當(dāng)厚的可光學(xué)成像介電層110以及一個緊鄰表面40的由金屬材料例如銅構(gòu)成的層230。此處，層230部分地用作加強(qiáng)肋且最好是導(dǎo)電地接地的。另一方面，如前所述，可光學(xué)成像介電層110負(fù)有一個帶有接觸焊點的扇出電路層130。此外，可光學(xué)成像介電層110包含穿過層110厚度伸至導(dǎo)電地接地的金屬層230的光學(xué)通道120。而且，焊球210附著在扇出電路層130的一些接觸焊點上。
如圖3所示，芯片載體10的第三實施例包含一個穿過可光學(xué)成像介電層110延伸至金屬材料層230的單層坑140。引線連接式芯片150位于坑140的底部，且同金屬層230直接物理接觸。結(jié)果，由于金屬層230也起熱沉的作用而增強(qiáng)了熱耗散。
在芯片載體10的第三實施例中，可光學(xué)成像介電層110的厚度范圍為約2密爾-約20密爾。由于上述已知的原因，超出此范圍的厚度是不可取的。
金屬層230的厚度范圍為約4密爾-約20密爾。小于約4密爾的厚度由于相應(yīng)的金屬層剛性太差而不可取。大于約20密爾的厚度由于相應(yīng)金屬層的熱膨脹系數(shù)(CTE)主導(dǎo)了相應(yīng)芯片載體襯底的CTE，引起芯片載體襯底同相應(yīng)芯片之間的CTE失配，因而導(dǎo)致芯片破裂，故也不可取。
現(xiàn)參照圖4，芯片載體10的第四實施例同第三實施例不同之處在于可光學(xué)成像介電層110相當(dāng)薄，且金屬層230相當(dāng)厚。此外，單層坑140穿透可光學(xué)成像層110的整個厚度而且部分地延伸過金屬層230的厚度。
在芯片載體10的第四實施例中，可光學(xué)成像介電層110的厚度范圍仍為約2密爾-約20密爾。由于上述已知的理由，超出此范圍的厚度都不可取。
金屬層230的(總)厚度的范圍還是約4密爾-約20密爾。由于上述已知的理由，超出這一范圍的厚度也都不可取。
緊鄰坑140之下的金屬層230的(局部)厚度至少應(yīng)為約4密爾。小于約4密爾的厚度由于相應(yīng)的金屬層的剛性太差而不可取。
現(xiàn)參照圖5，芯片載體10的第五實施例同第一和第二實施例相似之處在于芯片載體襯底20包含多個(例如三個)例如由以商標(biāo)DriClad出售的環(huán)氧／玻璃配方組成的疊層有機(jī)介電層50、60和70。如前所述，有機(jī)介電層50支持著包含接觸焊點的扇出電路層80。夾在有機(jī)介電層50和60之間的是一個由導(dǎo)電材料例如銅組成的在此實施例中用作接地面的層90。夾在有機(jī)介電層60和70之間的是另一個由導(dǎo)電材料例如銅組成的用作電源面的層100。應(yīng)當(dāng)指出的是，接地面橫向延伸至坑140的側(cè)壁，而電源面不如此。
有機(jī)介電層50、60和70的厚度同上面給出的相似。而且，導(dǎo)電層80(扇出電路)、90(接地面)和100(電源面)的厚度也同上面給出的相似。
芯片載體10的第五實施例同第三和第四實施例的相似之處還在于芯片載體襯底20還包含一個最好是接地的金屬層230。金屬層230的厚度相似于第三實施例中金屬層230的厚度。
如圖5所示，芯片載體10的第五實施例也包含一個單層坑140，其厚度穿過有機(jī)介電層50、60和70延伸至金屬層230。芯片150位于坑140的底部，因而同金屬層230直接物理接觸。結(jié)果，由于同前所述金屬層230用作熱沉而增強(qiáng)了熱耗散。
重要的是，芯片載體10的第五實施例同其它實施例的不同之處在于它包含一個由導(dǎo)電材料例如銅構(gòu)成的附著且圍繞著坑140的側(cè)壁的幾乎連續(xù)的層240。此層240按垂直方向從坑140的底部延伸到坑140的頂部，而橫向在有機(jī)介電層50的上表面上延伸，鄰接于扇出電路的層80。由于接地面90橫向延伸至坑140的側(cè)壁，層240就同接地面直接物理和電接觸，因而也導(dǎo)電地接地。
由于層240的存在降低了對多個機(jī)械鉆制的穿透有機(jī)介電層50的厚度而延伸至接地面90的通道孔的需要，因而是有利的。這樣，若某些芯片接觸焊點要導(dǎo)電地接地，則從這些芯片接觸焊點的引線連接延伸到有機(jī)介電層50表面上的層240，而不是到圍繞延伸至接地面90的機(jī)械鉆制通道孔的焊盤。由于在第五實施例中只需要很少量的這種機(jī)械鉆制的通道孔，故可有利地減小扇出引線之間的間隔。
應(yīng)當(dāng)指出的是，芯片載體10的第五實施例包含一個穿透有機(jī)介電層50和60的厚度延伸至電源面100的機(jī)械鉆制的電鍍通道孔180。而且，第五實施例也包含一個金屬(例如銅)的環(huán)250，此環(huán)圍繞著坑140且物理地和導(dǎo)電地接觸于伸至電源面100的電鍍通道孔180。此環(huán)250由于消除了對延伸至電源面的額外通道孔的需求而顯出優(yōu)越性。這樣，同電源面100的電接觸僅僅用電接觸環(huán)250的方法就達(dá)到了。
