專利名稱：采用多孔載體的管芯包封的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及到集成電路(IC)管芯包封。
背景技術(shù)：
在封裝集成電路制造的包封工藝過程中，載體被用來支持IC管芯。對(duì)于某些工藝，利用膠帶或其它類型的固定結(jié)構(gòu)，將IC管芯固定到載體。模具被置于IC管芯周圍，然后，以膠帶限定管芯外面的模具底部表面，將包封劑涂敷到管芯周圍。在包封劑被固化之后，借助于對(duì)膠帶進(jìn)行加熱以軟化膠帶的粘合劑，從包封結(jié)構(gòu)清除載體。然后從包封結(jié)構(gòu)清除膠帶。
為了清除載體而對(duì)膠帶進(jìn)行加熱的一個(gè)問題是，施加到包封結(jié)構(gòu)的熱可能引起管芯在包封結(jié)構(gòu)內(nèi)偏移于所希望的位置。
在其它的載體清除工藝中，利用紫外線(UV)對(duì)膠帶的輻照，膠帶的粘合劑可能退化。對(duì)于這些工藝，膠帶上的UV可退化粘合劑，在經(jīng)受包封工藝的固化溫度之后，可能不再充分地起此作用。
所需要的是一種用來封裝集成電路管芯的改進(jìn)了的方法。


參照附圖，可以更好地理解本發(fā)明，且對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員來說，本發(fā)明的各種目的、特點(diǎn)、以及優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的載體的一個(gè)實(shí)施方案的剖面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的其頂部施加有粘合膠帶的載體的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的一個(gè)制造階段中的剖面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的載體、膠帶、以及包封模具的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的另一個(gè)制造階段中的剖面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的載體、膠帶、包封模具、以及IC管芯的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的另一個(gè)制造階段中的剖面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的載體、膠帶、包封模具、以及包封結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的另一個(gè)制造階段中的剖面圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的載體、膠帶、包封模具、以及包封結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的另一個(gè)制造階段中的剖面圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的清除載體之后的膠帶、包封模具、以及包封結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的另一個(gè)制造階段中的剖面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的清除膠帶之后的包封模具以及包封結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的另一個(gè)制造階段中的剖面圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的清除包封模具之后的包封結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施方案在封裝的集成電路的另一個(gè)制造階段中的剖面圖。
在不同附圖中，用相同的參考號(hào)來表示相同的零件，除非另有說明。
