本發(fā)明涉及一種帶防污膜的基體。

背景技術(shù)：

智能手機(jī)、平板電腦、汽車導(dǎo)航裝置等中所使用的觸摸面板由于在使用時(shí)接觸人的手指，因此，容易附著由指紋、皮脂、汗等帶來的污垢。而且，這些污垢若附著，則難以脫落，污垢附著的部分與污垢未附著的部分的不同根據(jù)光的散射、反射的不同而較為明顯。因此，附著有這些污垢的觸摸面板存在損害可見性、美觀這樣的問題。進(jìn)而，在顯示器玻璃、光學(xué)元件、衛(wèi)生設(shè)備等中也指出了同樣的問題。

為了消除這樣的問題，已知在這些部件、設(shè)備的人的手指接觸的部分使用形成有由含氟水解性硅化合物構(gòu)成的防污膜的基體的方法。對(duì)于形成在基體上的防污膜，為了抑制污垢附著，要求高拒水性和拒油性，并且要求對(duì)附著污垢的擦拭的耐磨損性。

作為上述具有拒水性和拒油性的防污膜，例如在專利文獻(xiàn)1中公開了使用含氟氧亞烷基的聚合物改性硅烷與含氟氧亞烷基的聚合物的9:1的混合物而形成的固化被膜和帶固化被膜的玻璃基體。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開了將利用由特定的組成構(gòu)成的含氟干式涂布劑用稀釋劑稀釋了的含氟干式涂布劑進(jìn)行干式涂布而成的帶防污膜的玻璃基體。

在制造如上所述的帶防污膜的玻璃基體后進(jìn)行輸送時(shí)，為了防止帶防污膜的玻璃基體的損傷，進(jìn)行如下操作：在形成于玻璃基體的防污膜的表面介由粘合層設(shè)置保護(hù)膜。粘合層和保護(hù)膜在帶防污膜的玻璃基體用于制品時(shí)被去除。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013－136833號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2013－244470號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

以往的帶防污膜的玻璃基體存在如下情況：在去除粘合層和保護(hù)膜時(shí)，防污膜的一部分與粘合層一起從玻璃基體剝離，帶防污膜的玻璃基體的拒水性和拒油性等防污性、耐磨損性降低。

本發(fā)明的目的在于提供一種去除粘合層和保護(hù)膜之后的防污性和耐磨損性優(yōu)異的帶防污膜的基體。

本發(fā)明的帶防污膜的基體是在透明基體的主面依次具備防污膜、粘合層和保護(hù)膜且將所述粘合層和所述保護(hù)膜去除而使用的帶防污膜的基體，具備所述粘合層和所述保護(hù)膜的狀態(tài)下的所述防污膜的光學(xué)膜厚為10nm～50nm，去除所述粘合層和所述保護(hù)膜之后的所述防污膜的光學(xué)膜厚為3nm～30nm。

另外，本發(fā)明的帶防污膜的基體是在透明基體的主面依次具備防污膜、粘合層和保護(hù)膜且將所述粘合層和所述保護(hù)膜去除而使用的帶防污膜的基體，去除所述粘合層和所述保護(hù)膜之后的所述防污膜的光學(xué)膜厚為3nm～30nm，以{(具備所述粘合層和所述保護(hù)膜的狀態(tài)下的所述防污膜的光學(xué)膜厚)－(去除所述粘合層和所述保護(hù)膜之后的所述防污膜的光學(xué)膜厚)}×100/(具備所述粘合層和所述保護(hù)膜的狀態(tài)下的上述防污膜的光學(xué)膜厚)(％)表示的變化率為10～60％。

本發(fā)明能夠提供一種去除粘合層和保護(hù)膜之后的防污性和耐磨損性優(yōu)異的帶防污膜的基體。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的帶防污膜的基體的一實(shí)施方式的截面圖。

圖2是表示去除粘合層和保護(hù)膜之后的防污膜的截面圖。

圖3是示意性地表示能夠用于本發(fā)明的帶防污膜的基體的制造方法的一實(shí)施方式的裝置的圖。

具體實(shí)施方式

以下，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說明。本發(fā)明并不限定于下述的實(shí)施方式?？梢栽诓幻撾x本發(fā)明的范圍的情況下對(duì)下述的實(shí)施方式加以各種變形和置換。

[帶防污膜的基體]

圖1是表示本發(fā)明的帶防污膜的基體的一實(shí)施方式的截面圖。實(shí)施方式的帶防污膜的基體1(也稱為防污體)具備透明基體2和形成于透明基體2的主面的防污膜3。進(jìn)而，帶防污膜的基體1具備可去除地設(shè)置于防污膜3的表面的粘合層4和可去除地設(shè)置于粘合層4的表面的保護(hù)膜5。而且，具備粘合層4和保護(hù)膜5的狀態(tài)下的防污膜3的光學(xué)膜厚、換言之、去除粘合層4和保護(hù)膜5之前的防污膜3的光學(xué)膜厚為10nm～50nm。

帶防污膜的基體1去除粘合層4和保護(hù)膜5而使用。圖2是表示去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的截面圖。在圖2中，去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚為3nm～30nm。與去除粘合層4和保護(hù)膜5之前的防污膜3的光學(xué)膜厚相比，去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚小。

應(yīng)予說明，在帶防污膜的基體1中，防污膜3、粘合層4、保護(hù)膜5和后述的防反射膜只要設(shè)置于透明基體2的至少一主面即可，也可以根據(jù)需要設(shè)置于透明基體2的兩主面。

防污膜3例如是含氟水解性硅化合物在透明基體2的主面如下進(jìn)行水解縮合反應(yīng)而形成的膜，具有拒水性、拒油性等防污性。在本說明書中，含氟水解性硅化合物是指具有在硅原子上鍵合有可水解的基團(tuán)或原子的水解性甲硅烷基且進(jìn)一步具有鍵合于該硅原子的含氟有機(jī)基團(tuán)的化合物。另外，鍵合于硅原子、構(gòu)成水解性甲硅烷基的可水解的基團(tuán)或原子稱為水解性基團(tuán)。

即，含氟水解性硅化合物的水解性甲硅烷基通過水解而成為硅烷醇基，進(jìn)而，硅烷醇基在含氟水解性硅化合物間進(jìn)行脫水縮合而生成－si－o－si－所示的硅氧烷鍵，由此形成防污膜3。鍵合于構(gòu)成硅氧烷鍵的硅原子的含氟有機(jī)基團(tuán)的大部分由于含氟水解性硅化合物與透明基體2的親和性而存在于防污膜3的表面附近。因此，通過該含氟有機(jī)基團(tuán)的作用，在防污膜3的表面表現(xiàn)出拒水性、拒油性。另外，例如在使用玻璃基體作為透明基體2的情況下，通過水解而生成的含氟水解性硅化合物的硅烷醇基與存在于透明基體2的表面的羥基進(jìn)行脫水縮合反應(yīng)，防污膜3介由硅氧烷鍵形成在透明基體2上。

而且，為了保護(hù)防污膜3，在如此形成的防污膜3上介由粘合層4設(shè)置保護(hù)膜5。在使用帶防污膜的基體1時(shí)，去除粘合層4和保護(hù)膜5。在去除粘合層4和保護(hù)膜5時(shí)，無法避免構(gòu)成防污膜3的表面的一部分的含氟水解性硅化合物與粘合層4一起從防污膜3去除。

因此，以形成時(shí)的防污膜3的光學(xué)膜厚、換言之、去除粘合層4和保護(hù)膜5之前的防污膜3的光學(xué)膜厚為10nm～50nm的方式形成防污膜3。在具有這樣的光學(xué)膜厚的防污膜3的表面設(shè)置粘合層4和保護(hù)膜5且將粘合層4和保護(hù)膜5去除時(shí)，構(gòu)成防污膜3的表面附近且未與透明基體2粘接的含氟水解性硅化合物附著于粘合層4而被去除。構(gòu)成防污膜3的含氟水解性硅化合物的一部分被去除，結(jié)果去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚成為3nm～30nm。

以往，去除粘合層和保護(hù)膜之前的防污膜的光學(xué)膜厚設(shè)定為使用時(shí)、換言之、去除粘合層和保護(hù)膜之后的防污膜的最佳膜厚。即，去除粘合層和保護(hù)膜之前的防污膜的光學(xué)膜厚為最佳膜厚。于是，由于構(gòu)成防污膜的表面的含氟水解性硅化合物與粘合層一起被從透明基體去除，因此，有時(shí)去除粘合層和保護(hù)膜之后的防污膜的光學(xué)膜厚小于最佳膜厚，防污膜的防污性、耐磨損性劣化。與此相對(duì)，構(gòu)成本實(shí)施方式的帶防污膜的基體1的防污膜3以去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚為最佳的方式設(shè)定。即，去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚為最佳膜厚。這樣，即使構(gòu)成防污膜3的含氟水解性硅化合物的一部分與粘合層4一起被去除，由于防污膜3a的光學(xué)膜厚為最佳，因此，防污膜3a也能夠維持良好的防污性、耐磨損性。