圖6描述了制作層240和環(huán)250的方法。如圖6所示，當(dāng)制作坑140時，穿透有機(jī)介電層50、60和70以機(jī)械方式切出二個直角形槽260和270。這些槽的寬度范圍是約25密爾-約100密爾。這些槽的外表面確定了坑140的側(cè)壁。然后在有機(jī)介電層50的表面上沉積一層光抗蝕劑280。然后對此光抗蝕劑層進(jìn)行曝光和顯影，以便留下可覆蓋除槽260和270、待由層240占據(jù)的有機(jī)介電層50表面上的區(qū)域241、以及待由環(huán)250占據(jù)的區(qū)域251之外的整個有機(jī)介電層50的光抗蝕劑。(應(yīng)當(dāng)指出的是，此層光抗蝕劑由被槽260和270圍繞的有機(jī)介電材料層來支持)。然后用常規(guī)的引晶和金屬電鍍技術(shù)來使槽260和270、待由層240占據(jù)的區(qū)域241、以及待由環(huán)250占據(jù)的區(qū)域金屬化。再通過槽260和270的中線進(jìn)行機(jī)械切割，然后這些切口延伸以連接這些中心線，并清除切去的材料。這就形成了坑140，使金屬在坑140的側(cè)壁附近幾乎連續(xù)地延伸(除了原來各槽未延伸到的坑角之外)。
盡管參照最佳實施例已對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員應(yīng)能理解，可以作出形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變而不超越本發(fā)明的構(gòu)思與范圍。
權(quán)利要求
1．一種芯片載體，它包含一個芯片載體襯底，它包含一個第一表面、一個與上述第一表面相對立的第二表面；其特征在于一個緊鄰上述第一表面且?guī)в邪ń佑|焊點的電路層的有機(jī)材料層、以及一個緊鄰上述第二表面的金屬材料層；一個單層坑，其深度從上述第一表面向上述第二表面延伸，上述深度至少延伸到上述金屬材料層；一個面朝上地位于上述坑中并接觸上述金屬材料層的半導(dǎo)體芯片，上述芯片包含芯片接觸焊點和從上述芯片接觸焊點延伸到上述有機(jī)材料層上接觸焊點的引線連接。
2．權(quán)利要求1的芯片載體，其特征在于，上述金屬材料層導(dǎo)電地接地。
3．權(quán)利要求1的芯片載體，其特征在于，上述有機(jī)材料層是一個可光學(xué)成像層，且上述芯片載體還包含多個含有導(dǎo)電材料的穿過上述可光學(xué)成像層厚度延伸至上述金屬材料層的光學(xué)通道。
4．權(quán)利要求1的芯片載體，其特征在于，上述坑的上述深度延伸上述金屬材料層的一部分厚度。
5．權(quán)利要求1的芯片載體，其特征在于，上述金屬材料包含銅。
6．權(quán)利要求1的芯片載體，其特征在于，上述電路層包含多個導(dǎo)電焊點和／或焊盤，且上述芯片載體還包含附著于上述焊點和／或焊盤的焊球。
7．一種芯片載體，它包含一個芯片載體襯底，它包含一個第一表面、一個與上述第一表面相對立的第二表面；其特征在于至少第一和第二有機(jī)材料層，緊鄰上述第一表面的上述第一層帶有包含接觸焊點的第一電路層，一個第二導(dǎo)電材料層夾在上述第一和第二有機(jī)材料層之間，上述芯片載體襯底還包含一個緊鄰上述第二表面的金屬材料層；一個單層坑，其深度從上述第一表面向上述第二表面延伸，上述深度至少延伸到上述金屬材料層；一個面朝上地位于上述坑中且接觸上述金屬材料層的含有芯片接觸焊點和從上述芯片接觸焊點延伸到上述第一電路層的接觸焊點的引線連接的半導(dǎo)體芯片；以及一個與上述第二導(dǎo)電材料層接觸的、至少部分地圍繞上述坑側(cè)壁且延伸到上述第一表面上的導(dǎo)電材料區(qū)域，引線連接也從上述芯片延伸到上述第一表面上的一部分上述區(qū)域。
8．權(quán)利要求7的芯片載體，其特征在于，上述第二導(dǎo)電材料層導(dǎo)電地接地。
9．權(quán)利要求7的芯片載體，其特征在于，上述第一電路層包含多個導(dǎo)電焊點和／或焊盤，且上述芯片載體還包含附著在上述焊點和／或焊盤上的焊球。
全文摘要
一種引線連接式芯片的芯片載體,采用有機(jī)介電材料而不是常規(guī)陶瓷材料,還至少采用一個有機(jī)的可光學(xué)成像的介電層,帶有鍍層光學(xué)通路以使扇出電路的多層電互連。并且還采用單層坑來容納芯片而不用常規(guī)多層坑。而且還含有直接位于芯片下方的熱通路孔和金屬層以增強(qiáng)熱耗散。
文檔編號H05K1/03GK1205548SQ9810745
公開日1999年1月20日 申請日期1998年4月22日 優(yōu)先權(quán)日1995年2月15日
發(fā)明者A·C·巴特, S·D·迪賽, J·A·萊特, T·P·杜菲 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司