具體實(shí)施例方式
下面來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施模式。此描述是說明性的而不是限制性的。
圖1-9示出了用多孔載體來包封IC管芯，使溶劑能夠通過載體以降低粘合劑結(jié)構(gòu)的粘合強(qiáng)度而從包封結(jié)構(gòu)清除載體的一種工藝的各個(gè)階段的一個(gè)實(shí)施方案。
圖1是包封工藝使用膠帶之前的載體101的剖面圖。載體101是多孔的，其中具有使溶劑能夠從載體一側(cè)到另一側(cè)通過的許多孔。在一個(gè)實(shí)施方案中，載體101由埋置在玻璃基質(zhì)中的氧化鋁的復(fù)合材料組成。在其它實(shí)施方案中，載體101可以由諸如金屬、陶瓷、玻璃、塑料、聚合物之類的其它材料或它們的組合來組成，其中，這些材料被制作成具有連續(xù)的開放多孔性。在某些實(shí)施方案中，載體由能夠承受包封工藝溫度(例如150℃)的材料組成。
在一個(gè)實(shí)施方案中，載體101具有許多孔徑為0.2微米的孔，且其熱膨脹系數(shù)(CTE)為百萬分之8(8ppm)。在其它實(shí)施方案中，載體101的孔徑可以是0.02-30微米。在其它實(shí)施方案中，孔徑可以更大。但在某些實(shí)施方案中，較大的孔徑可能使載體的表面平滑度超出所希望的平滑度水平。在一個(gè)實(shí)施方案中，載體表面所希望的平滑度依賴于用來固定IC管芯的粘合劑結(jié)構(gòu)的類型。對(duì)于某些實(shí)施方案，粘合劑結(jié)構(gòu)可以被涂敷成平坦的層，從而使載體能夠具有較大的孔徑。
可以采用孔徑較小的載體。但較小的孔徑會(huì)降低溶劑通過載體的量。對(duì)于某些實(shí)施方案，降低粘合劑結(jié)構(gòu)強(qiáng)度所需的時(shí)間依賴于溶劑通過載體的量。因此，對(duì)于某些實(shí)施方案，依賴于所希望的溶劑通過量而采用孔徑為0.02微米或以上的開放連續(xù)多孔性的載體。而且，采用孔徑較小的載體由于小孔可能被堵塞可能影響載體的重復(fù)使用能力。
對(duì)于其它實(shí)施方案，載體101的CTE可以是其它的數(shù)值。在某些實(shí)施方案中，載體101的CTE小于用來包封IC管芯的包封劑的CTE。在某些實(shí)施方案中，包封劑的CTE為0.5-20ppm。
參照?qǐng)D2，膠帶203被施加到載體101的頂部表面。在施加膠帶203之前，例如借助于烘焙和刷洗而對(duì)載體101進(jìn)行清洗。在一個(gè)實(shí)施方案中，膠帶203是雙面膠帶。膠帶203的管芯側(cè)(圖2中的頂側(cè))具有厚度為50微米的硅酮粘合劑材料，但在其它實(shí)施方案中也可以具有其它厚度(例如12-100微米)和/或其它粘合劑材料(例如丙烯酸材料或有機(jī)材料)。
在一個(gè)實(shí)施方案中，膠帶203的載體側(cè)(圖2中的底側(cè))具有厚度為75微米的硅酮粘合劑材料。在其它實(shí)施方案中，載體側(cè)粘合劑材料可以由其它類型的粘合劑材料(例如丙烯酸材料或有機(jī)材料)組成和/或可以有其它的厚度。在某些實(shí)施方案中，載體側(cè)粘合劑材料的厚度應(yīng)該足夠大，以便填充載體101頂側(cè)內(nèi)的孔或其它空洞從而“整平”載體101的頂部表面。但在某些實(shí)施方案中，載體側(cè)粘合劑材料的最大厚度受到用溶劑從膠帶203釋放載體的能力的限制。在某些實(shí)施方案中，載體側(cè)粘合劑材料的厚度可以是12-100微米，但在其它實(shí)施方案中，可以是其它的厚度。在一個(gè)實(shí)施方案中，膠帶在管芯側(cè)上具有30微米以上的粘合劑材料，而在載體側(cè)上具有50微米以上的粘合劑材料。在某些實(shí)施方案中，硅酮粘合劑可以具有添加物來提高或降低硅酮強(qiáng)度。在一個(gè)實(shí)施方案中，管芯側(cè)和載體側(cè)的粘合劑材料被膠帶載體(例如聚酯或聚酰胺)分隔開。
圖3示出了包封劑模具被置于膠帶203頂部上之后的載體101剖面圖。模具305具有窗口307，用來暴露膠帶203的中間部分。