以下，對(duì)構(gòu)成實(shí)施方式的帶防污膜的基體1的各要素進(jìn)行說明。

(透明基體)

構(gòu)成帶防污膜的基體1的透明基體2通常只要是需要通過防污膜3賦予防污性的由透明的材料構(gòu)成的透明基體就沒有特別限定，例如優(yōu)選由玻璃、樹脂或它們的組合(復(fù)合材料、層疊材料等)構(gòu)成。另外，對(duì)于透明基體2的形態(tài)也沒有特別限定，例如可以為具有剛性的板狀、具有柔軟性的膜狀等。

作為用作透明基體2的樹脂基體，例如可舉出聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂基體、雙酚a的碳酸酯等芳香族聚碳酸酯系樹脂基體、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等芳香族聚酯系樹脂基體等。

另外，作為用作膜狀的透明基體2的高分子膜，例如可舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二酯等聚酯系膜、聚丙烯等聚烯烴系膜、聚氯乙烯膜、丙烯酸樹脂系的膜、聚醚砜膜、聚芳酯膜、聚碳酸酯膜等。

另外，作為用作透明基體2的玻璃基體，作為一個(gè)例子，可舉出以二氧化硅作為主成分的普通玻璃、例如由鈉鈣硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸玻璃、無堿玻璃、石英玻璃等構(gòu)成的玻璃基體。

使用玻璃作為透明基體2的材料時(shí)，玻璃的組成優(yōu)選為可成型、可通過化學(xué)強(qiáng)化處理進(jìn)行強(qiáng)化的組成，優(yōu)選含有鈉。作為這樣的玻璃，例如優(yōu)選鋁硅酸鹽玻璃、鈉鈣硅酸鹽玻璃、硼硅酸玻璃、鉛玻璃、堿鋇玻璃、鋁硼硅酸玻璃等。

作為用作透明基體2的材料的玻璃的組成，沒有特別限定，可以使用具有各種組成的玻璃。作為玻璃的組成，例如可舉出以下的玻璃的組成(均為鋁硅酸鹽玻璃)。

(i)按照以摩爾％表示的組成計(jì)，含有50～80％的sio2、2～25％的al2o3、0～10％的li2o、0～18％的na2o、0～10％的k2o、0～15％的mgo、0～5％的cao和0～5％的zro2的玻璃

(ii)按照以摩爾％表示的組成計(jì)，含有50～74％的sio2、1～10％的al2o3、6～14％的na2o、3～11％的k2o、2～15％的mgo、0～6％的cao和0～5％的zro2，且sio2和al2o3的含量的合計(jì)為75％以下，na2o和k2o的含量的合計(jì)為12～25％，mgo和cao的含量的合計(jì)為7～15％的玻璃

(iii)按照以摩爾％表示的組成計(jì)，含有68～80％的sio2、4～10％的al2o3、5～15％的na2o、0～1％的k2o、4～15％的mgo和0～1％的zro2的玻璃

(iv)按照以摩爾％表示的組成計(jì)，含有67～75％的sio2、0～4％的al2o3、7～15％的na2o、1～9％的k2o、6～14％的mgo和0～1.5％的zro2，且sio2和al2o3的含量的合計(jì)為71～75％，na2o和k2o的含量的合計(jì)為12～20％，含有cao時(shí)cao的含量小于1％的玻璃

另外，作為用作透明基體2的材料的玻璃的組成，也可以舉出以下的玻璃的組成(均為鈉鈣硅酸鹽玻璃)。

(v)按照以摩爾％表示的組成計(jì)，含有65～75％的sio2、0.1～5％的al2o3、1～15％的mgo、1～15％的cao、na2o和k2o，且na2o和k2o的含量的合計(jì)為10～18％的玻璃。

(vi)按照以摩爾％表示的組成計(jì)，含有65～72％的sio2、2～7％的al2o3、5～15％的mgo、3～9％的cao、13～18％的na2o、0～1％的k2o、0～0.2％的tio2、0.01～0.15％的fe2o3和0.02～0.4％的so3，且(na2o和k2o的含量的合計(jì))/(al2o3的含量)為3.5～6.0的玻璃。

(vii)按照以摩爾％表示的組成計(jì)，含有60～72％的sio2、1～10％的al2o3、5～12％的mgo、0.1～5％的cao、13～19％的na2o和0～5％的k2o，且(ro的含量)/(ro和r2o的含量的合計(jì))為0.20～0.42(式中，ro表示堿土金屬氧化物，r2o表示堿金屬氧化物)的玻璃。

以下，關(guān)于玻璃中所含的各成分的含量，以摩爾％表示來示出。

sio2是構(gòu)成玻璃的骨架的成分。另外，是減少在玻璃表面施加損傷(壓痕)時(shí)的裂紋的產(chǎn)生的成分，是減小在化學(xué)強(qiáng)化后的玻璃表面施加壓痕時(shí)的破壞率的成分，也是減小熱膨脹系數(shù)的成分。sio2的含量?jī)?yōu)選為50％以上，更優(yōu)選為60％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為64％以上，特別優(yōu)選為66％以上。通過sio2的含量為50％以上，能夠避免作為玻璃的穩(wěn)定性、耐酸性、耐候性、耐碎裂性的降低。另一方面，sio2的含量?jī)?yōu)選為80％以下，更優(yōu)選為75％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為70％以下。通過sio2的含量為80％以下，能夠避免因玻璃的粘性的增大所致的熔融性的降低。

al2o3是對(duì)于使離子交換性能和耐碎裂性提高有效的成分，是增大表面壓縮應(yīng)力的成分，也是不易增大玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)以上的熱膨脹系數(shù)的成分。al2o3的含量?jī)?yōu)選為0.1％以上，更優(yōu)選為2％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3％以上，特別優(yōu)選為5％以上。另外，al2o3的含量?jī)?yōu)選為20％以下，更優(yōu)選為15％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10％以下。通過al2o3的含量為0.1％以上，能夠使離子交換性能和耐碎裂性提高。另一方面，通過al2o3的含量為20％以下，能夠避免因玻璃的粘性的增大所致的熔融性的降低。

mgo是使玻璃穩(wěn)定化的成分，也是用于適度地維持熱膨脹系數(shù)所需的成分。mgo的含量?jī)?yōu)選為1％以上，更優(yōu)選為2％以上、3％以上、4％以上、5％以上、8％以上(特別優(yōu)選為8％以上)。另外，mgo的含量?jī)?yōu)選為15％以下，更優(yōu)選為14％以下、13％以下、12％以下、11％以下、10％以下(特別優(yōu)選為10％以下)。通過mgo的含量為1％以上，高溫下的熔解性變得良好，不易引起失透。另一方面，通過mgo的含量為15％以下，不易引起失透得以維持，可得到充分的離子交換速度。

cao是使玻璃的熔融性提高的成分，也是對(duì)于適度地維持熱膨脹系數(shù)有效的成分。cao的含量?jī)?yōu)選為0.05％以上，更優(yōu)選為0.1％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1％以上，特別優(yōu)選為4％以上。另一方面，cao的含量?jī)?yōu)選為10％以下，更優(yōu)選為8％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5％以下。通過cao的含量為0.05％以上，能夠使熔融性提高，通過cao的含量為10％以下，能夠加深表面壓縮應(yīng)力層。

na2o是通過離子交換而形成表面壓縮應(yīng)力層的成分，也是使玻璃的熔融性提高的成分。na2o是即使玻璃的密度低，熱膨脹系數(shù)也變大的成分，因此，對(duì)于調(diào)整熱膨脹系數(shù)有效。na2o的含量?jī)?yōu)選為10％以上，更優(yōu)選為11％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為12％以上，特別優(yōu)選為13％以上。另一方面，na2o的含量?jī)?yōu)選為19％以下，更優(yōu)選為18％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為16％以下，特別優(yōu)選為15％以下。通過na2o的含量為10％以上，能夠通過離子交換而形成期望的表面壓縮應(yīng)力層，通過na2o的含量為19％以下，能夠避免耐候性和耐酸性的降低，能夠避免自壓痕的裂紋的產(chǎn)生。

k2o可以根據(jù)需要而含有，其含量?jī)?yōu)選0.1％以上。k2o的含量為0.1％以上時(shí)，能夠維持玻璃的高溫下的熔解性和適度的熱膨脹系數(shù)。k2o的含量更優(yōu)選為0.5％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1％以上，特別優(yōu)選為2％以上。另外，k2o的含量?jī)?yōu)選為8％以下。若k2o的含量為8％以下，則玻璃的密度變小，玻璃的重量變小。k2o的含量更優(yōu)選為6％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為4％以下。

fe2o3是使玻璃的熔融性提高的成分。通常，玻璃中的fe2o3吸收可見光，但在板厚薄的玻璃的情況下，由于光的吸收變少，因此，不易成為問題。另外，fe具有增大高溫?zé)崤蛎浵禂?shù)(αmax)的效果。進(jìn)而，fe由于是吸收熱線的成分，因此，具有促進(jìn)玻璃熔融液的熱對(duì)流而使玻璃的均質(zhì)性提高、通過防止熔融爐的底磚的高溫化而延長(zhǎng)爐壽命等效果，在使用大型爐而制造的平板玻璃的熔融工藝中優(yōu)選在組成中含有。fe2o3的含量?jī)?yōu)選為0.005％以上，更優(yōu)選為0.01％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.03％以上，特別優(yōu)選為0.06％以上。另一方面，若過度地含有，則由fe2o3產(chǎn)生的色調(diào)成為問題，因此，fe2o3的含量?jī)?yōu)選小于0.2％，更優(yōu)選小于0.15％，進(jìn)一步優(yōu)選小于0.12，特別優(yōu)選小于0.095。