參照?qǐng)D4，集成電路管芯403和405被置于窗口307中膠帶203上的預(yù)定位置。在一個(gè)實(shí)施方案中，多個(gè)管芯被置于膠帶203上的陣列結(jié)構(gòu)(例如4×6、6×6、或8×8)中。在一個(gè)實(shí)施方案中，用標(biāo)準(zhǔn)的拾放方法將各管芯置于膠帶203上，但也可以用其它的方法將各管芯置于膠帶203上。
在一個(gè)實(shí)施方案中，管芯403和405包括建造在一個(gè)半導(dǎo)體晶片上且隨后被分割成分立管芯的多個(gè)集成電路。在所示的實(shí)施方案中，管芯403和405具有倒裝芯片結(jié)構(gòu)，并被有源側(cè)朝下置于膠帶203上，其中，鍵合焊點(diǎn)(未示出)相對(duì)于圖4所示視圖而位于管芯403和405的底側(cè)上。
參照?qǐng)D5，將包封劑分散(例如用噴射器和遙控針)到窗口307中，以便形成包封劑，將管芯403和405包封在包封結(jié)構(gòu)505中。在其它實(shí)施方案中，可以用諸如絲網(wǎng)印刷、擠壓涂敷、轉(zhuǎn)移注模、噴射注模、圓頂(glob top)、或其它包封工藝之類的其它包封工藝，來形成包封劑503。
參照?qǐng)D6，載體101的底部被置于溶劑槽603中。溶劑槽603中的溶劑經(jīng)由毛細(xì)管作用被向上吸收通過載體與膠帶203載體側(cè)粘合劑材料接觸。此溶劑降低了膠帶203載體側(cè)粘合劑材料的粘合強(qiáng)度。在溶劑是丙酮且粘合劑材料是硅酮粘合劑的一個(gè)實(shí)施方案中，溶劑減弱了硅酮粘合劑的粘合性質(zhì)。在一個(gè)實(shí)施方案中，在載體101從膠帶203分離之前，載體101的底部被置于溶劑槽603中大約5分鐘。在其它實(shí)施方案中，更大部分的載體可以被浸入在溶劑槽603中。在某些實(shí)施方案中，整個(gè)載體/模具/包封結(jié)構(gòu)可以被浸入在溶劑槽603中。
采用溶劑通過載體的多孔載體的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，可以在室溫下，或在某些實(shí)施方案中至少可以在低于包封劑轉(zhuǎn)化溫度(Tg)的溫度下，來執(zhí)行載體清除工藝。于是可以從包封結(jié)構(gòu)505清除載體而不引起管芯403和405在包封結(jié)構(gòu)505內(nèi)漂移。在一個(gè)實(shí)施方案中，包封劑503的轉(zhuǎn)化溫度約為140℃。在其它實(shí)施方案中，其它類型的包封劑材料可以具有90-200℃的Tg。
圖7示出了已經(jīng)清除了載體101之后的模具305、包封結(jié)構(gòu)505、以及膠帶203的剖面圖。
參照?qǐng)D8，膠帶203被拉離包封結(jié)構(gòu)505和模具305。參照?qǐng)D9，模具305從包封結(jié)構(gòu)505被清除。在某些實(shí)施方案中，對(duì)結(jié)構(gòu)505進(jìn)一步在管芯的有源側(cè)上進(jìn)行制作工藝(例如介質(zhì)和金屬互連加工)，以便形成互連結(jié)構(gòu)(未示出)。然后將包封結(jié)構(gòu)505分離成多個(gè)封裝的IC。
在一個(gè)實(shí)施方案中，各個(gè)封裝的IC包括一個(gè)IC管芯(例如403)。但在其它實(shí)施方案中，各個(gè)封裝的IC可以包括多個(gè)管芯(例如以層疊結(jié)構(gòu)或并排結(jié)構(gòu))。而且，其它實(shí)施方案的封裝IC可以包括被包封在包封劑(例如503)中的獨(dú)立器件(例如晶體管、濾波器、電容器、放大器)。這些額外的項(xiàng)目可以在包封之前被置于膠帶203上。在某些實(shí)施方案中，整個(gè)埋置的系統(tǒng)(例如多芯片模塊、RF系統(tǒng)、或其它無線或信息處理系統(tǒng))可以被包括在一個(gè)封裝的IC中。
在其它實(shí)施方案中，封裝件襯底可以位于膠帶203與IC管芯(例如405)之間，而在某些實(shí)施方案中，以封裝件襯底確定包封劑的底部。在一個(gè)實(shí)施方案中，IC管芯被安裝到封裝的襯底，然后將封裝件襯底置于窗口307中。在其它實(shí)施方案中，封裝件襯底被首先置于窗口307中的膠帶203上，然后將IC管芯置于襯底上。在其它實(shí)施方案中，管芯可以被有源側(cè)朝上置于封裝的襯底上，其中，在包封之前，金屬絲鍵合被固定到有源側(cè)上的鍵合焊點(diǎn)以及封裝件襯底上的鍵合焊點(diǎn)。