玻璃基體的制造方法沒有特別限定，可以通過如下操作來制造：將期望的玻璃原料連續(xù)投入熔融爐，將玻璃原料優(yōu)選在1500～1600℃進(jìn)行加熱熔融并澄清，然后，將熔融的玻璃供給至成型裝置而成型為板狀，進(jìn)行緩冷。

應(yīng)予說明，作為玻璃基體的成型方法，沒有特別限定，例如可以使用下拉法(例如，溢流下拉法、流涎下拉法、再曳引法等)、浮法、軋平法、壓制法等成型方法。

透明基體2的厚度可以根據(jù)用途適當(dāng)選擇。例如在樹脂基體、玻璃基體等透明基體2為板狀的情況下，透明基體2的厚度優(yōu)選為0.1～5mm，更優(yōu)選為0.2～2mm。特別是在使用玻璃基體作為透明基體2進(jìn)行后述的化學(xué)強(qiáng)化處理的情況下、以輕量化為目的的情況下，為了有效地進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理、輕量化，玻璃基體的厚度優(yōu)選為5mm以下，更優(yōu)選為3mm以下。在用于智能手機(jī)、平板電腦等便攜型電子設(shè)備用觸摸面板的情況下，由于特別重視輕量化，因此，玻璃基體的厚度進(jìn)一步優(yōu)選為1mm以下，特別優(yōu)選為0.7mm以下。另一方面，在用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等車載型電子設(shè)備用觸摸面板的情況下，由于與輕量化相比更重視剛性，因此，玻璃基體的厚度進(jìn)一步優(yōu)選為0.7mm以上，特別優(yōu)選為1.0mm以上。

另外，高分子膜等透明基體2為膜狀時(shí)，透明基體2的厚度優(yōu)選為50～200μm，更優(yōu)選為75～150μm。

使用玻璃基體作為透明基體2時(shí)，可以對(duì)玻璃基體的主面實(shí)施基于氧氣等離子體的表面處理。另外，也可以在玻璃基體的主面通過濺射等形成氧化硅膜。關(guān)于這些處理，在進(jìn)行后述的防眩處理、化學(xué)強(qiáng)化處理時(shí)，優(yōu)選在防眩處理、化學(xué)強(qiáng)化處理之后進(jìn)行。

(防眩處理)

為了對(duì)帶防污膜的基體1賦予防眩性，優(yōu)選在透明基體2的主面具有凹凸形狀。

作為形成凹凸形狀的方法，可以利用防眩處理。作為防眩處理，沒有特別限定，例如在使用玻璃基體作為透明基體2時(shí)，可以利用對(duì)玻璃基體的主面實(shí)施化學(xué)或物理表面處理而形成具有期望的表面粗糙度的凹凸形狀的方法。

作為進(jìn)行化學(xué)防眩處理的方法，例如可舉出實(shí)施磨砂處理(フロスト処理)的方法。磨砂處理例如可以通過將作為被處理體的玻璃基體浸漬在氟化氫與氟化銨的混合溶液中來實(shí)施。

另外，作為進(jìn)行物理防眩處理的方法，例如可以利用將結(jié)晶質(zhì)二氧化硅粉、碳化硅粉等用加壓空氣吹送至玻璃基體的主面的所謂噴砂處理，將附著有結(jié)晶質(zhì)二氧化硅粉、碳化硅粉等的毛刷用水浸濕并用浸濕的毛刷摩擦玻璃基體的主面的方法等。

其中，作為化學(xué)表面處理的磨砂處理由于不易產(chǎn)生被處理體表面的微裂紋，不易產(chǎn)生機(jī)械強(qiáng)度的降低，因此，可優(yōu)選用作對(duì)玻璃基體實(shí)施表面處理的方法。

為了修整表面形狀，優(yōu)選對(duì)如此實(shí)施了化學(xué)或物理防眩處理的玻璃基體的主面進(jìn)行蝕刻處理。作為蝕刻處理，例如可以使用將玻璃基體浸漬在作為氟化氫的水溶液的蝕刻溶液中進(jìn)行化學(xué)蝕刻的方法。蝕刻溶液除氟化氫以外，也可以含有鹽酸、硝酸、檸檬酸等酸。通過含有這些酸，能夠抑制因玻璃基體中所含有的na離子、k離子等陽離子成分與氟化氫的反應(yīng)而引起的玻璃基體的表面局部產(chǎn)生析出物，此外，能對(duì)玻璃基體的表面均勻地進(jìn)行蝕刻。

在進(jìn)行蝕刻處理時(shí)，通過改變蝕刻溶液的濃度、玻璃基體在蝕刻溶液中的浸漬時(shí)間(以下也稱為“蝕刻時(shí)間”)等，能夠?qū)ξg刻量進(jìn)行調(diào)節(jié)。由此，能夠?qū)⒉ＡЩw的具有凹凸形狀的面(以下也稱為“防眩處理面”)的霧度值調(diào)整為期望的值。另外，在通過噴砂處理等物理表面處理進(jìn)行防眩處理時(shí)，雖然有時(shí)在透明基體2產(chǎn)生裂紋，但能夠通過蝕刻處理將這樣的裂紋去除。面內(nèi)的裂紋的深度最長(zhǎng)優(yōu)選5μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選3μm以下。若處于該范圍，則能夠充分地抑制因面內(nèi)裂紋所致的破裂強(qiáng)度降低。面內(nèi)的裂紋深度可以如下進(jìn)行測(cè)定。首先，準(zhǔn)備多張(例如5張)同一性狀的透明基板。接著，使用氧化鈰研磨粒階段性地改變研磨量而對(duì)各個(gè)透明基板的主面進(jìn)行研磨。研磨量例如為1μm、2μm、3μm、4μm、5μm。然后，若使用1mol％的hf水溶液對(duì)透明基板的主面進(jìn)行微量蝕刻，則容易確認(rèn)殘留的裂紋。通過利用光學(xué)顯微鏡(keyence公司制的vk－x120)確認(rèn)研磨至幾μm殘留有該裂紋痕跡，能夠測(cè)定裂紋深度。即，若研磨量為5μm時(shí)未殘留裂紋痕跡，則可以說裂紋深度為5μm以下。另外，通過蝕刻處理，也能夠得到抑制帶防污膜的基體1的眩光(ギラツキ)這樣的效果。

如此，作為進(jìn)行防眩處理和蝕刻處理之后的玻璃基體的主面的形狀，優(yōu)選表面粗糙度(均方根粗糙度(rms))為0.01～0.5μm，更優(yōu)選為0.01～0.3μm，進(jìn)一步優(yōu)選為0.01～0.2μm。通過表面粗糙度(rms)為上述范圍，能夠?qū)⒎姥Ｌ幚砗蟮牟ＡЩw的霧度值調(diào)整為3～30％。其結(jié)果，能夠?qū)Φ玫降膸Х牢勰さ幕w1賦予優(yōu)異的防眩性。

應(yīng)予說明，表面粗糙度(rms)可以依據(jù)jisb0601：(2001)中規(guī)定的方法進(jìn)行測(cè)定。作為表面粗糙度(rms)的測(cè)定方法，具體而言，使用激光顯微鏡(vk－9700，keyence公司制)，對(duì)作為試樣的防眩處理后的玻璃基體的測(cè)定面設(shè)定300μm×200μm的視野范圍，測(cè)定玻璃基體的高度信息。對(duì)測(cè)定值進(jìn)行截止(cutoff)修正，求出得到的高度的均方根，由此能夠算出表面粗糙度(rms)。作為截止值，優(yōu)選使用0.08mm。

另外，霧度值是依據(jù)jisk7136中規(guī)定的方法測(cè)得的值。

另外，進(jìn)行防眩處理和蝕刻處理之后的玻璃基體的表面具有凹凸形狀，若從玻璃基體的表面的上方觀察凹凸形狀，則看到圓形狀的孔。如此觀察到的圓形狀的孔的大小(直徑)優(yōu)選為1μm～10μm。通過處于這樣的范圍，能夠兼?zhèn)浞姥９夂头姥Ｐ浴?/p>

使用玻璃基體作為透明基體2時(shí)，為了提高得到的帶防污膜的基體1的強(qiáng)度，優(yōu)選對(duì)玻璃基體的主面、防眩處理面實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化處理。

作為化學(xué)強(qiáng)化處理的方法，沒有特別限定，通過對(duì)玻璃基體的主面、防眩處理面實(shí)施離子交換處理，在這些面形成壓縮應(yīng)力殘留的表面層。具體而言，在玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)以下的溫度下，將玻璃基體的主面、防眩處理面的附近所含的離子半徑小的堿金屬離子(例如，li離子、na離子)置換為離子半徑更大的堿金屬離子(例如，相對(duì)于li離子為na離子、k離子，相對(duì)于na離子為k離子)。由此，在玻璃基體的主面或防眩處理面殘留壓縮應(yīng)力，玻璃基體的強(qiáng)度提高。

(防反射膜)

帶防污膜的基體1也可以在透明基體2與防污膜3之間具備防反射膜。在透明基體2具有上述凹凸形狀時(shí)，優(yōu)選在防眩處理面上具備防反射膜。

作為防反射膜的構(gòu)成，只要為能夠抑制光的反射的構(gòu)成就沒有特別限定，例如可以為將波長(zhǎng)550nm的折射率為1.9以上的高折射率層與波長(zhǎng)550nm的折射率為1.6以下的低折射率層層疊而成的構(gòu)成。

防反射膜可以包含分別各1層的高折射率層和低折射率層，也可以包含分別2層以上的高折射率層和低折射率層。在防反射膜包含分別2層以上的高折射率層和低折射率層的情況下，優(yōu)選為將高折射率層與低折射率層交替地層疊而成的形態(tài)。

特別是為了提高防反射性能，防反射膜優(yōu)選為層疊多個(gè)層而成的層疊體，例如該層疊體優(yōu)選層疊2層以上且6層以下的層，更優(yōu)選層疊2層以上且4層以下的層。在此的層疊體優(yōu)選為將高折射率層和低折射率層層疊而成的層疊體，優(yōu)選將高折射率層和低折射率層的各自的層數(shù)合計(jì)而得到的層數(shù)在上述范圍。

高折射率層、低折射率層的材料沒有特別限定，可以考慮所要求的防反射性能的程度、生產(chǎn)率等進(jìn)行選擇。作為構(gòu)成高折射率層的材料，例如優(yōu)選使用選自氧化鈮(nb2o5)、氧化鈦(tio2)、氧化鋯(zro2)、氧化鉭(ta2o5)、氮化硅(sin)中的1種以上。作為構(gòu)成低折射率層的材料，優(yōu)選使用選自氧化硅(sio2)、含有si與sn的混合氧化物的材料、含有si與zr的混合氧化物的材料、含有si與al的混合氧化物的材料中的1種以上。

從生產(chǎn)率、折射率的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選上述高折射率層為氧化鈮層、氧化鉭層或氮化硅層，上述低折射率層為氧化硅層。

將防反射膜成膜的方法沒有特別限定，可以利用各種成膜方法。特別優(yōu)選通過脈沖濺射、ac濺射、數(shù)字濺射等方法進(jìn)行成膜。通過為這些方法，形成致密的膜，能夠確保耐久性。

例如通過脈沖濺射進(jìn)行成膜時(shí)，在非活性氣體與氧氣的混合氣體環(huán)境的腔室內(nèi)配置透明基體2，以成為期望的組成的方式選擇靶材，將防反射膜成膜。

此時(shí)，腔室內(nèi)的非活性氣體的氣體種類沒有特別限定，可以利用氬氣、氦氣等各種非活性氣體。

非活性氣體與氧氣的混合氣體所致的腔室內(nèi)的壓力沒有特別限定，通過為0.5pa以下，能夠使防反射膜的表面粗糙度容易地為上述優(yōu)選的范圍，故優(yōu)選。這是因?yàn)槿舴腔钚詺怏w與氧氣的混合氣體所致的腔室內(nèi)的壓力為0.5pa以下，則能夠確保成膜分子的平均自由行程，成膜分子具有更多能量而到達(dá)透明基體2。因此，能夠促進(jìn)成膜分子的再配置，形成較密且具有平滑表面的膜。非活性氣體與氧氣的混合氣體所致的腔室內(nèi)的壓力的下限值沒有特別限定，例如優(yōu)選為0.1pa以上。

(防污膜)

帶防污膜的基體1在透明基體2的主面具備防污膜3。在透明基體2的主面或防眩處理面形成防反射膜時(shí)，防污膜3優(yōu)選形成于該防反射膜的表面。另外，使用實(shí)施了防眩處理、化學(xué)強(qiáng)化處理等表面處理且未形成防反射膜的玻璃基體作為透明基體2時(shí)，防污膜3優(yōu)選形成于實(shí)施了這些表面處理的面。

作為形成防污膜3的方法，作為一個(gè)例子，可舉出如下等方法：將具有全氟烷基、例如包含全氟(聚氧亞烷基)鏈的氟烷基等氟烷基的硅烷偶聯(lián)劑的組合物通過旋涂法、浸涂法、澆鑄法、狹縫涂布法、噴涂法等涂布于透明基體2的主面之后進(jìn)行加熱處理的方法；使防污膜3的原料氣相蒸鍍于透明基體2的主面之后進(jìn)行加熱處理的真空蒸鍍法等。為了得到密合性高的防污膜3，優(yōu)選通過真空蒸鍍法而形成?；谡婵照翦兎ǖ姆牢勰?的形成優(yōu)選使用含有含氟水解性硅化合物的被膜形成用組合物而進(jìn)行。

被膜形成用組合物是含有含氟水解性硅化合物的組合物，只要是能夠通過真空蒸鍍法而形成防污膜3的組合物即可，沒有特別限制。被膜形成用組合物可以含有含氟水解性硅化合物以外的任意成分，也可以僅由含氟水解性硅化合物構(gòu)成。作為任意成分，可以在不阻礙本發(fā)明的效果的范圍使用，可舉出不具有氟原子的水解性硅化合物(以下稱為“非氟水解性硅化合物”)、催化劑等。

應(yīng)予說明，將含氟水解性硅化合物和任意的非氟水解性硅化合物配合于被膜形成用組合物時(shí)，各化合物可以以原本的狀態(tài)進(jìn)行配合，也可以以其部分水解縮合物的形式進(jìn)行配合。另外，也可以以各化合物與其部分水解縮合物的混合物的形式配合于被膜形成用組合物。

另外，將2種以上的含氟水解性硅化合物組合而使用時(shí)，各化合物可以以原本的狀態(tài)配合于被膜形成用組合物，也可以以各自的部分水解縮合物的形式進(jìn)行配合，還可以以2種以上的化合物的部分水解共縮合物的形式進(jìn)行配合。另外，也可以配合這些化合物、部分水解縮合物、部分水解共縮合物的混合物。其中，使用的部分水解縮合物、部分水解共縮合物是能夠真空蒸鍍的程度的聚合度的物質(zhì)。應(yīng)予說明，含氟水解性硅化合物除化合物本身以外，還包含這樣的部分水解縮合物、部分水解共縮合物。

(含氟水解性硅化合物)

防污膜3的形成中使用的含氟水解性硅化合物只要是防污膜3具有拒水性、拒油性等防污性的化合物就沒有特別限定。

具體而言，可舉出具有選自全氟聚醚基、全氟亞烷基和全氟烷基中的1種以上的基團(tuán)的含氟水解性硅化合物。這些基團(tuán)以介由連接基團(tuán)鍵合于水解性甲硅烷基的硅原子或直接鍵合于水解性甲硅烷基的硅原子的含氟有機(jī)基團(tuán)的形式存在。應(yīng)予說明，全氟聚醚基是指具有全氟亞烷基與醚性氧原子交替地鍵合而成的結(jié)構(gòu)的2價(jià)的基團(tuán)。含氟水解性硅化合物的數(shù)均分子量(mn)優(yōu)選為2000～10000，更優(yōu)選為3000～5000。通過含氟水解性硅化合物的數(shù)均分子量(mn)在上述范圍內(nèi)，能夠充分地表現(xiàn)出防污膜3的防污性，耐磨損性也優(yōu)異。應(yīng)予說明，本說明書中的數(shù)均分子量(mn)是指通過凝膠滲透色譜法測(cè)得的數(shù)均分子量。

如上所述，在含氟水解性硅化合物在透明基體2的主面進(jìn)行反應(yīng)而得到的防污膜3中，上述含氟有機(jī)基團(tuán)存在于防污膜3的表面附近，由此防污膜3具有拒水性、拒油性等防污性。作為具有如上所述的基團(tuán)的含氟水解性硅化合物的具體例，可舉出下述式(i)～(v)所示的化合物等。