在其它實(shí)施方案中，其它類型的粘合劑結(jié)構(gòu)可以被用來代替膠帶203。例如，雙層膠帶可以被用來固定集成電路管芯。膠帶的一層可以在二面上具有粘合劑材料，而另一層可以僅僅在一面上具有粘合劑。
在其它實(shí)施方案中，光抗蝕劑或其它類型的粘合劑(例如有機(jī)粘合劑)可以被用作粘合劑結(jié)構(gòu)來將管芯固定到載體。在某些這種實(shí)施方案中，第一層光抗蝕劑(未示出)可以被涂敷到載體101的頂部表面。在對(duì)第一層光抗蝕劑進(jìn)行固化工藝之后，第二層光抗蝕劑被涂敷在固化的光抗蝕劑層上。再將IC管芯放在第二層光抗蝕劑上。然后對(duì)第二層光抗蝕劑進(jìn)行固化。在另一實(shí)施方案中，可以采用干膜光抗蝕劑或其它粘合劑，其中僅僅一個(gè)層被用來將管芯固定到載體。這種粘合劑的一個(gè)例子是DUPONT銷售的RISTON。
對(duì)于具有光抗蝕劑或粘合劑結(jié)構(gòu)的某些實(shí)施方案，丙酮或N-甲基2-吡咯烷酮(NMP)可以被用作溶劑來溶解光抗蝕劑或粘合劑層(例如當(dāng)載體101的底部被置于溶劑槽中時(shí)那樣)。
在其它實(shí)施方案中，可以采用其它類型的粘合劑結(jié)構(gòu)，例如包括其它類型的粘合劑材料和其它類型的光抗蝕劑材料。在某些實(shí)施方案中，粘合劑結(jié)構(gòu)能夠承受用來固化包封劑的固化溫度。
在本發(fā)明的一種情況下，一種方法包括提供多孔載體、提供與多孔載體重疊的粘合劑結(jié)構(gòu)、以及將第一集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上。此方法還包括對(duì)第一集成電路管芯進(jìn)行包封以便形成包封結(jié)構(gòu)以及從包封結(jié)構(gòu)分離多孔載體。
在本發(fā)明的另一種情況下，一種方法包括提供多孔載體、將粘合劑結(jié)構(gòu)粘合到此多孔載體、以及將至少一個(gè)集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上。此方法還包括對(duì)至少一個(gè)集成電路管芯進(jìn)行包封以便形成包封結(jié)構(gòu)以及從包封結(jié)構(gòu)清除多孔載體。此清除包括利用通過多孔載體的溶劑來降低粘合劑結(jié)構(gòu)與多孔載體之間的粘合強(qiáng)度。
在本發(fā)明的另一種情況下，一種方法包括提供孔徑至少為0.02微米的可重復(fù)使用的多孔載體、將粘合劑結(jié)構(gòu)粘合到此可重復(fù)使用的多孔載體、以及將陣列結(jié)構(gòu)中的多個(gè)集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上。此方法還包括對(duì)多個(gè)集成電路管芯進(jìn)行包封以便形成包封結(jié)構(gòu)以及從包封結(jié)構(gòu)分離可重復(fù)使用的多孔載體。此分離包含利用通過多孔載體的溶劑來降低粘合劑結(jié)構(gòu)與可重復(fù)使用的多孔載體之間的粘合強(qiáng)度。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的各個(gè)特定的實(shí)施方案，但本技術(shù)領(lǐng)域熟練人員可以理解的是，基于此處的技術(shù)，可以作出進(jìn)一步的改變和修正而不偏離本發(fā)明及其更廣的范圍，因此，所附權(quán)利要求在其范圍內(nèi)包羅了本發(fā)明構(gòu)思與范圍內(nèi)的所有這些改變和修正。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括提供多孔載體；提供與多孔載體重疊的粘合劑結(jié)構(gòu)；將第一集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上；對(duì)第一集成電路管芯進(jìn)行包封，以便形成包封結(jié)構(gòu)；以及從包封結(jié)構(gòu)分離多孔載體。