式(i)中，r^f1為碳原子數(shù)1～16的直鏈狀的全氟烷基(作為烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基等)，r¹為氫原子或碳原子數(shù)1～5的烷基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基等)，x¹為可水解的基團(tuán)(例如氨基、烷氧基、酰氧基、烯氧基、異氰酸酯基等)或鹵素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)，m為1～50、優(yōu)選為1～30的整數(shù)，n為0～2、優(yōu)選為1～2的整數(shù)，p為1～10、優(yōu)選為1～8的整數(shù)。

式(i)中，r^f1的碳原子數(shù)優(yōu)選1～4。另外，r¹優(yōu)選甲基。作為x¹所示的可水解的基團(tuán)，優(yōu)選碳原子數(shù)1～6的烷氧基，更優(yōu)選甲氧基、乙氧基。

cqf2q+1ch2ch2si(nh2)3…(ii)

式(ii)中，q為1以上、優(yōu)選為2～20的整數(shù)。作為式(ii)所示的化合物，可例示正三氟(1,1,2,2－四氫)丙基硅氮烷(n－cf3ch2ch2si(nh2)3)、正七氟(1,1,2,2－四氫)戊基硅氮烷(n－c3f7ch2ch2si(nh2)3)等。

crf2r+1ch2ch2si(och3)3…(iii)

式(iii)中，r為1以上、優(yōu)選為1～20的整數(shù)。作為式(iii)所示的化合物，可例示2－(全氟辛基)乙基三甲氧基硅烷(n－c8f17ch2ch2si(och3)3)等。

式(iv)中，r^f2為－(oc3f6)s－(oc2f4)t－(ocf2)u－(s、t、u各自獨(dú)立地為0～200的整數(shù))所示的2價(jià)的直鏈狀的全氟聚醚基，r²、r³各自獨(dú)立為碳原子數(shù)1～8的一價(jià)的烴基(例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基等)。x²、x³各自獨(dú)立地為可水解的基團(tuán)(例如氨基、烷氧基、酰氧基、烯氧基、異氰酸酯基等)或鹵素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)，d、e各自獨(dú)立地為1～2的整數(shù)，c、f各自獨(dú)立地為1～5、優(yōu)選為1～2的整數(shù)，a和b各自獨(dú)立地為2～3的整數(shù)。

r^f2中，s+t+u優(yōu)選為20～300，更優(yōu)選為25～100。另外，r²、r³優(yōu)選甲基、乙基、丁基。作為x²、x³所示的可水解的基團(tuán)，優(yōu)選碳原子數(shù)1～6的烷氧基，更優(yōu)選甲氧基、乙氧基。另外，a和b分別優(yōu)選為3。

f－(cf2)v－(oc3f6)w－(oc2f4)y－(ocf2)z(ch2)ho(ch2)isi(x⁴)3－k(r⁴)k………(v)

式(v)中，v為1～3的整數(shù)，w、y、z各自獨(dú)立地為0～200的整數(shù)，h為1～2的整數(shù)，i為2～20的整數(shù)，x⁴為可水解的基團(tuán)，r⁴為碳原子數(shù)1～22的直鏈狀或支鏈狀的烴基，k為0～2的整數(shù)。w+y+z優(yōu)選為20～300，更優(yōu)選為25～100。另外，i優(yōu)選為2～10。x⁴優(yōu)選碳原子數(shù)1～6的烷氧基，更優(yōu)選為甲氧基、乙氧基。r⁴優(yōu)選碳原子數(shù)1～10的烷基。

另外，作為市售的具有選自全氟聚醚基、全氟亞烷基和全氟烷基中的1種以上的基團(tuán)的含氟水解性硅化合物，優(yōu)選kp－801(商品名，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、x－71(商品名，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、ky－130(商品名，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、ky－178(商品名，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、ky－185(商品名，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、ky－195(商品名，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、ky－197(商品名，信越化學(xué)工業(yè)公司制)、optool(注冊(cè)商標(biāo))dsx(商品名，daikin工業(yè)公司制)、s－550(商品名，旭硝子制)等。上述市售品中，更優(yōu)選ky－185、ky－195、optooldsx、s－550。

應(yīng)予說明，將市售品的含氟水解性硅化合物與溶劑一起供給時(shí)，含氟水解性硅化合物去除溶劑而使用。被膜形成用組合物通過將上述含氟水解性硅化合物和根據(jù)需要添加的任意成分進(jìn)行混合而制備并供于真空蒸鍍。

通過使這樣的含有含氟水解性硅化合物的被膜形成用組合物附著于透明基體2的主面進(jìn)行反應(yīng)而形成防污膜3。應(yīng)予說明，關(guān)于具體的真空蒸鍍法、反應(yīng)條件等，可以應(yīng)用公知的方法、條件等。例如，可以通過后述的制造方法形成這樣的防污膜3。

形成時(shí)的防污膜3的光學(xué)膜厚優(yōu)選10nm～50nm，更優(yōu)選10～30nm。通過使形成時(shí)的防污膜3的光學(xué)膜厚為上述范圍，去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a能夠維持良好的防污性和耐磨損性。

(粘合層)

帶防污膜的基體1具備可去除地設(shè)置于防污膜3的表面的粘合層4。作為粘合層4的材料，優(yōu)選在去除粘合層4時(shí)，粘合層4可從防污膜3容易地去除的材料。作為這樣的粘合層4的材料，可舉出丙烯酸系的粘合劑、聚氨酯系的粘合劑等。這些粘合劑從粘接性、剝離性的觀點(diǎn)考慮也優(yōu)選。

關(guān)于粘合層4的粘合力，從控制從防污膜3去除粘合層4時(shí)的構(gòu)成防污膜3的含氟水解性硅化合物的去除量的觀點(diǎn)考慮，粘合層4對(duì)于丙烯酸系基體的180度剝離粘合力(依據(jù)jisz0237)優(yōu)選0.02n/25mm～0.4n/25mm，更優(yōu)選0.05n/25mm～0.2n/25mm。

若粘合層4的粘合力小于0.02n/25mm，則保護(hù)膜5無法均勻地附著于防污膜3，在去除粘合層4和保護(hù)膜5時(shí)，有可能構(gòu)成防污膜3的表面的含氟水解性硅化合物隨著防污膜4被不均勻地去除。另外，在帶防污膜的基體1的輸送中，保護(hù)膜5有可能從粘合層4剝離，有可能損傷保護(hù)膜5的保護(hù)防污膜3的功能。另外，若粘合層4的粘合力超過0.4n/25mm，則有可能粘合層4對(duì)防污膜3的附著力過強(qiáng)，在去除粘合層4和保護(hù)膜5時(shí)，構(gòu)成防污膜3的表面的含氟水解性硅化合物被超出必要地去除。另外，由于在去除粘合層4和保護(hù)膜5時(shí)，粘合層4的一部分未被去除而殘存于防污膜3的表面，因此，有時(shí)產(chǎn)生污垢等不良。進(jìn)而，為了去除保護(hù)膜5而需要較大的力，有可能無法均勻地去除粘合層4而產(chǎn)生剝離不均。

從防污膜3與保護(hù)膜5的附著性和剝離性的觀點(diǎn)考慮，粘合層4的厚度優(yōu)選為5μm～50μm。

(保護(hù)膜)

帶防污膜的基體1具備可去除地設(shè)置于粘合層4的表面的保護(hù)膜5。作為保護(hù)膜5，只要是樹脂制的膜狀的保護(hù)膜就沒有特別限制。另外，保護(hù)膜5可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為層疊抗靜電層、硬涂層、易粘接層等多個(gè)層而成的多層結(jié)構(gòu)。

作為保護(hù)膜5，例如可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系膜、聚乙烯系膜、聚丙烯等聚烯烴系膜、聚氯乙烯膜等。這些膜中，從與粘合層4的附著性的方面、耐久性、光學(xué)特性的方面考慮，優(yōu)選聚酯系膜。

保護(hù)膜5的厚度沒有特別限定，例如優(yōu)選為5μm～100μm，更優(yōu)選為10μm～75μm。若保護(hù)膜5的厚度小于5μm，則有時(shí)無法充分地保護(hù)防污膜3，若保護(hù)膜5的厚度超過100μm，則有時(shí)導(dǎo)致成本增大。

[帶防污膜的基體的制造方法]

本發(fā)明的帶防污膜的基體1的制造方法具有如下工序：成膜工序，在透明基體2的主面形成防污膜3；粘合層設(shè)置工序，將粘合層4可去除地設(shè)置于防污膜3的表面；保護(hù)膜設(shè)置工序，將保護(hù)膜5可去除地設(shè)置于粘合層4的表面。

(成膜工序)

成膜工序是將含有含氟水解性硅化合物的組合物蒸鍍于透明基體2的主面并使其反應(yīng)而形成防污膜3的工序。在成膜工序中，在透明基體2的主面以高密合性形成防污膜3，由此得到的帶防污膜的基體1能夠兼?zhèn)鋬?yōu)異的拒水性、拒油性等防污性和高水平的耐磨損性。

成膜工序中，首先，使含有含氟水解性硅化合物的組合物附著于透明基體2的主面并使其反應(yīng)。也可以在透明基體2的主面形成上述的防反射膜。在透明基體2的主面具有防反射膜時(shí)，使含有含氟水解性硅化合物的組合物附著于防反射膜的表面并使其反應(yīng)。另外，使用上述實(shí)施了防眩處理、化學(xué)強(qiáng)化處理等表面處理的玻璃基體作為透明基體2時(shí)，使含有含氟水解性硅化合物的組合物附著于實(shí)施了表面處理的表面并使其反應(yīng)。

作為使含有含氟水解性硅化合物的組合物附著于透明基體2的主面的方法，只要是利用干式法形成含氟水解性硅化合物的層所通常使用的方法就沒有特別限制，例如可舉出真空蒸鍍法、cvd法、濺射法等。從抑制成膜工序時(shí)的含氟水解性硅化合物的分解的方面以及裝置的簡(jiǎn)便性的方面考慮，優(yōu)選真空蒸鍍法。

作為真空蒸鍍法，可以細(xì)分為電阻加熱法、電子束加熱法、高頻感應(yīng)加熱法、反應(yīng)性蒸鍍法、分子束外延法、熱墻蒸鍍法、離子鍍法、團(tuán)簇離子束法等，任一方法均可應(yīng)用。從抑制成膜工序時(shí)的含氟水解性硅化合物的分解的方面以及裝置的簡(jiǎn)便性的方面考慮，優(yōu)選電阻加熱法。真空蒸鍍裝置沒有特別限制，可以利用公知的裝置。

圖3是示意性地表示能夠用于本發(fā)明的帶防污膜的基體1的制造方法的一實(shí)施方式的裝置的圖。圖3所示的裝置是在透明基體2的主面蒸鍍含有含氟水解性硅化合物的組合物的裝置。

以下，一邊參照?qǐng)D3一邊對(duì)帶防污膜的基體1的制造方法進(jìn)行說明。在此，對(duì)基于電阻加熱法的真空蒸鍍裝置進(jìn)行說明。使用圖3所示的裝置時(shí)，一邊通過輸送部32從圖的左側(cè)向右側(cè)輸送透明基體2一邊在真空腔室33內(nèi)對(duì)透明基體2實(shí)施成膜工序。

在圖3所示的真空腔室33內(nèi)，使用基于電阻加熱法的真空蒸鍍裝置20使被膜形成用組合物附著于透明基體2的主面。

從生產(chǎn)穩(wěn)定性的觀點(diǎn)考慮，真空腔室33內(nèi)的壓力優(yōu)選維持在1pa以下，更優(yōu)選0.1pa以下。只要真空腔室33內(nèi)的壓力為1pa以下，就能夠穩(wěn)定地進(jìn)行基于電阻加熱法的真空蒸鍍。

真空蒸鍍裝置20具備：加熱容器21，設(shè)置于真空腔室33外，對(duì)被膜形成用組合物進(jìn)行加熱；配管22，將加熱容器21與真空腔室33連接，將從加熱容器21導(dǎo)入的被膜形成用組合物的蒸汽向歧管23供給；以及歧管23，在真空腔室33內(nèi)連接于配管22，具有用于將從配管22供給的被膜形成用組合物的蒸汽噴射至透明基體2的主面的噴射口。另外，在真空腔室33內(nèi)，透明基體2以歧管23的噴射口與透明基體2的主面對(duì)置的方式保持。

加熱容器21具有能夠?qū)⒆鳛檎翦冊(cè)吹谋荒ば纬捎媒M合物加熱至可蒸發(fā)的溫度的加熱部。被膜形成用組合物的加熱溫度可根據(jù)被膜形成用組合物的種類適當(dāng)選擇，具體而言，優(yōu)選30℃～400℃，特別優(yōu)選50℃～300℃。若被膜形成用組合物的加熱溫度為30℃以上，則成膜速度變得良好。若被膜形成用組合物的加熱溫度為400℃以下，則能夠抑制含氟水解性硅化合物的分解，在透明基體2的主面形成具有防污性的良好的防污膜3。

在此，在真空蒸鍍時(shí)，優(yōu)選在將加熱容器21內(nèi)的含有含氟水解性硅化合物的被膜形成用組合物升溫至蒸鍍開始溫度之后，進(jìn)行將被膜形成用組合物的蒸汽的一部分排出至系統(tǒng)外規(guī)定的時(shí)間的預(yù)處理。被膜形成用組合物中所含的含氟水解性硅化合物為高分子量，且具有分子量分布。因此，在剛達(dá)到蒸鍍開始溫度的階段的被膜形成用組合物的蒸汽中，容易汽化的低分子量成分的含有率會(huì)增加，根據(jù)情況，低沸雜質(zhì)成分也增加。通過進(jìn)行該預(yù)處理，能夠去除對(duì)防污膜3的耐久性造成影響的低分子量成分、低沸雜質(zhì)成分等，進(jìn)而，能夠使從蒸鍍?cè)垂┙o的原料蒸汽的組成穩(wěn)定化。由此，能夠穩(wěn)定地形成耐久性高的防污膜3。

具體而言，可以使用如下等方法：在加熱容器21的上部，相對(duì)于與歧管23連接的配管22另外設(shè)置用于將初期的被膜形成用組合物的蒸汽排出至加熱容器21外的連接到開閉自如的排氣口的配管(未圖示)，在加熱容器21外捕集該蒸汽。

另外，真空蒸鍍時(shí)的透明基體2的溫度優(yōu)選為室溫(20～25℃)至200℃。若透明基體2的溫度為200℃以下，則成膜速度變得良好。透明基體2的溫度的上限值更優(yōu)選150℃，特別優(yōu)選100℃。

應(yīng)予說明，為了防止從加熱容器21供給的被膜形成用組合物的蒸汽冷凝，歧管23優(yōu)選具備加熱器部。另外，為了防止從加熱容器21供給的蒸汽在配管22內(nèi)冷凝，配管22優(yōu)選以與加熱容器21一起加熱的方式設(shè)計(jì)。

另外，為了控制成膜速度，優(yōu)選在配管22設(shè)置可變閥門24，基于設(shè)置在真空腔室33內(nèi)的膜厚計(jì)25的檢測(cè)值來控制可變閥門24的開度。通過設(shè)置這樣的構(gòu)成，能夠控制供給至透明基體2的主面的含有含氟水解性硅化合物的被膜形成用組合物的蒸汽的量。由此，能夠在透明基體2的主面精度良好地形成具有期望的厚度的防污膜3。應(yīng)予說明，作為膜厚計(jì)25，可以使用石英晶體振子監(jiān)測(cè)器等。進(jìn)而，關(guān)于膜厚的測(cè)定，例如使用薄膜分析用x射線衍射計(jì)atx－g(rigaku公司制)作為膜厚計(jì)25時(shí)，可以通過x射線反射率法得到反射x射線的干涉圖案并根據(jù)該干涉圖案的振動(dòng)周期而算出。

如此，含有含氟水解性硅化合物的被膜形成用組合物附著于透明基體2的主面。進(jìn)而，在附著的同時(shí)或附著后，含氟水解性硅化合物通過水解縮合反應(yīng)而化學(xué)鍵合于透明基體2的主面，并且在分子間進(jìn)行硅氧烷鍵合，由此成為防污膜3。

該含氟水解性硅化合物的水解縮合反應(yīng)在附著的同時(shí)在上述透明基體2的主面進(jìn)行，但為了充分地促進(jìn)該反應(yīng)，也可以根據(jù)需要在將形成有防污膜3的透明基體2從真空腔室33取出后，進(jìn)一步進(jìn)行使用加熱板、恒溫恒濕槽的加熱處理。作為加熱處理的條件，例如將透明基體2在80～200℃的溫度下加熱10～60分鐘。

應(yīng)予說明，成膜工序也可以在將加濕裝置等連接于腔室33對(duì)腔室33內(nèi)加濕的狀態(tài)下進(jìn)行。另外，也可以在成膜工序后對(duì)防污膜3的表面通過例如酸處理或堿處理進(jìn)行蝕刻等，將防污膜3的表面粗糙度(中心線平均粗糙度(ra))調(diào)整為例如10nm以下。

(粘合層設(shè)置工序、保護(hù)膜設(shè)置工序)