2.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粘合劑結(jié)構(gòu)包括與多孔載體接觸的粘合劑材料，且其中，從包封結(jié)構(gòu)分離多孔載體包括使用通過多孔載體的溶劑來影響粘合劑結(jié)構(gòu)。
3.權(quán)利要求2的方法，其中，使用溶劑來影響粘合劑結(jié)構(gòu)包括使用溶劑來降低多孔載體與粘合劑結(jié)構(gòu)的粘合劑材料之間的粘合強(qiáng)度。
4.權(quán)利要求2的方法，其中，所述粘合劑材料可以被通過多孔載體的溶劑溶解。
5.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粘合劑結(jié)構(gòu)包括膠帶。
6.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粘合劑結(jié)構(gòu)包括雙面粘合劑膠帶。
7.權(quán)利要求6的方法，其中，所述雙面粘合劑膠帶包括厚度至少為30微米的管芯側(cè)粘合劑材料以及厚度至少為50微米的載體側(cè)粘合劑材料，其中，載體側(cè)粘合劑材料位于管芯側(cè)粘合劑材料與多孔載體之間。
8.權(quán)利要求1的方法，其中，所述粘合劑結(jié)構(gòu)包括光抗蝕劑。
9.權(quán)利要求1的方法，其中，所述多孔載體包括選自金屬、陶瓷、玻璃、塑料、以及聚合物的至少一種材料。
10.權(quán)利要求1的方法，其中，所述多孔載體包含埋置在玻璃基質(zhì)中的氧化鋁。
11.權(quán)利要求1的方法，還包括在包封之前，將第二集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上，其中，所述包封包括對(duì)第一集成電路管芯和第二集成電路管芯進(jìn)行包封，以便形成包封結(jié)構(gòu)。
12.權(quán)利要求1的方法，其中，在從包封結(jié)構(gòu)分離多孔載體之后，此方法還包括提供與多孔載體重疊的第二粘合劑結(jié)構(gòu)；將第二集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上；對(duì)第二集成電路管芯進(jìn)行包封，以便形成第二包封結(jié)構(gòu)；以及從第二包封結(jié)構(gòu)分離多孔載體。
13.權(quán)利要求1的方法，其中，所述多孔載體包含孔徑為0.02-30微米的孔。
14.權(quán)利要求1的方法，其中，所述多孔載體的特征是孔徑至少為0.02微米的開放連續(xù)多孔性。
15.權(quán)利要求14的方法，其中，所述開放連續(xù)多孔性具有最大為0.3微米的孔徑。
16.一種方法，包括提供多孔載體；將粘合劑結(jié)構(gòu)粘合到多孔載體；將至少一個(gè)集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上；對(duì)至少一個(gè)集成電路管芯進(jìn)行包封，以便形成包封結(jié)構(gòu)；以及從包封結(jié)構(gòu)清除多孔載體，其中，此清除包括利用通過多孔載體的溶劑來降低粘合劑結(jié)構(gòu)與多孔載體之間的粘合強(qiáng)度。
17.權(quán)利要求16的方法，其中，所述溶劑至少軟化了部分粘合劑結(jié)構(gòu)。
18.權(quán)利要求16的方法，其中，所述溶劑至少溶解了部分粘合劑結(jié)構(gòu)。
19.權(quán)利要求16的方法，其中，在低于用于包封的包封材料的轉(zhuǎn)化溫度(Tg)的溫度下進(jìn)行多孔載體的清除。
20.權(quán)利要求16的方法，其中，所述粘合劑結(jié)構(gòu)包括膠帶。
21.權(quán)利要求20的方法，其中，所述膠帶包括厚度至少為30微米的管芯側(cè)粘合劑材料以及厚度至少為50微米的載體側(cè)粘合劑材料，其中，載體側(cè)粘合劑材料與多孔載體相接觸。