接著，介由粘合層4使保護(hù)膜5可去除地附著于如上得到的防污膜3的表面。將粘合層4可去除地設(shè)置于防污膜3的表面的方法以及將保護(hù)膜5可去除地設(shè)置于粘合層4的表面的方法沒有特別限定，可以在同一工序中實(shí)施，也可以在不同的工序中實(shí)施，例如可以使用將在與防污膜3附著的面預(yù)先具備粘合層4的保護(hù)膜5(以下也稱為“帶粘合層的保護(hù)膜”)載置于防污膜3之后進(jìn)行加壓的方法。在防污膜3上的帶粘合層的保護(hù)膜的設(shè)置可以連續(xù)地進(jìn)行，此時(shí)，使用層壓機(jī)等一邊輸送透明基體2一邊將帶粘合層的保護(hù)膜連續(xù)地供給、載置于防污膜3的主面之后進(jìn)行加壓，使帶粘合層的保護(hù)膜附著于防污膜3。此時(shí)的層壓條件沒有特別限定，例如可以以形成有防污膜3的透明基體2的輸送速度為1mm/min～5mm/min、加壓力以線壓(線圧)計(jì)為1kgf/cm²～10kgf/m²進(jìn)行。

[粘合層和保護(hù)膜的去除]

帶防污膜的基體1去除上述所設(shè)置的粘合層4和保護(hù)膜5而使用。粘合層4和保護(hù)膜5的去除方法沒有特別限定，可以手動(dòng)去除，也可以使用剝離裝置等去除。應(yīng)予說明，本申請(qǐng)發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)剝離后的防污膜3a的光學(xué)膜厚的值不會(huì)因去除方法而增減。

如此，去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚為3nm～30nm。去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚小于3nm時(shí)，防污膜3a的耐久性顯著劣化。另外，去除后的防污膜3a的光學(xué)膜厚超過30nm時(shí)，產(chǎn)生因膜厚不均、防污膜材料的凝聚所致的霧度的不均，在外觀上感知為光學(xué)不均，導(dǎo)致?lián)p害設(shè)計(jì)性、圖像顯示的品質(zhì)。

另外，優(yōu)選去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚相對(duì)于設(shè)置粘合層4和保護(hù)膜5之前的防污膜3的光學(xué)膜厚的變化率為10％～60％。由此，去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a具備優(yōu)異的防污性，并且具有高耐磨損性。

在此，防污膜3a相對(duì)于防污膜3的光學(xué)膜厚的變化率是由下式求出的值。

光學(xué)膜厚的變化率＝{(防污膜3的光學(xué)膜厚)－(防污膜3a的光學(xué)膜厚)}×100/(防污膜3的光學(xué)膜厚)(％)…(1)

具有如上得到的防污膜3的帶防污膜的基體1的拒水性、拒油性等防污性優(yōu)異，并且具有能夠耐受反復(fù)進(jìn)行的污垢的擦拭等的高耐磨損性。另外，帶防污膜的基體1由于在防污膜3上具備粘合層4和保護(hù)膜5，因此，能夠抑制運(yùn)送時(shí)的破裂、損傷。另外，由于以去除粘合層4和保護(hù)膜5之后的防污膜3a的光學(xué)膜厚為最佳膜厚的方式使去除粘合層4和保護(hù)膜5之前的防污膜3的光學(xué)膜厚為上述范圍，因此，使用時(shí)的防污膜3a具有充分的光學(xué)膜厚，拒水性、拒油性等防污性優(yōu)異，并且具有也能夠耐受反復(fù)進(jìn)行的污垢的擦拭等的高耐磨損性。

實(shí)施例

以下，通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。實(shí)施例和比較例中的評(píng)價(jià)分別通過以下的方法進(jìn)行。

(摩擦耐久性(耐磨損性))

首先，在底面為10mm×10mm的平面金屬壓頭的表面安裝平織棉細(xì)布(平織り綿布金巾)3號(hào)，制成摩擦防污膜的摩擦塊。

接著，使用上述摩擦塊，利用平面磨損試驗(yàn)機(jī)3聯(lián)式(大榮科學(xué)精器制作所制)測(cè)定防污膜的摩擦耐久性。具體而言，以上述摩擦塊的底面與形成于透明基體的防污膜的表面接觸的方式將摩擦塊安裝于磨損試驗(yàn)機(jī)，以對(duì)摩擦塊施加的重量為1000g的方式載置重量，以平均速度6400mm/min、單程40mm在防污膜表面往復(fù)滑動(dòng)摩擦塊。往復(fù)滑動(dòng)1次為摩擦次數(shù)2次，測(cè)定摩擦次數(shù)50000次結(jié)束后的防污膜表面的水的接觸角。防污膜表面的水接觸角的測(cè)定使用自動(dòng)接觸角計(jì)dm－501(協(xié)和界面科學(xué)制)，將純水1μl滴加于防污膜來進(jìn)行。防污膜表面的水接觸角的測(cè)定部位為10個(gè)部位，將在10個(gè)部位測(cè)得的水接觸角的算術(shù)平均作為摩擦耐久性。去除帶粘合層的保護(hù)膜前后的水接觸角的減少率越少，摩擦耐久性的降低越得到抑制。

(防污膜的光學(xué)膜厚)

首先，對(duì)具備防反射膜的帶防污膜的基體的防污膜的光學(xué)膜厚的測(cè)定方法進(jìn)行說明。

首先，對(duì)構(gòu)成形成于透明基體表面的防反射膜的各層的折射率進(jìn)行測(cè)定。接下來，在透明基體的背面粘貼黑膠帶，去除透明基體的背面反射。然后，利用分光測(cè)定器(solidspec－3700，島津制作所制)對(duì)形成有防反射膜和防污膜的透明基體的表面測(cè)定分光反射光譜。然后，使用預(yù)先測(cè)得的構(gòu)成防反射膜的各層的折射率和各層的厚度，假定防污膜的折射率為1.35，通過專用的軟件算出防污膜的光學(xué)膜厚。

接著，對(duì)不具備防反射膜的帶防污膜的基體的防污膜的光學(xué)膜厚的測(cè)定方法進(jìn)行說明。

分別準(zhǔn)備形成有防反射膜的透明基體和未形成有防反射膜的透明基體，以相同的條件在兩透明基體形成防污膜。然后，利用與上述同樣的分光測(cè)定器對(duì)形成有防反射膜和防污膜的透明基體的表面測(cè)定分光反射光譜。與上述同樣地使用構(gòu)成防反射膜的各層的折射率和各層的厚度，假定防污膜的折射率為1.35，通過專用的軟件算出防污膜的光學(xué)膜厚。將該值設(shè)為在同一條件下形成于未形成有防反射膜的透明基體的不具備防反射膜的帶防污膜的基體中的防污膜的光學(xué)膜厚。

防污膜的光學(xué)膜厚為數(shù)nm～數(shù)10nm，非常薄，因此，利用觸針式階差儀難以進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)定，但可以通過分光反射光譜、橢偏儀進(jìn)行測(cè)定。另外，即使不使用如上所述的高價(jià)的裝置，防污膜的光學(xué)膜厚也可以通過以下的方法進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)定。在透明基體的表面介由防反射膜形成防污膜時(shí)的透明基體表面的反射光譜與在透明基體的表面不介由防反射膜而直接形成防污膜時(shí)的透明基體表面的反射光譜相比，相對(duì)于防污膜的膜厚變動(dòng)的反射光譜的變化增大。因此，如上所述，通過在形成有防反射膜的透明基體和未形成有防反射膜的透明基體以同一條件形成防污膜的方法，能夠準(zhǔn)確地測(cè)定所形成的防污膜的光學(xué)膜厚。在實(shí)施例和比較例中，采用該方法。

(光學(xué)不均)

首先，將帶防污膜的基體配置在熒光燈的上方，調(diào)整熒光燈的位置以使在帶防污膜的基體的位置為1500勒克司。接著，對(duì)透過帶防污膜的基體的光進(jìn)行觀察，目視是否產(chǎn)生霧度、顏色的不均，判定有無不均。

[實(shí)施例1]

通過以下的步驟來制造帶防污膜的基體。

(1)防眩處理和蝕刻處理

使用化學(xué)強(qiáng)化玻璃(dragontrail(注冊(cè)商標(biāo)，以下也稱為“dt”)，旭硝子公司制)作為透明基體。然后，通過以下的步驟對(duì)透明基體的表面實(shí)施基于磨砂處理的防眩處理。首先，將耐酸性的保護(hù)膜貼合于透明基體的不實(shí)施防眩處理的一側(cè)即背面。接著，將該透明基體在3重量％氟化氫溶液中浸漬3分鐘，去除附著于透明基體的表面的污垢。接著，將透明基體在15重量％氟化氫與15重量％氟化鉀的混合溶液中浸漬3分鐘，對(duì)透明基體的未貼合保護(hù)膜的一側(cè)即表面進(jìn)行磨砂處理。

將上述防眩處理后的透明基體在10％氟化氫溶液中浸漬6分鐘(蝕刻時(shí)間6分鐘)，由此將霧度值調(diào)整為25％。

(2)化學(xué)強(qiáng)化處理

將防眩處理后的透明基體在加熱至450℃并熔融的硝酸鉀中浸漬2小時(shí)后提起，以1小時(shí)緩冷至室溫，由此得到經(jīng)化學(xué)強(qiáng)化的透明基體。