22.權(quán)利要求16的方法，其中，將至少一個(gè)集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上包括將呈陣列結(jié)構(gòu)的多個(gè)集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上，且其中，所述包封包括對(duì)多個(gè)集成電路管芯進(jìn)行包封。
23.權(quán)利要求16的方法，其中，所述多孔載體是可重復(fù)使用的。
24.權(quán)利要求16的方法，其中，所述多孔載體包括孔徑為0.02-30微米的孔。
25.權(quán)利要求16的方法，其中，所述多孔載體的特征是孔徑至少為0.02微米的開放連續(xù)多孔性。
26.權(quán)利要求25的方法，其中，所述開放連續(xù)多孔性具有最大為0.3微米的孔徑。
27.權(quán)利要求16的方法，其中，所述多孔載體包括選自金屬、陶瓷、玻璃、塑料、以及聚合物的至少一種材料。
28.權(quán)利要求16的方法，其中，利用通過多孔載體的溶劑包括將至少部分多孔載體置于具有溶劑的溶劑槽中，其中，溶劑經(jīng)由毛細(xì)管作用通過多孔載體被吸收。
29.權(quán)利要求16的方法，其中，將至少一個(gè)集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上包括將至少一個(gè)集成電路管芯置于封裝件襯底上；以及將封裝件襯底置于粘合劑結(jié)構(gòu)上。
30.一種方法，包括提供孔徑至少為0.02微米的可重復(fù)使用的多孔載體；將粘合劑結(jié)構(gòu)粘合到可重復(fù)使用的多孔載體；將呈陣列結(jié)構(gòu)的多個(gè)集成電路管芯置于粘合劑結(jié)構(gòu)上；對(duì)多個(gè)集成電路管芯進(jìn)行包封，以便形成包封結(jié)構(gòu)；以及從包封結(jié)構(gòu)分離可重復(fù)使用的多孔載體，其中，所述分離包括利用通過多孔載體的溶劑來降低粘合劑結(jié)構(gòu)與可重復(fù)使用的多孔載體之間的粘合強(qiáng)度。
31.權(quán)利要求30的方法，其中，在分離之后，此方法還包括將第二粘合劑結(jié)構(gòu)粘合到可重復(fù)使用的多孔載體；將第二多個(gè)集成電路管芯置于第二粘合劑結(jié)構(gòu)上；對(duì)第二多個(gè)集成電路管芯進(jìn)行包封，以便形成第二包封結(jié)構(gòu)；以及從第二包封結(jié)構(gòu)分離可重復(fù)使用的多孔載體。
32.權(quán)利要求30的方法，其中，所述可重復(fù)使用的多孔載體包括選自金屬、陶瓷、玻璃、塑料、以及聚合物的至少一種材料。
33.權(quán)利要求30的方法，其中，所述可重復(fù)使用的多孔載體包括埋置在玻璃基質(zhì)中的氧化鋁。
34.權(quán)利要求30的方法，其中，所述可重復(fù)使用的多孔載體的特征是具有最大孔徑為0.3微米的開放連續(xù)多孔性。
35.權(quán)利要求30的方法，其中，在最高為90℃的溫度執(zhí)行分離。
全文摘要
一種采用多孔載體(101)包封集成電路管芯(403)的工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，粘合劑結(jié)構(gòu)(例如膠帶)被涂敷到多孔載體。然后，集成電路管芯被置于粘合劑結(jié)構(gòu)上。此集成電路管芯然后被包封，以便形成包封結(jié)構(gòu)(505)。然后使載體經(jīng)受通過載體的溶劑的處理以降低粘合劑結(jié)構(gòu)的粘合強(qiáng)度，從而從包封結(jié)構(gòu)清除載體。
文檔編號(hào)H01L21/48GK1918702SQ200580004396
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2005年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月9日
發(fā)明者歐文·R.·費(fèi)伊, 克雷格·S.·阿姆里尼, 凱文·R.·里施 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司