(3)防反射膜(ar膜)的成膜

對(duì)于上述經(jīng)化學(xué)強(qiáng)化的透明基體，在實(shí)施了防眩處理的一側(cè)即表面如下形成防反射膜。

將透明基體在堿性溶液(sunwashtl－75，lion株式會(huì)社制)中浸漬4小時(shí)。然后，在真空腔室內(nèi)，一邊導(dǎo)入在氬氣中混合有10體積％的氧氣的混合氣體一邊使用氧化鈮靶材(nbo靶材，agc陶瓷公司制造)在壓力0.3pa、頻率20khz、功率密度3.8w/cm²、反轉(zhuǎn)脈沖寬度5μsec的條件下進(jìn)行脈沖濺射，在透明基體的表面上形成厚度13nm的由氧化鈮(niobia)構(gòu)成的第1高折射率層。

接著，一邊導(dǎo)入在氬氣中混合有40體積％的氧氣的混合氣體一邊使用硅靶材在壓力0.3pa、頻率20khz、功率密度3.8w/cm²、反轉(zhuǎn)脈沖寬度5μsec的條件下進(jìn)行脈沖濺射，在第1高折射率層上形成厚度35nm的由氧化硅(silica)構(gòu)成的第1低折射率層。

接著，一邊導(dǎo)入在氬氣中混合有10體積％的氧氣的混合氣體一邊使用氧化鈮靶材(nbo靶材，agc陶瓷公司制)在壓力0.3pa、頻率20khz、功率密度3.8w/cm²、反轉(zhuǎn)脈沖寬度5μsec的條件下進(jìn)行脈沖濺射，在第1低折射率層上形成厚度115nm的由氧化鈮(niobia)構(gòu)成的第2高折射率層。

接著，一邊導(dǎo)入在氬氣中混合有40體積％的氧氣的混合氣體一邊使用硅靶材在壓力0.3pa、頻率20khz、功率密度3.8w/cm²、反轉(zhuǎn)脈沖寬度5μsec的條件下進(jìn)行脈沖濺射，在第2高折射率層上形成厚度80nm的由氧化硅(silica)構(gòu)成的第2低折射率層。

如此，形成層疊有氧化鈮(niobia)層和氧化硅(silica)層合計(jì)4層的防反射膜。

(4)防污膜(afp膜)的形成

首先，將作為防污膜的原料的含氟水解性硅化合物(ky－185，信越化學(xué)公司制)導(dǎo)入至加熱容器內(nèi)。然后，利用真空泵對(duì)加熱容器內(nèi)脫氣10小時(shí)以上，進(jìn)行溶液中的溶劑去除，得到含有含氟水解性硅化合物的被膜形成用組合物的蒸汽。接著，將放入被膜形成用組合物的加熱容器加熱至270℃。到達(dá)270℃之后，保持該狀態(tài)10分鐘直至溫度穩(wěn)定。

然后，從連接真空腔室與加熱容器的噴嘴對(duì)設(shè)置于真空腔室內(nèi)的層疊在透明基體上的防反射膜供給被膜形成用組合物的蒸汽，進(jìn)行成膜。

此時(shí)，一邊通過設(shè)置于真空腔室內(nèi)的石英晶體振子監(jiān)測(cè)器測(cè)定膜厚一邊進(jìn)行成膜直至膜厚成為10nm。接著，在膜厚成為10nm的時(shí)刻停止被膜形成用組合物的供給，從真空腔室取出透明基體。所取出的透明基體背面朝下地設(shè)置于加熱板，在大氣中在150℃下進(jìn)行60分鐘熱處理。

對(duì)于如此形成的防污膜，通過上述的方法測(cè)定摩擦耐久性和光學(xué)膜厚。

另外，使用層壓機(jī)在上述得到的形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(ec－9000as，sumiron株式會(huì)社制)，制造帶防污膜的基體1。構(gòu)成帶粘合層的保護(hù)膜的粘合層的材料為丙烯酸系粘合劑，粘合層對(duì)于丙烯酸系基體的180度剝離粘合力(依據(jù)jisz0237)為0.06n/25mm，保護(hù)膜為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(以下也稱為“pet”)系膜，保護(hù)膜的厚度為25μm。

然后，去除防污膜表面的帶粘合層的保護(hù)膜，通過上述的方法對(duì)去除帶粘合層的保護(hù)膜之后的防污膜測(cè)定摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[實(shí)施例2]

不進(jìn)行防眩處理，不形成防反射膜，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚15nm的防污膜。另外，與實(shí)施例1同樣地在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(ec－9000as，sumiron株式會(huì)社制)，制造帶防污膜的基體2。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[實(shí)施例3]

不進(jìn)行防眩處理，不形成防反射膜，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚25nm的防污膜。另外，使用與實(shí)施例1同樣的層壓機(jī)在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(ua－3000as，sumiron株式會(huì)社制)，制造帶防污膜的基體3。構(gòu)成帶粘合層的保護(hù)膜的粘合層的材料為聚氨酯系粘合劑，粘合層對(duì)于丙烯酸系基體的180度剝離粘合力(依據(jù)jisz0237)為0.15n/25mm，保護(hù)膜為pet系膜，保護(hù)膜的厚度為25μm。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[實(shí)施例4]

不進(jìn)行防眩處理，不形成防反射膜，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚40nm的防污膜。另外，使用與實(shí)施例1同樣的層壓機(jī)在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(rp－207，日東電工公司制)，制造帶防污膜的基體4。構(gòu)成帶粘合層的保護(hù)膜的粘合層的材料為丙烯酸系粘合劑，粘合層對(duì)于丙烯酸系基體的180度剝離粘合力(依據(jù)jisz0237)為0.1n/25mm，保護(hù)膜為pet系膜，保護(hù)膜的厚度為25μm。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[實(shí)施例5]

不進(jìn)行防眩處理，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚10nm的防污膜。另外，使用與實(shí)施例1同樣的層壓機(jī)在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(y16fs，suna化研公司制)，制造帶防污膜的基體5。構(gòu)成帶粘合層的保護(hù)膜的粘合層的材料為丙烯酸系粘合劑，粘合層對(duì)于丙烯酸系基體的180度剝離粘合力(依據(jù)jisz0237)為0.3n/25mm，保護(hù)膜為pet系膜，保護(hù)膜的厚度為25μm。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[實(shí)施例6]

使用含氟水解性硅化合物(optooldsx，信越化學(xué)公司制)作為防污膜的原料，不進(jìn)行防眩處理，不形成防反射膜，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚30nm的防污膜。另外，使用與實(shí)施例1同樣的層壓機(jī)在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(rp－207，日東電工公司制)，制造帶防污膜的基體6。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[實(shí)施例7]

不形成防反射膜，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚20nm的防污膜。另外，與實(shí)施例1同樣地在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(ec－9000as，sumiron株式會(huì)社制)，制造帶防污膜的基體7。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[比較例1]

不進(jìn)行防眩處理，不形成防反射膜，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚10nm的防污膜。另外，使用與實(shí)施例1同樣的層壓機(jī)在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(tg－3030，sumiron株式會(huì)社制)，制造帶防污膜的基體1c。構(gòu)成帶粘合層的保護(hù)膜的粘合層的材料為丙烯酸系粘合劑，粘合層對(duì)于丙烯酸系基體的180度剝離粘合力(依據(jù)jisz0237)為3.0n/25mm，保護(hù)膜為pet系膜，保護(hù)膜的厚度為25μm。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

[比較例2]

不進(jìn)行防眩處理，不形成防反射膜，除此以外，與實(shí)施例1同樣地在透明基體上形成光學(xué)膜厚60nm的防污膜。另外，與實(shí)施例1同樣地在形成有防污膜的透明基體的兩面設(shè)置帶粘合層的保護(hù)膜(ec－9000as，sumiron株式會(huì)社制)，制造帶防污膜的基體2c。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均。

將實(shí)施例1～7中制造的帶防污膜的基體1～7和比較例1～2中制造的帶防污膜的基體1c～2c的制造條件、防污膜的摩擦耐久性、光學(xué)膜厚和光學(xué)不均的測(cè)定結(jié)果示于表1。另外，將通過上述式(1)算出的防污膜的光學(xué)膜厚的變化率示于表1。

[表1]

如表1所示，可知使具備粘合層和保護(hù)膜的狀態(tài)下的防污膜的光學(xué)膜厚為10nm～50nm且使去除粘合層和保護(hù)膜之后的防污膜的光學(xué)膜厚為3nm～30nm的帶防污膜的基體1～7能夠抑制因去除粘合層和保護(hù)膜所致的防污膜的耐磨損性的降低。進(jìn)而，可知帶防污膜的基體1～7沒有光學(xué)不均，具備優(yōu)異的透明性。

符號(hào)說明

1…帶防污膜的基體、2…透明基體、3、3a…防污膜、4…粘合層、5…保護(hù)膜。